JP2014204128A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP2014204128A
JP2014204128A JP2014077166A JP2014077166A JP2014204128A JP 2014204128 A JP2014204128 A JP 2014204128A JP 2014077166 A JP2014077166 A JP 2014077166A JP 2014077166 A JP2014077166 A JP 2014077166A JP 2014204128 A JP2014204128 A JP 2014204128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
semiconductor substrate
region
conductivity type
tunnel layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014077166A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6059173B2 (ja
Inventor
チェウォン チャン
Jaewon Chang
チェウォン チャン
キュンジン シム
Kyung-Jin Shim
キュンジン シム
ヒョンジョン パク
Hyunjung Park
ヒョンジョン パク
チュンホン チェ
Junghoon Choi
チュンホン チェ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50433918&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2014204128(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from KR1020130036455A external-priority patent/KR101699743B1/ko
Priority claimed from KR1020130108046A external-priority patent/KR101889774B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of JP2014204128A publication Critical patent/JP2014204128A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6059173B2 publication Critical patent/JP6059173B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、効率を最大化することができる太陽電池を提供しようとする。【解決手段】本発明の実施例に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一面上に全体的に形成される第１トンネル層と、前記第１トンネル層上に形成される第１導電型領域と、前記第１導電型領域に接続される第１電極を含む電極と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池に係り、より詳細には、半導体基板を含む太陽電池に関する。
最近、石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予想されながら、これらに代わる代替エネルギーへの関心が高まっている。その中でも太陽電池は、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換する次世代電池として脚光を浴びている。
太陽電池は、光電変換を起こすことができるように、半導体基板に導電型領域及びこれに電気的に接続する電極を形成してなる。なお、太陽電池には、特性を向上させるために、導電型領域をパッシベーションするパッシベーション膜、反射を防止する反射防止膜なども形成される。
しかし、従来の太陽電池では半導体基板での再結合、キャリアの長い移動距離などによって太陽電池の効率が低下することがある。そのため、太陽電池の効率を最大化できるように設計することが要求される。
本発明は、効率を最大化することができる太陽電池を提供しようとする。
本発明の実施例に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一面側に全体的に形成される第１トンネル層と、前記半導体基板の一面側に位置する第１導電型領域と、前記第１導電型領域に接続される第１電極を含む電極と、を含み、前記第１導電型領域は、前記第１トンネル層上に位置し、第１導電型ドーパントがドープされた多結晶、非晶質または微細結晶半導体を含む第１部分を含む。本発明の実施例によれば、半導体基板上にトンネル層を形成した後、トンネル層上に導電型領域（エミッタ領域、後面電界領域など）を形成する。これによって、半導体基板の後面表面の欠陥を効果的に除去しながら、光電変換を起こすキャリアは効果的に移動できるようにする。これによって、半導体基板の損傷を防止し、半導体基板の後面での再結合サイトを効果的に除去できるようになる。これによって、太陽電池の効率をさらに向上させることができる。
本発明の他の実施例に係る太陽電池では、導電型領域が、トンネル層を挟んで位置する複数の部分を含むことで、半導体基板内での再結合を最小化しながら、電極との電気的接続特性を向上させることができる。これによって、太陽電池の効率を向上させることができる。
本発明によれば、太陽電池の効率を極大化することができる。
本発明の実施例に係る太陽電池の断面図である。 本実施例に係る太陽電池の平面図である。 図１の実施例の一変形例に係る太陽電池の断面図である。 本発明の他の実施例に係る太陽電池の断面図である。 図４の実施例の一変形例を示す断面図である。 図４の実施例の他の変形例を示す断面図である。 図４の実施例の更に他の変形例に係る太陽電池の断面図である。 本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。 図８の実施例の一変形例に係る太陽電池の断面図である。 図８の実施例の他の変形例に係る太陽電池の断面図である。 本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。 図１１の実施例の一変形例に係る太陽電池の断面図である。 図１１の実施例の他の変形例に係る太陽電池の断面図である。 図１１の実施例の更に他の変形例に係る太陽電池の断面図である。 図１１の実施例の更に他の変形例に係る太陽電池の断面図である。 図１１に示した太陽電池の製造方法を示す断面図である。 図１１に示した太陽電池の製造方法を示す断面図である。 図１１に示した太陽電池の製造方法を示す断面図である。 図１１に示した太陽電池の製造方法を示す断面図である。 図１１に示した太陽電池の製造方法を示す断面図である。 本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。
以下では、添付の図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。しかし、本発明がこれら実施例に限定されるものではなく、様々な形態に変形可能であることは勿論である。
図面では、本発明を明確且つ簡略に説明するために、説明と関係のない部分の図示を省略し、明細書全体において同一又は極めて類似の部分に対しては同一の図面参照符号を使用する。そして、図面では、説明をより明確にするために、厚さ、幅などを拡大または縮小して示しており、本発明の厚さ、幅などは図面に示したものに限定されない。
そして、明細書全体において、ある部分が他の部分を「含む」とするとき、特に反対の記載がない限り、他の部分を排除するのではなく、他の部分をさらに含むことができる。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が位置する場合も含む。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「直上に」あるとする場合は、中間に他の部分が位置しないことを意味する。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例に係る太陽電池をより詳細に説明する。
図１は、本発明の実施例に係る太陽電池の断面図であり、図２は、本実施例に係る太陽電池の平面図である。
図面を参照すると、本実施例に係る太陽電池１００は、基板（一例として、半導体基板）（以下、「半導体基板」）１０と、導電型領域２０，３０と、導電型領域２０，３０に接続される電極２４，３４と、トンネル層４０とを含むことができる。導電型領域２０，３０は、互いに異なる導電型を有するエミッタ領域２０及び後面電界領域３０を含むことができ、電極２４，３４は、エミッタ領域２０及び後面電界領域３０にそれぞれ接続される第１及び第２電極２４，３４を含むことができる。トンネル層４０は、半導体基板１０と導電型領域２０，３０の少なくとも一部との間に位置することができる。そして、第１パッシベーション膜２１、第１反射防止膜２２、第２パッシベーション膜３１、第２反射防止膜３２などをさらに含むことができる。これについてより詳細に説明する。
エミッタ領域２０及び後面電界領域３０のうち一方を第１導電型領域と呼び、他方を第２導電型領域と呼ぶことができる。本実施例において、第１、第２などの表現は区別のために使用するものに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。
半導体基板１０は、第１導電型ドーパントを相対的に低いドーピング濃度で含むベース領域１１０を含むことができる。ベース領域１１０は、第１導電型ドーパントを含む結晶質半導体で構成することができる。一例として、ベース領域１１０は、第１導電型ドーパントを含む単結晶または多結晶半導体（一例として、単結晶または多結晶シリコン）で構成することができる。特に、ベース領域１１０は、第１導電型ドーパントを含む単結晶半導体（例えば、単結晶半導体ウエハ、より具体的には、半導体シリコンウエハ）で構成することができる。このように、ベース領域１１０が単結晶シリコンで構成されると、太陽電池１００が単結晶シリコン太陽電池を構成するようになる。このように、単結晶半導体を有する太陽電池１００は、結晶性が高くて欠陥の少ないベース領域１１０または半導体基板１０をベースとしているので、電気的特性に優れている。
第１導電型ドーパントは、一例として、ｎ型またはｐ型であってもよい。すなわち、第１導電型ドーパントとして、５族元素であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビズマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などのｎ型ドーパントを使用することができる。または、第１導電型ドーパントとして、３族元素であるボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などのｐ型ドーパントを使用することができる。
このとき、ベース領域１１０は、第１導電型ドーパントとしてｎ型の不純物を有することができる。すると、ベース領域１１０とｐｎ接合をなすエミッタ領域２０がｐ型を有するようになる。このようなｐｎ接合に光が照射されると、光電効果によって生成された電子が半導体基板１０の第２面（以下、「後面」）側に移動して第２電極３４により収集され、正孔が半導体基板１０の前面側に移動して第１電極２４により収集される。これによって、電気エネルギーが発生する。すると、電子よりも移動速度の遅い正孔が半導体基板１０の後面ではなく前面に移動して、変換効率が向上することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、ベース領域１１０及び後面電界領域３０がｐ型を有し、エミッタ領域２０がｎ型を有することも可能である。
本実施例において、半導体基板１０は、ベース領域１１０のみからなることができる。すなわち、従来の太陽電池では、半導体基板１０と異なる導電型を有するドーピング領域、または半導体基板１０と同一の導電型を有し、ドーピング濃度の高いドーピング領域などが半導体基板１０に形成される一方、本実施例では、半導体基板１０がベース領域１１０のみからなり、別途のドーピング領域を備えていない。
このように、半導体基板１０が、ベース領域のみからなり、別途のドーピング領域を備えていない。一例として、半導体基板１０において、最も低いドーピング濃度に対する最も高いドーピング濃度の差が１０％以下であり得る。このとき、１０％以下は、別途のドーパント領域を形成するためのドーピングが行われていない程度を規定するために一例として提示したものに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、本発明は、通常、半導体基板１０に別途のドーピング領域を備えていない場合を全て含む。
本実施例では、半導体基板１０に別途のドーピング領域が形成されていないので、開放電圧を向上させることができる。これは、半導体基板１０にドーピング領域を形成することによって生じ得る表面再結合を防止できるからである。
本実施例において、半導体基板１０の前面及び後面は、テクスチャリング（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）されてピラミッドなどの形状の凹凸を有することができる。このようなテクスチャリングにより半導体基板１０の前面などに凹凸が形成されて表面粗さが増加すると、半導体基板１０の前面を介して入射する光の反射率を下げることができる。したがって、半導体基板１０とエミッタ領域２０によって形成されたトンネルジャンクション（Ｔｕｎｎｅｌ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）まで到達する光量を増加させることができるので、光損失を最小化することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、半導体基板１０の前面及び後面のいずれか一方のみがテクスチャリングされるか、または両面ともテクスチャリングされなくてもよい。
