CN115020510B - 光伏电池及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 112
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 228
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光伏电池及其制备方法，所述光伏电池包括衬底、第一钝化隧穿层、第二钝化隧穿层、第一绝缘部、第二绝缘部、第一电极、第二电极、第一导电防护层和第二导电防护层，衬底包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面；第一钝化隧穿层设在第一表面上，第二钝化隧穿层设在第二表面上；第一绝缘部设在第一表面上或者第一绝缘部设在第一钝化隧穿层上，第二绝缘部设在第二表面上或者第二绝缘部设在第二钝化隧穿层上；第一电极设在第一绝缘部上，第二电极设在第二绝缘部上；第一导电防护层覆盖第一电极；第二导电防护层覆盖第二电极。本发明的光伏电池的电极不易被氧化，且具有较高的工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池的技术领域，具体涉及一种光伏电池及其制备方法。
背景技术
光伏电池是一种用于将太阳光能直接转化为电能的设备。相关技术中的光伏电池上设置有金属栅线电极，金属栅线电极的电阻小从而具有良好的导电性。但是相关技术中的金属栅线电极容易被氧化，导致金属栅线电极电阻增加，从而影响了光伏电池的效率。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明实施例提出一种光伏电池，该光伏电池的电极不易被氧化，且具有较高的工作效率。
本发明实施例还提出一种光伏电池的制备方法，该光伏电池的制备方法用于制备上述实施例的光伏电池。
本发明实施例的光伏电池包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面；第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层，所述第一钝化隧穿层设在所述第一表面上，所述第二钝化隧穿层设在所述第二表面上；第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部设在所述第一表面上或者所述第一绝缘部设在所述第一钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二绝缘部设在所述第二表面上或者所述第二绝缘部设在所述第二钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上；第一电极和第二电极，所述第一电极设在所述第一绝缘部的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二电极设在所述第二绝缘部的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上；第一导电防护层，所述第一导电防护层包括第一掺杂层，所述第一掺杂层设在所述第一钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第一掺杂层与所述第一电极接触，所述第一导电防护层覆盖所述第一电极；第二导电防护层，所述第二导电防护层包括第二掺杂层，所述第二掺杂层设在所述第二钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二掺杂层与所述第二电极接触，所述第二导电防护层覆盖所述第二电极。
本发明实施例的光伏电池利用第一导电防护层覆盖第一电极使第一电极与外界隔离开，第二导电防护层覆盖第二电极使第二电极与外界隔离开，使外界的水分子和氧分子不易与第一电极以及第二电极接触，因此使第一电极和第二电极不易被氧化，保证了本发明实施例的光伏电池具有较高的工作效率。
由此，本发明实施例的光伏电池的电极不易被氧化，且具有较高的工作效率。
