CN102610664A - 太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池。太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一电极，电连接到发射极层；第一保护层，位于所述发射极层的没有布置第一电极的正表面上；背表面场层，位于基板的另一表面处；第二电极，电连接到背表面场层；和第二保护层，位于基板的没有布置第二电极的背表面上。第一保护层和第二保护层每一个均由具有第一导电类型的固定电荷的材料形成。

Description

太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池。
背景技术
本申请要求2011年1月19日在韩国专利局提交的韩国专利申请No.10-2011-0005429的优先权和利益，其全部内容以引用的方式并入本文。
作为获得环保型能量的方法，使用光电转换效应将光能转换为电能的太阳能发电技术已经得到广泛使用。由于太阳能电池的光电转换效率的提高，使用多个太阳能电池板的太阳能发电系统已经安装在诸如房屋之类的多个地方。
太阳能电池一般包括基板和与基板一起形成了p-n结的发射极层，由此从通过基板的一个表面而入射在太阳能电池上的光产生电流。此外，防反射层形成在基板的光接收表面上，以降低入射在基板上的光的反射率并增加预定波长带的光透射率。因此，太阳能电池的光电转换效率提高。
因为光一般仅通过基板的一个表面入射在太阳能电池上，所以太阳能电池的电流转换效率较低。因此，近来已经开发了双侧光接收太阳能电池，在双侧光接收太阳能电池中光通过基板的两个表面入射在太阳能电池上。
发明内容
本发明的实施方式提供一种高效率的太阳能电池。
在一个方面中，一种太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一电极，所述第一电极电连接到所述发射极层；第一保护层，所述第一保护层位于所述发射极层的没有布置所述第一电极的正表面上；背表面场层，所述背表面场层位于所述基板的另一表面处；第二电极，所述第二电极电连接到所述背表面场层；和第二保护层，所述第二保护层位于所述基板的没有布置所述第二电极的背表面上，其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均由具有与所述第一导电类型相同的导电类型的固定电荷的材料形成，其中，所述背表面场层局部地位于所述基板的背表面处。
所述第一保护层和所述第二保护层每一个均包含具有负固定电荷的氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)。所述第一保护层和所述第二保护层每一个均具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度。
所述背表面场层形成在所述基板110的与所述第二电极相同的位置处，并具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。所述背表面场层的宽度可以等于或小于所述第二电极的宽度，或可以大于所述第二电极的宽度。
所述第一防反射层可以由具有正固定电荷的氮化硅(SiNx)形成。
所述太阳能电池还可以包括位于所述第二保护层的背表面上的第二防反射层。所述第二防反射层可以由具有正固定电荷的氮化硅(SiNx)形成。
所述第一防反射层和所述第二防反射层每一个均可以具有大约1.9至2.3的折射率和大约50nm至100nm的厚度。
所述基板可以具有与所述发射极层所位于的基板的表面对应的第一有纹理表面和与所述背表面场层所位于的基板的表面对应的第二有纹理表面。
所述第一电极和所述第二电极可以由不同的材料形成。例如，所述第一电极可以由包含银(Ag)和铝(Al)的混合物(Ag:Al)的导电膏形成，并且所述第二电极可以由包含银(Ag)的导电膏形成。
所述第一电极和所述第二电极可以具有相同的宽度。
所述基板由掺杂磷(P)的n型硅晶片形成，并具有大约1Ω·cm2至10Ω·cm2的电阻率。
所述发射极层可以包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域轻掺杂有所述第二导电类型的杂质，所述第二掺杂区域比所述第一掺杂区域更重地掺杂有所述第二导电类型的杂质。
所述第二掺杂区域可以形成在所述基板的与所述第一电极相同的位置处。所述第二掺杂区域的宽度可以等于或小于所述第一电极的宽度，或者可以大于所述第一电极的宽度。
所述第一掺杂区域具有大约80Ω/sq至200Ω/sq的表面电阻率，并且所述第二掺杂区域具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。
