TWI495126B - 太陽能電池及其製作方法 - Google Patents

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Description

太陽能電池及其製作方法
本發明提供一種太陽能電池及其製作方法，尤指一種能改善電位誘發衰減(potential induced degradation，PID)狀況並提高發電效率之太陽能電池及其製作方法。
現今人類使用的能源主要來自於石油，但由於地球的石油資源有限，因此近年來對於替代能源的需求與日俱增，而在各式替代能源中，太陽能已成為目前最具發展潛力的綠色能源。
然而，受限於高製作成本、製程複雜與光電轉換效率不佳等問題，太陽能電池的發展仍待進一步的突破。請參考第1圖，第1圖為習知太陽能電池模組的結構剖面示意圖。太陽能電池模組10包括太陽能電池12被乙烯-醋酸乙烯共聚物14(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)包覆，藉由框膠18而將太陽能電池12固定於鋁框16內，且在太陽能電池12表面覆蓋了一片玻璃20。習知太陽能電池模組10包括金屬電極22、24當作負極或正極、粗糙表面26用來降低光線反射率、以及高濃度摻雜之射極設置在上側表面等元件。在習知結構下，當光電轉換產生電流時，電子應先經由射極與電極22收集而輸出，然而由於玻璃20、EVA 14與鋁框16相對於太陽能電池12而言為正電位，因此當電極22來不及收集電子時，電子很容易在具正固定氧化電荷之材料表面發生再複合而損失電流，亦即電位誘發衰減(potential induced degradation，PID)效應。此外，粗糙表面26的設計會使得其下方的射極摻雜濃度不均勻，且高摻雜濃度的射極本身也會有高表面再複合問題。因此， 習知太陽能電池結構有上述等等造成漏電流與發電效率受限之問題，所以如何製作出具有高光電轉換效率的太陽能電池實為當前能源產業最主要的發展方向之一。
本發明的目的之一在於提供一種將射極設置於內部之太陽能電池及其製作方法，以改善設置習知PID效應等漏電流問題。
本發明提供一種太陽能電池，其包括基底、輕摻雜區、半導體層、第一電極及第二電極。基底具有第一表面與相對於第一表面之第二表面，其中基底具有一第一摻雜類型。輕摻雜區位於基底之第一表面上，與基底第一表面之間具有一介面，其中輕摻雜區具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型。半導體層設於輕摻雜區上方，具有第一摻雜類型。第一電極位於基底之第一表面上，並埋設於部分半導體層與輕摻雜區中，且第一電極之底部實質上切齊於輕摻雜區與基底第一表面之間的介面。第二電極係設於基底之第二表面。
本發明另提供一種製作太陽能電池之方法，包括先提供一基板，其中基板具有第一表面與第二表面相對於第一表面，且基板具有第一摻雜類型。接著於基板第一表面內形成輕摻雜區，其中輕摻雜區具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型，且於輕摻雜區上形成半導體層，其具有第一摻雜類型。之後，於半導體層中形成至少一溝槽，再於基板之第一表面形成第一電極，於基板之第二表面形成第二電極，其中第一電極設於溝槽中並與輕摻雜區電性連接。
由於本發明太陽能電池之半導體層設置於當作射極的輕摻雜區之上，因此可以避免習知技術中因射極太接近玻璃、EVA等正電位元件而造成 電流發生表面再複合問題，以輕摻雜區當作射極之設計也可以避免習知高濃度摻雜之射極本身發生電流再複合問題，能有效避免PID效應，並進一步改善漏電流問題。
10‧‧‧太陽能電池模組
12‧‧‧太陽能電池
14‧‧‧EVA
16‧‧‧鋁框
18‧‧‧框膠
20‧‧‧玻璃
22、24‧‧‧金屬電極
26‧‧‧粗糙表面
100‧‧‧基板
101‧‧‧基底
101a‧‧‧基底上表面
101b‧‧‧基底下表面
102‧‧‧第一表面
104‧‧‧第二表面
106‧‧‧輕摻雜區
108‧‧‧半導體層
110‧‧‧溝槽
112‧‧‧介面
114‧‧‧抗反射層
116‧‧‧金屬層
118‧‧‧第一電極
118a‧‧‧第一電極底部
120‧‧‧第二電極
122‧‧‧歐姆接觸層
124‧‧‧摻雜區
126‧‧‧太陽能電池
128‧‧‧重摻雜區
130、132‧‧‧太陽能電池
134‧‧‧粗糙化結構
136、138‧‧‧太陽能電池
D‧‧‧半導體層厚度/輕摻雜區深度
第1圖為習知太陽能電池模組的結構剖面示意圖。
第2圖至第5圖為本發明太陽能電池之製作方法之第一實施例的製程示意圖。