在一些实施例中，所述第一钝化隧穿层包括第一隧穿区和第一绝缘区，所述第一绝缘区凸起以使所述第一隧穿区在所述第一方向上的尺寸小于所述第一绝缘区在所述第一方向上的尺寸，所述第一绝缘区形成所述第一绝缘部，所述第二钝化隧穿层包括第二隧穿区和第二绝缘区，所述第二绝缘区形成所述第二绝缘部，所述第一绝缘区凸起以使所述第二隧穿区在所述第一方向上的尺寸小于所述第二绝缘区在所述第一方向上的尺寸，所述第二绝缘区形成所述第二绝缘部，所述第一电极设在所述第一绝缘区上，所述第二电极设在所述第二绝缘区上。
在一些实施例中，所述第一隧穿区远离所述衬底的一侧的表面与所述第一绝缘区远离所述衬底的一侧的表面在所述第一方向上的间隔距离大于或者等于10nm且小于等于50nm。
在一些实施例中，所述第一掺杂层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极。
在一些实施例中，所述第一掺杂层的厚度为5nm-20nm；所述第二掺杂层的厚度为5nm-20nm。
在一些实施例中，所述光伏电池进一步包括：第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层设在所述第一掺杂层上且位于第一掺杂层在第一方向上远离衬底的一侧，所述第二透明导电层设在所述第二掺杂层上且位于第二掺杂层在第一方向上远离衬底的一侧。
在一些实施例中，所述第一掺杂层覆盖所述第一电极侧面的至少部分，所述第一透明导电层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极侧面的至少部分，所述第二透明导电层覆盖所述第二电极；或者，所述第一掺杂层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极。
在一些实施例中，所述第一透明导电层的厚度为80nm-150nm；所述第二透明导电层的厚度为80nm-150nm。
本发明实施例的光伏电池的制备方法包括以下步骤在衬底的第一表面上制备第一钝化隧穿层，在衬底的第二表面上制备第二钝化隧穿层；在第一钝化隧穿层上沉积出第一绝缘区，在第二钝化隧穿层上沉积出第二绝缘区；在所述第一绝缘区上制备第一电极，在所述第二绝缘区上制备第二电极；利用沉积制备出覆盖所述第一钝化隧穿层和所述第一电极的第一掺杂层，利用沉积制备出覆盖所述第二钝化隧穿层和所述第二电极的第二掺杂层。
在一些实施例中，所述在所述第一绝缘区上制备第一电极，在所述第二绝缘区上制备第二电极包括：利用高温烧结银浆进行丝网印刷制备所述第一电极的栅线和所述第二电极的栅线。
附图说明
图1是根据本发明实施例的光伏电池的结构示意图。
图2是根据本发明另一个实施例的光伏电池的结构示意图。
附图标记：
光伏电池100；
第一电极11；第二电极12；
衬底2；第一表面21；第二表面22；
第一钝化隧穿层31；第一绝缘部311；第一隧穿区312；第一绝缘区313；第二钝化隧穿层32；第二绝缘部321；第二隧穿区322；第二绝缘区323；
第一导电防护层41；第一掺杂层411；第二导电防护层42；第二掺杂层421；
第一透明导电层51；第二透明导电层52。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参考附图描述本发明实施例的光伏电池100。
如图1-图2所示，本发明实施例的光伏电池100包括衬底2、第一钝化隧穿层31、第二钝化隧穿层32、第一绝缘部311、第二绝缘部321、第一电极11、第二电极12、第一导电防护层41和第二导电防护层42。
衬底2包括在第一方向上(例如图1中的上下方向)相对的第一表面21(例如图1中的衬底2的上表面)和第二表面22(例如图1中的衬底2的下表面)。第一钝化隧穿层31设在第一表面21上，第二钝化隧穿层32设在第二表面22上。
第一绝缘部311设在第一表面21上或者第一绝缘部311设在第一钝化隧穿层31的在第一方向上远离衬底2的表面上(例如图1中第一钝化隧穿层31的上表面)，第一电极11设在第一绝缘部311在第一方向上远离衬底2的表面上(例如图1中第一绝缘部311的上表面)。第一电极11与衬底2之间通过第一绝缘部311间隔开，利用第一绝缘部311阻碍电子或空穴直接与第一电极11复合。
第二绝缘部321设在第二表面22上或者第二绝缘部321设在第二钝化隧穿层32的在第一方向上远离衬底2的表面上(例如图1中第二钝化隧穿层32的下表面)，第二电极12设在第二绝缘部321在第一方向上远离衬底2的表面上(例如图1中第二绝缘部321的下表面)。第二电极12与衬底2之间通过第二绝缘部321间隔开，利用第二绝缘部321阻碍电子或空穴直接与第二电极12复合。
