CN109599450A - 太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。

Description

太阳能电池
本申请是原案申请号为201410130976.0的发明专利申请(申请日：2014年4月2日，发明名称：太阳能电池)的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池，更具体地讲，涉及一种包括半导体基板的太阳能电池。
背景技术
近年来，随着预期诸如石油和煤的传统能源将要耗尽，对取代这些能源的替代能源的关注正在增长。其中，作为将太阳能转换为电能的下一代电池，太阳能电池吸引了相当大的关注。
这种太阳能电池可通过在半导体基板上形成导电类型区域以及与该导电类型区域电连接的电极以引起光电转换来制造。另外，太阳能电池可包括使导电类型区域钝化的钝化膜、防止反射的减反射膜等，以便改进太阳能电池的性能。
在这方面，传统太阳能电池的效率可能由于半导体基板上的载流子的复合、载流子的长迁移距离等而劣化。因此，应该将太阳能电池设计为使得其效率可最大化。
发明内容
本发明的实施方式的目的在于提供一种能够使效率最大化的太阳能电池。
根据本发明的实施方式的一个方面，上述和其它方面可通过提供一种太阳能电池来实现，该太阳能电池包括：半导体基板；第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的表面上；第一导电类型区域，其设置在所述半导体基板的所述表面上；以及电极，其包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极，其中，所述第一导电类型区域包括第一部分，该第一部分设置在所述第一隧穿层上并且包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。
根据本发明的实施方式，在所述半导体基板上形成所述隧穿层之后，在所述隧穿层上形成导电类型区域(发射极区域、背面场区域等)。结果，半导体基板的背面上的缺陷被有效去除，并且导致光电转换的载流子被有效迁移。因此，防止对半导体基板的损伤，并因此有效去除半导体基板的背面上的复合部位(recombination site)。因此，可进一步改进太阳能电池的效率。
在根据本发明的另一实施方式的太阳能电池中，导电类型区域包括多个部分，所述多个部分被设置为使得隧穿层介于所述部分之间，从而使半导体基板上的复合最小化并改进与电极的电连接。结果，可改进太阳能电池的效率。
附图说明
从下面结合附图进行的详细描述，本发明的实施方式的上述和其它目的、特征和其它优点将更清楚地被理解，附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图；
图2是示出根据该实施方式的太阳能电池的平面图；
图3是示出根据图1所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图4是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；
图5是示出根据图4所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图6是示出图4所示的实施方式的另一修改实施方式的截面图；
图7是示出根据图4所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图8是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；
图9是示出根据图8所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图10是示出根据图8所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图11是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；
图12是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图13是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图14是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图15是示出根据图11所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；
图16A至图16E是示出图11所示的太阳能电池的制造方法的截面图；以及
图17是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的示例实施方式，其示例示出于附图中。本发明的实施方式不限于所述实施方式，所述实施方式可被修改成各种形式。
在附图中，为了本发明的实施方式的描述清晰和简明起见，没有示出与描述无关的部分，并且贯穿说明书，将使用相同的标号来指代相同或相似的部件。
在附图中，为了更清晰地描述，厚度或尺寸被夸大或缩小。另外，各个构成元件的尺寸或面积不限于图中所示的那些。
还将理解，贯穿此说明书，当一个元件被称作“包括”另一元件时，术语“包括”指定存在另一元件，但不排除其它附加元件的存在，除非上下文另外清楚地指示。另外，将理解，当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称作“在”另一元件“上”时，这一个元件可直接在所述另一元件上，并且也可存在一个或更多个中间元件。相反，当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在一个或更多个中间元件。
以下将参照附图更详细地描述根据本发明的实施方式的太阳能电池。
图1是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图。图2是示出根据该实施方式的太阳能电池的平面图。
参照图1和图2，根据本发明的实施方式的太阳能电池100包括基板(例如，半导体基板，以下称作“半导体基板”)10、导电类型区域20和30、连接到导电类型区域20和30的电极24和34以及至少一个隧穿层40。导电类型区域20和30可包括发射极区域20和背面场区域30，电极24和34可包括分别连接到发射极区域20和背面场区域30的第一电极24和第二电极34。隧穿层40可介于半导体基板10与导电类型区域20和30中的至少一个之间。隧穿层40可与第一钝化膜21、第一减反射膜22、第二钝化膜31、第二减反射膜32等一起被包括。将更详细地描述此构造。
发射极区域20和背面场区域30中的一个称作“第一导电类型区域”，另一个称作“第二导电类型区域”。在本发明的实施方式中，诸如第一或第二的术语仅用于区分元件，本发明的实施方式不限于此。
半导体基板10可包括基极区域110，该基极区域110包含相对低掺杂浓度的第一导电类型的掺杂物。基极区域110可由包含第一导电类型的掺杂物的晶体半导体构成。例如，基极区域110可包括包含第一导电类型的掺杂物的单晶或多晶半导体(例如，单晶硅或多晶硅)。具体地讲，基极区域110可由包含第一导电类型的掺杂物的单晶半导体(例如，单晶半导体晶片，更具体地讲，半导体硅晶片)构成。因此，当基极区域110由单晶硅构成时，太阳能电池100构成单晶硅太阳能电池。因此，包括单晶半导体的太阳能电池100是基于基极区域110或半导体基板10的，其由于优异的结晶性而很少有缺陷，因此呈现优异的电性能。
例如，第一导电类型的掺杂物是n型或p型掺杂物。即，第一导电类型的掺杂物可以是诸如V族元素(包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等)的n型杂质。另选地，第一导电类型的掺杂物可以是诸如III族元素(包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等)的p型杂质。
在这种情况下，基极区域110可包括n型杂质作为第一导电类型的掺杂物。结果，与基极区域110形成pn结的发射极区域20为p型。当光被发射到pn结时，由光电效应生成的电子向半导体基板10的第二表面(以下，称作“背面”)移动并被第二电极34收集，空穴朝着半导体基板10的正面移动，然后被第一电极24收集。结果，产生电能。具有低移动速度的空穴向半导体基板10的正面(而非其背面)移动，从而改进光电转换效率，但是本发明的实施方式不限于此，在本发明的其它实施方式中，基极区域110和背面场区域30可为p型，发射极区域20可为n型。
在本发明的实施方式中，半导体基板10可仅包括基极区域110。即，在传统的太阳能电池中，具有与半导体基板10不同的导电类型的掺杂区域或者具有与半导体基板10相同的导电类型和相对高的掺杂浓度的掺杂区域等形成在半导体基板10上。另一方面，在本发明的实施方式中，半导体基板10仅包括基极区域110，而不包括附加掺杂区域。
如上所述，半导体基板10仅由基极区域构成，不包括附加掺杂区域。例如，半导体基板10中的最低掺杂浓度与最高掺杂浓度之差可为10％或更低。给出10％或更低的差作为示例以用于确定用于形成附加掺杂物区域的掺杂不被执行的水平，本发明的实施方式不限于此。即，10％或更低的差是基板内可能发生的掺杂变化的范围，类似于误差容限。因此，本发明的实施方式包括半导体基板10总体上未设置有附加掺杂区域的所有情况。
在本发明的实施方式中，半导体基板10未设置有附加掺杂区域，因此改进了开路电压。其原因在于，可防止由于在半导体基板10上形成掺杂区域而可能产生或发生的载流子的表面复合。
在本发明的实施方式中，半导体基板10的正面和背面被纹理化，使得所述表面具有诸如金字塔形的不平整。当表面粗糙度由于通过纹理化形成在半导体基板10的正面上的不平整而增大时，入射在半导体基板10的正面上的光的反射可减少。因此，到达由半导体基板10和发射极区域20形成的隧道结的光的量增加，因此使光损失最小化，但是本发明的实施方式不限于此，可以仅半导体基板10的正面和背面中的一个被纹理化，或者两个表面可以均不纹理化。
第一隧穿层42整个形成在半导体基板10的一个表面(例如，正面，以下称作“正面”)上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示诸如层的元件形成在整个表面上而没有空白区域或未覆盖区域，或者形成在除了预先设计或不可避免地形成的区域(例如，周边区域、隔离区域等)之外的整个区域上。
第一隧穿层42使具有许多复合部位的半导体基板10的表面钝化，并通过隧穿效应方便载流子的迁移。
第一隧穿层42可包括提供钝化和隧穿效应的材料，例如，氧化物、氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，第一隧穿层42可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅、本征多晶硅等。在这种情况下，第一隧穿层42可容易且稳定地形成。
为了提供足够的钝化和隧穿效应，第一隧穿层42可具有5nm或更低、或者0.5nm至5nm(例如，0.5nm至4nm，例如，0.5nm至2nm)的厚度。当第一隧穿层42的厚度超过5nm时，无法有效地执行隧穿，太阳能电池100可能无法工作，当第一隧穿层42的厚度低于0.5nm时，钝化性能可能变差。为了进一步改进隧穿效应，第一隧穿层42的厚度可为0.5nm至4nm，更具体地讲，0.5nm至2nm，但是本发明的实施方式不限于此，第一隧穿层42的厚度可改变。
在本发明的实施方式中，第一隧穿层42形成在半导体基板10的正面上，从而整个去除了半导体基板10的正面上的缺陷。结果，改进了太阳能电池100的开路电压，因此增强了太阳能电池100的效率。
