JP2016146471A5 - - Google Patents

Description

実施の形態５においては、エミッタ層を裏面に、裏面電界層を受光面に配したバックエミッタ構造を作製することを特徴とする。実施の形態１とは、各層を形成する面が異なるだけであるため、詳細な説明は省略する。図１５のフローチャートも同様である。実施の形態５の太陽電池の製造方法では、図１６（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１００の裏面１００Ｂ側に第２導電型半導体層であるｐ型不純物拡散層１０３を形成する。そして図１６（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１００の受光面１００Ａ上に、低濃度ｎ型不純物拡散層１０４を形成する。この後、ｎ型不純物拡散源１０６を形成し、図１６（ｃ）に示すように、窒素および酸素混合雰囲気下でｎ型不純物拡散源１０６から不純物を拡散することにより高濃度ｎ型不純物拡散層１０７および熱酸化膜１０８を形成する。そして、図１７（ａ）に示すように、ｎ型不純物拡散源１０６の上から受光面側誘電体層として実施の形態１から４で説明した裏面側誘電体層１０９を形成する。ｎ型不純物拡散源１０６の上には、高濃度ｎ型不純物拡散源１０６上の裏面側誘電体層１０９ｂ、熱酸化膜１０８上には高濃度ｎ型不純物拡散源１０６上以外の裏面側誘電体層１０９ａが形成されている。この後、図１７（ｂ）に示すように、高濃度ｎ型不純物拡散源１０６上の受光面側誘電体層として実施の形態１から４で説明した裏面側誘電体層１０９ｂおよびｎ型不純物拡散源１０６をリフトオフし開口ｈを形成する。ｎ型不純物拡散源１０６上以外の受光面側誘電体層として実施の形態１から４で説明した裏面側誘電体層１０９ａは残留している。そして図１７（ｃ）に示すように、裏面１００Ｂにパッシベーション膜としての誘電体層として実施の形態１から４で説明した受光面側誘電体層１１０、および窒化シリコン膜からなる反射防止膜１１１を形成する。そして最後に裏面１００Ｂ側に正電極１１２を形成するとともに、受光面１００Ａ側の、リフトオフにより得られた開口ｈに負電極１１３を形成し、図１４（ａ）および（ｂ）に示した太陽電池が形成される。このようにして受光面１００Ａ側にはグリッド電極１１３Ｇとバス電極１１３Ｂとからなる負電極１１３が形成される。一方裏面１００Ｂ側にも受光面１００Ａ側に対向するグリッド電極とバス電極とからなる正電極１１２が形成される。

１００ ｎ型単結晶シリコン基板、１０１ ＢＳＧ膜、１０２ ＮＳＧ膜、１０３ ｐ型不純物拡散層、１０４ 低濃度ｎ型不純物拡散層、１０５ ＰＳＧ膜、１０６ 高濃度ｎ型不純物拡散源、ｈ 開口、１０７ 高濃度ｎ型不純物拡散層、１０８ 熱酸化膜、１０９ 裏面側誘電体層、１０９ａ 高濃度ｎ型不純物拡散源上以外の裏面側誘電体層、１０９ｂ 高濃度ｎ型不純物拡散源上の裏面側誘電体層、１１０ 受光面側誘電体層、１１１ 反射防止膜、１１２ 正電極、１１３ 負電極、２００ ｐ型単結晶シリコン基板、２０１ ＰＳＧ膜、２０２ ＮＳＧ膜、２０３ ｎ型不純物拡散層、２０４ 低濃度ｐ型不純物拡散層、２０５ ｐ型不純物拡散源、２０６ 高濃度ｐ型不純物拡散源、２０７ 高濃度ｐ型不純物拡散層、２０９ 裏面側誘電体層、２０９ａ 高濃度ｐ型不純物拡散源上以外の裏面側誘電体層、２０９ｂ 高濃度ｐ型不純物拡散源上の裏面側誘電体層、２１０ 誘電体層、２１１ 反射防止膜、２１２ 負電極、２１３ 正電極。

Claims (10)

1. 第１導電型を有する結晶系の半導体基板の第１主面上の一部に、第１導電型の不純物を含有する拡散源を形成する工程と、前記半導体基板を拡散温度まで昇温し、前記拡散源から前記第１導電型の不純物を前記半導体基板中に拡散させ、第１不純物拡散層を形成する拡散工程と、前記半導体基板の第１主面上および前記拡散源上に誘電体層を形成する工程と、前記拡散源とともに、前記拡散源上に位置する誘電体層をリフトオフし、開口を形成する工程と、前記開口内で前記第１不純物拡散層にコンタクトする電極を形成する工程とを順に含み、
   前記拡散工程は、前記半導体基板に酸素を供給し、前記半導体基板の第１主面上に熱酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
2. 前記拡散工程は、前記拡散温度まで前記半導体基板を昇温する途中で、前記拡散温度に到達するに先立ち、前記半導体基板に酸素を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記拡散工程は、前記拡散温度に到達後、拡散中の前記半導体基板に酸素を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記拡散源を形成する工程は、前記半導体基板の第１主面に直接拡散源を形成する工程であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
5. 前記半導体基板の前記第１主面に、前記第１不純物拡散層と同一導電型で、前記第１不純物拡散層よりも不純物濃度の低い、第２不純物拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
6. 前記第２不純物拡散層を形成する工程は、前記拡散源を形成する工程に先立ち実施されることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
7. 前記誘電体層は、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、窒酸化シリコン膜、およびこれらの積層構造体のいずれかであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
8. 前記開口を形成する工程が、前記拡散源に前記誘電体層を通してレーザービームを照射することによって行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
9. 前記開口を形成する工程が、ウエットエッチングによって行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
10. 前記半導体基板は、結晶系シリコン基板であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。