CN109216491A - 太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基底，位于基底正面的正面结构和位于基底背面的背面结构；正面结构包括：第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层、钝化减反射层和正面电极；第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层依次排列，正面电极穿过钝化减反射层与第二掺杂层接触；背面结构包括：背面钝化膜和背面电极；背面电极通过背面钝化膜的接触区域与基底接触。本发明中，增加了钝化隧穿层，有效地降低了电池的表面复合速率，从而提高了电池的表面钝化性能；正面电极和第二掺杂层接触，可有效地提高电池正表面的横向传输效率，降低电池的串联电阻，从而提高电池的填充因子和转换效率。

Description

太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
目前市场上商业化的太阳电池片，大部分为P型太阳电池。其中，PERC电池(钝化发射极和背面电池)是目前推广较快的电池类型。PERC电池结构是在太阳电池的表面制备一层掺杂层，然后再在其上制备钝化层及电极。在这种情况下，表面掺杂层的掺杂浓度均比较高，才能使得电阻率比较低，使得在电池片表面的载流子横向传输至电池电极时有较小的电阻损耗。
而在表面浓度比较高的情况下，空穴和电子的复合加大，尤其是在高浓度掺杂的方式下，通常会产生没有进行有效掺杂的“死层”杂质以及掺杂损伤，使得电池的开路电压，短路电流等效率进一步降低。但如果降低表面掺杂，降低表面复合速率，则会导致横向导电能力受到制约，并且这种结构对于降低表面复合速率和提高表面钝化效果来说，效果也极为有限。迫切的需要一种方案解决这一问题，从而提高电池的转换效率。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种太阳能电池及其制备方法，用以解决现有的太阳能电池的转换效率低的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括：基底，位于基底正面的正面结构和位于基底背面的背面结构；
正面结构包括：第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层、钝化减反射层和正面电极；第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层依次排列，正面电极穿过钝化减反射层与第二掺杂层接触；
背面结构包括：背面钝化膜和背面电极；背面电极通过背面钝化膜的接触区域与基底接触。
进一步地，正面电极穿过钝化减反射层、第二掺杂层和钝化隧穿层，并与第一掺杂层接触。
进一步地，基底具有第一导电类型，第一掺杂层和所述第二掺杂层均具有第二导电类型。。
进一步地，第一导电类型为p型导电；
以及，背面结构还包括空穴掺杂层；
空穴掺杂层在第一区域与基底接触；背面电极通过背面钝化膜的接触区域与合金层接触。
进一步地，第一导电类型为p型导电；
以及，背面结构还包括：空穴掺杂层和合金层；
空穴掺杂层在第一区域与基底接触；合金层设置于空穴掺杂层的、与基底相对的一侧，并与空穴掺杂层接触；
背面电极通过背面钝化膜的接触区域与合金层接触。
进一步地，第一掺杂层的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。
进一步地，第二掺杂层包含多晶硅。
进一步地，第二掺杂层还包含非晶硅。
进一步地，第二掺杂层的掺杂浓度大于1×1015个/cm3，厚度为1-50nm。
进一步地，钝化隧穿层为氧化硅、氮化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅中的任意一种，厚度为0.1-5nm。
进一步地，钝化减反射层包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的至少一种；
背面钝化膜包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的至少一种。