在本发明的实施方式中，发射极区域20包括形成在第一隧穿层42上的第一部分20a。第一部分20a可包括具有与半导体基板10不同的导电类型(例如，p型或n型)的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。例如，发射极区域可包括利用第二导电类型的掺杂物掺杂的多晶硅、非晶硅或微晶硅。在这种情况下，包括第一部分20a的发射极区域20可通过利用多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体形成第一部分20a来按照各种方法容易地制造。
在本发明的实施方式中，发射极区域20的第一部分20a可整个形成在第一隧穿层42上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示诸如层的元件形成在整个表面上而没有空白区域或未覆盖区域，或者形成在除了预先设计或不可避免地形成的区域(例如，周边区域、隔离区域等)之外的整个区域上。第一钝化膜21和/或第一减反射膜22可形成在发射极区域20(更具体地讲，第一部分20a)上。在本发明的实施方式中，以第一钝化膜21形成在发射极区域20上，第一减反射膜22形成在第一钝化膜21上的构造为例。在该实施方式中，第一钝化膜21可形成在背面场区域30的正面上的除与第一电极24对应的区域之外的基本上整个区域中。另外，第一减反射膜22可形成在第一钝化膜21的正面上的除与第一电极24对应的区域之外的基本上整个区域中。
第一钝化膜21使存在于发射极区域20中的缺陷钝化，去除少数载流子的复合部位，从而增加太阳能电池100的开路电压。另外，第一减反射膜22减小入射在半导体基板10的正面上的光的反射率，从而增加到达通过半导体基板10和发射极区域20形成的隧道结的光的量。因此，太阳能电池100的短路电流(Isc)可增大。因此，第一钝化膜21和第一减反射膜22增大太阳能电池100的开路电压和短路电流，从而改进太阳能电池100的效率。
第一钝化膜21可由能够有效钝化发射极区域20的材料形成。例如，第一钝化膜21可以是包括从由氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化铪、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2构成的组中选择出的一个的单个膜，或者包括两个或更多个膜的组合的多层膜。当发射极区域20为n型时，第一钝化膜21可包括具有正电荷的氧化硅或氮化硅等，当发射极区域20为p型时，第一钝化膜21可包括具有负电荷的氧化铝、氧化锌、二氧化铪等。
另外，第一减反射膜22可由能够防止表面反射的各种材料形成。例如，第一减反射膜22可以是包括从由氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2构成的组中选择出的一个的单个膜，或者包括两个或更多个膜的组合的多层膜。然而，本发明的实施方式不限于此，第一减反射膜22可包括各种材料。
第一电极24经由形成在第一钝化膜21和第一减反射膜22中的开口(即，在穿过第一钝化膜21和第一减反射膜22的同时)电连接到发射极区域20。第一电极24可利用各种材料形成为具有各种形状。稍后将更详细地描述第一电极24的平面形状等。
此外，第二隧穿层44整个形成在半导体基板10的另一表面(例如，背面，以下称作“背面”)上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示诸如层的元件形成在整个表面上而没有空白区域或未覆盖区域，或者形成在除了预先设计或不可避免地形成的区域(例如，周边区域、隔离区域等)之外的整个区域上。
第二隧穿层44使具有许多复合部位的半导体基板10的表面钝化，并且通过隧穿效应方便载流子的迁移。
第二隧穿层44可包括提供钝化和隧穿效应的材料，例如，氧化物、氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，第二隧穿层44可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅、本征多晶硅等。在这种情况下，第二隧穿层44可容易且稳定地形成。
为了提供足够的钝化和隧穿效应，第二隧穿层44可具有5nm或更低、或者0.5nm至5nm(例如，0.5nm至4nm，例如，0.5nm至2nm)的厚度。当第二隧穿层44的厚度超过5nm时，无法有效地执行隧穿，太阳能电池100可能无法工作，当第二隧穿层44的厚度低于0.5nm时，钝化性能可能变差。为了进一步改进隧穿效应，第二隧穿层44的厚度可为0.5nm至4nm，更具体地讲，0.5nm至2nm，但是本发明的实施方式不限于此，第二隧穿层44的厚度可改变。
第二隧穿层44形成在半导体基板10的背面上，从而整个去除了半导体基板10的背面上的缺陷。结果，改进了太阳能电池100的开路电压，因此增强了太阳能电池100的效率。
在本发明的实施方式中，背面场区域30包括形成在第二隧穿层44上的第一部分30a。形成在第二隧穿层44上的背面场区域30的第一部分30a可包括具有与半导体基板10相同的导电类型(例如，p型或n型)的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。例如，背面场区域30的第一部分30a可包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶硅、非晶硅或微晶硅。在这种情况下，背面场区域30可通过利用多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体形成背面场区域30的第一部分30a来按照各种方法容易地制造。
在本发明的实施方式中，背面场区域30可整个形成在第二隧穿层44上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示诸如层的元件形成在整个表面上而没有空白区域或未覆盖区域，或者形成在除了预先设计或不可避免地形成的区域(例如，周边区域、隔离区域等)之外的整个区域上。
第二钝化膜31和/或第二减反射膜32可形成在背面场区域30上。在本发明的实施方式中，以第二钝化膜31形成在背面场区域30上，第二减反射膜32形成在第二钝化膜31上的构造为例。在本发明的实施方式中，第二钝化膜31可形成在背面场区域30的正面上的除与第二电极34对应的区域之外的基本上整个区域中。另外，第二减反射膜32可形成在第二钝化膜31的正面上的除与第二电极34对应的区域之外的基本上整个区域中。
第二钝化膜31使存在于背面场区域30中的缺陷钝化，去除少数载流子的复合部位，从而增加太阳能电池100的开路电压。另外，第二减反射膜32减小入射在半导体基板10的背面上的光的反射率，从而增加到达通过半导体基板10和发射极区域20形成的隧道结的光的量。因此，太阳能电池100的短路电流(Isc)可增大。因此，第二钝化膜31和第二减反射膜32增大太阳能电池100的开路电压和短路电流，从而改进太阳能电池100的效率。
第二钝化膜31可由能够有效钝化背面场区域30的材料形成。例如，第二钝化膜31可以是包括从由氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化铪、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2构成的组中选择出的一个的单个膜，或者包括两个或更多个膜的组合的多层膜。当背面场区域30为p型时，第二钝化膜31可包括具有负电荷的氧化铝、氧化锌、二氧化铪等，当背面场区域30为n型时，第二钝化膜31可包括具有正电荷的氧化硅、氮化硅等。
另外，第二减反射膜32可由能够防止表面反射的各种材料形成。例如，第二减反射膜32可以是包括从由氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2构成的组中选择出的一个的单个膜，或者包括两个或更多个膜的组合的多层膜。然而，本发明的实施方式不限于此，第二减反射膜32可包括各种材料。
第二电极34经由形成在第二钝化膜31和第二减反射膜32中的开口(即，在穿过第二钝化膜31和第二减反射膜32的同时)电连接到背面场区域30。第二电极34可利用各种材料形成为具有各种形状。稍后将更详细地描述第二电极34的平面形状等。
以下将参照图2更详细地描述第一电极24和第二电极34的平面形状。
参照图2，例如，第一电极24和第二电极34可包括具有第一间距P1并且彼此平行设置的多个指状电极24a和34a。第一电极24和第二电极34可包括总线条(bus bar)电极24b和34b，其形成在与指状电极24a和34a所设置的方向交叉的方向上并将指状电极24a和34a连接。这种总线条电极24b或34b可仅为一个，并且可设置具有比第一间距P1大的第二间距P2的总线条电极。在这种情况下，总线条电极24b的宽度W2可大于指状电极24a的宽度W1，但是本发明的实施方式不限于此，总线条电极24b的宽度W2可等于或小于指状电极24a的宽度W1。另外，诸如未形成总线条电极24b的构造的各种构造也是可能的。第一电极24的形状仅被提供作为示例，但是本发明的实施方式不限于此。在附图中，无差别地描述第一电极24和第二电极34的第一间距P1，并且无差别地描述第一电极24和第二电极34的第二间距P2。第一电极24的第一间距P1可与第二电极34的第一间距P1相同或不同，第一电极24的第二间距P2可与第二电极34的第二间距P2相同或不同。
从横截面可以看出，第一电极24的指状电极24a和总线条电极24b可穿过第一钝化膜21和第一减反射膜22。类似地，第二电极34的指状电极34a和总线条电极34b可穿过第二钝化膜31和第二减反射膜32。另选地，第一电极24的指状电极24a可穿过第一钝化膜21和第一减反射膜22，总线条电极24b可形成在第一钝化膜21上。类似地，第二电极34的指状电极34a可穿过第二钝化膜31和第二减反射膜32，总线条电极34b可形成在第二钝化膜31和减反射膜32上。
第一电极24和第二电极34可由高导电金属等构成，并且可通过诸如涂布、沉积、印刷等的各种方法形成。本发明的实施方式不限于第一电极24和第二电极34的材料、形成方法等。
在具有所述结构的太阳能电池100中，作为另一导电类型区域的发射极区域20的第一部分20a形成在半导体基板10的正面上，使得第一隧穿层42介于第一部分20a和半导体基板10之间。第一隧穿层42整个形成在半导体基板10的正面上，从而有效地去除半导体基板10的正面上的缺陷。在这种情况下，第一隧穿层42有效地使载流子迁移，从而导致光电转换。即，在传统的太阳能电池中，半导体基板的一部分利用掺杂物以高浓度掺杂，从而在半导体基板中形成用作发射极区域的掺杂区域。在这种情况下，利用掺杂物掺杂导致对半导体基板的损伤并且导致在半导体基板的表面上生成复合部位。尽管形成钝化膜以便防止这些问题，但是钝化膜未设置在半导体基板上的与电极相邻的部分中，因此使得难以有效去除复合部位。因此，由于半导体基板的表面上的复合部位，太阳能电池的效率低。
另一方面，在本发明的实施方式中，利用第一隧穿层42将可能存在许多复合部位的半导体基板10的正面整个钝化，并且发射极区域20的第一部分20a形成在第一隧穿层42上。结果，防止对半导体基板10的损伤，并且有效去除半导体基板10的正面上的复合部位。具体地讲，发射极区域20仅由第一部分20a构成，从而简化了发射极区域20的结构并且使对半导体基板10的损伤最小化。结果，太阳能电池100的效率可改进。
另外，作为另一导电类型区域的背面场区域30形成在半导体基板10的背面上，使得第二隧穿层44介于背面场区域30和半导体基板10之间。第二隧穿层44整个形成在半导体基板10的背面上，从而有效去除半导体基板10的背面上的缺陷。在这种情况下，第二隧穿层44有效地使载流子迁移，从而导致光电转换。结果，进一步防止了对半导体基板10的损伤，并且有效去除半导体基板10的背面上的复合部位。具体地讲，背面场区域30仅由第一部分30a构成，从而简化了背面场区域30的结构并且使对半导体基板10的损伤最小化。结果，太阳能电池100的效率可进一步改进。