第6圖至第9圖為本發明太陽能電池之製作方法的第二實施例的製程示意圖。
第10圖至第13圖為本發明太陽能電池之製作方法之第三實施例的製程示意圖。
第14圖至第17圖為本發明太陽能電池之製作方法之第四實施例的製程示意圖。
第18圖至第20圖為本發明太陽能電池之製作方法之第五實施例的製程示意圖。
請參考第2圖至第5圖，第2圖至第5圖為本發明太陽能電池之製作方法之第一實施例的製程示意圖。如第2圖所示，首先提供一基板100，基板100可為半導體基板或是矽基板，例如為半導體晶圓，且基板100具有第一摻雜類型。基板100具有第一表面102與第二表面104，兩者相對設置。接著，在基板100的第一表面102下方形成輕摻雜區106，其形成方法舉例如離子雲植入(ion shower doping)製程或離子金屬電漿(ion-metal-plasma,IMP)製程，但不以此為限。輕摻雜區106的深度(即距離第一表面102之距離)D舉例為約4至5微米，且輕摻雜區106之底部與基板100之間具有介面112。 輕摻雜區106具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型，其摻雜濃度舉例為1x1019-20 原子/平方公分，但不以此為限。由於輕摻雜區106形成在基板100的第一表面102的下方，因此在形成輕摻雜區106時也可視為同時在輕摻雜區106上方的部分基板100形成了半導體層108，其厚度為D，而在輕摻雜區106下方之部分基板100定義為基底101，且基底101的第一表面視為與輕摻雜區106底部相接之介面112。
接著如第3圖所示，在基板100的第一表面102形成溝槽110。溝槽110的形成方式舉例如雷射刻槽(laser grooving)製程或是微影蝕刻製程，但不以此為限。其中，溝槽110的深度可以大約相同於半導體層108的厚度D，使溝槽110底部暴露出輕摻雜區106，或者與輕摻雜區106的上部相接。然後，選擇性地在基板100的第一表面102形成抗反射層114，其形成方法舉例如沈積製程或塗佈製程。其中，抗反射層可為單層或多層結構，其材料包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋅、氧化鈦、銦錫氧化物(ITO)、氧化銦、氧化鉍(bismuth oxide)、氧化錫(stannic oxide)、氧化鋯(zirconium oxide),氧化鉿(hafnium oxide)、氧化銻(antimony oxide)、氧化釓(gadolinium oxide)、其它合適的材料、或上述至少二種之混合物。
接著，請參考第4圖，在基板100的第一表面102與第二表面104分別形成包含導電材料之第一電極118與第二電極120，其中第一電極118與第二電極120可包含金屬材料，例如銀，且可以藉由網版印刷製程以將第一電極118與第二電極120分別形成在基板100的第一表面102與第二表面104，其中第一電極118係形成於溝槽110中。值得注意的是，在形成第二電極120之前，可選擇性地先在基板100的第二表面104形成金屬層116，其中金屬層116的材料舉例為包含金屬鋁，但不以此為限。
請參考第5圖，接著對基板100進行共燒結製程，使第一電極118與第二電極120之材料與基板100上之半導體元件作用並使導電材料向基板100內擴散，因此在共燒結製程之後，第一電極118的底部118a實質上切齊於輕摻雜區106底部與基底101之間的介面112，其中第一電極118之底部118a實質上切齊於介面112之意義為第一電極118之底部118a與介面112的垂直高度差不大於輕摻雜區106厚度。因此，第一電極118係與輕摻雜區106相接觸並電性連接於輕摻雜區106。此外，在共燒結製程後，第一電極118的導電材料與抗反射層114、半導體層108和輕摻雜區106作用而在第一電極118與基板100之間形成包含金屬矽化物之歐姆接觸層122，而金屬層116也與基板100作用形成包括金屬矽化物之摻雜區124，位於基板100的第二表面104附近且設於第一電極120與基板100之間，其中摻雜區124具有第一摻雜類型，其材料例如為鋁矽合金。最後，可選擇性地對基板100的第一表面102進行粗糙化處理，以使抗反射層114表面具有粗糙化結構(圖未示)，且粗糙化結構係設於輕摻雜區106之上，以降低光線反射與提高光吸收率。