第二方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
对基底进行预处理；
对预处理后的基底的正面表面进行掺杂处理，形成第一掺杂层；
在第一掺杂层上依次形成钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层，制备正面电极；
在基底的背面形成背面钝化膜，制备背面电极。
进一步地，对基底进行预处理，包括：对基底进行去损伤处理和表面织构化处理，使基底的正面表面形成金字塔绒面；
以及，对预处理后的基底的正面表面进行掺杂处理，形成第一掺杂层，包括：在金字塔绒面上进行掺杂处理，形成第一掺杂层。
进一步地，制备正面电极，包括：在钝化减反射层、第二掺杂层、钝化隧穿层中的至少一层的指定区域上添加导电材料，形成正面电极。
进一步地，制备背面电极，包括：在背面钝化膜表面的指定区域上涂敷导电材料，形成背面电极。
本申请实施例提供的技术方案，至少具有如下有益效果：
1)相对于现有技术，本申请实施例增加了钝化隧穿层，有效地降低了电池的表面复合速率，从而提高了电池的表面钝化性能；
2)正面电极和第二掺杂层接触，可有效地提高电池正表面的横向传输效率，降低电池的串联电阻，从而提高电池的填充因子和转换效率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种太阳能电池的膜层结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种太阳能电池的膜层结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种太阳能电池的膜层结构示意图；
图4为本申请实施例提供的再一种太阳能电池的膜层结构示意图；
图5为图1所示太阳能电池的正面电极和正面电极连接电极的分布示意图；
图6为图3所示太阳能电池的正面电极和正面电极连接电极的分布示意图；
图7为图1所示太阳能电池的背面电极和背面电极连接电极的分布示意图；
图8为图3所示太阳能电池的背面电极和背面电极连接电极的分布示意图；
图9为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法。
图中：
1为基底，2为第一掺杂层，3为钝化隧穿层，4为第二掺杂层，5为钝化减反射层，6为正面电极，7为正面电极连接电极；
8为背面钝化膜，9为背面电极，10为背面钝化膜的接触区域，11为背面电极连接电极，12为空穴掺杂层，13为合金层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
实施例一
本申请实施例提供了一种太阳能电池，该太阳能电池的结构示意图如图1至4所示，包括：基底1，位于基底1正面的正面结构和位于基底1背面的背面结构。
本申请实施例中，正面结构包括：第一掺杂层2、钝化隧穿层3、第二掺杂层4、钝化减反射层5和正面电极6(负电极细栅线)；第一掺杂层2、钝化隧穿层3、第二掺杂层4和钝化减反射层5依次排列，正面电极6穿过钝化减反射层5与第二掺杂层4接触。
相对于现有技术，本申请实施例增加了钝化隧穿层3，以提供更好的钝化，进而可以有效地降低表面复合速率，给电池提供良好的表面钝化；同时，也增加了第二掺杂层4，通过第二掺杂层4的作用，可以有效地进行横向传输，降低电池的串联电阻，从而提高电池的填充因子和转换效率。
在一个可选的实施方式中，如图1所示，正面电极6的端面穿过钝化减反射层5与第二掺杂层4接触。正面电极6与钝化减反射层5、第二掺杂层4均接触，可进一步降低横向传输的电阻。
在该实施方式中，正面电极6不和第一掺杂层2接触，可使得正面的金属接触被有效地屏蔽掉，可以有效地降低表面复合速率，进一步提高电池的表面钝化性能，大幅度降低太阳能电池的反向饱和电流密度，从而提高电池性能。
可选地，正面结构还包括正面电极连接电极7(图1至4中均未示出)，与正面电极6接触；在该实施方式下，正面电极连接电极7与正面电极6在电池正面(即基底正面)的分布示意图如图5所示，图5的视觉角度为图1所示的太阳能电池膜层结构的俯视角度。
在另一个可选地实施方式中，如图2至4所示，正面电极6穿过钝化减反射层5、第二掺杂层4和钝化隧穿层3与第一掺杂层2接触。具体地，其侧面与钝化减反射层5、第二掺杂层4和钝化隧穿层3接触，其端面与第一掺杂层2接触。正面电极6和第二掺杂层4、以及第一掺杂层2(发射极)均形成接触的情况下，大大提高了电池的横向导电能力，从而使得电池的串联电阻降低，降低了电池内部损耗，从而提高了电池效率。