半導体基板１０の一面（一例として、前面）（以下、「前面」）には第１トンネル層４２が全体的に形成される。ここで、全体的に形成されるというのは、空き領域なしに全体面の全てに形成されることのみならず、外郭領域、アイソレイション領域などのように不可避に形成されざるを得ない領域を除いた全体領域に形成されることも含む。
第１トンネル層４２は、再結合サイトが多い半導体基板１０の表面をパッシベーションしながら、トンネル効果によってキャリアは円滑に移動できるようにする。
第１トンネル層４２は、パッシベーション効果及びトンネル効果を具現できる物質、一例として、酸化物、窒化物、半導体、導電性高分子などを含むことができる。例えば、第１トンネル層４２は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、真性非晶質シリコン、真性多結晶シリコンなどを含むことができる。すると、第１トンネル層４２を容易且つ安定的に形成することができる。
パッシベーション効果及びトンネル効果を十分に具現できるように、第１トンネル層４２の厚さは、５ｎｍ以下であってもよく、０．５ｎｍ〜５ｎｍ（一例として、０．５ｎｍ〜４ｎｍ、例えば、０．５ｎｍ〜２ｎｍ）であってもよい。第１トンネル層４２の厚さが５ｎｍを超えると、トンネリングが円滑に行われないため、太陽電池１００が作動しないことがあり、第１トンネル層４２の厚さが０．５ｎｍ未満であると、パッシベーション特性が低下することがある。トンネル効果をさらに向上させるためには、第１トンネル層４２の厚さが０．５ｎｍ〜４ｎｍ、より正確には、０．５ｎｍ〜２ｎｍであればよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１トンネル層４２の厚さは多様に変更可能である。
本実施例では、半導体基板１０の前面上に全体的に第１トンネル層４２を形成することで、半導体基板１０の前面での欠陥を全体的に除去することができる。これによって、太陽電池１００の開放電圧が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
本実施例では、エミッタ領域２０が第１トンネル層４２上に形成される第１部分２０ａを含む。第１部分２０ａは、半導体基板１０と異なる導電型（一例として、ｐ型またはｎ型）を含む多結晶、非晶質、または微細結晶半導体で構成することができる。一例として、エミッタ領域は、第２導電型ドーパントがドープされた多結晶シリコン、非晶質シリコン、または微細結晶シリコンで構成することができる。このとき、第１部分２０ａを多結晶、非晶質、または微細結晶半導体で形成して、第１部分２０ａで構成されるエミッタ領域２０を様々な方法で容易に製造することができる。
本実施例において、エミッタ領域２０の第１部分２０ａは、第１トンネル層４２上に全体的に形成することができる。ここで、全体的に形成するというのは、空き領域なしに全体面の全てに形成されることのみならず、外郭領域、アイソレイション領域などのように不可避に形成されざるを得ない領域を除いた全体領域に形成されることも含む。
エミッタ領域２０（より正確には、第１部分２０ａ）上には、第１パッシベーション膜２１及び／または第１反射防止膜２２を形成することができる。本実施例では、エミッタ領域２０上に第１パッシベーション膜２１が形成され、第１パッシベーション膜２１上に第１反射防止膜２２が形成された場合を例示した。本実施例において、第１パッシベーション膜２１は、第１電極２４に対応する部分を除いて、実質的にエミッタ領域２０上の全面全体に形成することができる。そして、第１反射防止膜２２は、第１電極２４に対応する部分を除いて、実質的に第１パッシベーション膜２１上の全面全体に形成することができる。
第１パッシベーション膜２１は、エミッタ領域２０に存在する欠陥を不動化させて、少数キャリアの再結合サイトを除去することで、太陽電池１００の開放電圧を増加させることができる。そして、第１反射防止膜２２は、半導体基板１０の前面を介して入射する光の反射率を下げることによって、半導体基板１０とエミッタ領域２０によって形成されたトンネルジャンクションまで到達する光量を増加させることができる。これによって、太陽電池１００の短絡電流（Ｉｓｃ）を増加させることができる。このように、第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２によって太陽電池１００の開放電圧と短絡電流を増加させることによって、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
第１パッシベーション膜２１は、エミッタ領域２０を効果的にパッシベーションすることができる物質で構成できる。一例として、第１パッシベーション膜２１は、シリコン窒化物、水素含有シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸化窒化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つを含む単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜構造を有することができる。このとき、エミッタ領域２０がｎ型である場合には、第１パッシベーション膜２１が正電荷を有するシリコン酸化物、シリコン窒化物などを含むことができ、エミッタ領域２０がｐ型である場合には、第１パッシベーション膜２１が負電荷を有するアルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物などを含むことができる。
そして、第１反射防止膜２２は、表面での反射を防止できる様々な物質で構成することができる。一例として、第１反射防止膜２２は、シリコン窒化物、水素含有シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸化窒化物、アルミニウム酸化物、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つを含む単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜構造を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１反射防止膜２２が様々な物質を含んでもよいことは勿論である。
第１電極２４は、第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２に形成された開口部を通して（すなわち、第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２を貫通して）エミッタ領域２０に電気的に接続される。このような第１電極２４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成できる。第１電極２４の平面形状などは、以下でより詳細に説明する。
一方、半導体基板１０の他の一面（一例として、後面）（以下、「後面」）には、第２トンネル層４４が全体的に形成される。ここで、全体的に形成されるというのは、空き領域なしに全体面の全てに形成されることのみならず、外郭領域、アイソレイション領域などのように不可避に形成されざるを得ない領域を除いた全体領域に形成されることも含む。
第２トンネル層４４は、再結合サイトが多い半導体基板１０の表面をパッシベーションしながら、トンネル効果によってキャリアは円滑に移動できるようにする。
第２トンネル層４４は、パッシベーション効果及びトンネル効果を具現できる物質、一例として、酸化物、窒化物、半導体、導電性高分子などを含むことができる。例えば、第２トンネル層４４は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、真性非晶質シリコン、真性多結晶シリコンなどを含むことができる。すると、第２トンネル層４４を容易且つ安定的に形成することができる。
パッシベーション効果及びトンネル効果を十分に具現できるように、第２トンネル層４４の厚さは、５ｎｍ以下であってもよく、０．５ｎｍ〜５ｎｍ（一例として、０．５ｎｍ〜４ｎｍ、例えば、０．５ｎｍ〜２ｎｍ）であってもよい。第２トンネル層４４の厚さが５ｎｍを超えると、トンネリングが円滑に行われないため、太陽電池１００が作動しないことがあり、第２トンネル層４４の厚さが０．５ｎｍ未満であると、パッシベーション特性が低下することがある。トンネル効果をさらに向上させるためには、第１トンネル層４４の厚さが、０．５ｎｍ〜４ｎｍ、より正確には、０．５ｎｍ〜２ｎｍであればよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２トンネル層４４の厚さは多様に変更可能である。
本実施例では、半導体基板１０の後面に全体的に第２トンネル層４４を形成することで、半導体基板１０の後面での欠陥を全体的に除去することができる。これによって、太陽電池１００の開放電圧が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
本実施例では、後面電界領域３０が、第２トンネル層４４上に形成される第１部分３０ａを含む。第２トンネル層４４上に形成される後面電界領域３０の第１部分３０ａが、半導体基板１０と同一の導電型（一例として、ｎ型またはｐ型）を含む多結晶、非晶質、または微細結晶半導体で構成され得る。一例として、後面電界領域３０の第１部分３０ａは、第１導電型ドーパントがドープされた多結晶シリコン、非晶質シリコン、または微細結晶シリコンで構成することができる。このとき、後面電界領域３０の第１部分３０ａを多結晶、非晶質、または微細結晶半導体で形成して、後面電界領域３０を様々な方法で容易に製造することができる。
本実施例において、後面電界領域３０は、第２トンネル層４４上に全体的に形成することができる。ここで、全体的に形成するというのは、空き領域なしに全体面の全てに形成されることのみならず、外郭領域、アイソレイション領域などのように不可避に形成されざるを得ない領域を除いた全体領域に形成されることも含む。
後面電界領域３０上には第２パッシベーション膜３１及び／または第２反射防止膜３２を形成することができる。本実施例では、後面電界領域３０上に第２パッシベーション膜３１が形成され、第２パッシベーション膜３１上に第２反射防止膜３２が形成された場合を例示した。本実施例において、第２パッシベーション膜３１は、第２電極３４に対応する部分を除いて、実質的に後面電界領域３０上の全面全体に形成することができる。そして、第２反射防止膜３２は、第２電極３４に対応する部分を除いて、実質的に第２パッシベーション膜３１上の全面全体に形成することができる。
第２パッシベーション膜３１は、後面電界領域３０に存在する欠陥を不動化させて、少数キャリアの再結合サイトを除去することで、太陽電池１００の開放電圧を増加させることができる。そして、第２反射防止膜３２は、半導体基板１０の後面を介して入射する光の反射率を下げることによって、半導体基板１０とエミッタ領域２０によって形成されるトンネルジャンクションまで到達する光量を増加させることができる。これによって、太陽電池１００の短絡電流を増加させることができる。このように、第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２によって太陽電池１００の開放電圧と短絡電流を増加させることによって、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
第２パッシベーション膜３１は、後面電界領域３０を効果的にパッシベーションすることができる物質で構成できる。一例として、第２パッシベーション膜３１は、シリコン窒化物、水素含有シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸化窒化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つを含む単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜構造を有することができる。このとき、後面電界領域３０がｐ型である場合には、第２パッシベーション膜３１が負電荷を有するアルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物などを含むことができ、後面電界領域３０がｎ型である場合には、第２パッシベーション膜３１が正電荷を有するシリコン酸化物、シリコン窒化物などを含むことができる。
そして、第２反射防止膜３２は、表面での反射を防止できる様々な物質で構成することができる。一例として、第２反射防止膜３２は、シリコン窒化物、水素含有シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸化窒化物、アルミニウム酸化物、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つを含む単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜構造を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２反射防止膜３２が様々な物質を含んでもよいことは勿論である。
第２電極３４は、第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２に形成された開口部を通して（すなわち、第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２を貫通して）後面電界領域３０に電気的に接続される。このような第２電極３４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成することができる。
以下では、第１及び第２電極２４，３４の平面形状を、図２を参照してより詳細に説明する。