第一导电防护层41包括第一掺杂层411，第一掺杂层411设在第一钝化隧穿层31的在第一方向上远离衬底2的表面上，第一掺杂层411与第一电极11接触，第一导电防护层41覆盖第一电极11。第二导电防护层42包括第二掺杂层421，第二掺杂层421设在第二钝化隧穿层32的在第一方向上远离衬底2的表面上，第二掺杂层421与第二电极12接触，第二导电防护层42覆盖第二电极12。
相关技术中的光伏电池包括衬底、第一钝化层、第二钝化层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一金属栅线和第二金属栅线。其中，第一金属栅线、第一掺杂层和第一钝化层衬底从上到下依次设在衬底的上表面，第二金属栅线、第二掺杂层和第二钝化层衬底从下到上依次设在衬底的上表面。也就是说，第一金属栅线和第二金属栅线位于该光伏电池的最外侧，因此外界的水分子和氧分子容易与第一金属栅线和第二金属栅线接触，导致第一金属栅线和第二金属栅线容易被氧化。
与相关技术相比，本发明实施例的光伏电池利用第一导电防护层41覆盖第一电极11使第一电极11与外界隔离开，第二导电防护层42覆盖第二电极12使第二电极12与外界隔离开，使外界的水分子和氧分子不易与第一电极11以及第二电极12接触，因此使第一电极11和第二电极12不易被氧化，保证了本发明实施例的光伏电池100具有较高的工作效率。
此外，利用第一绝缘部311将第一电极11与衬底2间隔开，利用第二绝缘部321将第二电极12与衬底2间隔开，从而第一电极11位于第一导电防护层41和第一钝化隧穿层31之间，第二电极12位于第二导电防护层42和第二钝化隧穿层32之间，电子或空穴也不会直接与第一电极11和第二电极12复合，因此保证了本发明实施例的光伏电池100的能够正常工作以及工作效率。
由此，本发明实施例的光伏电池100的电极不易被氧化，且具有较高的工作效率。
为了使本申请的技术方案更加容易被理解，下面以第一方向与上下方向一致为例，进一步描述本申请的技术方案，其中上下方向如图1和图2所示。
本发明实施例的光伏电池100包括衬底2、第一钝化隧穿层31、第二钝化隧穿层32、第一绝缘部311、第二绝缘部321、第一电极11、第二电极12、第一导电防护层41和第二导电防护层42。
其中，第一钝化隧穿层31设置在衬底2的上表面，第一绝缘部311设置在第一钝化隧穿层31的上表面；或者，第一绝缘部311贯穿第一钝化隧穿层31并且与衬底2的上表面连接，即第一绝缘部311设在衬底2的上表面上。第二钝化隧穿层32设置在衬底2的下表面，第二绝缘部321设置在第二钝化隧穿层32的下表面；或者，第二绝缘部321贯穿第二钝化隧穿层32并且与衬底2的下表面连接。
在一些实施例中，第一钝化隧穿层31包括第一隧穿区312和第一绝缘区313，第一绝缘区313凸起以使第一隧穿区312在上下方向上的尺寸小于第一绝缘区313在上下方向上的尺寸，第一绝缘区313形成第一绝缘部311，第一电极11设在第一绝缘区313上。
第二钝化隧穿层32包括第二隧穿区322和第二绝缘区323，第二绝缘区323形成第二绝缘部321，第一绝缘区313凸起以使第二隧穿区322在上下方向上的尺寸小于第二绝缘区323在第一上下上的尺寸，第二绝缘区323形成第二绝缘部321，第二电极12设在第二绝缘区323上。
换言之，第一钝化隧穿层31的第一隧穿区312相较第一绝缘区313第一绝缘区313具有更高的电阻，第二钝化隧穿层32的第二隧穿区322相较第二绝缘区323第二绝缘区323具有更高的电阻，，进而可以阻碍电子或空穴直接与第一电极11以及第二电极12复合。
优选地，第一隧穿区312在上下方向上远离衬底2的表面(例如图中第一隧穿区312的上表面)与第一绝缘区313在上下方向上远离衬底2的表面(例如图中第一绝缘区313的上表面)在第一方向上的间隔距离大于等于10nm且小于等于50nm。一方面使第一绝缘区313的厚度和第二绝缘区323的厚度可以阻碍电子或空穴直接与第一电极11以及第二电极12复合，另一方面，避免第一绝缘区313的厚度和第二绝缘区323的厚度过大影响本发明实施例的光伏电池100的工作效率。
此外，第一隧穿区312与第一绝缘区313的材质相同，第二隧穿区322与第二绝缘区323的材质相同，在制备本发明实施例的光伏电池100时，可以避免不同材料之间相互污染，从而保证本发明实施例的光伏电池100的工作效率。