在该实施方式下，正面电极连接电极7与正面电极6在电池正面(即基底正面)的分布示意图如图6所示，图6的视觉角度为图3所示的太阳能电池膜层结构的俯视角度。
可选地，基底1具有第一导电类型，基底1可以是硅基底，进一步地，可以是p型硅片或n型硅片。可选地，第一掺杂层2和第二掺杂层4均具有第二导电类型。
可选地，第一导电类型可以是n型导电(电子导电)或p型导电(空穴导电)，第一导电类型可以是n型导电(电子导电)或p型导电(空穴导电)；当第一导电类型为n型导电时，第二导电类型为p型导电，当第一导电类型为p型导电时，第二导电类型为n型导电。
本申请实施例中，第一掺杂层2可以为n型掺杂层或p型掺杂层。具体地，当基底1为p型硅片时，第一掺杂层2为n型掺杂层；当基底1为n型硅片时，第一掺杂层2为p型掺杂层。
可选地，第一掺杂层2的方块电阻可以是50ohm/sq-300ohm/sq。例如，方块电阻可以为50ohm/sq。
相对于现有技术，本申请实施例中第一掺杂层2的方块电阻具有更宽的数值选择范围，从而在更为优化的掺杂浓度分布下，可降低掺杂区的复合，并且可以有效提高电池的短路电流，从而提高太阳能电池的效率。
本申请实施例中，第二掺杂层4可以包含多晶硅，该多晶硅可以是n型掺杂多晶硅或p型掺杂多晶硅。具体地，当基底1为p型硅片时，第二掺杂层4中的多晶硅为n型掺杂多晶硅；当基底1为n型硅片时，第二掺杂层4中的多晶硅为p型掺杂多晶硅。在一个可选地实施方式中，第二掺杂层4除了包含多晶硅外，还包含非晶硅。
可选地，第二掺杂层4的掺杂浓度大于1×1015个/cm3，例如，掺杂浓度可以是2×1021个/cm3。可选地，第二掺杂层4的厚度为1-50nm，例如，厚度可以是5nm。
可选地，钝化隧穿层3为氧化硅、氮化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅中的任意一种。可选地，钝化隧穿层3的厚度为0.1-5nm，例如，可以是0.1nm。
可选地，钝化减反射层5包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的至少一种，例如，钝化减反射层5可以是由氮化硅和氧化硅组成的、总厚度为80nm、折射率为2.03的叠层结构。
可选地，正面电极6包含银、铜、铝和镍中的至少一种。
本申请实施例中，背面结构包括：背面钝化膜8和背面电极9(正电极细栅线)；背面电极9通过背面钝化膜8的接触区域10与基底1接触。
可选地，背面结构还包括背面电极连接电极11。
在一个可选的实施方式中，如图1至图3所示，背面电极9通过背面钝化膜8的接触区域10与基底1接触，背面电极连接电极11与背面钝化膜8接触。
可选地，图1和图2中背面电极连接电极11穿过背面电极9与背面钝化膜8接触，背面电极连接电极11的局部侧面与背面电极9接触。对于图1和图2所示的太阳能电池，其背面电极连接电极11和背面电极9在电池背面(即基底1背面)的分布示意图如图7所示，图7的视觉角度为图1所示太阳能电池膜层结构的仰视角度。
可选地，图3中背面电极9覆盖接触区域10对应的区域，不与背面电极连接接触，背面电极连接电极11直接与背面钝化膜8接触。对于图3所示的太阳能电池，其背面电极连接电极11和背面电极9在电池背面(即基底1背面)的分布示意图如图8所示，图8的视觉角度为图3所示太阳能电池膜层结构的仰视角度。
在另一个可选的实施方式中(该方式未在附图中示出)，当第一导电类型为p型导电，即基底为p型时，背面结构还包括空穴掺杂层12；空穴掺杂层12在第一区域与基底1接触；背面电极9通过背面钝化膜8的接触区域10与合金层13接触。
在又一个可选的实施方式中，如图4所示，背面结构还包括：空穴掺杂层12和合金层13；空穴掺杂层12在第一区域与基底1接触；合金层13设置于空穴掺杂层12的、与基底1相对的一侧，并与空穴掺杂层接触；背面电极9通过背面钝化膜8的接触区域10与合金层13接触。
可选地，空穴掺杂层12为包含III族元素的掺杂层，该掺杂层的厚度可以是10um(微米)。可选地，合金层13可以是硅铝合金层，该硅铝合金层的厚度可以是4um。