基于此构造，半导体基板10仅包括基极区域110而没有任何附加掺杂区域，因此保持了半导体基板10的优异性能。
在这种情况下，发射极区域20和背面场区域30可设置在半导体基板10的不同侧，以形成双面光接收型结构。结果，光入射在半导体基板10的背面以及半导体基板10的正面上，从而增加了入射光的量并改进了太阳能电池100的效率。由于发射极区域20和背面场区域30彼此不相邻，所以不再需要执行发射极区域20和背面场区域30形成为彼此相邻时的隔离工艺。另外，由于发射极区域20和背面场区域30整个形成，因此不需要附加的图案化和对准工艺。结果，制造工艺简化，因此成本降低。
另外，第一钝化膜21和第一减反射膜22形成在半导体基板10的正面上，从而进一步改进太阳能电池100的效率。
另外，第二电极34形成为具有包括指状电极34a和总线条电极34b的构造，从而使得光能够入射在半导体基板10的背面上并增强光的利用率。在这种情况下，第二钝化膜31和第二减反射膜32形成在半导体基板10的背面上，从而进一步改进太阳能电池100的效率。
以下，将参照图3至图10更详细地描述根据本发明的修改实施方式和其它实施方式的太阳能电池。与以上给出的描述相同或相似的内容或元件的细节不再提及，仅详细描述与以上描述不同的描述。
图3是示出根据图1所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图3，根据修改实施方式的太阳能电池不包括第一钝化膜21和第二钝化膜31，而包括形成在发射极区域20上的第一减反射膜22和形成在背面场区域30上的第二减反射膜32。基于此构造，总工艺简化，因此制造成本降低。另外，第一减反射膜22和第二减反射膜32也用作钝化膜。结果，生产效率改进，并且保持了太阳能电池的优异性能。
本发明的实施方式允许其它各种修改。例如，不提供第一钝化膜21和第二钝化膜31以及第一减反射膜22和第二减反射膜32中的至少一个的所有构造均落入本发明的实施方式的范围内。
图4是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图4，根据本发明的实施方式的太阳能电池具有这样的构造：背面场区域30包括第二部分30b，该第二部分30b包括形成在半导体基板10中的掺杂区域。即，半导体基板10可包括作为未掺杂区域的基极区域110以及背面场区域30的第二部分30b，该第二部分30b通过利用导电类型与半导体基板10相同的掺杂物对半导体基板10进行掺杂来形成。结果，第二部分30b可具有与基极区域110相同的晶体结构。背面场区域30的第二部分30b可通过各种掺杂方法(例如，热扩散、离子注入等)形成。
在附图中，以背面场区域30的第二部分30b具有掺杂浓度均匀的匀质结构的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此，与其关联的修改实施方式将参照图5和图6再次进行描述。
第二钝化膜31和/或第二减反射膜32可形成在背面场区域30上。
在形成包括通过对半导体基板10进行掺杂而形成的第二部分30b的背面场区域30的情况下，在形成背面场区域30期间可在背面上使用以前的工艺。即，在半导体基板10的正面上的第一隧穿层42上形成发射极区域20的第一部分20a，从而改进太阳能电池的效率，并且可在背面场区域30的第二部分30b中使用以前的设备。即，可考虑效率和生产效率来改进性能。
图5是示出根据图4所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图5，修改实施方式中的背面场区域30可具有用于背面场区域30的选择性结构。即，背面场区域30可包括具有高掺杂物浓度并因此具有相对低的电阻的第一区域301以及掺杂物浓度比第一区域301低进而具有相对高的电阻的第二区域302。第一区域301形成为使得第一区域301接触第二电极34的一部分或全部(即，至少一部分)。
基于此构造，在第二电极34之间形成具有相对高的电阻的第二区域302，光入射在其上，从而改进钝化效应。随之一起，在与第一电极34相邻的区域中形成具有相对低的电阻的第一区域301，从而降低与第一电极34的接触电阻。即，本发明的实施方式的背面场区域30的第二部分30b通过选择性结构使太阳能电池的效率最大化。
图6是示出图4所示的实施方式的另一修改实施方式的截面图。
参照图6，在本发明的实施方式中，背面场区域30的第二部分30b可具有局部结构。即，背面场区域30的第二部分30b可包括仅在与第二电极34的至少一部分对应的区域中局部形成的第一区域301。结果，使对半导体基板10的损伤最小化，并因此使表面复合部位最少化。
图7是示出根据图4所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图7，根据修改实施方式的太阳能电池不包括第一钝化膜21和第二钝化膜31，而包括形成在发射极区域20上的第一减反射膜22以及形成在背面场区域30上的第二减反射膜32。结果，总工艺简化，并且成本降低。另外，第一减反射膜22和第二减反射膜32也用作钝化膜。结果，生产效率改进，并且保持了太阳能电池的优异性能。
本发明的实施方式允许其它各种修改。例如，不提供第一钝化膜21和第二钝化膜31以及第一减反射膜22和第二减反射膜32中的至少一个的所有构造均落入本发明的实施方式的范围内。
图7示出背面场区域30的第二部分30b具有图4所示的均匀结构的示例，但是背面场区域30的第二部分30b可具有图5或图6所示的选择性结构或局部结构。
图8是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图8，在根据本发明的实施方式的太阳能电池中，发射极区域20包括第二部分20b，该第二部分20b包括形成在半导体基板10中的掺杂区域。即，半导体基板10可包括作为未掺杂区域的基极区域110以及发射极区域20的第二部分20b，该第二部分20b通过利用导电类型不同于半导体基板10的掺杂物对半导体基板10进行掺杂来形成。结果，第二部分20b可具有与基极区域110相同的晶体结构。发射极区域20可通过各种掺杂方法(例如，热扩散、离子注入等)形成。
在附图中，以发射极区域20的第二部分20b具有掺杂浓度均匀的匀质结构的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此，与其关联的修改实施方式将参照图9再次进行描述。
第一钝化膜21和/或第一减反射膜22可形成在发射极区域20上。
在形成包括通过对半导体基板10进行掺杂而形成的第二部分20b的发射极区域20的情况下，在形成发射极区域20期间可在背面上使用以前的工艺。因此，可使用以前的设备。即，可考虑效率和生产效率来改进性能。
图9是示出根据图8所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图9，在本发明的实施方式中，发射极区域20的第二部分20b可具有选择性结构。
即，发射极区域20可包括具有高掺杂物浓度进而具有相对低的电阻的第一区域201以及掺杂物浓度比第一区域201低进而具有相对高的电阻的第二区域202。第一区域201形成为使得第一区域201接触第一电极24的一部分或全部(即，至少一部分)。
因此，在本发明的实施方式中，具有相对高的电阻的第二区域202形成在第一电极24之间的区域中，光入射在其上，从而实现浅结发射极。结果，太阳能电池的电流密度改进。随之一起，具有相对低的电阻的第一区域201形成在与第一电极24相邻的区域中，从而降低与第一电极24的接触电阻。即，根据本发明的实施方式的发射极区域20的第二部分20b通过选择性发射极结构来使太阳能电池的效率最大化。
图10是示出根据图8所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图10，根据修改实施方式的太阳能电池不包括第一钝化膜21和第二钝化膜31，而包括形成在发射极区域20上的第一减反射膜22以及形成在背面场区域30上的第二减反射膜32。结果，总工艺简化，并且成本降低。另外，第一减反射膜22和第二减反射膜32也用作钝化膜。结果，生产效率改进，并且保持了太阳能电池的优异性能。
本发明的实施方式允许其它各种修改。例如，不提供第一钝化膜21和第二钝化膜31以及第一减反射膜22和第二减反射膜32中的至少一个的所有构造均落入本发明的实施方式的范围内。
图10示出发射极区域20的第二部分20b具有图8所示的均匀结构的示例，但是在本发明的其它实施方式中，发射极区域20的第二部分20b可具有图9所示的选择性结构。
图11是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。参照图11，在本发明的实施方式中，导电类型区域20和30中的至少一个可包括多个部分20a、20b、30a和30b，这些部分被设置为使得隧穿层42和44介于这些部分之间。
在本发明的实施方式中，发射极区域20包括多个部分，这些部分被设置为使得第一隧穿层42介于这些部分之间。具体地讲，在本发明的实施方式中，发射极区域20包括第一部分20a和第二部分20b，这两个部分被设置为使得第一隧穿层42介于第一部分20a和第二部分20b之间。在附图和描述中，以发射极区域20的所述部分总共包括两层(即，第一部分20a和第二部分20b)的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此，发射极区域20的所述部分可包括多个部分，这些部分包括三层或更多层。将更详细地描述发射极区域20。
在这种情况下，发射极区域20的第一部分20a可设置在第一隧穿层42与第一隧穿层42上的第一电极24之间。第一部分20a已参照图1所示的实施方式进行了描述，省略与其描述相同的内容的详细说明。
发射极区域20的第二部分20b与半导体基板10的正面相邻地形成在半导体基板10的内部，或者与半导体基板10相邻地形成在半导体基板10的正面上。即，发射极区域20可与第一隧穿层42相邻地形成在半导体基板10的一部分中，或者可设置在半导体基板10与第一隧穿层42之间或者基极区域110与第一隧穿层42之间。
例如，在本发明的实施方式中，第二部分20b可由通过利用第二导电类型的掺杂物对半导体基板10进行掺杂而形成的掺杂区域构成。因此，第二部分20b可由利用第二导电类型的掺杂物掺杂的单晶半导体(例如，单晶硅)构成。在这种情况下，第二导电类型的掺杂物可以是具有与基极区域110相反的第二导电类型的任何杂质。即，当第二导电类型的掺杂物为p型时，可使用诸如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)或铟(In)的III族元素。当第二导电类型的掺杂物为n型时，可使用诸如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)或锑(Sb)的V族元素。
第一部分20a和第二部分20b可整个形成在半导体基板10的正面上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示第一部分20a或第二部分20b形成在100％的正面上，或者未形成有第一部分20a或第二部分20b的区域是表面的一部分中不可避免地设置的。通过整个形成第一部分20a和第二部分20b，使pn结的面积最大化，并且省略了附加图案化工艺等。
第二部分20b可包括通过使第一部分20a中的第二导电类型的掺杂物扩散到半导体基板10中而形成的掺杂区域。在这种情况下，第二部分20b中的第二导电类型的掺杂物和第一部分20a中的第二导电类型的掺杂物可包括相同的材料。例如，当第一部分20a包括硼(B)作为第二导电类型的掺杂物时，第二部分20b也包括硼作为第二导电类型的掺杂物。这将稍后更详细地描述，但是本发明的实施方式不限于此，可执行诸如分别形成第一部分20a和第二部分20b的各种工艺。