因此，第5圖所示為根據本發明太陽能電池之製作方法所製作的太陽能電池126，其中太陽能電池126包括基底101、輕摻雜區106、半導體層108、第一電極118及第二電極120。基底101具有第一摻雜類型。輕摻雜區106之底部與基底101之上表面101a之間具有介面112，而輕摻雜區106係位於基底101之上表面101a上。輕摻雜區106具有相反於第一摻雜類型之第二摻雜類型，用來當作太陽能電池126的射極。半導體層108設於輕摻雜區106上方，具有第一摻雜類型。此外，太陽能電池126包括至少一溝槽110設於基底101的上表面101a上方，第一電極118設於溝槽110中且埋設於半導體層108和輕摻雜區106內，且第一電極118之底部118a實質上切齊於輕摻雜區106與基底101上表面101a之間的介面112。另一方面，在基底101之下表面101b上設置了第二電極120，且選擇性設有金屬層116和摻雜區 124，其中摻雜區124與金屬層116係設於基底101下表面101b與第二電極120之間。
在本實施例中，基底101、半導體層108及摻雜區124皆具有第一摻雜類型，而輕摻雜區106具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型。舉例而言，基底101與半導體層108可具有P型摻雜，輕摻雜區106為N+型摻雜，而摻雜區124為P-型摻雜，可當作太陽能電池126之背表面電場(back side field，BSF)元件。但不以此為限。在其他實施例中，基底101與半導體層108亦可具有N型摻雜，輕摻雜區106為P+型摻雜，而摻雜區124為N-型摻雜。由於本發明太陽能電池126用來當作射極之輕摻雜區106的表面具有半導體層108，因此可以避免在光電轉換所產生的電子被外部帶正電元件吸引而在整面抗反射層102處發生再複合，能改善PID效應以及傳統太陽能電池中因高濃度摻雜層設在基板100表面而產生的表面再複合問題以及摻雜層濃度的不均勻現象，使第一電極118能有效地收集電子而提高太陽能電池126之整體效率。
本發明之太陽能電池結構及其製作方法並不以上述實施例為限。下文將繼續介紹本發明太陽能電池及其製作方法之其它實施例，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，下文中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考第6圖至第9圖，第6圖至第9圖為本發明太陽能電池之製作方法的第二實施例的製程示意圖，其中第6圖係接續前述第一實施例之第2圖之製程。如第6圖所示，在形成輕摻雜區106之後，於基板100之部分第一表面102形成重摻雜區128，位於半導體層108與輕摻雜區106之中，重摻雜區128具有第二摻雜類型，其摻雜濃度舉例為大於1x1020 原子/平方公 分，且重摻雜區128的深度較佳係較深於輕摻雜區106之底部與基板100之介面112。重摻雜區128的形成方式舉例如以離子雲植入製程或IMP製程在基板100的第一表面102植入磷離子，然後再進行退火(annealing)製程。其中，重摻雜區128的形成位置為第一電極在第一表面102的預定形成位置。然後如第7圖所示，可利用如雷射刻槽或蝕刻製程在第一表面102具有重摻雜區128之處移除部份重摻雜區128而形成溝槽110，其中溝槽110的底部可約略與輕摻雜區106之頂部位於同一水平面，且溝槽110的底部留下部分重摻雜區128。
請參考第8圖，接著在基板100的第一表面102選擇性地形成抗反射層114，其中抗反射層114覆蓋了第一表面102以及溝槽110之內表面，亦即覆蓋所暴露的重摻雜區128表面。抗反射層114的材料包含如第一實施例所敘述的材料，不在此重複敘述。然後，請參考第9圖，如第一實施例第4圖至第5圖之製程，可選擇性地在基板100的第二表面104形成金屬層116，接著在溝槽110中形成第一電極118與在基板100的第二表面104形成第二電極120。經共燒結製程在金屬層116與基板100的介面處形成摻雜區124，且使溝槽110中的第一電極118金屬材料向下擴散，共燒結製程後的第一電極118之底部118a實質上切齊於輕摻雜區106底部和基板100之間的介面112，且第一電極118係與重摻雜區128相接觸並電性連接，而重摻雜區128係位於第一電極118與半導體層108、輕摻雜區106及基底101之間，如此便完成了本發明第二實施例之太陽能電池130的製作。與前一實施例不同的是，太陽能電池13之第一電極118的底部係被重摻雜區128所包圍，且第一電極118與重摻雜區128係互相電連接。在此設計下，能使光電轉換所產生的電子更有效地經由重摻雜區128而被第一電極118收集，以提供電流之輸出。