空穴掺杂层12由于掺杂浓度高于基底1，因此有背面场的效应，可以增加电池的开路电压。合金层13可以大幅度改善基底1和背面电极9的电流收集作用，从而提高电池的性能。
可选地，背面钝化膜8包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的至少一种。
本申请实施例中的正面和正表面均对应基底1两侧中的任意一侧，背面和背表面均对应基底1两侧中与正面相对的一侧。
应用本申请的实施例，至少可以实现如下有益效果：
1)相对于现有技术，本申请实施例增加了钝化隧穿层，有效地降低了电池的表面复合速率，从而提高了电池的表面钝化性能；
2)正面电极和第二掺杂层接触，可有效地提高电池正表面的横向传输效率，降低电池的串联电阻，从而提高电池的填充因子和转换效率；
3)第一掺杂层的方块电阻具有更宽的数值选择范围，从而在更为优化的掺杂浓度分布下，可降低掺杂区的复合，并且可以有效提高电池的短路电流，从而提高太阳能电池的效率。
实施例二
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，该制备方法的流程示意图如图9所示，包括：
S1，对基底1进行预处理。
可选地，步骤S1具体包括：对基底1进行去损伤处理和表面织构化处理，使基底1的正面表面形成金字塔绒面。
以p型单晶硅作为电池的基底为例，首先，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度可达到2-5um(微米)；然后，依次使用含有氢氟酸和盐酸的混合溶液、去离子水对基底1进行清洗，然后烘干。
S2，对预处理后的基底1的正面表面进行掺杂处理，形成第一掺杂层2。
可选地，步骤S2具体包括：在金字塔绒面上进行掺杂处理，形成第一掺杂层2。
在一个示例中，可采用管式扩散炉进行POCl3(三氯氧磷)扩散处理，一次性形成正面的pn结，整个扩散处理过程的工艺条件为温度750～880℃，时间为85分钟；采用含有HNO3(硝酸)和HF(氢氟酸)的溶液进行磷硅玻璃和多边缘掺杂，以得到方块电阻为50ohm/sq的掺杂区域，并对背面多余的掺杂进行去除；然后先后经过NaOH(氢氧化钠)、水、HF以及去离子水的清洗并烘干。
在另一个示例中，可采用管式扩散炉进行POCl3(三氯氧磷)扩散处理，一次性形成正面的pn结，整个扩散处理过程的工艺条件为温度750～840℃，时间为85分钟；采用含有HNO3(硝酸)和HF(氢氟酸)的溶液进行磷硅玻璃和多边缘掺杂，以得到方块电阻为300ohm/sq的掺杂区域，并对背面多余的掺杂进行去除；然后先后经过NaOH(氢氧化钠)、水、HF以及去离子水的清洗并烘干。
S3，在第一掺杂层2上依次形成钝化隧穿层3、第二掺杂层4和钝化减反射层5。
例如，可采用以下方式进行制备：
通过低压化学气相沉积(LPCVD)方法在第一掺杂层2上沉积含有氧化硅的钝化隧穿层3；
在含有氧化硅的钝化隧穿层3上继续沉积掺杂了磷元素的n型多晶硅，得到厚度为9nm或50nm、磷掺杂浓度为2×1021cm3的第二掺杂层4；若在第一温度下执行该步骤，则可得到包含n型掺杂多晶硅(即上述掺杂了磷元素的n型多晶硅)的第二掺杂层4，若在低于第一温度的第二温度下执行该步骤，可得到包含n型掺杂多晶硅和非晶硅的第二掺杂层4；
通过增强型等离子化学气相沉积(PECVD)方法在第二掺杂层4上沉积氮化硅，得到厚度为80nm、折射率2.03的钝化减反射层5。
在一个示例中，上述第一温度可以设置为650摄氏度，上述第二温度可设置为560摄氏度，650摄氏度和560摄氏度在本申请实施例中仅作为一个示例，而非用于限制本申请实施例中的第一温度和第二温度的取值范围，本领域技术人员可以理解第一温度和第二温度还可以设置为其它温度值，在此不再一一列举。
S4，制备正面电极6。
可选地，步骤S4包括：在所述钝化减反射层(5)、所述第二掺杂层(4)、所述钝化隧穿层(3)中的至少一层的指定区域上添加导电材料，形成正面电极(6)。
可选地，步骤S4具体包括：在钝化减反射层5、第二掺杂层4、钝化隧穿层3中的至少一层的指定区域上进行开孔处理，形成接触孔，在接触孔中添加导电材料，使导电材料与第二掺杂层4接触，形成正面电极。
在一个可选的实施方式中，在钝化减反射层5的指定区域上进行开孔处理，形成接触孔；通过接触孔在第二掺杂层4的表面涂敷导电材料，形成正面电极。