第二部分20b是与半导体基板10中的基极区域110形成pn结的区域。第一部分20a是连接到第一隧穿层42上的第一电极24的区域。
在这种情况下，发射极区域20的第二部分20b和第一部分20a利用第二导电类型的掺杂物按照不同的掺杂浓度进行掺杂。具体地讲，由于第一部分20a的掺杂浓度高于第二部分20b的掺杂浓度，所以第二部分20b形成低浓度掺杂部分，第一部分20a形成高浓度掺杂部分。在这种情况下，第一部分20a中的掺杂浓度可以是均匀的。另选地，与第一电极24相邻的区域中的掺杂浓度可高于与第一隧穿层42相邻的区域中的掺杂浓度。在这种情况下，通过控制形成第一部分20a的工艺条件，随着距第一隧穿层42的距离增大，掺杂浓度逐渐地或阶梯式地增加。因此，当与第一电极24相邻的区域的掺杂浓度相对较高时，可使发射极区域20与第一电极24之间的接触电阻最小化。
设置在半导体基板10中的第二部分20b以低浓度形成，从而使第二部分20b中可能产生或发生的载流子的复合(具体地讲，俄歇(Auger)复合)最小化。另外，在接触第一电极24的同时连接到第一电极24的第一部分20a以高浓度形成，从而使与第一电极24的接触电阻最小化。
例如，第一部分20a的掺杂浓度与第二部分20b的掺杂浓度之比可为5至10。当浓度比低于5时，减少复合的效果可能由于第二部分20b的高掺杂浓度而不足。当浓度比超过10时，pn结的性能可能由于第二部分20b的形成不足而劣化。在这种情况下，第二部分20b的掺杂浓度可为5×1018/cm3至5×1019/cm3，第一部分20a的掺杂浓度可为5×1019/cm3至5×1020/cm3，高于第二部分20b的掺杂浓度。在该掺杂浓度范围内，第一部分20a形成pn结并且使复合最小化，第二部分20b可与第一电极24具有优异的电性能，但是本发明的实施方式不限于此，第一部分20a和第二部分20b的掺杂浓度等可改变。
另外，发射极区域20的第二部分20b和第一部分20a的厚度可彼此不同。更具体地讲，第一部分20a比第二部分20b厚，并且第一部分20a和第二部分20b可比第一隧穿层42厚。第二部分20b的厚度被控制为相对小的水平，从而使半导体基板10中可能产生或发生的载流子的复合最小化。另外，第一部分20a以相对大的厚度形成，从而保持与第一电极24的良好接触。另外，第一隧穿层42的厚度被控制为最小，从而防止阻挡多数载流子在第二部分20b与第一部分20a之间的流动，但是本发明的实施方式不限于此，第二部分20b可比第一部分20a厚。
例如，第一部分20a的厚度与第二部分20b的厚度之比可为0.5至100，更具体地讲，1至100。当考虑通过第二部分20b可能产生或发生的载流子的复合、对半导体基板10的损伤的最小化、第一部分20a的电性能等时，厚度比可为10至50。在这种情况下，第二部分20b的厚度可为5nm至100nm，第一部分20a的厚度可为50nm至500nm，但是本发明的实施方式不限于此，第一部分20a和第二部分20b的厚度等可改变。
如上所述，低浓度掺杂部分(第二部分20b)与基极区域110形成pn结。与本发明的实施方式不同，仅在第一隧穿层42上形成发射极层，从而防止在第一隧穿层42和发射极层之间形成pn结时产生的问题。即，当发射极层仅形成在第一隧穿层42上时，在第一隧穿层42和发射极层之间形成构成pn结的物理界面，发射极层的性质受界面性质的极大影响。因此，难以确保发射极层的质量的稳定性。另一方面，在本发明的实施方式中，发射极区域20的第二部分20b形成pn结，使得第二部分20b设置在半导体基板10中或接触半导体基板10，因此确保pn结的稳定性。结果，改进了太阳能电池100的开路电压，并因此改进了太阳能电池100的效率。
设置在第二部分20b和第一部分20a之间的第一隧穿层42防止少数载流子从第二部分20b注入第一部分20a中，从而防止具有高浓度的第一部分20a中的载流子之间的复合。另外，第一电极24连接到高浓度掺杂部分(第一部分20a)，从而使发射极区域20和第一电极24之间的接触电阻最小化。结果，改进了太阳能电池100的填充因子，并因此改进了太阳能电池100的效率。
在本发明的实施方式中，背面场区域30包括多个部分，这些部分被设置为使得第二隧穿层44介于这些部分之间。具体地讲，在本发明的实施方式中，背面场区域30包括第二部分30b和第一部分30a，这两个部分被设置为使得第二隧穿层44介于部分30b和30a之间。在附图和描述中，以背面场区域3的所述部分总共包括两层(即，第一部分30a和第二部分30b)的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此，背面场区域30的所述部分可包括多个部分，这些部分包括三层或更多层。将更详细地描述背面场区域30。
背面场区域30的第二部分30b可以与半导体基板10的背面相邻地形成在半导体基板10的内部，或者可以与半导体基板10相邻地形成在半导体基板10的背面上。即，背面场区域30可与第二隧穿层44相邻地形成在半导体基板10的一部分中，或者可形成在半导体基板10与第二隧穿层44之间或者基极区域110与第二隧穿层44之间。
在这种情况下，背面场区域30的第一部分30a可设置在第二隧穿层44与第二隧穿层44上的第二电极34之间。第一部分30a已参照图1所示的实施方式进行了描述，省略与其描述相同的内容的详细说明。
例如，在本发明的实施方式中，第二部分30b可由通过利用第一导电类型的掺杂物以高于基极区域100的浓度对半导体基板10进行掺杂而形成的掺杂区域构成。因此，第二部分30b可由利用第一导电类型的掺杂物掺杂的单晶半导体(例如，单晶硅)构成。在这种情况下，第一导电类型的掺杂物可以是具有与基极区域110相同的第一导电类型的任何杂质。即，当第一导电类型的掺杂物为n型时，可使用诸如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)或锑(Sb)的V族元素。当第一导电类型的掺杂物为p型时，可使用诸如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)或铟(In)的III族元素。
第一部分30a和第二部分30b可整个形成在半导体基板10的背面上。如本文使用的，表述“整个形成在”表示第一部分30a或第二部分30b形成在100％的正面上，或者未形成有第一部分30a或第二部分30b的区域是表面的一部分中不可避免地设置的。通过整个形成第二部分30b和第一部分30a，使背面场结构的面积最大化，并且省略了附加图案化工艺等。
第二部分30b可包括通过使第一部分30a中的第一导电类型的掺杂物扩散到半导体基板10中而形成的掺杂区域。在这种情况下，第二部分30b中的第一导电类型的掺杂物和第一部分30a中的第一导电类型的掺杂物可包括相同的材料。例如，当第一部分30a包括磷(P)作为第一导电类型的掺杂物时，第二部分30b也可包括磷(P)作为第一导电类型的掺杂物。这将稍后更详细地描述，但是本发明的实施方式不限于此，可执行诸如分别形成第二部分30b和第一部分30a的各种工艺。
第二部分30b是与半导体基板10中的基极区域110形成背面场结构的区域。第一部分30a是连接到第二隧穿层44上的第二电极34的区域。
在这种情况下，背面场区域30的第二部分30b和第一部分30a利用第一导电类型的掺杂物按照不同的掺杂浓度进行掺杂。具体地讲，由于第一部分30a的掺杂浓度高于第二部分30b的掺杂浓度，所以第二部分30b形成低浓度掺杂部分，第一部分30a形成高浓度掺杂部分。在这种情况下，第一部分30a中的掺杂浓度可以是均匀的。另选地，与第二电极34相邻的区域中的掺杂浓度可高于与第二隧穿层44相邻的区域中的掺杂浓度。在这种情况下，通过控制形成第一部分30a的工艺条件，随着距第二隧穿层44的距离增大，掺杂浓度逐渐地或阶梯式地增加。因此，当与第二电极34相邻的区域的掺杂浓度相对较高时，可使背面场区域30与第二电极34之间的接触电阻最小化。
设置在半导体基板10中的第二部分30b以低浓度形成，从而使第二部分30b中可能产生或发生的载流子的复合最小化。另外，在接触第二电极34的同时连接到第二电极34的第一部分30a以高浓度形成，从而使与第二电极34的接触电阻最小化。
例如，第一部分30a的掺杂浓度与第二部分30b的掺杂浓度之比可为5至10。当浓度比低于5时，减少复合的效果可能由于第二部分30b的高掺杂浓度而不足。当浓度比超过10时，背面场效应可能由于第二部分30b的形成不足而不足。在这种情况下，第二部分30b的掺杂浓度可为5×1018/cm3至5×1019/cm3，第一部分30a的掺杂浓度可为5×1019/cm3至5×1020/cm3，高于第二部分30b的掺杂浓度。在该掺杂浓度范围内，第二部分30b形成具有优异性能的背面场结构，并且第二部分30a可与第二电极34具有优异的电性能，但是本发明的实施方式不限于此，第一部分30a和第二部分30b的掺杂浓度等可改变。
另外，背面场区域30的第二部分30b和第一部分30a的厚度可彼此不同。更具体地讲，第一部分30a比第二部分30b厚，并且第一部分30a和第二部分30b可比第二隧穿层44厚。第二部分30b的厚度被控制为相对小的水平，从而使半导体基板10中可能产生或发生的载流子的复合最小化。另外，第一部分30a以相对大的厚度形成，从而保持与第二电极44的良好接触。另外，第二隧穿层44的厚度被控制为最小，从而防止阻挡多数载流子在第二部分30b与第一部分30a之间的流动，但是本发明的实施方式不限于此，第二部分30b可比第一部分30a厚。
例如，第一部分30a的厚度与第二部分30b的厚度之比可为0.5至100，更具体地讲，1至100。当考虑通过第二部分30b可能产生或发生的载流子的复合、对半导体基板10的损伤的最小化、第一部分30a的电性能等时，厚度比可为10至50。在这种情况下，第二部分30b的厚度可为5nm至100nm，第一部分30a的厚度可为50nm至500nm，但是本发明的实施方式不限于此，第一部分30a和第二部分30b的厚度等可改变。
如上所述，低浓度掺杂部分(第二部分30b)与基极区域110形成背面场结构。因此，背面场结构形成在半导体基板10中或者在接触半导体基板10的同时形成，从而确保背面场结构的稳定性。结果，改进了太阳能电池100的开路电压，并因此增强了太阳能电池100的效率。
设置在第二部分30b和第一部分30a之间的第二隧穿层44防止少数载流子从第二部分30b注入第一部分30a中，从而防止具有高浓度的第一部分30a中的载流子之间的复合。另外，第二电极34连接到高浓度掺杂部分(第一部分20a)，从而使背面场区域30和第二电极34之间的接触电阻最小化。结果，改进了太阳能电池100的填充因子，并因此改进了太阳能电池100的效率。
在本发明的实施方式中，导电类型区域20和30包括第一部分20a和30a以及第二部分20b和30b，所述部分被设置为使得隧穿层42和44介于其间，从而使半导体基板10中的复合最小化，并且改进与第一电极24和第二电极34的电连接。结果，可改进太阳能电池100的效率。