优选地，第一钝化隧穿层31和第二钝化隧穿层32的材质均为氧化硅，氧化硅形成的第一钝化隧穿层31和第二钝化隧穿层32耐高温性能较好，且第一电极11和第二电极12在制备第一掺杂层411和第一掺杂层411前制备完成，使第一电极11和第二电极12可以利用高温工艺制备，因此在制备本发明实施例的光伏电池100时可以使用高温工艺。
需要说明的是，设置第一绝缘部311和第二绝缘部321用于阻碍电子或空穴直接与第一电极11以及第二电极12复合，因此，第一绝缘部311的材质与第一钝化隧穿层31的材质可以不同，第二绝缘部321的材质与第二钝化隧穿层32的材质可以不同。
如图1所示，第一掺杂层411覆盖第一电极11，第二掺杂层421覆盖第二电极12，从而利用第一掺杂层411将第一电极11与外界隔离开，利用第二掺杂层421将第二电极12与外界隔离开，使第一电极11和第二电极12不易被氧化。
在一些实施例中，第一掺杂层411的厚度为5nm-20nm；第二掺杂层421在第一方向上的尺寸为5nm-20nm。
可选地，第一掺杂层411的厚度大于等于5nm且小于等于20nm。可选地，第一掺杂层411的厚度大于等于6nm且小于等于15nm。可选地，第一掺杂层411的厚度大于等于8nm且小于等于10nm。第一掺杂层411的厚度在该范围内时，可以保证第一掺杂层411的厚度的绝缘效果。
换言之，第一掺杂层411的厚度例如可以是但是不限于5nm、8nm、10nm、15nm、18nm或者20nm。
可选地，第二掺杂层421的厚度大于等于5nm且小于等于20nm。可选地，第二掺杂层421的厚度大于等于6nm且小于等于15nm。可选地，第二掺杂层421411的厚度大于等于8nm且小于等于10nm。第二掺杂层421的厚度在该范围内时，可以保证第二掺杂层421的绝缘效果。
第二掺杂层421的厚度例如可以是但是不限于5nm、8nm、10nm、15nm、18nm或者20nm。
第一透明导电层51设在第一掺杂层411的上表面，第二透明导电层52设在第一掺杂层411的下表面，从而使第一透明导电层51和第二透明导电层52起到均匀电荷的作用。
在一些实施例中，如图1所示，第一掺杂层411设置在第一钝化隧穿层31的上方，第一掺杂层411覆盖第一电极11，且第一掺杂层411的下表面的一部分与第一钝化隧穿层31上表面的一部分相接触。第一透明导电层51设在第一掺杂层411的上表面从而覆盖第一掺杂层411。
第二掺杂层421设置在第二钝化隧穿层32的上方，第二掺杂层421覆盖第二电极12，且第二掺杂层421的上表面的一部分与第二钝化隧穿层32下表面的一部分相接触。第二透明导电层52设在第二掺杂层421的下表面从而覆盖第二掺杂层421。
在另一些实施例中，如图2所示，第一掺杂层411覆盖第一电极11侧面的至少部分，第一透明导电层51覆盖第一电极11的上表面和/或第一电极11侧面的其余部分。第二掺杂层421覆盖第二电极12侧面的至少部分，第二透明导电层52覆盖第二电极12的上表面和/或第二电极12侧面的其余部分。其中，侧面是指垂直于上表面或者下表面的其他表面。
换言之，第一掺杂层411覆盖第一电极11侧面的一部分，第一透明导电层51的一部分覆盖第一电极11侧面的另一部分以及上表面，第一透明导电层51的另一部分覆盖第一掺杂层411；或者，第一掺杂层411覆盖第一电极11侧面，第一透明导电层51的一部分覆盖第一电极11的上表面，第一透明导电层51的另一部分覆盖第一掺杂层411。
第二掺杂层421覆盖第二电极12侧面的一部分，第二透明导电层52的一部分覆盖第二电极12侧面的另一部分以及下表面，第二透明导电层52的另一部分覆盖第二掺杂层421；或者，第二掺杂层421覆盖第二电极12侧面，第二透明导电层52的一部分覆盖第二电极12的下表面，第二透明导电层52的另一部分覆盖第二掺杂层421。
第一透明导电层51和第二透明导电层52由分子间隙较小的无机物制备，例如，氧化铟掺杂物，第一透明导电层51和第一透明导电层51对水分子和氧分子具有有效的隔绝效果。因此，利用第一掺杂层411和第一透明导电层51以及第二掺杂层421和第二透明导电层52分别将第一电极11和第二电极12间隔开，从而进一步提高了对第一电极11和第二电极12的保护效果，使本发明实施例的光伏电池100的第一电极11和第二电极12更加不易被氧化。
优选地，第一透明导电层51在上下方向上的尺寸为80nm-150nm；第二透明导电层52在上下方向上的尺寸可以为80nm-150nm。