在另一个可选的实施方式中，在钝化减反射层5、第二掺杂层4和钝化隧穿层3的指定区域上进行开孔处理，形成第一接触孔；通过第一接触孔在第一掺杂层2的表面涂敷导电材料，形成正面电极。
在一个示例中，通过对钝化减反射层5、第二掺杂层4、钝化隧穿层3中的至少一层的指定区域进行脉冲式局部激光辐照处理，从而形成第一接触孔。该方法的具体工艺参数可参照后续相关内容，在此不再赘述。
可选地，采用丝网印刷方式在第一接触孔中的第二掺杂层4或第一掺杂层2的表面涂敷导电浆料。
以第二掺杂层4表面的涂敷为例，可选取含有氮化硅的银浆作为正面电极细栅线的浆料在第二掺杂层4的表面进行涂敷，所得到的正面电极细栅线根数为100根。
可选地，通过涂覆非烧穿氮化硅型的导电浆料，可形成正面电极连接电极7，正面电极连接电极7和正面电极细栅线方向互相垂直并在相交处相连接。其中，正面电极连接电极7的根数可根据实际情况确定，例如，可形成4根正面电极连接电极7。
S5，在基底1的背面形成背面钝化膜8。
例如，可通过如下方式在基底1的背面形成背面钝化膜8：通过增强型等离子化学气相沉积(PECVD)方法在基底1的背面沉积5-10nm的氧化铝层，在氧化铝层上再沉积氮化硅，从而得到厚度为100nm、折射率2.10的背面钝化膜8。
S6，制备背面电极9。
可选地，步骤S6包括：在背面钝化膜8表面的指定区域上涂敷导电材料，形成背面电极9。
可选地，步骤S6包括：在背面钝化膜8的接触区域10对应的基底1的表面涂敷导电材料，形成背面电极9。
在一个示例中，可通过对完整的背面钝化膜8进行脉冲式局部激光辐照处理，可在背面钝化膜8的p型区域(作为接触区域10)开孔，形成第二接触孔；在另一个示例中，在形成背面钝化膜8的过程中，在p型区域(作为接触区域10)预留出第二接触孔。
可选地，采用丝网印刷方式在第二接触孔对应的基底1表面上涂敷导电浆料。
在一个示例中，在硅基底的背面通过丝网印刷方法先印刷4×4的银电极用于互联，每个银电极区域为2mm×20mm，除此区域以外的区域采用铝浆作为导电浆料来涂覆，形成铝电极；铝电极覆盖除银电极和硅基底背面边缘区域的整个电池背面，铝电极完全覆盖背面钝化膜8上的接触区域10，使得铝电极和硅基底通过背面钝化膜8上的接触区域10的第二接触孔形成直接接触。
在另一个示例中，在硅基底的背面通过丝网印刷方法先印刷铝浆，在激光开孔的位置(即接触区域10)按其线条状涂覆铝浆，形成的铝浆线条的线宽可以是150mm，铝浆线条完全覆盖激光开孔的位置；然后在背面通过丝网印刷方法形成和正面电极连接电极7相同形状和根数的银连接电极，作为背面电极连接电极。
可选地，步骤S6之后还包括金属化热处理过程。例如，可采用链式烧结炉来对通过步骤S1至S6制备的电池进行烧结，烧结峰值温度可以设置为850℃，此温度为实测硅片表面的温度。
本实施例中各步骤的顺序可根据实际情况调整，图9所示的顺序为一种可能的顺序，而非对各步骤的顺序进行限定。
应用本申请的实施例的制备方法，可得到本申请实施例提供的太阳能电池，本实施例可实现实施例一的有益效果，在此不再赘述。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (15)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底(1)，位于基底(1)正面的正面结构和位于基底(1)背面的背面结构；
所述正面结构包括：第一掺杂层(2)、钝化隧穿层(3)、第二掺杂层(4)、钝化减反射层(5)和正面电极(6)；所述第一掺杂层(2)、所述钝化隧穿层(3)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化减反射层(5)依次排列，所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)与所述第二掺杂层(4)接触；
所述背面结构包括：背面钝化膜(8)和背面电极(9)；所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述基底(1)接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化隧穿层(3)，并与所述第一掺杂层(2)接触。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底(1)具有第一导电类型，所述第一掺杂层(2)和所述第二掺杂层(4)均具有第二导电类型。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电类型为p型导电；