在图11的图中，以发射极区域20包括第一部分20a和第二部分20b，而背面场区域30包括第一部分30a和第二部分30b的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此。在修改实施方式中，如图12和图13所示，发射极区域20包括第一部分20a和第二部分20b，而背面场区域30包括单个部分。在这种情况下，如图12所示，背面场区域30可包括第二部分30b，该第二部分30b包括设置在半导体基板10中的掺杂区域。另选地，如图13所示，背面场区域30可包括形成在半导体基板10的背面上的第二隧穿层44上的附加的第一部分30a。在另一修改实施方式中，如图14和图15所示，背面场区域30包括第一部分30a和第二部分30b，而发射极区域20包括单个部分。在这种情况下，如图14所示，发射极区域20可包括第二部分20b，该第二部分20b包括设置在半导体基板10中的掺杂区域。另选地，如图15所示，发射极区域20可包括形成在半导体基板10的背面上的第二隧穿层44上的附加的第一部分20a。另外，发射极区域20或背面场区域30的第二部分20b和30b可具有各种结构，例如包括掺杂浓度不同的部分的选择性结构或者形成在与电极42和44相邻的区域中的局部结构。选择性结构或局部结构等已参照图5、图6和图9进行了描述，省略其详细说明。
以下，将参照图16A至图16E详细描述根据图11所示的实施方式的太阳能电池100的制造方法。以下，不再提及以上给出的描述的细节，仅详细描述与以上描述的不同之处。另外，上述制造方法可应用于图1所示的实施方式的对应部分。
图16A至图16E是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的制造方法的截面图。
首先，如图16A所示，制备包括具有第一导电类型的掺杂物的基极区域110的半导体基板10。在本发明的实施方式中，半导体基板10可包括具有n型杂质的硅。n型杂质的示例包括(但不限于)V族元素，例如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)和锑(Sb)。
将半导体基板10的正面和背面中的至少一个纹理化以使得表面具有不平整。可使用湿法或干法纹理化作为半导体基板10的表面的纹理化。湿法纹理化可通过将半导体基板10浸入纹理化溶液中来进行，并具有处理时间短的优点。干法纹理化通过利用金刚石钻头、激光等切割半导体基板10的表面来进行，并且使得能够形成均匀的不平整，但缺点是处理时间长并且导致对半导体基板10的损伤。另选地，半导体基板10可通过反应离子蚀刻(RIE)等来纹理化。因此，半导体基板10可通过各种方法来纹理化。
然后，如图16B所示，在半导体基板10的正面上形成第一隧穿层42和发射极区域20的第一部分20a，在半导体基板10的背面上形成第二隧穿层44和背面场区域30的第一部分30a。
在这种情况下，第一隧穿层42和第二隧穿层44可(例如)通过诸如热生长或沉积(例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD))等方法来形成，但是本发明的实施方式不限于此，第一隧穿层42和第二隧穿层44可通过各种方法形成。另外，导电类型区域20和30的第一部分20a和30a可由非晶、微晶或多晶半导体形成。在这种情况下，第一部分20a和30a可通过例如热生长、沉积(例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD))等方法来形成。
另外，第一导电类型或第二导电类型的掺杂物可在形成构成第一部分20a和30a的半导体层时并入，并且可在形成构成第一部分20a和30a的半导体层之后进行掺杂，但是本发明的实施方式不限于此，第一部分20a和30a可通过各种方法形成。
第一隧穿层42、第二隧穿层44以及第一部分20a和30a的形成顺序等可变化。
然后，如图16C所示，通过热处理使第一部分20a中的第二导电类型的掺杂物扩散到半导体基板10中，以形成发射极区域20的第二部分20b，并且使第一部分30a中的第一导电类型的掺杂物扩散到半导体基板10中，以形成背面场区域30的第二部分30b。因此，在本发明的实施方式中，第一部分20a和30a用作掺杂源，从而利用热处理通过扩散形成第二部分20b和30b，而不使用诸如离子注入的附加掺杂方法。结果，制造工艺可简化。
然后，如图16D所示，在发射极区域20的第一部分20a上形成第一钝化膜21和第一减反射膜22，并且在背面场区域30的第一部分30a上形成第二钝化膜31和第二减反射膜32。钝化膜21和31以及减反射膜22和32可通过诸如真空沉积、化学气相沉积、旋涂、丝网印刷或喷涂的各种方法形成。钝化膜21和31以及减反射膜22和32的形成顺序等可变化。
然后，如图16E所示，形成分别连接到导电类型区域20和30的第一电极24和第二电极34。在这种情况下，例如，在钝化膜21和31以及减反射膜22和32中形成开口，并且通过诸如涂布或沉积的各种方法在所述开口中形成第一电极24和第二电极34。
在另一实施方式中，第一电极24和第二电极34可这样形成：通过丝网印刷等将用于形成第一电极和第二电极的浆料施加到钝化膜21和31以及减反射膜22和32上，然后在其上执行烧穿、激光烧穿接触等。在这种情况下，由于在形成第一电极24和第二电极34期间形成开口，所以不需要独立地形成开口的工艺。
根据本发明的实施方式，可在不使用诸如离子注入的附加掺杂方法的情况下，通过第一部分20a和30a中的第一导电类型或第二导电类型的掺杂物的扩散来形成第二部分20b和30b。结果，可通过简单的制造工艺来制造具有优异效率的太阳能电池100。
在上述实施方式中，以形成第一隧穿层42和第二隧穿层44以及导电类型区域20和30，形成钝化膜21和31以及减反射膜22和32，然后形成第一电极24和第二电极34的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此。因此，第一隧穿层42和第二隧穿层44、导电类型区域20和30、钝化膜21和31、减反射膜22和32以及第一电极24和第二电极34的形成顺序可变化。
另外，在上述实施方式中，以通过使发射极区域20的第一部分20a中的第二导电类型的掺杂物扩散来形成第二部分20b，并且通过使背面场区域30的第一部分30a中的第二导电类型的掺杂物扩散来形成第二部分30b的情况为例，但是本发明的实施方式不限于此，第二部分20b和30b可通过附加工艺(离子注入、热扩散、激光掺杂等)来形成。
图17是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。
参照图17，在本发明的实施方式中，发射极区域20包括第一部分20a和第二部分20b，其被设置为使得第一隧穿层42介于部分20a和20b之间，背面场区域30包括第一部分30a和第二部分30b，其被设置为使得第二隧穿层44介于部分20a和20b之间。
在本发明的实施方式中，导电类型区域20和30的第二部分20b和30b可通过利用导电类型的掺杂物对形成在半导体基板10上的非晶、微晶或多晶半导体层(例如，硅层)等进行掺杂来形成。即，导电类型区域20和30的第二部分20b和30b可介于半导体基板10与隧穿层42和44之间。在这种情况下，导电类型的掺杂物可在形成构成第二部分20b和30b的半导体层期间并入，并且可在形成构成第二部分20b和30b的半导体层之后进行掺杂。
因此，在第一部分20和第二部分30a形成在半导体基板10上的情况下，半导体基板10可仅包括基极区域110。结果，可从根本上防止在半导体基板10上形成掺杂区域期间可能产生或发生的诸如对半导体基板10的损伤或者载流子的复合增加的问题，但是本发明的实施方式不限于此。可在半导体基板10上仅形成发射极区域20和背面场区域30中的一个的第二部分20b和30b。另选地，发射极区域20和背面场区域30中的任一个可包括第一部分20a和30a以及第二部分20b和30b。
尽管出于示意性目的公开了本发明的示例实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中公开的本发明的范围和精神的情况下，可进行各种修改、添加和置换。
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2013年4月3日提交的韩国专利申请No.10-2013-0036455以及于2013年9月9日提交的韩国专利申请No.10-2013-0108046的优先权权益，所有这些申请的公开内容以引用方式并入本文。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
半导体基板；
第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的第一表面上；
第一导电类型区域，其位于所述半导体基板的第二表面上；以及
电极，其包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极，
其中，所述第一导电类型区域包括第一部分并且包括掺杂有第一导电类型的掺杂物的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层具有0.5nm至5nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层形成在所述半导体基板的背面上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层整个设置在所述半导体基板上。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域形成在所述半导体基板的第一表面中。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：
第二导电类型区域，其位于所述半导体基板的另一表面上，所述第二导电类型区域具有不同于所述第一导电类型区域的导电类型，
其中，所述电极还包括连接到所述第二导电类型区域的第二电极。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第二导电类型区域被设置在所述第一隧穿层上。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第二导电类型区域包括多晶体。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括所述第二导电类型区域上的钝化膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
EP4092757A1 (en) * 2013-04-03 2022-11-23 Lg Electronics Inc. Method for fabricating a solar cell
US9362427B2 (en) * 2013-12-20 2016-06-07 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9466755B2 (en) * 2014-10-30 2016-10-11 International Business Machines Corporation MIS-IL silicon solar cell with passivation layer to induce surface inversion
KR20160052270A (ko) * 2014-11-04 2016-05-12 엘지전자 주식회사 태양 전지
EP3026713B1 (en) * 2014-11-28 2019-03-27 LG Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR101626248B1 (ko) * 2015-01-09 2016-05-31 고려대학교 산학협력단 실리콘 태양전지 및 이의 제조 방법
KR102320551B1 (ko) * 2015-01-16 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
CN105280729A (zh) * 2015-03-13 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池钝化减反薄膜及其制备方法