図２を参照すると、第１及び第２電極２４，３４は、一例として、第１ピッチＰ１を持って互いに平行に配置される複数のフィンガー電極２４ａ，３４ａを含むことができる。このように、第１電極２４，３４は、フィンガー電極２４ａ，３４ａと交差する方向に形成されてフィンガー電極２４ａ，３４ａを連結するバスバー電極２４ｂ，３４ｂを含むことができる。このようなバス電極２４ｂ，３４ｂは、一つのみ備えられてもよく、図２に示すように、第１ピッチＰ１よりも大きい第２ピッチＰ２を持って複数個備えられてもよい。このとき、フィンガー電極２４ａの幅Ｗ１よりもバスバー電極２４ｂの幅Ｗ２を大きくすることができるが、本発明がこれに限定されるものではなく、両者の幅を同一にしてもよく、またはフィンガー電極２４ａの幅Ｗ１よりもバスバー電極２４ｂの幅Ｗ２を小さくしてもよい。また、バスバー電極２４ｂを形成しないなど、様々な変形が可能である。このように、第１電極２４の形状は、一例として提示したものに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。このとき、図面では、第１及び第２電極２４，３４の第１ピッチＰ１を互いに区別せずに説明し、第１及び第２電極２４，３４の第２ピッチＰ２を互いに区別せずに説明した。第１電極２４の第１ピッチＰ１は、第２電極３４の第１ピッチＰ１と同一の値を有するか、または異なる値を有してもよく、第１電極２４の第２ピッチＰ２は、第２電極３４の第２ピッチＰ２と同一の値を有するか、または異なる値を有してもよい。
断面から見て、第１電極２４のフィンガー電極２４ａ及びバスバー電極２４ｂが、第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２を貫通して形成されてもよい。同様に、第２電極３４のフィンガー電極３４ａ及びバスバー電極３４ｂが、第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２を貫通して形成されてもよい。または、第１電極２４のフィンガー電極２４ａが第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２を貫通し、バスバー電極２４ｂは第１パッシベーション膜２１上に形成されてもよい。同様に、第２電極３４のフィンガー電極３４ａが第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２を貫通し、バスバー電極３４ｂは第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２上に形成されてもよい。
上述した第１及び第２電極２４，３４は、導電性に優れた金属などで構成することができ、メッキ、蒸着、印刷などの様々な方法で形成することができる。本発明が、第１及び第２電極２４，３４の物質、形成方法などに限定されるものではない。
上述したような構造の太陽電池１００では、導電型領域であるエミッタ領域２０の第１部分２０ａが、第１トンネル層４２を挟んで半導体基板１０の前面に形成される。第１トンネル層４２は、半導体基板１０の前面に全体的に形成されて、半導体基板１０の前面表面の欠陥を効果的に除去することができる。このとき、第１トンネル層４２は、光電変換を起こすキャリアは効果的に移動できるようにする。すなわち、従来には、半導体基板の一定領域にドーパントを高い濃度にドープして、エミッタ領域の機能を果たすドーピング領域を半導体基板内に形成した。このとき、ドーパントのドーピングによって半導体基板が損傷し、半導体基板の表面に多くの再結合サイトが発生した。これを防止するためにパッシベーション膜を形成する場合にも、半導体基板において電極と隣接した部分ではパッシベーション膜が形成されないため、再結合サイトを効果的に除去することが難しかった。これによって、半導体基板の表面の再結合サイトのため、太陽電池の効率が低い水準であった。
一方、本実施例では、上述したように、再結合サイトが多く存在し得る半導体基板１０の前面を、第１トンネル層４２を用いて全体的にパッシベーションし、第１トンネル層４２上にエミッタ領域２０の第１部分２０ａを形成する。これによって、半導体基板１０の損傷を防止し、半導体基板１０の前面での再結合サイトを効果的に除去できるようになる。特に、エミッタ領域２０が第１部分２０ａのみからなるので、エミッタ領域２０の構造を単純化し、半導体基板１０の損傷を最小化することができる。これによって、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
そして、さらに他の導電型領域である後面電界領域３０が、第２トンネル層４４を挟んで半導体基板１０の後面に形成される。第２トンネル層４４は、半導体基板１０の後面に全体的に形成されて、半導体基板１０の後面表面の欠陥を効果的に除去することができる。このとき、第２トンネル層４４は、光電変換を起こすキャリアは効果的に移動できるようにする。これによって、半導体基板１０の損傷をさらに防止し、半導体基板１０の後面での再結合サイトを効果的に除去できるようになる。特に、後面電界領域３０が第１部分３０ａのみからなるので、後面電界領域３０の構造を単純化し、半導体基板１０の損傷を最小化することができる。これによって、太陽電池１００の効率をさらに向上させることができる。
これによって、半導体基板１０が、別途のドーピング領域を備えずにベース領域１１０のみからなるので、半導体基板１０が優れた特性をそのまま維持することができる。
このとき、エミッタ領域２０と後面電界領域３０とが半導体基板１０において互いに異なる側に位置することで、両面受光型構造を具現することができる。これによって、半導体基板１０の前面のみならず後面にも光が入射して、入射される光の量が増加することで太陽電池１００の効率を向上させることができる。また、エミッタ領域２０と後面電界領域３０とが互いに隣接して形成されていないので、エミッタ領域２０及び後面電界領域３０が隣接して形成される場合に行わなければならないアイソレイション工程などを行わなくてもよい。また、エミッタ領域２０及び後面電界領域３０が全体的に形成されるので、別途のパターニング工程、アライン工程などが追加されない。したがって、製造工程を単純化してコストを低減することができる。
また、半導体基板１０の前面に第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２を形成することで、太陽電池１００の効率をさらに向上させることができる。
そして、第２電極３４をフィンガー電極３４ａ及びバスバー電極３４ｂを含む構造で形成して、半導体基板１０の後面にも光が入射できるようにして、光の利用量をさらに向上させた。このとき、半導体基板１０の後面に第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２を形成することで、太陽電池１００の効率をさらに向上させることができる。
以下、図３乃至図１０を参照して、本発明の変形例及び他の実施例に係る太陽電池をさらに詳細に説明する。上述した実施例と同一または極めて類似の部分については詳細な説明を省略し、互いに異なる部分についてのみ詳細に説明する。
図３は、図１の実施例の一変形例に係る太陽電池の断面図である。
図３を参照すると、本変形例に係る太陽電池は、第１及び第２パッシベーション膜２１，３１を備えておらず、エミッタ領域２０上に第１反射防止膜２２が形成され、後面電界領域３０上に第２反射防止膜３２が形成される。これによって、工程を単純化し、コストを低減することができる。そして、第１及び第２反射防止膜２２，３２がパッシベーションの役割を兼ねることができる。これによって、生産性を向上させると共に、太陽電池の優れた特性を維持することができる。
本発明は、その他にも様々な変形が可能である。例えば、第１及び第２パッシベーション膜２１，２２、第１及び第２反射防止膜３１，３２のうち少なくとも一つを備えない全ての場合が本発明の範囲に属する。
図４は、本発明の他の実施例に係る太陽電池の断面図である。
図４を参照すると、本実施例に係る太陽電池では、後面電界領域３０が、半導体基板１０内に形成されたドーピング領域で構成される第２部分３０ｂからなる。すなわち、半導体基板１０が、トープされていない領域であるベース領域１１０と、半導体基板１０に半導体基板１０と同一の導電型のドーパントをドープして形成された後面電界領域３０の第２部分３０ｂとを含むことができる。これによって、第２部分３０ｂがベース領域１１０と同一の結晶構造を有することができる。後面電界領域３０の第２部分３０ｂは、様々なドーピング方法（一例として、熱拡散法、イオン注入法など）で形成することができる。
図面では、後面電界領域３０の第２部分３０ｂが、均一なドーピング濃度を有する均一な構造（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する場合を例示したが、本発明がこれに限定されるものではない。これに対する変形例は、図５及び図６を参照して再び説明する。
後面電界領域３０上には第２パッシベーション膜３１及び／または第２反射防止膜３２を形成することができる。
このように、半導体基板１０をドープして形成された第２部分３０ｂを備えるように後面電界領域３０を形成すれば、後面電界領域３０を形成する時、後面側においては既存の工程をそのまま使用することができる。すなわち、半導体基板１０の前面においては、第１トンネル層４２上にエミッタ領域２０の第１部分２０ａを形成して太陽電池の効率を向上させ、後面電界領域３０の第２部分３０ｂには既存の設備をそのまま使用することができる。すなわち、効率及び生産性を共に考慮して、様々な特性を共に向上させることができる。
図５は、図４の実施例の一変形例を示す図である。
図５を参照すると、本変形例では、後面電界領域３０が選択的構造（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有してもよい。すなわち、後面電界領域３０は、高いドーパント濃度を有することで相対的に低い抵抗を有する第１領域３０１と、第１領域３０１より低いドーパント濃度を有することで相対的に高い抵抗を有する第２領域３０２とを有することができる。第１領域３０１は、第２電極３４の一部または全体（即ち、少なくとも一部）に接触形成されるように形成される。
これによれば、光が入射される第２電極３４の間に対応する部分に、相対的に高い抵抗の第２領域３０２を形成することで、パッシベーション効果を向上させることができる。このように、第１電極３４と隣接する部分に相対的に低い抵抗の第１領域３０１を形成して、第１電極３４との接触抵抗を低減させることができる。すなわち、本実施例の後面電界領域３０の第２部分３０ｂは、選択的構造によって太陽電池の効率を最大化することができる。
図６は、図４の実施例の他の変形例を示す図である。
図６を参照すると、本変形例では、後面電界領域３０の第２部分３０ｂが局部的構造（ｌｏｃａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有してもよい。すなわち、後面電界領域３０の第２部分３０ｂが、第２電極３４の少なくとも一部に対応する部分にのみ局部的に形成される第１領域３０１のみを備えることができる。これによれば、半導体基板１０の損傷を最小化すると共に、表面再結合サイトを最小化することができる。
図７は、図４の実施例の更に他の変形例に係る太陽電池の断面図である。
図７を参照すると、本変形例に係る太陽電池は、第１及び第２パッシベーション膜２１，３１を備えておらず、エミッタ領域２０上に第１反射防止膜２２が形成され、後面電界領域３０上に第２反射防止膜３２が形成される。これによって、工程を単純化し、コストを低減することができる。そして、第１及び第２反射防止膜２２，３２がパッシベーションの役割を兼ねることができる。これによって、生産性を向上させると共に、太陽電池の優れた特性を維持することができる。
本発明は、その他にも様々な変形が可能である。例えば、第１及び第２パッシベーション膜２１，２２、第１及び第２反射防止膜３１，３２のうち少なくとも一つを備えない全ての場合が本発明の範囲に属する。
図７では、後面電界領域３０の第２部分３０ｂが、図４に示した均一な構造を有する場合を一例として図示しているが、後面電界領域３０の第２部分３０ｂが、図５又は図６に示した選択的構造または局部的構造を有してもよい。
図８は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。
図８を参照すると、本実施例に係る太陽電池では、エミッタ領域２０が、半導体基板１０内に形成されたドーピング領域で構成される第２部分２０ｂからなる。すなわち、半導体基板１０が、ドープされていない領域であるベース領域１１０と、半導体基板１０に半導体基板１０と異なるドーパントをドープして形成されたエミッタ領域２０の第２部分２０ｂとを含むことができる。これによって、第２部分２０ｂが、ベース領域１１０と同一の結晶構造を有することができる。エミッタ領域２０は、様々なドーピング方法（一例として、熱拡散法、イオン注入法など）で形成することができる。
図面では、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂが、均一なドーピング濃度を有する均一な構造を有する場合を例示したが、本発明がこれに限定されるものではない。これに対する変形例は、図９を参照して再び説明する。
そして、エミッタ領域２０上には第１パッシベーション膜２１及び／または第１反射防止膜２２を形成することができる。
このように、半導体基板１０をドープして形成された第２部分２０ｂからなるエミッタ領域２０を形成すれば、エミッタ領域２０を形成する時、後面側においては既存の工程をそのまま使用することができる。これによって、既存の設備をそのまま利用することができる。すなわち、効率及び生産性を共に考慮して、様々な特性を共に向上させることができる。
図９は、図８の実施例の一変形例に係る太陽電池の断面図である。
図９を参照すると、本変形例では、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂが選択的構造（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有してもよい。
すなわち、エミッタ領域２０は、高いドーパント濃度を有することで相対的に低い抵抗を有する第１領域２０１と、第１領域２０１より低いドーパント濃度を有することで相対的に高い抵抗を有する第２領域２０２とを有することができる。第１領域２０１は、第１電極２４の一部または全体（即ち、少なくとも一部）に接触形成されるように形成される。