類似於第一實施例，在本實施例中，基底101、半導體層108及摻雜區124皆具有第一摻雜類型，而輕摻雜區106與重摻雜區128具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型。舉例而言，基底101與半導體層108可具有P型摻雜，輕摻雜區106為N+型摻雜，重摻雜區128為N++型摻雜，而摻雜區124為P-型摻雜，但不以此為限。在其他實施例中，基底101與半導體層108亦可具有N型摻雜，輕摻雜區106為P+型摻雜，重摻雜區128為P++型摻雜，而摻雜區124為N-型摻雜。
請參考第10圖至第13圖為本發明太陽能電池之製作方法之第三實施例的製程示意圖。如第10圖所示，首先提供基板100，其具有相對設置之第一表面102與第二表面104，且基板100具有第一摻雜類型，例如P型摻雜。然後在基板100的第一表面102上形成輕摻雜區106，其形成方法舉例如利用擴散製程將離子擴散進入基板100的第一表面102，以在基板100之第一表面102內(即基板100之表層)形成輕摻雜區106，輕摻雜區106之底部與基板100之間具有介面112，且在輕摻雜區106下方之基板100視為基底101，基底101之上表面101a與輕摻雜區106之間的介面即為介面112。輕摻雜區106具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型，例如為N+型摻雜。然後，如第11圖所示，在輕摻雜區106之上形成半導體層108，其形成方法舉例如利用磊晶製程而形成包含結晶矽材料之半導體層108，且半導體層108較佳具有第一摻雜類型，例如為P型摻雜。此外，半導體層108的厚度舉例為約4至5微米，即可視為輕摻雜區106的深度D。
接著請參考第12圖，利用例如雷射刻槽或是蝕刻等製程在半導體層108中形成溝槽110，再選擇性地於半導體層108與溝槽110表面形成抗反射層114，覆蓋半導體層108與溝槽110的表面。然後如第13圖所示，利用如前述實施例的方法，在溝槽110中形成第一電極118，在基板100的第二表 面104形成第二電極120，且在第一電極118與半導體層108、輕摻雜區106之間設有歐姆接觸層122。此外，在基板100的第二表面104可選擇性形成金屬層116，並在共燒結製程後形成摻雜區124，設於金屬層116與基底101之間，其中摻雜區124具有第二摻雜類型。同樣地，在本實施例中，第一電極118的底部118a實質上切齊於輕摻雜區106底部和基板100之間的介面112。如此，便完成了本發明第三實施例之太陽能電池132的製作。因此，本實施例與前述實施例之不同處在於輕摻雜區106係先形成於基板100的表面，然後再於輕摻雜區106的上方形成半導體層108。
因此，第13圖所示為根據本發明太陽能電池製作方法之第三實施例所製作的太陽能電池132，其中太陽能電池132包括基底101、輕摻雜區106、半導體層108、第一電極118及第二電極120。基底101具有第一摻雜類型。輕摻雜區106之底部與基底101之上表面101a之間具有介面112，而輕摻雜區106係位於基底101之上表面101a上。輕摻雜區106具有相反於第一摻雜類型之第二摻雜類型，用來當作太陽能電池126的射極。半導體層108設於輕摻雜區106上方，具有第一摻雜類型。此外，太陽能電池132包括至少一溝槽110設於基底101的上表面101a上方，第一電極118設於溝槽110中且埋設於半導體層108和輕摻雜區106內，且第一電極118之底部118a實質上切齊於輕摻雜區106與基底101上表面101a之間的介面112。另一方面，在基底101之下表面101b上設置了第二電極120，且選擇性設有金屬層116和摻雜區124，其中摻雜區124與金屬層116係設於基底101下表面101b與第二電極120之間。
請參考第14圖至第17圖，第14圖至第17圖為本發明太陽能電池之製作方法之第四實施例的製程示意圖。本實施例與前述實施例的不同係先在基底之表面製作粗糙化結構，再製作太陽能電池的其他元件。如第14圖 所示，首先提供包括半導體材料之基板100，其中基板100具有第一摻雜類型。對基板100的第一表面102進行粗糙化處理，以形成粗糙化(texture)結構134。然後利用如離子植入或IMP製程在基板100之第一表面102之下形成輕摻雜區106，其中輕摻雜區106在基板100中之深度D舉例約4至5微米。基板100位於輕摻雜區106以下之部分可視為基底101，而基板100位於輕摻雜區106之上的部分可視為半導體層108，因此半導體層108的厚度即為輕摻雜區106之深度D。此外，輕摻雜區106具有第二摻雜類型，相反於第一摻雜類型。然後如第15圖所示，於基板100之第一表面102形成溝槽110，使溝槽110的底部約略與輕摻雜區106之頂部相接。然後，在基板100之第一表面102形成抗反射層114，覆蓋基板100之第一表面102以及溝槽110的表面。