以及，所述背面结构还包括空穴掺杂层(12)；
所述空穴掺杂层(12)在第一区域与所述基底(1)接触；所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述空穴掺杂层(12)接触。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电类型为p型导电；
以及，所述背面结构还包括：空穴掺杂层(12)和合金层(13)；
所述空穴掺杂层(12)在第一区域与所述基底(1)接触；所述合金层(13)设置于所述空穴掺杂层(12)的、与所述基底(1)相对的一侧，并与所述空穴掺杂层接触；
所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述合金层(13)接触。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层(2)的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。
7.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层(4)包含多晶硅。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层(4)还包含非晶硅。
9.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层(4)的掺杂浓度大于1×1015个/cm3，厚度为1-50nm。
10.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层(3)为氧化硅、氮化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅中的任意一种，厚度为0.1-5nm。
11.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反射层(5)包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的至少一种；
所述背面钝化膜(8)包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的至少一种。
12.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
对基底(1)进行预处理；
对预处理后的所述基底(1)的正面表面进行掺杂处理，形成第一掺杂层(2)；
在所述第一掺杂层(2)上依次形成钝化隧穿层(3)、第二掺杂层(4)和钝化减反射层(5)；
制备正面电极(6)；
在所述基底(1)的背面形成背面钝化膜(8)；
制备背面电极(9)。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述对基底(1)进行预处理，包括：对所述基底(1)进行去损伤处理和表面织构化处理，使所述基底(1)的正面表面形成金字塔绒面；
以及，所述对预处理后的所述基底(1)的正面表面进行掺杂处理，形成第一掺杂层(2)，包括：在所述金字塔绒面上进行掺杂处理，形成第一掺杂层(2)。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述制备正面电极(6)，包括：在所述钝化减反射层(5)、所述第二掺杂层(4)、所述钝化隧穿层(3)中的至少一层的指定区域上添加导电材料，形成正面电极(6)。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述制备背面电极(9)，包括：在所述背面钝化膜(8)表面的指定区域上涂敷导电材料，形成背面电极(9)。
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