このように、本実施例では、光が入射される第１電極２４の間に対応する部分に、相対的に高い抵抗の第２領域２０２を形成することで、浅いエミッタ（ｓｈａｌｌｏｗ ｅｍｉｔｔｅｒ）を具現する。これによって、太陽電池の電流密度を向上させることができる。このように、第１電極２４と隣接する部分に相対的に低い抵抗の第１領域２０１を形成して、第１電極２４との接触抵抗を低減させることができる。すなわち、本実施例のエミッタ領域２０の第２部分２０ｂは、選択的エミッタ構造によって太陽電池の効率を最大化することができる。
図１０は、図８の実施例の他の変形例に係る太陽電池の断面図である。
図１０を参照すると、本変形例に係る太陽電池は、第１及び第２パッシベーション膜２１，３１を備えておらず、エミッタ領域２０上に第１反射防止膜２２が形成され、後面電界領域３０上に第２反射防止膜３２が形成される。これによって、工程を単純化し、コストを低減することができる。そして、第１及び第２反射防止膜２２，３２がパッシベーションの役割を兼ねることができる。これによって、生産性を向上させると共に、太陽電池の優れた特性を維持することができる。
本発明は、その他にも様々な変形が可能である。例えば、第１及び第２パッシベーション膜２１，２２、第１及び第２反射防止膜３１，３２のうち少なくとも一つを備えない全ての場合が本発明の範囲に属する。
図１０では、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂが、図８に示した均一な構造を有する場合を一例として図示しているが、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂが、図９に示した選択的構造を有してもよい。
図１１は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。
図１１を参照すると、本実施例では、導電型領域２０，３０のうち少なくとも一つが、トンネル層４２，４４を挟んで位置する複数の部分２０ａ，２０ｂ、３０ａ，３０ｂを含むことができる。
本実施例において、エミッタ領域２０は、第１トンネル層４２を挟んで位置する複数の部分を含む。具体的に、本実施例では、エミッタ領域２０が、第１トンネル層４２を挟んで位置する第１部分２０ａ及び第２部分２０ｂを含む。図面及び説明では、エミッタ領域２０の複数の部分が、計２層（すなわち、第１部分２０ａと第２部分２０ｂ）からなることを例示したが、本発明がこれに限定されるものではなく、３層以上の複数の部分を含んでもよい。エミッタ領域２０をさらに詳細に説明する。
ここで、エミッタ領域２０の第１部分２０ａは、第１トンネル層４２上において第１トンネル層４２と第１電極２４との間に位置することができる。第１部分２０ａについては、図１に示した実施例を通じて説明したので、これと重複する内容は詳細な説明を省略する。
エミッタ領域２０の第２部分２０ｂは、半導体基板１０の前面側に隣接した半導体基板１０の内部に形成されるか、または半導体基板１０の前面上で半導体基板１０に隣接して形成されてもよい。すなわち、エミッタ領域２０は、第１トンネル層４２に隣接した半導体基板１０の部分に形成されるか、または半導体基板１０と第１トンネル層４２との間又はベース領域１１０と第１トンネル層４２との間に位置することができる。
一例として、本実施例において、第２部分２０ｂが、半導体基板１０において第２導電型ドーパントがドープされて形成されたドーピング領域で構成され得る。これによって、第２部分２０ｂは、第２導電型ドーパントがドープされた単結晶半導体（一例として、単結晶シリコン）で構成され得る。このとき、第２導電型ドーパントは、ベース領域１１０と反対の第２導電型を有する不純物であれば足りる。すなわち、第２導電型ドーパントがｐ型の場合には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などの３族元素を使用することができる。第２導電型ドーパントがｎ型の場合には、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビズマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などの５族元素を使用することができる。
第１部分２０ａ及び第２部分２０ｂは、半導体基板１０の前面側に全体的に形成することができる。ここで、全体的に形成するというのは、１００％全て形成されたことのみならず、不可避に一部分に第１部分２０ａまたは第２部分２０ｂが形成されていない部分が位置することも含むことができる。このように、第１部分２０ａ及び第２部分２０ｂを全体的に形成することによって、ｐｎ接合の面積を最大化することができ、別途のパターニング工程などを省略できる。
第２部分２０ｂは、第１部分２０ａ内の第２導電型ドーパントを半導体基板１０の内部に拡散させて形成されるドーピング領域で構成することができる。この場合、第２部分２０ｂ内の第２導電型ドーパントと第１部分２０ａ内の第２導電型ドーパントとが互いに同一の物質を含む。例えば、第１部分２０ａが第２導電型ドーパントとしてボロン（Ｂ）を含む場合に、第２部分２０ｂも第２導電型ドーパントとしてボロンを含むことができる。これについての詳細は後述する。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１部分２０ａと第２部分２０ｂを互いに別個に形成するなど、様々な工程が可能である。
第２部分２０ｂは、半導体基板１０の内部においてベース領域１１０とｐｎ接合を形成する部分である。第１部分２０ａは、第１トンネル層４２上において第１電極２４と接続される部分である。
ここで、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂ及び第１部分２０ａは、第２導電型ドーパントのドーピング濃度が互いに異なる。具体的には、第２部分２０ｂのドーピング濃度よりも第１部分２０ａのドーピング濃度が高いので、第２部分２０ｂが低濃度ドーピング部を形成し、第１部分２０ａが高濃度ドーピング部を形成する。このとき、第１部分２０ａ内でのドーピング濃度を均一にすることができる。または、第１トンネル層４２に隣接した領域よりも第１電極２４に隣接した領域のドーピング濃度をさらに高くしてもよい。このとき、第１部分２０ａを形成する際に、工程条件を調節することによって、第１トンネル層４２から遠ざかるにつれてドーピング濃度を次第にまたは段階的に増加させることができる。このように、第１電極２４に隣接した部分でのドーピング濃度を高くすると、エミッタ領域２０と第１電極２４との接触抵抗を最小化することができる。
半導体基板１０の内部に位置する第２部分２０ｂを低濃度に形成して、第２部分２０ｂで生じ得る再結合（特に、オージェ再結合（Ａｕｇｅｒ ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ））を最小化することができる。また、第１電極２４と接触して第１電極２４に接続される第１部分２０ａを高濃度にして、第１電極２４との接触抵抗を最小化することができる。
一例として、第２部分２０ｂのドーピング濃度に対する第１部分２０ａのドーピング濃度の比率が５倍〜１０倍であればよい。前記濃度の比率が５倍未満であると、第２部分２０ｂのドーピング濃度が高いため、再結合を低減する効果が十分でないことがある。前記濃度の比率が１０倍を超えると、第２部分２０ｂが十分に形成されないため、ｐｎジャンクションの特性が低下することがある。ここで、第２部分２０ｂのドーピング濃度が５Ｘ１０18／ｃｍ３〜５Ｘ１０19／ｃｍ３であり、第１部分２０ａのドーピング濃度が、第２部分２０ｂのドーピング濃度より大きい値を有し、５Ｘ１０19／ｃｍ３〜５Ｘ１０20／ｃｍ３であればよい。上述したドーピング濃度において、第１部分２０ａがｐｎジャンクションを形成しながらも再結合を最小化することができ、第２部分２０ｂが第１電極２４と優れた電気的特性を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１及び第２部分２０ａ，２０ｂのドーピング濃度などは変更可能である。
そして、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂ及び第１部分２０ａは互いに異なる厚さを有することができる。より詳細には、第２部分２０ｂよりも第１部分２０ａを厚くし、第１及び第２部分２０ａ，２０ｂを第１トンネル層４２よりも厚くすることができる。第２部分２０ｂの厚さを相対的に薄くすることで、半導体基板１０で生じ得る再結合を最小化することができる。そして、第１部分２０ａを相対的に厚く形成することで、第１電極２４との優れた接触特性を維持することができる。そして、第１トンネル層４２の厚さを最も小さくして、第２部分２０ｂと第１部分２０ａとの間での多数キャリアの流れを妨げないようにすることができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２部分２０ｂを第１部分２０ａよりも厚く形成してもよいことは勿論である。
一例として、第２部分２０ｂの厚さに対する第１部分２０ａの厚さの比率が０．５〜１００倍であってもよく、より正確には、前記厚さの比率が１〜１００倍であってもよい。第２部分２０ｂによって生じ得る再結合及び半導体基板１０の損傷などを最小化し、第１部分２０ａの電気的特性などを考慮すると、前記厚さの比率が１０倍〜５０倍であればよい。ここで、第２部分２０ｂの厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであり、第１部分２０ａの厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１及び第２部分２０ａ，２０ｂの厚さなどは変更可能である。
上述したように、低濃度ドーピング部である第２部分２０ｂは、ベース領域１１０とｐｎ接合を形成する。これによって、本実施例とは異なり、エミッタ層を第１トンネル層４２上にのみ形成することで、第１トンネル層４２とエミッタ層との間にｐｎ接合を形成する場合の問題を防止することができる。すなわち、エミッタ層を第１トンネル層４２上にのみ形成すると、ｐｎ接合を構成する第１トンネル層４２とエミッタ層との間に物理的な境界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）が形成されて、エミッタ層の特性が境界面の特性に敏感に反応するようになる。そのため、エミッタ層の品質安定性を確保するのに困難がある。反面、本実施例では、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂを半導体基板１０の内部に位置させるか、または半導体基板１０と接触してｐｎ接合を形成するので、ｐｎ接合の安定性を確保することができる。これによって、太陽電池１００の開放電圧が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
第２部分２０ｂと第１部分２０ａとの間に位置した第１トンネル層４２は、少数キャリアが第２部分２０ｂから第１部分２０ａに注入されることを遮断して、高濃度である第１部分２０ａの間での再結合を抑制することができる。そして、高濃度ドーピング部である第１部分２０ａに第１電極２４を接続して、エミッタ領域２０と第１電極２４との接触抵抗を最小化することができる。これによって、太陽電池１００の充密度が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
本実施例において、後面電界領域３０は、第２トンネル層４４を挟んで位置する複数の部分を含む。具体的に、本実施例では、後面電界領域３０が、第２トンネル層４４を挟んで位置する第２部分３０ｂ及び第１部分３０ａを含む。図面及び説明では、後面電界領域３０の複数の部分が、計２層（すなわち、第１部分３０ａと第２部分３０ｂ）からなる場合を例示したが、本発明がこれに限定されるものではなく、３層以上の複数の部分を含んでもよい。後面電界領域３０をさらに詳細に説明する。
後面電界領域３０の第２部分３０ｂは、半導体基板１０の後面側に隣接した半導体基板１０の内部に形成されるか、または半導体基板１０の後面上において半導体基板１０に隣接して形成さされてもよい。すなわち、後面電界領域２０は、第２トンネル層４４に隣接した半導体基板１０の部分に形成されるか、または半導体基板１０と第２トンネル層４４との間又はベース領域１１０と第２トンネル層４４との間に位置することができる。
ここで、後面電界領域３０の第１部分３０ａは、第２トンネル層４４上において第２トンネル層４４と第２電極３４との間に位置することができる。第１部分３０ａについては、図１に示した実施例を通じて説明したので、これと重複する内容は詳細な説明を省略する。
一例として、本実施例において、第２部分３０ｂは、半導体基板１０において第１導電型ドーパントがベース領域１００より高い濃度にドープされて形成されたドーピング領域で構成され得る。これによって、第２部分３０ｂは、第１導電型ドーパントがドープされた単結晶半導体（一例として、単結晶シリコン）で構成することができる。このとき、第１導電型ドーパントは、ベース領域１１０と同一の第１導電型を有する不純物であれば足りる。すなわち、第１導電型ドーパントがｎ型である場合には、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビズマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などの５族元素を使用することができる。第１導電型ドーパントがｐ型である場合には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などの３族元素を使用することができる。
第２部分３０ｂ及び第１部分３０ａは、半導体基板１０の後面側において全体的に形成することができる。ここで、全体的に形成するというのは、１００％全て形成されたことのみならず、不可避に一部分に第２部分３０ｂまたは第１部分３０ａが形成されていない部分が位置することも含むことができる。このように、第２部分３０ｂ及び第１部分３０ａを全体的に形成することによって、後面電界構造の面積を最大化することができ、別途のパターニング工程などを省略できる。