CN106158988B (zh) * 2015-04-07 2017-12-12 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
KR102272433B1 (ko) * 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9911873B2 (en) * 2015-08-11 2018-03-06 Alliance For Sustainable Energy, Llc Hydrogenation of passivated contacts
DE102015115765B4 (de) 2015-09-18 2019-06-27 Hanwha Q Cells Gmbh Solarzelle und Solarzellenherstellungsverfahren
NL2015534B1 (en) * 2015-09-30 2017-05-10 Tempress Ip B V Method of manufacturing a solar cell.
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US20170179320A1 (en) * 2015-12-17 2017-06-22 Solarcity Corporation System and method for fabricating solar panels using busbarless photovoltaic structures
EP3182465B1 (en) * 2015-12-18 2020-03-11 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing solar cell
KR102526398B1 (ko) * 2016-01-12 2023-04-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP6257847B1 (ja) * 2016-03-23 2018-01-10 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
CN105895738A (zh) * 2016-04-26 2016-08-24 泰州中来光电科技有限公司 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法和组件、系统
CN107482078A (zh) * 2016-06-02 2017-12-15 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池p型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
CN107464855A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池n型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
KR20180007585A (ko) * 2016-07-13 2018-01-23 엘지전자 주식회사 텐덤 태양전지, 이를 포함하는 텐덤 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
WO2018032351A1 (en) 2016-08-16 2018-02-22 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Thick-film paste for front-side metallization in silicon solar cells
US10686087B2 (en) 2016-09-19 2020-06-16 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JP6785477B2 (ja) * 2016-09-27 2020-11-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
CN108074989A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法
CN106328735A (zh) * 2016-11-15 2017-01-11 江南大学 一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法
US10141462B2 (en) * 2016-12-19 2018-11-27 Sunpower Corporation Solar cells having differentiated P-type and N-type architectures
CN108575097B (zh) 2016-12-20 2021-08-17 浙江凯盈新材料有限公司 具有印刷的氧化物隧道结的叉指背接触金属-绝缘体-半导体太阳能电池
SG11201809762PA (en) 2016-12-20 2018-12-28 Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd Siloxane-containing solar cell metallization pastes
KR101879363B1 (ko) * 2017-01-17 2018-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지 제조 방법
KR101867969B1 (ko) * 2017-01-18 2018-06-15 엘지전자 주식회사 이종 접합 태양전지
EP3358627A1 (en) * 2017-02-07 2018-08-08 LG Electronics Inc. Solar cell
CN107093649B (zh) * 2017-03-28 2019-08-30 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种hjt光伏电池的制备方法
KR20180119969A (ko) * 2017-04-26 2018-11-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN107342332A (zh) * 2017-07-07 2017-11-10 常州亿晶光电科技有限公司 双面polo电池及其制备方法
JPWO2019021545A1 (ja) * 2017-07-28 2019-11-07 三菱電機株式会社 太陽電池、及び、その製造方法
CN107546281A (zh) * 2017-08-29 2018-01-05 浙江晶科能源有限公司 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法
CN107644925B (zh) * 2017-09-18 2019-08-06 浙江晶科能源有限公司 一种p型晶体硅太阳能电池的制备方法
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
CN109755343A (zh) * 2017-11-03 2019-05-14 上海神舟新能源发展有限公司 发射结选择性接触的隧穿氧化钝化perc电池制备方法
CN108054219A (zh) * 2017-12-15 2018-05-18 浙江晶科能源有限公司 一种p型太阳能电池及其制作方法
CN108133974A (zh) * 2018-01-29 2018-06-08 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法
CN108172642A (zh) * 2018-01-29 2018-06-15 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN109494261A (zh) * 2018-10-19 2019-03-19 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 硅基太阳能电池及制备方法、光伏组件
CN108666393B (zh) * 2018-07-16 2024-02-09 英利能源（中国）有限公司 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
CN109256440A (zh) * 2018-09-17 2019-01-22 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN109301005A (zh) * 2018-10-10 2019-02-01 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池
CN109216491A (zh) * 2018-10-10 2019-01-15 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池及其制备方法
KR102102823B1 (ko) * 2018-10-30 2020-04-22 성균관대학교산학협력단 표면 구조를 이용한 선택적 에미터의 형성 방법 및 표면 구조를 이용한 선택적 에미터를 포함한 태양전지
CN109560149A (zh) * 2018-11-15 2019-04-02 中国科学院上海高等研究院 一种p型晶硅太阳电池及制备方法
CN209389043U (zh) * 2018-11-27 2019-09-13 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池及光伏组件
CN109545901A (zh) * 2018-11-28 2019-03-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 Ibc电池的制作方法
CN111524982A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳电池
CN110061086A (zh) * 2019-04-04 2019-07-26 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种hbc太阳能电池
US10622502B1 (en) 2019-05-23 2020-04-14 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell edge interconnects
US10749045B1 (en) 2019-05-23 2020-08-18 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell side surface interconnects
FR3100381B1 (fr) * 2019-08-29 2021-08-20 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque
TWI718703B (zh) * 2019-10-09 2021-02-11 長生太陽能股份有限公司 太陽能電池及其製造方法