根据上述特性，用于形成所述第一保护层的氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)具有由低的界面陷阱密度产生的良好的化学钝化特性和由负固定电荷产生的良好的场效应钝化特性。此外，该材料在稳定性、透湿性和抗磨损性方面非常出色。因而，所述第一保护层可以降低表面复合速度，由此提高了太阳能电池的效率和可靠性。
因为所述背表面场层局部地位于基板的与第二电极相同的位置处，由氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)形成的第二保护层对移动到背表面场层的载流子的影响可以最小化。
所述发射极层的第二掺杂区域仅形成在所述基板的与所述第一电极相同的位置处，并且具有比所述第二掺杂区域的杂质浓度低的所述第一掺杂区域形成在其余区域中。因此，根据本发明实施方式的太阳能电池还可以比包括全部区域都是重掺杂区域的发射极层的太阳能电池进一步减少载流子的复合。因此，根据本发明实施方式的太阳能电池可以保证低的串联电阻。
所述第一电极所位于的所述基板的正表面和所述第二电极所位于的所述基板的背表面二者是有纹理表面，所述第一保护层和所述第一防反射层形成在所述基板的正表面上，并且所述第二保护层和所述第二防反射层形成在所述基板的背表面上。因此，入射在所述基板的正表面上且其后穿过基板的光再次入射在基板的背表面上。结果，光可以用于生成电流。因而，根据本发明实施方式的太阳能电池的效率可以比仅使用入射在上述基板的正表面上的光来生成电流的太阳能电池进一步提高。
附图说明
所包括的附图提供对本发明的进一步的理解并被并入本说明书且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明第一实施方式的太阳能电池的示意截面图；
图2是根据本发明第二实施方式的太阳能电池的示意截面图；和
图3至图7是示出制造图2中示出的太阳能电池的方法的截面图。
具体实施方式
现在将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。但是，本发明可以实现为许多不同形式，并且不应该解释为仅限于这里阐述的实施方式。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、板、区域等的厚度。并在全部说明中将使用相似标号来表示相似元件。将理解的是，当将诸如层、膜、区域或基板之类的元件称为“位于”另一元件“上”时，它可以直接位于所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，如果元件被称为“直接位于”另一元件“上”，则不存在中间元件。此外，应该理解，当将诸如层、膜、区域或基板之类的元件称为“完全”位于另一元件上时，它可以位于所述另一元件的整个表面上，且可以不位于所述另一元件的边缘的一部分上。
参照附图详细地描述根据本发明示例实施方式的太阳能电池。
图1是根据本发明第一实施方式的太阳能电池的示意截面图。
如图1所示，根据本发明第一实施方式的太阳能电池包括：基板110；位于基板110的一个表面(例如基板110的正表面)上的发射极层120；位于发射极层120上的第一保护层130；位于第一保护层130上的第一防反射层140；位于在发射极层120上没有第一保护层130和第一防反射层140的部分的多个第一电极150；位于基板110的背表面上的背表面场(BSF)层160；位于基板110的背表面上的第二保护层170；位于第二保护层170的背表面上的第二防反射层180；和多个第二电极190，所述多个第二电极190位于背表面场层160的没有第二保护层170和第二防反射层180的背表面上。
基板110可以由第一导电类型(例如n型，尽管不是必须的)硅晶片形成。在基板110中使用的硅可以是诸如单晶硅和多晶硅之类的晶体硅，或者非晶硅。当基板110是n型时，基板110可以包含诸如磷(P)、砷(As)、和锑(Sb)之类的V族元素的杂质。基板110可以具有大约1Ω·cm2至10Ω·cm2的电阻率。
基板110的表面可以均匀地纹理化，以形成对应于不平坦表面或具有不平坦特性的有纹理表面。更具体地说，基板110具有第一有纹理表面111(参照图3)和第二有纹理表面113(参照图3)，第一有纹理表面111对应于发射极层120所位于的正表面，第二有纹理表面113对应于与正表面相对的背表面。
位于基板110的第一有纹理表面111处的发射极层120是与基板110的第一导电类型(例如，n型)相反的第二导电类型(例如，p型)的掺杂区域，并且与基板110一起形成p-n结。
由入射在基板110上的光产生的多个电子-空穴对通过内在的电势差而分离为电子和空穴，该电势差由基板110和发射极层120之间的p-n结产生。分离的电子移动到n型半导体，并且分离的空穴移动到p型半导体。当基板110是n型并且发射极层120是p型时，分离的电子和空穴分别移动到基板110和发射极层120。