第２部分３０ｂは、第１部分３０ａ内の第１導電型ドーパントを半導体基板１０の内部に拡散させて形成されるドーピング領域で構成することができる。この場合、第２部分３０ｂ内の第１導電型ドーパントと第１部分３０ａ内の第１導電型ドーパントとが互いに同一の物質を含む。例えば、第１部分３０ａが第１導電型ドーパントとしてリン（Ｐ）を含む場合に、第２部分３０ｂも第１導電型ドーパントとしてリン（Ｐ）を含むことができる。これについての詳細は後述する。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２部分３０ｂと第１部分３０ａを互いに別個に形成するなど、様々な工程が可能である。
第２部分３０ｂは、半導体基板１０の内部においてベース領域１１０と後面電界構造を形成する部分である。第１部分３０ａは、第２トンネル層４４上において第２電極３４と接続される部分である。
ここで、後面電界領域３０の第２部分３０ｂ及び第１部分３０ａは、第１導電型ドーパントのドーピング濃度が互いに異なる。具体的には、第２部分３０ｂのドーピング濃度よりも第１部分３０ａのドーピング濃度が高いので、第２部分３０ｂが低濃度ドーピング部を形成し、第１部分３０ａが高濃度ドーピング部を形成する。このとき、第１部分３０ａ内でのドーピング濃度を均一にすることができる。または、第２トンネル層４４に隣接した領域よりも第２電極３４に隣接した領域のドーピング濃度をさらに高くしてもよい。このとき、第１部分３０ａを形成する際に、工程条件を調節することによって、第２トンネル層４４から遠ざかるにつれてドーピング濃度を次第にまたは段階的に増加させることができる。このように、第２電極３４に隣接した部分でのドーピング濃度を高くすると、後面電界領域３０と第２電極３４との接触抵抗を最小化することができる。
半導体基板１０の内部に位置する第２部分３０ｂを低濃度に形成して、第２部分３０ｂで生じ得る再結合を最小化することができる。また、第２電極３４と接触して第２電極３４に接続される第１部分３０ａを高濃度にして、第２電極３４との接触抵抗を最小化することができる。
一例として、第２部分３０ｂのドーピング濃度に対する第１部分３０ａのドーピング濃度の比率が５倍〜１０倍であればよい。前記濃度の比率が５倍未満であると、第２部分３０ｂのドーピング濃度が高いため、再結合を低減する効果が十分でないことがある。前記濃度の比率が１０倍を超えると、第２部分３０ｂが十分に形成されないため、後面電界構造の効果が十分でないことがある。ここで、第２部分３０ｂのドーピング濃度が５Ｘ１０18／ｃｍ３〜５Ｘ１０19／ｃｍ３であり、第１部分３０ａのドーピング濃度が、第２部分３０ｂのドーピング濃度よりも大きい値を有し、５Ｘ１０19／ｃｍ３〜５Ｘ１０20／ｃｍ３であればよい。上述したドーピング濃度において、第２部分３０ｂが優れた特性の後面電界構造を形成することができ、第１部分３０ａが第２電極３４と優れた電気的特性を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１及び第２部分３０ａ，３０ｂのドーピング濃度などは変更可能である。
そして、後面電界領域３０の第２部分３０ｂ及び第１部分３０ａは互いに異なる厚さを有することができる。より詳細には、第２部分３０ｂよりも第１部分３０ａを厚くし、第１及び第２部分３０ａ，３０ｂを第２トンネル層４４よりも厚くすることができる。第２部分３０ｂの厚さを相対的に薄くすることで、半導体基板１０で生じ得る再結合を最小化することができる。そして、第１部分３０ａを相対的に厚く形成することで、第２電極３４との優れた接触特性を維持することができる。そして、第２トンネル層４４の厚さを最も小さくして、第１部分２０ａと第２部分２０ｂとの間での多数キャリアの流れを妨げないようにすることができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２部分３０ｂを第１部分３０ａよりも厚く形成してもよいことは勿論である。
一例として、第２部分３０ｂの厚さに対する第１部分３０ａの厚さの比率が０．５〜１００倍であってもよく、より正確には、前記厚さの比率が１〜１００倍であってもよい。第２部分３０ｂによって生じ得る再結合及び半導体基板１０の損傷などを最小化し、第１部分３０ａの電気的特性などを考慮すると、前記厚さの比率が１０倍〜５０倍であればよい。ここで、第２部分３０ｂの厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであり、第１部分３０ａの厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１及び第２部分３０ａ，３０ｂの厚さなどは変更可能である。
上述したように、低濃度ドーピング部である第２部分３０ｂは、ベース領域１１０と後面電界構造を形成する。これによって、後面電界構造を半導体基板１０の内部または半導体基板１０と接触して形成するので、後面電界構造の安定性を確保することができる。これによって、太陽電池１００の開放電圧が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
第２部分３０ｂと第１部分３０ａとの間に位置した第２トンネル層４４は、少数キャリアが第２部分３０ｂから第１部分３０ａに注入されることを遮断して、高濃度である第１部分３０ａの間での再結合を抑制することができる。そして、高濃度ドーピング部である第１部分３０ａに第２電極３４を接続して、後面電界領域３０と第２電極３４との接触抵抗を最小化することができる。これによって、太陽電池１００の充密度が向上して、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
本実施例では、導電型領域２０，３０が、トンネル層４２，４４を挟んで位置する第１部分２０ａ，３０ａ及び第２部分２０ｂ，３０ｂを含むことで、半導体基板１０内での再結合を最小化すると共に、第１及び第２電極２４，３４との電気的接続特性を向上させることができる。これによって、太陽電池１００の効率を向上させることができる。
図１１の図面では、エミッタ領域２０が第１及び第２部分２０ａ，２０ｂを含み、後面電界領域３０が第１及び第２部分３０ａ，３０ｂを含む場合を例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。変形例として、図１２及び図１３に示すように、エミッタ領域２０が第１及び第２部分２０ａ，２０ｂを含み、後面電界領域３０は一つの部分により形成されていてもよい。このとき、図１２に示すように、後面電界領域３０が、半導体基板１０内に位置したドーピング領域で構成される第２部分３０ｂからなることができる。または、図１３に示すように、後面電界領域３０が、半導体基板１０の後面に形成された第２トンネル層４４上に形成された別途の第１部分３０ａからなることができる。更に他の変形例として、図１４及び図１５に示すように、後面電界領域３０が第１及び第２部分３０ａ，３０ｂを含み、エミッタ領域２０は一つの部分により形成されていてもよい。このとき、図１４に示すように、エミッタ領域２０が、半導体基板１０内に位置したドーピング領域で構成される第２部分２０ｂからなることができる。または、図１５に示すように、エミッタ領域２０が、半導体基板１０の前面に形成された第１トンネル層４２上に形成された別途の第１部分２０ａからなることができる。そして、エミッタ領域２０または後面電界領域３０の第２部分２０ｂ，３０ｂは、ドーピング濃度が互いに異なる部分を含む選択的構造（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、または電極４２，４４と隣接した部分において局部的に形成される局部的構造（ｌｏｃａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）などの様々な構造を有することができる。選択的構造または局部的構造などについては、図５、図６及び図９を参照して既に説明したので、詳細な説明を省略する。
以下、図１６Ａ乃至図１６Ｅを参照して、図１１に示した実施例に係る太陽電池１００の製造方法を詳細に説明する。以下では、上述した内容については詳細な説明を省略し、互いに異なる部分のみを詳細に説明する。また、後述する製造方法は、図１に示した実施例の該当部分にも適用可能である。
図１６Ａ乃至図１６Ｅは、本発明の一実施例に係る太陽電池の製造方法を示す断面図である。
まず、図１６Ａに示すように、第１導電型ドーパントを有するベース領域１１０で構成される半導体基板１０を準備する。本実施例において、半導体基板１０は、ｎ型の不純物を有するシリコンからなることができる。ｎ型の不純物としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビズマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などの５族元素を使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。
このとき、半導体基板１０の前面及び後面のうち少なくとも一面が凹凸を有するようにテクスチャリングすることができる。半導体基板１０の表面のテクスチャリングとしては、湿式または乾式テクスチャリングを使用することができる。湿式テクスチャリングは、テクスチャリング溶液に半導体基板１０を浸漬することにより行うことができ、工程時間が短いという長所がある。乾式テクスチャリングは、ダイヤモンドドリルまたはレーザーなどを用いて半導体基板１０の表面を削る方法であって、凹凸を均一に形成できる一方、工程時間が長く、半導体基板１０に損傷が生じ得る。その他に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などにより半導体基板１０をテクスチャリングしてもよい。このように、本発明では、様々な方法で半導体基板１０をテクスチャリングすることができる。
次に、図１６Ｂに示すように、半導体基板１０の前面に第１トンネル層４２及びエミッタ領域２０の第１部分２０ａを形成し、半導体基板１０の後面に第２トンネル層４４及び後面電界領域３０の第１部分３０ａを形成する。
ここで、第１及び第２トンネル層４２，４４は、一例として、熱的成長法、蒸着法（例えば、化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）、原子層蒸着法（ＡＬＤ））などにより形成することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な方法で第１及び第２トンネル層４２，４４を形成することができる。
また、導電型領域２０，３０の第１部分２０ａ，３０ａは、非晶質、微細結晶、または多結晶半導体で構成することができる。このとき、第１部分２０ａ，３０ａは、一例として、熱的成長法、蒸着法（例えば、化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ））などにより形成することができる。
また、第１又は第２導電型ドーパントは、第１部分２０ａ，３０ａを形成する半導体層を形成するときに含まれてもよく、または第１部分２０ａ，３０ａを構成する半導体層を形成した後にドープされてもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な方法で第１部分２０ａ，３０ａを形成することができる。
第１トンネル層４２、第２トンネル層４４、第１部分２０ａ，３０ａの形成順序などを多様に変形することができる。
次に、図１６Ｃに示すように、熱処理によって、第１部分２０ａ内の第２導電型ドーパントを半導体基板１０に拡散させて、エミッタ領域２０の第２部分２０ｂを形成し、第１部分３０ａ内の第１導電型ドーパントを半導体基板１０に拡散させて、後面電界領域３０の第２部分３０ｂを形成する。このように、本実施例では、第１部分２０ａ，３０ａをドーピングソース（ｄｏｐｉｎｇ ｓｏｕｒｃｅ）として機能するようにして、第２部分２０ｂ，３０ｂをイオン注入法のような別途のドーピング方法を使用せずに、熱処理による拡散により形成することができる。これによって、製造工程を単純化することができる。
次に、図１６Ｄに示すように、エミッタ領域２０の第１部分２０ａ上に第１パッシベーション膜２１及び第１反射防止膜２２を形成し、後面電界領域３０の第１部分３０ａ上に第２パッシベーション膜３１及び第２反射防止膜３２を形成する。パッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２は、真空蒸着法、化学気相蒸着法、スピンコーティング、スクリーン印刷またはスプレーコーティングなどのような様々な方法により形成することができる。また、パッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２の形成順序などは多様に変形することができる。
次いで、図１６Ｅに示すように、導電型領域２０，３０にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２電極２４，３４を形成する。この場合には、一例として、パッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２に開口部を形成し、開口部内にメッキ法、蒸着法などの様々な方法で第１及び第２電極２４，３４を形成することができる。
他の実施例において、第１及び第２電極形成用ペーストをパッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２上にそれぞれスクリーン印刷などで塗布した後、ファイアスルー（ｆｉｒｅ ｔｈｒｏｕｇｈ）またはレーザー焼成コンタクト（ｌａｓｅｒ ｆｉｒｉｎｇ ｃｏｎｔａｃｔ）などを行って、上述した形状の第１及び第２電極２４，３４を形成することも可能である。この場合には、第１及び第２電極２４，３４を形成するときに開口部が形成されるので、別途に開口部を形成する工程を追加しなくてもよい。