EP4064367A4 (en) * 2019-11-20 2023-12-06 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. PARTIAL TUNNELING OF AN OXIDE LAYER PASSIVATION CONTACT STRUCTURE OF A PHOTOVOLTAIC CELL AND PHOTOVOLTAIC MODULE
CN110931603A (zh) * 2019-12-11 2020-03-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制备方法
CN111509072A (zh) * 2020-03-20 2020-08-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 新型n型背结设计的硅太阳电池及其制备方法
CN111933752A (zh) * 2020-08-13 2020-11-13 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
FR3114442B1 (fr) * 2020-09-21 2022-08-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque à contacts passivés
CN112201701B (zh) 2020-09-30 2024-05-03 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池和光伏组件
CN112466962B (zh) 2020-11-19 2021-11-23 晶科绿能(上海)管理有限公司 太阳能电池
CN112687755B (zh) * 2020-12-28 2023-03-28 正泰新能科技有限公司 一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池
JP2022183700A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 パナソニックホールディングス株式会社 太陽電池セル、多接合型太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
CN116705865A (zh) 2021-09-10 2023-09-05 上海晶科绿能企业管理有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN114551606A (zh) * 2021-09-16 2022-05-27 晶科能源(海宁)有限公司 一种太阳能电池、光伏组件
CN116722049A (zh) * 2022-04-11 2023-09-08 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN116364794A (zh) 2022-04-11 2023-06-30 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110162706A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Passivated polysilicon emitter solar cell and method for manufacturing the same
US20110174374A1 (en) * 2008-07-01 2011-07-21 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction solar cell with absorber having an integrated doping profile
US20110272012A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
CN102263152A (zh) * 2010-05-14 2011-11-30 美国喜瑞能源公司 具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
CN102610664A (zh) * 2011-01-19 2012-07-25 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN102983209A (zh) * 2011-09-07 2013-03-20 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6249676A (ja) 1985-08-29 1987-03-04 Sharp Corp 太陽電池
US5057439A (en) 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
JPH04290274A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Sharp Corp 光電変換装置
US5332689A (en) 1993-02-17 1994-07-26 Micron Technology, Inc. Method for depositing low bulk resistivity doped films
US5529937A (en) 1993-07-27 1996-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating thin film transistor
EP0639856A1 (en) 1993-08-20 1995-02-22 Texas Instruments Incorporated Method of doping a polysilicon layer and semiconductor device obtained
US5541137A (en) 1994-03-24 1996-07-30 Micron Semiconductor Inc. Method of forming improved contacts from polysilicon to silicon or other polysilicon layers
US6187604B1 (en) 1994-09-16 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Method of making field emitters using porous silicon
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6150603A (en) 1999-04-23 2000-11-21 Hughes Electronics Corporation Bilayer passivation structure for photovoltaic cells
JP3702240B2 (ja) 2002-03-26 2005-10-05 三洋電機株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP4169671B2 (ja) 2003-09-24 2008-10-22 三洋電機株式会社 光起電力素子の製造方法
ATE553501T1 (de) 2005-02-25 2012-04-15 Sanyo Electric Co Photovoltaische zelle
DE102005013668B3 (de) 2005-03-14 2006-11-16 Universität Stuttgart Solarzelle
US20060214251A1 (en) 2005-03-18 2006-09-28 Intersil Americas Inc. Photodiodes with anti-reflection coating
DE102005019225B4 (de) 2005-04-20 2009-12-31 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie
US7375378B2 (en) 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
US20070023081A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 General Electric Company Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
US7468485B1 (en) 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
KR100974226B1 (ko) * 2007-03-23 2010-08-06 엘지전자 주식회사 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성
TW200947726A (en) * 2008-01-24 2009-11-16 Applied Materials Inc Buried insulator isolation for solar cell contacts
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
EP2283514A1 (en) 2008-04-25 2011-02-16 Innovalight, Inc. Junction formation on wafer substrates using group iv nanoparticles
JP5172480B2 (ja) 2008-06-04 2013-03-27 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
DE102008045522A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Heterosolarzelle und Verfahren zur Herstellung von Heterosolarzellen
FR2936905B1 (fr) 2008-10-02 2010-10-29 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique a heterojonction a deux dopages et procede de fabrication.
US8242354B2 (en) 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
DE102008055028A1 (de) 2008-12-19 2010-07-01 Q-Cells Se Solarzelle
US8367924B2 (en) 2009-01-27 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Buried insulator isolation for solar cell contacts
US20100186802A1 (en) 2009-01-27 2010-07-29 Peter Borden Hit solar cell structure
US8207443B2 (en) 2009-01-27 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Point contacts for polysilicon emitter solar cell