当发射极层120是p型时，发射极层120可以通过利用诸如硼(B)、镓(Ga)、和铟(In)之类的III族元素的杂质来掺杂基板110来形成。发射极层120可以具有大约30Ω/sq至120Ω/sq的表面电阻率。
位于形成在基板110的正表面处的发射极层120上的第一保护层130由具有负固定电荷的例如氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)的材料形成。第一保护层130的材料具有由低的界面陷阱密度产生的良好的化学钝化特性和由负固定电荷产生的良好的场效应钝化特性。此外，材料在稳定性、透湿性和抗磨损性方面非常出色。因而，第一保护层130降低了表面复合速度，由此提高太阳能电池的效率和可靠性。在本发明的实施方式中，第一保护层130由具有与第一导电类型相同的导电类型的固定电荷的材料形成。
位于第一保护层130上的第一防反射层140由具有正固定电荷的例如氮化硅(SiNx)的材料形成。第一防反射层140降低了通过基板110的正表面入射在太阳能电池上的光的反射率并增加预定波长带的选择性，由此提高了太阳能电池的效率。
在本发明的实施方式中，第一保护层130具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度T1并且第一防反射层140具有大约1.9至2.3的折射率和大约50nm至100nm的厚度T2，以使在基板110的正表面处的光反射率最小化。
根据本发明人进行的实验，当第一保护层130和第一防反射层140位于上述折射率和厚度范围内时，基板110的正表面处的光反射率呈现了最小值。
可以进一步在第一保护层130和发射极层120之间的界面处形成具有大约1nm至3nm的厚度的氧化硅层。
多个第一电极150位于基板110的正表面的发射极层120上，并电气地且物理地连接到发射极层120。第一电极150在固定方向上大致彼此平行地延伸。第一电极150收集移动到发射极层120的载流子(例如，空穴)。
第一电极150可以由从包括镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)以及它们的组合的组中选择的至少一种导电材料形成。在本发明的实施方式中，第一电极150由通过将银(Ag)和铝(Al)的混合物(Ag:Al)与玻璃粉混合所得到的导电膏形成。
另选地，可以使用电镀处理来形成第一电极150。在该情况下，第一电极150可以包括金属种子层和在金属种子层上电镀的导电层。可以在金属种子层和导电层之间进一步形成扩散防止层，由此防止形成导电层的材料通过金属种子层扩散到掺杂区域。
金属种子层可以由镍硅化物或铝硅化物形成。导电层可以包含从包括铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)以及它们的组合的组中选择的至少一种材料。
按照与第一电极150相同的结构，多个第二电极190形成在基板110的背表面上。具有上述结构的第二电极190收集移动到基板110的载流子(例如，电子)，并向外部设备输出载流子。
第二电极190可以由从包括铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)以及它们的组合的组中选择的至少一种导电材料形成。在本发明的实施方式中，第二电极190由通过将Ag与玻璃粉混合所得到的导电膏形成。另选地，可以使用按照与第一电极150相同方式的电镀处理来形成第二电极190。
在本发明的实施方式中，第一电极150的宽度W1大致等于第二电极190的宽度W2(即，W1＝W2)。
电气地且物理地连接到第二电极190的背表面场层160局部地位于基板110的与第二电极190相同的位置处的背表面上。背表面场层160是利用与基板110相同的导电类型的杂质来比基板110更重地掺杂的区域(例如，n+型区域)。在本发明的实施方式中，背表面场层160具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。背表面场层160的宽度W3可以等于或小于第二电极190的宽度W2，或者可以大于第二电极190的宽度W2。
空穴向基板110的背表面的移动由势垒防止或降低，该势垒从基板110和背表面场层160的杂质浓度之间的差而产生。因此，在基板110的表面周围的电子和空穴的复合和/或消失被防止或降低。
第二保护层170和第二防反射层180位于基板110的没有第二电极190和背表面场层160的背表面上。
在本发明的实施方式中，第二保护层170由与第一保护层130相同的材料形成，并具有与第一保护层130相同的厚度。此外，第二防反射层180由与第一防反射层140相同的材料形成，并具有与第一防反射层140相同的厚度。但是，可以使用不同的材料或其他材料。