本実施例によれば、第１部分２０ａ，３０ａ内の第１又は第２導電型ドーパントの拡散によって、イオン注入法のような別途のドーピング方法を使用せずに第２部分２０ｂ，３０ｂを形成することができる。これによって、単純な製造工程により、優れた効率を有する太陽電池１００を生産することができる。
上述した実施例では、第１及び第２トンネル層４２，４４、導電型領域２０，３０を形成した後にパッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２を形成し、その後に第１及び第２電極２４，３４を形成する場合を例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、第１及び第２トンネル層４２，４４、導電型領域２０，３０、パッシベーション膜２１，３１及び反射防止膜２２，３２、そして、第１及び第２電極２４，３４の形成順序は多様に変形することができる。
また、上述した実施例では、エミッタ領域２０の第１部分２０ａ内の第２導電型ドーパントを拡散させて第２部分２０ｂを形成し、後面電界領域３０の第１部分３０ａ内の第２導電型ドーパントを拡散させて第２部分３０ｂを形成した場合を例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２部分２０ｂ，３０ｂを別途の工程（イオン注入法、熱拡散法、レーザードーピング法など）により形成することも可能である。
図１７は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の断面図である。
図１７を参照すると、本実施例では、エミッタ領域２０が、第１トンネル層４２を挟んで位置する第１部分２０ａ及び第２部分２０ｂを含み、後面電界領域３０が、第２トンネル層４４を挟んで位置する第１部分３０ａ及び第２部分３０ｂを含む。
本実施例では、導電型領域２０，３０の第２部分２０ｂ，３０ｂが、半導体基板１０上に形成された非晶質、微細結晶、または多結晶半導体層（一例として、シリコン層）などに導電型ドーパントがドープされて形成され得る。すなわち、導電型領域２０，３０の第２部分２０ｂ，３０ｂが、半導体基板１０とトンネル層４２，４４との間に位置することができる。このとき、導電型ドーパントは、第２部分２０ｂ，３０ｂを構成する半導体層を形成するときに共に含まれてもよく、または第２部分２０ｂ，３０ｂを構成する半導体層を形成した後にドープされてもよい。
このように、第１及び第２部分２０ａ，３０ａを半導体基板１０上に形成すると、半導体基板１０がベース領域１１０のみで構成され得る。すると、半導体基板１０にドーピング領域を形成する時に生じ得る半導体基板１０の損傷または再結合の増加などの問題を根本的に防止することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。エミッタ領域２０及び後面電界領域３０のいずれか一方の第２部分２０ｂ，３０ｂのみが半導体基板１０上に形成されてもよい。または、エミッタ領域２０及び後面電界領域３０のいずれか一方のみが第１部分２０ａ，３０ａ及び第２部分２０ｂ，３０ｂを含むことも可能である。
上述したような特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者によって、他の実施例に対しても組み合わせ又は変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせ及び変形に係わる内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (20)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板の一面側に全体的に形成される第１トンネル層と、
    前記半導体基板の一面側に位置する第１導電型領域と、
    前記第１導電型領域に接続される第１電極を含む電極とを含み、
    前記第１導電型領域は、前記第１トンネル層上に位置し、第１導電型ドーパントがドープされた多結晶、非晶質または微細結晶半導体を含む第１部分を含む、太陽電池。
  2. 前記第１トンネル層の厚さが０．５ｎｍ〜５ｎｍである、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記第１トンネル層が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、真性非晶質シリコン、真性多結晶シリコンのうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の太陽電池。
  4. 前記第１導電型領域の前記第１部分が前記第１トンネル層上に全体的に形成される、請求項１に記載の太陽電池。
  5. 前記第１トンネル層が、前記半導体基板上において全体的に位置する、請求項１に記載の太陽電池。
  6. 前記第１導電型領域は、前記第１トンネル層に近い前記半導体基板の部分に位置するか、または前記第１トンネル層と前記半導体基板との間に位置する第２部分をさらに含む、請求項１に記載の太陽電池。
  7. 前記第１部分及び前記第２部分は、導電型ドーパントのドーピング濃度が互いに異なる、請求項６に記載の太陽電池。
  8. 前記第２部分のドーピング濃度よりも前記第１部分のドーピング濃度が高い、請求項７に記載の太陽電池。
  9. 前記第１トンネル層に隣接した前記第１部分の領域でのドーピング濃度よりも前記第１電極に隣接した前記第１部分でのドーピング濃度がさらに高い、請求項１に記載の太陽電池。
  10. 前記第２部分のドーピング濃度に対する前記第１部分のドーピング濃度の比率が５倍〜１０倍である、請求項８に記載の太陽電池。
  11. 前記第１部分及び前記第２部分の厚さが互いに異なる、請求項６に記載の太陽電池。
  12. 前記第２部分の厚さに対する前記第１部分の厚さの比率が１０倍〜５０倍である、請求項１１に記載の太陽電池。
  13. 前記第１部分及び前記第２部分よりも前記第１トンネル層が薄い、請求項６に記載の太陽電池。
  14. 前記第２部分が、前記半導体基板に第１導電型ドーパントがドープされて形成されるドーピング領域で構成される、請求項６に記載の太陽電池。
  15. 前記第１部分及び前記第２部分の前記導電型ドーパントの物質が互いに同一である、請求項６に記載の太陽電池。
  16. 前記第１導電型領域の前記第２部分が全体的に形成される、請求項６に記載の太陽電池。
  17. 前記半導体基板の他の一面上に全体的に形成される第２トンネル層と、
    前記半導体基板の他の一面側に位置し、前記第１導電型領域と異なる導電型を有する第２導電型領域とをさらに含み、
    前記電極は、前記第２導電型領域に接続される第２電極をさらに含む、請求項１に記載の太陽電池。
  18. 前記第２導電型領域は、前記第２トンネル層と前記第２電極との間に位置し、第２導電型ドーパントがドープされた多結晶、非晶質または微細結晶半導体を含むさらに他の第１部分を含む、請求項１７に記載の太陽電池。
  19. 前記第２導電型領域は、前記第２トンネル層に近い前記半導体基板の部分に位置するか、または前記第２トンネル層と前記半導体基板との間に位置するさらに他の第２部分をさらに含む、請求項１８に記載の太陽電池。
  20. 前記半導体基板がベース領域からなる、請求項１に記載の太陽電池。
JP2014077166A 2013-04-03 2014-04-03 太陽電池 Active JP6059173B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0036455 2013-04-03
KR1020130036455A KR101699743B1 (ko) 2013-04-03 2013-04-03 태양 전지
KR1020130108046A KR101889774B1 (ko) 2013-09-09 2013-09-09 태양 전지
KR10-2013-0108046 2013-09-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014204128A true JP2014204128A (ja) 2014-10-27
JP6059173B2 JP6059173B2 (ja) 2017-01-11

Family

ID=50433918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014077166A Active JP6059173B2 (ja) 2013-04-03 2014-04-03 太陽電池

Country Status (4)

Country Link
US (6) US11309441B2 (ja)
EP (3) EP4092757A1 (ja)
JP (1) JP6059173B2 (ja)
CN (2) CN109599450A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092424A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池
KR101626248B1 (ko) * 2015-01-09 2016-05-31 고려대학교 산학협력단 실리콘 태양전지 및 이의 제조 방법
JP2016103642A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JP2017017323A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JP2017112377A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
WO2017163498A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 三菱電機株式会社 太陽電池、および、太陽電池の製造方法
JP2018011058A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド タンデム太陽電池、これを含むタンデム太陽電池モジュール及びこの製造方法
JP2018050032A (ja) * 2016-09-19 2018-03-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
WO2018061769A1 (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
KR101867969B1 (ko) * 2017-01-18 2018-06-15 엘지전자 주식회사 이종 접합 태양전지
JP2019004159A (ja) * 2015-01-16 2019-01-10 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
WO2019021545A1 (ja) * 2017-07-28 2019-01-31 三菱電機株式会社 太陽電池、及び、その製造方法
JP2021061395A (ja) * 2019-10-09 2021-04-15 長生太陽能股▲ふん▼有限公司 太陽電池及びその製造方法
JP6890371B1 (ja) * 2020-11-19 2021-06-18 晶科▲緑▼能（上海）管理有限公司 太陽電池
JP6975368B1 (ja) * 2020-09-30 2021-12-01 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2022501837A (ja) * 2018-09-17 2022-01-06 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法
JP7148753B1 (ja) 2022-04-11 2022-10-05 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法
US11784266B2 (en) 2021-09-10 2023-10-10 Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. Solar cell, method for preparing same and solar cell module

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
CN109599450A (zh) * 2013-04-03 2019-04-09 Lg电子株式会社 太阳能电池
US9362427B2 (en) * 2013-12-20 2016-06-07 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9466755B2 (en) * 2014-10-30 2016-10-11 International Business Machines Corporation MIS-IL silicon solar cell with passivation layer to induce surface inversion
CN105280729A (zh) * 2015-03-13 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池钝化减反薄膜及其制备方法
CN106158988B (zh) * 2015-04-07 2017-12-12 昱晶能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
US9911873B2 (en) * 2015-08-11 2018-03-06 Alliance For Sustainable Energy, Llc Hydrogenation of passivated contacts
DE102015115765B4 (de) * 2015-09-18 2019-06-27 Hanwha Q Cells Gmbh Solarzelle und Solarzellenherstellungsverfahren
NL2015534B1 (en) * 2015-09-30 2017-05-10 Tempress Ip B V Method of manufacturing a solar cell.