US20100230771A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and arrangement for diffusing dopants into silicon
MY186820A (en) 2009-04-21 2021-08-23 Tetrasun Inc High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
US8940572B2 (en) 2009-04-21 2015-01-27 Tetrasun, Inc. Method for forming structures in a solar cell
CN104882513A (zh) 2009-04-22 2015-09-02 泰特拉桑有限公司 通过局部激光辅助转变太阳能电池中的功能膜得到的局部金属接触
CN101587913B (zh) * 2009-06-26 2011-06-08 上海大学 Sinp硅蓝紫光电池及其制备方法
KR101139443B1 (ko) 2009-09-04 2012-04-30 엘지전자 주식회사 이종접합 태양전지와 그 제조방법
KR101146736B1 (ko) 2009-09-14 2012-05-17 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP5533878B2 (ja) * 2009-09-18 2014-06-25 三洋電機株式会社 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム
US8324015B2 (en) 2009-12-01 2012-12-04 Sunpower Corporation Solar cell contact formation using laser ablation
US8377018B2 (en) 2009-12-23 2013-02-19 Kci Licensing, Inc. Reduced-pressure, multi-orientation, liquid-collection canister
US20120318340A1 (en) * 2010-05-04 2012-12-20 Silevo, Inc. Back junction solar cell with tunnel oxide
JP5746325B2 (ja) 2010-05-04 2015-07-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
KR101733055B1 (ko) * 2010-09-06 2017-05-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
JP2012060080A (ja) 2010-09-13 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 結晶太陽電池及びその製造方法
JP5830323B2 (ja) * 2010-09-21 2015-12-09 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法
KR101252171B1 (ko) 2010-12-09 2013-04-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조방법
KR101729745B1 (ko) 2011-01-05 2017-04-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101745683B1 (ko) * 2011-01-14 2017-06-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
TWI463682B (zh) 2011-03-02 2014-12-01 Nat Univ Tsing Hua 異質接面太陽能電池
WO2012119084A1 (en) 2011-03-03 2012-09-07 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Top down aluminum induced crystallization for high efficiency photovoltaics
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8630607B2 (en) 2011-07-15 2014-01-14 Verizon Patent And Licensing Inc. Emergency call handoff between heterogeneous networks
US9099596B2 (en) * 2011-07-29 2015-08-04 International Business Machines Corporation Heterojunction photovoltaic device and fabrication method
US20130178011A1 (en) 2011-08-29 2013-07-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Dopant compositions and the method of making to form doped regions in semiconductor materials
KR101651302B1 (ko) 2011-11-03 2016-08-26 현대중공업 주식회사 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법
EP2822042B1 (en) * 2012-03-02 2016-10-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic device
TW201340347A (zh) 2012-03-22 2013-10-01 Motech Ind Inc 太陽能電池
US9054255B2 (en) 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
US20130298973A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Silevo, Inc. Tunneling-junction solar cell with shallow counter doping layer in the substrate
EP4092757A1 (en) * 2013-04-03 2022-11-23 Lg Electronics Inc. Method for fabricating a solar cell
KR101442011B1 (ko) 2013-05-20 2014-09-29 한국생산기술연구원 태양전지 및 그 제조방법
CN103367547A (zh) 2013-07-16 2013-10-23 苏州润阳光伏科技有限公司 全背电极太阳电池及其制作方法
JP6350979B2 (ja) 2013-09-04 2018-07-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
DE102013219564A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit einem Heteroübergang
DE102013219561A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit zumindest einem Heteroübergang
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US20160072000A1 (en) 2014-09-05 2016-03-10 David D. Smith Front contact heterojunction process
WO2016049245A1 (en) 2014-09-24 2016-03-31 Suniva, Inc. Passivated contact solar cells and methods for manufacturing
NL2015533B1 (en) 2015-09-30 2017-04-20 Tempress Ip B V Method of manufacturing of a solar cell and solar cell thus obtained.
JP6257847B1 (ja) 2016-03-23 2018-01-10 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
NL2017290B1 (en) 2016-08-04 2018-02-14 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Passivated Emitter and Rear Contact Solar Cell

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110174374A1 (en) * 2008-07-01 2011-07-21 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction solar cell with absorber having an integrated doping profile
US20110162706A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Passivated polysilicon emitter solar cell and method for manufacturing the same
US20110272012A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
CN102263152A (zh) * 2010-05-14 2011-11-30 美国喜瑞能源公司 具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
CN102610664A (zh) * 2011-01-19 2012-07-25 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN102983209A (zh) * 2011-09-07 2013-03-20 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403534A (zh) * 2020-03-27 2020-07-10 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN111403534B (zh) * 2020-03-27 2022-04-15 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法

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