因为位于基板110的背表面上的第二保护层170由具有负固定电荷的例如氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)的材料形成，移动到基板110的背表面的载流子(例如，电子)受到第二保护层170的影响。但是，在本发明的实施方式中，因为背表面场层160只位于与第二电极190相同的位置处，因此由氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)形成的第二保护层170对移动到背表面场层160的载流子的影响可以最小化。在本发明的实施方式中，第二保护层170由具有与第一导电类型的相同导电类型的固定电荷的材料形成。
根据本发明实施方式的具有上述结构的太阳能电池可以用作双侧(或两面)光接收太阳能电池，并且下面描述太阳能电池的操作。
当照射在太阳能电池上的光通过发射极层120和/或基板110的背表面入射在基板110上时，通过光能在基板110中生成多个电子-空穴对。在该情况下，因为基板110的正表面和背表面分别是第一有纹理表面111和第二有纹理表面113，因此可能降低基板110的正表面和背表面每一个处的光反射率。此外，因为在基板110的第一有纹理表面111和第二有纹理表面113每一个处均可以执行光入射操作和光反射操作二者，因此光可以被局限在太阳能电池中。因此，光吸收可以增加，并且可以提高太阳能电池的效率。另外，因为在基板110上入射的光的反射损耗可以由位于基板110的正表面上的第一保护层130和第一防反射层140以及位于基板110的背表面上的第二保护层170和第二防反射层180降低，因此入射在基板110上的光量可以进一步增加。
电子-空穴对由在基板110和发射极层120之间的p-n结分离为电子和空穴，并且分离的空穴移动到p型发射极层120并且分离的电子移动到n型基板110。移动到发射极层120的空穴移动到第一电极150，并且移动到基板110的电子通过背表面场层160移动到第二电极190。因此，当使用诸如互连器之类的电线将一个太阳能电池的第一电极150连接到与所述一个太阳能电池相邻的另一太阳能电池的第二电极190时，电流流动通过太阳能电池并允许电流的使用。
具有上述结构的太阳能电池可以在太阳能电池位于透光前基板和透光后基板之间并由保护层密封的状态中使用。
下面参照图2描述根据本发明第二实施方式的太阳能电池。
由于除了发射极层之外，根据本发明第二实施方式的太阳能电池大致与根据本发明第一实施方式的太阳能电池相同，因此可以简要地进行进一步的描述或可以全部省略进一步的描述。以下仅描述发射极层的配置。
根据本发明第一实施方式的发射极层120在遍及发射极层120的全部区域中具有均匀的掺杂浓度。因而，根据本发明第一实施方式的发射极层120可以通过简单的工艺被容易地制造，但发射极层120的载流子的复合可能由于高掺杂浓度而增多。结果，可能限制太阳能电池的效率的提高。
因此，根据本发明第二实施方式的发射极层120配置为防止了或减少了发射极层120的载流子的复合。更具体地说，接触第一电极150的发射极层120是重掺杂区域，并且不接触第一电极150的发射极层120是轻掺杂区域。
换言之，根据本发明第二实施方式的发射极层120包括第一掺杂区域121和第二掺杂区域123，第一掺杂区域121对应于轻掺杂p型区域，第二掺杂区域123比第一掺杂区域121更重地掺杂有p型杂质。
第二掺杂区域123可以在基板110的与第一电极150的相同位置处形成。第二掺杂区域123的宽度W4可以等于或小于第一电极150的宽度W1，或者可以大于第一电极150的宽度W1。
第一掺杂区域121具有大约80Ω/sq至200Ω/sq的表面电阻率，并且第二掺杂区域123具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。
因此，根据本发明第二实施方式的太阳能电池防止了或减少了载流子的复合，并因而可以进一步提高根据本发明第二实施方式的太阳能电池的效率。
下面参照图3至图7描述根据本发明第二实施方式的太阳能电池的制造方法。
由硅晶片形成的基板110一般通过使用刀片或多线锯来切割硅块或结晶块而制造。
更具体地说，制备硅晶片且之后对硅晶片掺杂V族元素(例如磷(P))来制造具有大约1Ω·cm2至10Ω·cm2的电阻率的基板110。
当切割硅块或结晶块时，可能在硅晶片中形成机械损害层。因而，执行用于去除机械损害层的湿式蚀刻处理，以防止由机械损害层导致的太阳能电池的特性的降低。碱性蚀刻剂或酸性蚀刻剂可以在湿式蚀刻处理中使用。
在去除机械损害层后，执行湿式蚀刻处理或干式等离子蚀刻处理以在基板110的正表面中形成第一有纹理表面111和在基板110的背表面中形成第二有纹理表面113。