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US20170179320A1 (en) * 2015-12-17 2017-06-22 Solarcity Corporation System and method for fabricating solar panels using busbarless photovoltaic structures
KR102526398B1 (ko) * 2016-01-12 2023-04-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이의 제조 방법
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
CN105895738A (zh) * 2016-04-26 2016-08-24 泰州中来光电科技有限公司 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法和组件、系统
CN107482078A (zh) * 2016-06-02 2017-12-15 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池p型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
CN107464855A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 上海神舟新能源发展有限公司 硅基太阳能电池n型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
CN109074895B (zh) 2016-08-16 2022-05-27 浙江凯盈新材料有限公司 用于硅太阳能电池中正面金属化的厚膜浆料
CN108074989A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法
CN106328735A (zh) * 2016-11-15 2017-01-11 江南大学 一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法
US10141462B2 (en) * 2016-12-19 2018-11-27 Sunpower Corporation Solar cells having differentiated P-type and N-type architectures
MY190562A (en) 2016-12-20 2022-04-27 Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions
WO2018112743A1 (en) 2016-12-20 2018-06-28 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Siloxane-containing solar cell metallization pastes
KR101879363B1 (ko) * 2017-01-17 2018-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지 제조 방법
EP3358627A1 (en) * 2017-02-07 2018-08-08 LG Electronics Inc. Solar cell
CN107093649B (zh) * 2017-03-28 2019-08-30 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种hjt光伏电池的制备方法
KR20180119969A (ko) * 2017-04-26 2018-11-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN107342332A (zh) * 2017-07-07 2017-11-10 常州亿晶光电科技有限公司 双面polo电池及其制备方法
CN107546281A (zh) * 2017-08-29 2018-01-05 浙江晶科能源有限公司 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法
CN107644925B (zh) * 2017-09-18 2019-08-06 浙江晶科能源有限公司 一种p型晶体硅太阳能电池的制备方法
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
CN109755343A (zh) * 2017-11-03 2019-05-14 上海神舟新能源发展有限公司 发射结选择性接触的隧穿氧化钝化perc电池制备方法
CN108054219A (zh) * 2017-12-15 2018-05-18 浙江晶科能源有限公司 一种p型太阳能电池及其制作方法
CN108172642A (zh) * 2018-01-29 2018-06-15 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法
CN108133974A (zh) * 2018-01-29 2018-06-08 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN109494261B (zh) * 2018-10-19 2024-06-21 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 硅基太阳能电池及制备方法、光伏组件
CN108666393B (zh) * 2018-07-16 2024-02-09 英利能源（中国）有限公司 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
CN109301005A (zh) * 2018-10-10 2019-02-01 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池
CN109216491A (zh) * 2018-10-10 2019-01-15 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池及其制备方法
KR102102823B1 (ko) * 2018-10-30 2020-04-22 성균관대학교산학협력단 표면 구조를 이용한 선택적 에미터의 형성 방법 및 표면 구조를 이용한 선택적 에미터를 포함한 태양전지
CN109560149A (zh) * 2018-11-15 2019-04-02 中国科学院上海高等研究院 一种p型晶硅太阳电池及制备方法
CN209389043U (zh) * 2018-11-27 2019-09-13 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池及光伏组件
CN109545901A (zh) * 2018-11-28 2019-03-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 Ibc电池的制作方法
CN111524982A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳电池
CN110061086A (zh) * 2019-04-04 2019-07-26 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种hbc太阳能电池
US10622502B1 (en) 2019-05-23 2020-04-14 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell edge interconnects
US10749045B1 (en) 2019-05-23 2020-08-18 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell side surface interconnects
FR3100381B1 (fr) * 2019-08-29 2021-08-20 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque
WO2021098018A1 (zh) * 2019-11-20 2021-05-27 浙江晶科能源有限公司 一种光伏电池局部遂穿氧化层钝化接触结构及光伏组件
CN110931603A (zh) * 2019-12-11 2020-03-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制备方法
CN111509072A (zh) * 2020-03-20 2020-08-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 新型n型背结设计的硅太阳电池及其制备方法
CN111403534B (zh) * 2020-03-27 2022-04-15 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN111933752B (zh) * 2020-08-13 2024-09-03 晶科能源(上饶)有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
FR3114442B1 (fr) * 2020-09-21 2022-08-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque à contacts passivés
CN112687755B (zh) * 2020-12-28 2023-03-28 正泰新能科技有限公司 一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池
JP2022183700A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 パナソニックホールディングス株式会社 太陽電池セル、多接合型太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
CN114551606B (zh) * 2021-09-16 2024-10-15 晶科能源股份有限公司 一种太阳能电池、光伏组件
CN116722049A (zh) * 2022-04-11 2023-09-08 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN115810688A (zh) * 2022-11-30 2023-03-17 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件
CN115832109A (zh) * 2022-12-22 2023-03-21 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳电池及其制备方法
CN115799364B (zh) * 2023-02-07 2023-05-26 天合光能股份有限公司 一种太阳能电池
CN117702269A (zh) * 2023-02-23 2024-03-15 隆基绿能科技股份有限公司 一种高寿命硅片及硅片吸杂方法
CN116632093A (zh) * 2023-04-21 2023-08-22 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN117199186B (zh) * 2023-09-27 2024-06-04 淮安捷泰新能源科技有限公司 一种N-TOPCon电池的制作方法
CN117352567A (zh) * 2023-09-28 2024-01-05 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290274A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Sharp Corp 光電変換装置
JP2003282458A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2010087520A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Commiss Energ Atom デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法
US20110174374A1 (en) * 2008-07-01 2011-07-21 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction solar cell with absorber having an integrated doping profile
JP2012060080A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 結晶太陽電池及びその製造方法

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6249676A (ja) 1985-08-29 1987-03-04 Sharp Corp 太陽電池
US5057439A (en) 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
US5332689A (en) 1993-02-17 1994-07-26 Micron Technology, Inc. Method for depositing low bulk resistivity doped films
TW369686B (en) 1993-07-27 1999-09-11 Semiconductor Energy Lab Corp Semiconductor device and process for fabricating the same
EP0639856A1 (en) 1993-08-20 1995-02-22 Texas Instruments Incorporated Method of doping a polysilicon layer and semiconductor device obtained
US5541137A (en) 1994-03-24 1996-07-30 Micron Semiconductor Inc. Method of forming improved contacts from polysilicon to silicon or other polysilicon layers
US6187604B1 (en) 1994-09-16 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Method of making field emitters using porous silicon
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6150603A (en) 1999-04-23 2000-11-21 Hughes Electronics Corporation Bilayer passivation structure for photovoltaic cells
JP4169671B2 (ja) 2003-09-24 2008-10-22 三洋電機株式会社 光起電力素子の製造方法
EP2439780B1 (en) 2005-02-25 2019-10-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic cell
DE102005013668B3 (de) 2005-03-14 2006-11-16 Universität Stuttgart Solarzelle
CN1855556A (zh) 2005-03-18 2006-11-01 英特赛尔美国股份有限公司 具有抗反射涂层的光电二极管
DE102005019225B4 (de) 2005-04-20 2009-12-31 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie
US7375378B2 (en) 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
US20070023081A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 General Electric Company Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
US7468485B1 (en) 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
KR100974226B1 (ko) * 2007-03-23 2010-08-06 엘지전자 주식회사 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성
WO2009094575A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Buried insulator isolation for solar cell contacts
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
WO2009131587A1 (en) 2008-04-25 2009-10-29 Innovalight, Inc. Junction formation on wafer substrates using group iv nanoparticles
JP5172480B2 (ja) 2008-06-04 2013-03-27 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
DE102008045522A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Heterosolarzelle und Verfahren zur Herstellung von Heterosolarzellen
US8242354B2 (en) 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
DE102008055028A1 (de) * 2008-12-19 2010-07-01 Q-Cells Se Solarzelle
US8207443B2 (en) 2009-01-27 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Point contacts for polysilicon emitter solar cell
US20100186802A1 (en) 2009-01-27 2010-07-29 Peter Borden Hit solar cell structure
US8367924B2 (en) 2009-01-27 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Buried insulator isolation for solar cell contacts
US20100230771A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and arrangement for diffusing dopants into silicon
CA2759708C (en) 2009-04-21 2019-06-18 Tetrasun, Inc. High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
JP5643293B2 (ja) 2009-04-21 2014-12-17 テトラサン インコーポレイテッド 太陽電池内の構造部を形成するための方法
JP5643294B2 (ja) 2009-04-22 2014-12-17 テトラサン インコーポレイテッド 太陽電池内の機能膜の局所的レーザ転化による局所的金属接触子
CN101587913B (zh) 2009-06-26 2011-06-08 上海大学 Sinp硅蓝紫光电池及其制备方法
KR101139443B1 (ko) 2009-09-04 2012-04-30 엘지전자 주식회사 이종접합 태양전지와 그 제조방법
KR101146736B1 (ko) 2009-09-14 2012-05-17 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101656118B1 (ko) * 2009-09-18 2016-09-08 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 태양 전지, 태양 전지 모듈 및 태양 전지 시스템
US8324015B2 (en) 2009-12-01 2012-12-04 Sunpower Corporation Solar cell contact formation using laser ablation
US8377018B2 (en) 2009-12-23 2013-02-19 Kci Licensing, Inc. Reduced-pressure, multi-orientation, liquid-collection canister
US20110162706A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Passivated polysilicon emitter solar cell and method for manufacturing the same
US8686283B2 (en) * 2010-05-04 2014-04-01 Silevo, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
US20120318340A1 (en) * 2010-05-04 2012-12-20 Silevo, Inc. Back junction solar cell with tunnel oxide