接著，請參考第16圖，在基板100的第一表面102與第二表面104分別形成第一電極118與第二電極120，第一電極118與第二電極120較佳包含金屬材料，例如銀，且可以藉由網版印刷製程以將第一電極118與第二電極120分別形成在溝槽110之內以及基板100之第二表面104。值得注意的是，在形成第二電極120之前，可選擇性先在基板100的第二表面104形成金屬層116，其中金屬層116的材料舉例為鋁，但不以此為限。
請參考第17圖，接著對基板100進行共燒結製程，使第一電極118與第二電極120之金屬材料與基板100上之半導體元件作用並使金屬材料向基板100內擴散，因此在共燒結製程之後，第一電極118的底部118a實質上切齊於輕摻雜區106底部與基板100之間的介面112，其中第一電極底部118a實質上切齊於介面112之意義為第一電極底部118a與介面的垂直高度差不大於輕摻雜區106厚度。此外，在共燒結製程後，第一電極118的金屬材料與抗反射層114、半導體層108和輕摻雜區106作用而在第一電極118 與基板100之間形成包含金屬矽化物之歐姆接觸層122，而金屬層116也與基板100作用形成包括金屬矽化物之摻雜區124，位於基板100的第二表面104附近且設於第一電極120與基板100之間，其中摻雜區124具有第一摻雜類型，例如P型摻雜。如此，便完成了本發明第四實施例之太陽能電池136的製作。
請參考第18圖至第20圖，第18圖至第20圖為本發明太陽能電池之製作方法之第五實施例的製程示意圖，其中第18圖係接續於第四實施例之第14圖後的製程。本實施例與第四實施例之不同處在於在製作溝槽之前先於基板中製作重摻雜區。如第18圖所示，在形成輕摻雜區106之後，先於基板100的部分第一表面102形成至少一重摻雜區128，重摻雜區128具有相同於輕摻雜區106之第二摻雜類型，例如為N++型摻雜，其摻雜濃度舉例為大於1x1020 原子/平方公分，且重摻雜區128的深度較佳係較深於輕摻雜區106之底部與基板100之介面112。重摻雜區128的形成方式舉例如以離子雲植入製程或IMP製程在基板100的第一表面102植入磷離子，然後再進行退火(annealing)製程。其中，重摻雜區128的形成位置為第一電極在基板100之第一表面102的預定形成位置。
然後如第19圖所示，可利用如雷射刻槽或蝕刻製程在基板100之第一表面102具有重摻雜區128之處移除部份重摻雜區128而形成溝槽110，其中溝槽110的底部可約略與輕摻雜區106之頂部位於同一水平面，且溝槽110的底部留下部分重摻雜區128。接著請參考第20圖，在基板100的第一表面102選擇性地形成抗反射層114，其中抗反射層114覆蓋第一表面102以及溝槽110之內表面，亦即覆蓋了被暴露的重摻雜區128表面。抗反射層114的材料包含如第一實施例所敘述的材料，不在此贅述。然後，如第四實施例第16圖至第17圖之製程，選擇性地在基板100的第二表面104形 成金屬層116，然後在溝槽110中形成第一電極118與在基板100的第二表面104形成第二電極120。經共燒結製程在金屬層116與基板100的介面處形成摻雜區124，且使溝槽110中的第一電極118之金屬材料向下擴散與基板100上的其他元件作用，共燒結製程後的第一電極118之底部118a實質上切齊於輕摻雜區106底部和基板100之間的介面112，如此便完成了本發明第五實施例之太陽能電池138的製作。
本發明太陽能電池中用來當作射極之輕摻雜區係設於半導體層之下，而不是設在整體結構之表面或直接接觸抗反射層，因此會有較低的表面再複合電流，改善PID效應所導致的問題，且輕摻雜區並不是沿著粗糙化結構設置，因此射極具有較均勻的摻雜濃度。由上述可知，本發明之太陽能電池及其製作方法能提供具有較高光電轉換效率之太陽能電池結構。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100‧‧‧基板
101‧‧‧基底
101a‧‧‧基底上表面
101b‧‧‧基底下表面
102‧‧‧第一表面
104‧‧‧第二表面
106‧‧‧輕摻雜區
108‧‧‧半導體層
110‧‧‧溝槽
112‧‧‧介面
114‧‧‧抗反射層
116‧‧‧金屬層
118‧‧‧第一電極