接着，使用离子植入法将III族元素的杂质注入到基板110的一个表面(例如，第一有纹理表面111)，以形成发射极层120。
因为在离子植入法中容易控制离子的产生量和移动到基板110的离子速度，因此当使用离子植入法对基板110掺杂杂质时，植入到基板110的离子的量和离子植入深度可以比当使用热扩散法对基板110掺杂杂质时更容易控制。
当使用离子植入法来形成发射极层120时，离子植入深度可以根据在处理室中产生的离子的量、离子植入能量等变化。
在该情况下，离子植入能量可以是大约100KeV至3MeV，基于大约100KeV至3MeV的离子植入能量的离子植入深度可以是自基板110的表面测量的大约0.5μm至10μm。
当使用离子植入法来形成发射极层120时，将杂质轻微地注入到基板110的整个正表面，以形成第一掺杂区域121。
接着，将杂质较重地注入到基板110的正表面的一部分(例如，形成第一电极150的区域)以形成第二掺杂区域123。
在该情况下，第一掺杂区域121具有大约80Ω/sq至200Ω/sq的表面电阻率，并且第二掺杂区域123具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。
可以在本发明的另一实施方式中使用热扩散法来形成包括第一掺杂区域121和第二掺杂区域123的发射极层120。
将V族元素的杂质注入到基板110的另一表面(例如，第二有纹理表面113)的一部分(例如，将形成第二电极190的区域)，以形成具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率的背表面场层160。此外，可以使用离子植入法以与发射极层120相同的方式来形成背表面场层160。
随后，通过使用氢氟酸(HF)来蚀刻基板110来去除自然的氧化层。此外，将氧化铝(AlOx)或氧化钇(Y2O3)沉积在基板110的正表面和背表面上，以形成第一保护层130和第二保护层170。可以使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法、溅射法或其他方法来形成第一保护层130和第二保护层170。在该情况下，形成第一保护层130和第二保护层170使得第一保护层130和第二保护层170具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度。
当形成第一保护层130和第二保护层170时，可以在第一保护层130和基板110之间的界面以及在第二保护层170和基板110之间的界面处形成具有大约1nm至3nm的厚度的氧化硅层。
在形成第一保护层130和第二保护层170后，将氮化硅(SiNx)沉积在第一防反射层140和第二防反射层180上。可以使用PECVD法、溅射法或其他方法来形成第一防反射层140和第二防反射层180。
在该情况下，形成第一防反射层140和第二防反射层180使得第一防反射层140和第二防反射层180具有大约1.9至2.3的折射率和大约50nm至100nm的厚度。在基板110的背表面上形成的第二防反射层180可以比在基板110的正表面上形成的第一防反射层140厚。
随后，通过将银(Ag)和铝(Al)的混合物(Ag:Al)与玻璃粉混合所得到的第一导电膏151以第一电极图案印刷在基板110的正表面上，并且通过将Ag和玻璃粉混合所得到的第二导电膏191以第二电极图案印刷在基板110的背表面上。接着对第一导电膏151和第二导电膏191执行烧制处理。
在烧制处理中，通过在玻璃粉中包含的蚀刻成分来蚀刻保护层130和170的材料以及防反射层140和180的材料。因此，形成电气地且物理地连接到发射极层120的第二掺杂区域123的第一电极150，并且形成电气地且物理地连接到背表面场层160的第二电极190。
另选地，可以使用电镀处理来形成第一电极150和第二电极190。
要形成第一电极150和第二电极190的基板110的表面的一部分必须被露出，以使用电镀处理来形成第一电极150和第二电极190。因而，可以使用干式蚀刻工艺来去除在第一保护层130和第一防反射层140之间的相同部分以及在第二保护层170和第二防反射层180之间的相同部分，以在基板110的去除的部分上形成第一电极150和第二电极190。
当形成了第一电极150和第二电极190时，可以在基板110的表面的露出部分上形成金属种子层且其后可以在金属种子层上形成导电层或扩散层和导电层。
在本发明的实施方式中，固定电荷的含义包括氧化物固定电荷。