JP5782112B2 (ja) 2010-05-04 2015-09-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用
US20110277825A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
KR101733055B1 (ko) * 2010-09-06 2017-05-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
SG179379A1 (en) * 2010-09-21 2012-04-27 Rohm & Haas Elect Mat Improved method of stripping hot melt etch resists from semiconductors
KR101252171B1 (ko) 2010-12-09 2013-04-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조방법
KR101729745B1 (ko) 2011-01-05 2017-04-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101745683B1 (ko) * 2011-01-14 2017-06-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20120084104A (ko) * 2011-01-19 2012-07-27 엘지전자 주식회사 태양전지
TWI463682B (zh) 2011-03-02 2014-12-01 Nat Univ Tsing Hua 異質接面太陽能電池
WO2012119084A1 (en) 2011-03-03 2012-09-07 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Top down aluminum induced crystallization for high efficiency photovoltaics
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8630607B2 (en) 2011-07-15 2014-01-14 Verizon Patent And Licensing Inc. Emergency call handoff between heterogeneous networks
US9099596B2 (en) * 2011-07-29 2015-08-04 International Business Machines Corporation Heterojunction photovoltaic device and fabrication method
US20130178011A1 (en) 2011-08-29 2013-07-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Dopant compositions and the method of making to form doped regions in semiconductor materials
KR101969032B1 (ko) * 2011-09-07 2019-04-15 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101651302B1 (ko) 2011-11-03 2016-08-26 현대중공업 주식회사 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법
EP2822042B1 (en) 2012-03-02 2016-10-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic device
TW201340347A (zh) 2012-03-22 2013-10-01 Motech Ind Inc 太陽能電池
US9054255B2 (en) 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
US20130298973A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Silevo, Inc. Tunneling-junction solar cell with shallow counter doping layer in the substrate
CN109599450A (zh) * 2013-04-03 2019-04-09 Lg电子株式会社 太阳能电池
KR101442011B1 (ko) 2013-05-20 2014-09-29 한국생산기술연구원 태양전지 및 그 제조방법
CN103367547A (zh) 2013-07-16 2013-10-23 苏州润阳光伏科技有限公司 全背电极太阳电池及其制作方法
JP6350979B2 (ja) 2013-09-04 2018-07-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
DE102013219561A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit zumindest einem Heteroübergang
DE102013219564A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit einem Heteroübergang
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US20160072000A1 (en) 2014-09-05 2016-03-10 David D. Smith Front contact heterojunction process
WO2016049245A1 (en) 2014-09-24 2016-03-31 Suniva, Inc. Passivated contact solar cells and methods for manufacturing
NL2015533B1 (en) 2015-09-30 2017-04-20 Tempress Ip B V Method of manufacturing of a solar cell and solar cell thus obtained.
WO2017163498A1 (ja) 2016-03-23 2017-09-28 三菱電機株式会社 太陽電池、および、太陽電池の製造方法
NL2017290B1 (en) 2016-08-04 2018-02-14 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Passivated Emitter and Rear Contact Solar Cell

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290274A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Sharp Corp 光電変換装置
JP2003282458A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
US20110174374A1 (en) * 2008-07-01 2011-07-21 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction solar cell with absorber having an integrated doping profile
JP2010087520A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Commiss Energ Atom デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法
JP2012060080A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 結晶太陽電池及びその製造方法

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092424A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池
US11616153B2 (en) 2014-11-28 2023-03-28 Shangrao Jinko Solar Technology Development Co., Ltd Solar cell and method for manufacturing the same
JP2016103642A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JP2019117963A (ja) * 2014-11-28 2019-07-18 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
US9722104B2 (en) 2014-11-28 2017-08-01 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US11239379B2 (en) 2014-11-28 2022-02-01 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JP2017208569A (ja) * 2014-11-28 2017-11-24 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
US10230009B2 (en) 2014-11-28 2019-03-12 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US10014419B2 (en) 2014-11-28 2018-07-03 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US11133426B2 (en) 2014-11-28 2021-09-28 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR101626248B1 (ko) * 2015-01-09 2016-05-31 고려대학교 산학협력단 실리콘 태양전지 및 이의 제조 방법
JP2019004159A (ja) * 2015-01-16 2019-01-10 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
JP2017017323A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JP2017112377A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
JP6257847B1 (ja) * 2016-03-23 2018-01-10 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
WO2017163498A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 三菱電機株式会社 太陽電池、および、太陽電池の製造方法
JP2018011058A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド タンデム太陽電池、これを含むタンデム太陽電池モジュール及びこの製造方法
JP2018050032A (ja) * 2016-09-19 2018-03-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
US10686087B2 (en) 2016-09-19 2020-06-16 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JPWO2018061769A1 (ja) * 2016-09-27 2019-07-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
CN109844962A (zh) * 2016-09-27 2019-06-04 松下知识产权经营株式会社 太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法
WO2018061769A1 (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
KR101867969B1 (ko) * 2017-01-18 2018-06-15 엘지전자 주식회사 이종 접합 태양전지
JPWO2019021545A1 (ja) * 2017-07-28 2019-11-07 三菱電機株式会社 太陽電池、及び、その製造方法
WO2019021545A1 (ja) * 2017-07-28 2019-01-31 三菱電機株式会社 太陽電池、及び、その製造方法
JP7212786B2 (ja) 2018-09-17 2023-01-25 浙江愛旭太陽能科技有限公司 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法
JP2022501837A (ja) * 2018-09-17 2022-01-06 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法
JP2021061395A (ja) * 2019-10-09 2021-04-15 長生太陽能股▲ふん▼有限公司 太陽電池及びその製造方法
US11588065B2 (en) 2020-09-30 2023-02-21 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd Solar cell and photovoltaic module
US12015095B2 (en) 2020-09-30 2024-06-18 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd Solar cell and photovoltaic module
JP2022058069A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP6975368B1 (ja) * 2020-09-30 2021-12-01 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池及び太陽電池モジュール
US11387376B2 (en) 2020-09-30 2022-07-12 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd Solar cell and photovoltaic module
JP2022081366A (ja) * 2020-11-19 2022-05-31 晶科▲緑▼能（上海）管理有限公司 太陽電池
JP6890371B1 (ja) * 2020-11-19 2021-06-18 晶科▲緑▼能（上海）管理有限公司 太陽電池
US11990555B2 (en) 2020-11-19 2024-05-21 Jinko Green Energy (shanghai) Management Co., Ltd. Solar cell
US11189739B1 (en) 2020-11-19 2021-11-30 Jinko Green Energy (shanghai) Management Co., Ltd. Solar cell
US11784266B2 (en) 2021-09-10 2023-10-10 Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. Solar cell, method for preparing same and solar cell module
JP7245380B1 (ja) 2022-04-11 2023-03-23 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法
JP7148753B1 (ja) 2022-04-11 2022-10-05 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法
US11621359B1 (en) 2022-04-11 2023-04-04 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, photovoltaic module, and method for preparing the solar cell
JP2023155865A (ja) * 2022-04-11 2023-10-23 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法
JP2023155871A (ja) * 2022-04-11 2023-10-23 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法
US11862741B2 (en) 2022-04-11 2024-01-02 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, photovoltaic module, and method for preparing the solar cell
AU2023200864B2 (en) * 2022-04-11 2024-01-11 Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, photovoltaic module, and method for preparing the solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
CN104103699A (zh) 2014-10-15
US11456391B2 (en) 2022-09-27
US11482629B2 (en) 2022-10-25
US11309441B2 (en) 2022-04-19
EP2787541B1 (en) 2022-08-31
US20230023777A1 (en) 2023-01-26
US20140299187A1 (en) 2014-10-09
CN109599450A (zh) 2019-04-09
US20190326451A1 (en) 2019-10-24
EP4092757A1 (en) 2022-11-23
US20190326453A1 (en) 2019-10-24
EP2787541A1 (en) 2014-10-08
US11329172B2 (en) 2022-05-10
US20190326452A1 (en) 2019-10-24
US20220393042A1 (en) 2022-12-08
EP4092764A1 (en) 2022-11-23
JP6059173B2 (ja) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6059173B2 (ja) 太陽電池
KR101613843B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
US10424681B2 (en) Solar cell
KR20140135881A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP2017017323A (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR101699743B1 (ko) 태양 전지
JP2014072530A (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR20150124292A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102053140B1 (ko) 태양 전지
KR102132740B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20150049211A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20140140200A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20140143279A (ko) 태양 전지
KR102010390B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법 및 불순물 영역의 형성 방법
KR20150029203A (ko) 태양 전지
KR102132741B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20150035189A (ko) 태양 전지
KR20160061947A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20160063010A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101889774B1 (ko) 태양 전지
JP7248856B1 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュール
KR20160111624A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102132739B1 (ko) 태양 전지
KR102110527B1 (ko) 태양 전지
KR20150011119A (ko) 태양 전지의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6059173

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350