118a‧‧‧第一電極底部
120‧‧‧第二電極
122‧‧‧歐姆接觸層
124‧‧‧摻雜區
126‧‧‧太陽能電池

Claims (17)

  1. 一種太陽能電池，包括：一基底(base)，具有一第一表面與一第二表面，該第一表面相對於該第二表面，其中該基底具有一第一摻雜類型；一輕摻雜區，位於該基底之該第一表面上，該輕摻雜區與該基底之該第一表面之間具有一介面，其中該輕摻雜區具有一第二摻雜類型，且該第二摻雜類型相反於該第一摻雜類型；一半導體層，設於該輕摻雜區上方，其中該半導體層具有該第一摻雜類型；一第一電極，位於該基底之該第一表面上，埋設於部分該半導體層與該輕摻雜區中，且該第一電極之底部實質上切齊於該輕摻雜區與該基底之該第一表面之間的該介面；以及一第二電極，設於該基底之該第二表面。
  2. 如請求項第1項所述之太陽能電池，另包括一重摻雜區，位於該第一電極與該半導體層、該輕摻雜區與該基底之間，其中該重摻雜區具有該第二摻雜類型，該第一電極位於該重摻雜區上。
  3. 如請求項第1項所述之太陽能電池，另包括一摻雜區，設於該基底之該第二表面上，位於該第二電極與該基底之間。
  4. 如請求項第3項所述之太陽能電池，其中該摻雜區具有該第一摻雜類型。
  5. 如請求項第1項所述之太陽能電池，另包括一抗反射層，設於該半導體層之上方。
  6. 如請求項第1項所述之太陽能電池，其中該基底之該第一表面具有一粗糙 化(texture)結構。
  7. 一種製作太陽能電池之方法，包括：提供一基板(substrate)，其具有一第一表面與一第二表面，且該第一表面相對於該第二表面，其中該基板具有一第一摻雜類型；於該基板之該第一表面內形成一輕摻雜區，其中該輕摻雜區具有一第二摻雜類型，且該第二摻雜類型相反於該第一摻雜類型，並使該輕摻雜區上形成一半導體層，其具有該第一摻雜類型；於該半導體層中形成至少一溝槽；以及於該基板之該第一表面形成一第一電極，以及於該基板之該第二表面形成一第二電極，該第一電極設於該溝槽中並與該輕摻雜區電性連接。
  8. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，另包括在形成該第一電極與該第二電極之後，對該基板進行一共燒結(co-firing)製程，在該共燒結製程之後，該第一電極之底部實質上切齊於該輕摻雜區之底部。
  9. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，另包括在該基板之該第二表面內形成一摻雜區，位於該第二電極與該基板之間，且該摻雜區具有該第一摻雜類型。
  10. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，另包括在該基板之該第一表面內形成一重摻雜區，使該重摻雜區位於該半導體層與該輕摻雜區之中，其中該重摻雜區具有該第二摻雜類型，並且上述形成該溝槽之步驟係以雷射刻槽(laser grooving)製程移除部份該重摻雜區而形成該溝槽。
  11. 如請求項第10項所述之製作太陽能電池之方法，其中上述形成該第一電 極之步驟另包括在該重摻雜區內之該溝槽中形成該第一電極，且該第一電極與該重摻雜區接觸並電性連接。
  12. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，其中該半導體層係與該輕摻雜區同時形成，其中上述形成該輕摻雜區之步驟係藉由一離子雲植入(ion shower doping)製程或一離子金屬電漿(ion-metal-plasma，IMP)製程於該基板內之一預定深度形成該輕摻雜區而同時形成該半導體層於該輕摻雜區上。
  13. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，其中上述形成該輕摻雜區之步驟係藉由一擴散製程所完成。
  14. 如請求項第13項所述之製作太陽能電池之方法，其中該半導體層係藉由一磊晶沈積製程而形成。
  15. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，另包括於該半導體層上形成一抗反射層。
  16. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，另包括在該基板之該第一表面形成一粗糙化結構。
  17. 如請求項第7項所述之製作太陽能電池之方法，其中該溝槽係藉由一雷射刻槽製程所形成。
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