虽然已参照多个示例实施方式描述了实施方式，但应该理解，本领域技术人员能够设想落入本公开的原理的范围内的许多其它变型和实施方式。更具体地讲，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可以对主题组合设置的组成部件和/或设置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或设置的各种变化和修改之外，另选用途对于本领域技术人员而言也是很明显的。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
第一导电类型的基板；
位于所述基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；
第一电极，所述第一电极电连接到所述发射极层；
第一保护层，所述第一保护层位于所述发射极层的没有布置所述第一电极的正表面上；
背表面场层，所述背表面场层位于所述基板的另一表面处；
第二电极，所述第二电极电连接到所述背表面场层；和
第二保护层，所述第二保护层位于所述基板的没有布置所述第二电极的背表面上，
其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均由具有与所述第一导电类型相同的导电类型的固定电荷的材料形成，并且
所述背表面场层局部地位于所述基板的背表面处。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均包含具有负固定电荷的氧化铝AlOx或氧化钇Y2O3。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层形成在所述基板的与所述第二电极相同的位置处。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层的宽度等于或小于所述第二电极的宽度。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层的宽度大于所述第二电极的宽度。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。
8.根据权利要求2所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第一保护层上的第一防反射层，
其中，所述第一防反射层由具有正固定电荷的氮化硅SiNx形成。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第二保护层的背表面上的第二防反射层。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第二防反射层由具有正固定电荷的氮化硅SiNx形成。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层和所述第二防反射层每一个均具有大约1.9至2.3的折射率和大约50nm至100nm的厚度。
12.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一电极由银Ag和铝Al的混合物Ag:Al形成，并且所述第二电极由银Ag形成。
13.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一电极和所述第二电极具有相同的宽度。
14.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述基板由掺杂磷P的n型硅晶片形成，并具有大约1Ω·cm2至10Ω·cm2的电阻率。
15.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述发射极层包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域轻掺杂有所述第二导电类型的杂质，所述第二掺杂区域比所述第一掺杂区域更重地掺杂有所述第二导电类型的杂质。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域形成在所述基板的与所述第一电极相同的位置处。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域的宽度等于或小于所述第一电极的宽度。
18.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域的宽度大于所述第一电极的宽度。
19.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂区域具有大约80Ω/sq至200Ω/sq的表面电阻率。
20.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。
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