可选地，第一透明导电层51的厚度大于等于90nm且小于等于140nm。可选地，第一透明导电层51的厚度大于等于100nm且小于等于130nm。可选地，第一透明导电层51的厚度大于等于110nm且小于等于120nm。第一透明导电层51的厚度在该范围内时，可以保证第一透明导电层51的均匀电荷的作用，并且可以进一步对第一电极11起到防护隔绝作用，使第一电极11不易被氧化。
换言之，第一透明导电层51的厚度例如可以是但是不限于80nm、90nm、100nm、120nm、130nm或者140nm。
可选地，第二透明导电层52的厚度大于等于90nm且小于等于140nm。可选地，第二透明导电层52的厚度大于等于100nm且小于等于130nm。可选地，第二透明导电层52的厚度大于等于110nm且小于等于120nm。第二透明导电层52的厚度在该范围内时，可以保证第二透明导电层52的均匀电荷的作用，并且可以进一步对第二电极12起到防护隔绝作用，使第二电极12不易被氧化。
换言之，第二透明导电层52的厚度例如可以是但是不限于80nm、90nm、100nm、120nm、130nm或者140nm。
下面参考附图描述本发明实施例的光伏电池的制备方法。
本发明实施例的光伏电池的制备方法用于制备上述任一实施例的光伏电池100。本发明实施例的光伏电池的制备方法包括以下步骤：
在衬底2的第一表面21上制备第一钝化隧穿层31，在衬底2的第二表面22上制备第二钝化隧穿层32。
具体地，对衬底2的第一表面21和第二表面22进行通氧退火处理，使衬底2的第一表面21上形成氧化硅膜从而制备出第一钝化隧穿层31，使衬底2的第二表面22上形成氧化硅膜从而制备出第二钝化隧穿层32。
在第一钝化隧穿层31上沉积出第一绝缘区313，在第二钝化隧穿层32上沉积出第二绝缘区323。
具体地，利用掩膜在第一钝化隧穿层31和第一钝化隧穿层31上将要制备电极的位置处开口，再利用气相沉积法进行沉积，增厚所述要制备电极的位置处第一钝化隧穿层31和第一钝化隧穿层31的厚度，从而达到绝缘的效果。
在第一绝缘区313上制备第一电极11，在第二绝缘区323上制备第二电极12。
具体地，利用低温银浆丝网印刷、电镀、蒸镀以及转印等方式在第一绝缘区313上制备第一电极11，利用低温银浆丝网印刷、电镀、蒸镀以及转印等方式在第二绝缘区323上制备第二电极12。
利用沉积制备出覆盖第一钝化隧穿层31和第一电极11的第一掺杂层411，利用沉积制备出覆盖第二钝化隧穿层32和第二电极12的第二掺杂层421。
本发明实施例的光伏电池的制备方法分别在第一电极11上制备第一掺杂层411从而覆盖第一电极11，使第一电极11与外界隔离开，在第二电极12上制备第二掺杂层421从而覆盖第二电极12，使第二电极12与外界隔离开，使外界的水分子和氧分子不易与第一电极11以及第二电极12接触，因此使第一电极11和第二电极12不易被氧化，保证了本发明实施例的光伏电池100具有较高的工作效率。
此外，相关技术中的电极在掺杂层制备完成之后在制备电极，掺杂层不耐高温，因此相关技术中制备电极时无法使用高温工艺。与相关技术相比，第一电极11和第二电极12在制备第一掺杂层411和第一掺杂层411前制备完成，使第一电极11和第二电极12可以利用高温工艺制备。
为了使本申请的技术方案更加容易被理解，下面以上下方向为例，进一步描述本申请的技术方案，其中上下方向如图1所示。
对衬底2的上表面和下表面进行通氧退火处理，使衬底2的上表面形成氧化硅膜从而制备出第一钝化隧穿层31，使衬底2的下表面形成氧化硅膜从而制备出第二钝化隧穿层32；利用掩膜在第一绝缘区313和第二绝缘区323上开口，再利用气相沉积法进行沉积，增厚第一绝缘区313和第二绝缘区323的氧化硅层的厚度；在第一绝缘区313的上表面上利用电镀的工艺制备出第一电极11，在第二绝缘区323的下表面上利用电镀的工艺制备出第二电极12；利用化学沉积的工艺在第一钝化隧穿层31的上方制备第一掺杂层411并使第一掺杂层411覆盖第一电极11，利用化学沉积的工艺在第二钝化隧穿层32的下方制备第二掺杂层421并使第二掺杂层421覆盖第二电极12。
优选地，利用高温烧结银浆进行丝网印刷在第一绝缘区313上制备第一电极11的栅线，利用高温烧结银浆进行丝网印刷在第二绝缘区323上制备第二电极12的栅线。利用高温烧结银浆进行丝网印刷制备栅线可以降低设备和原材料成本，并且提升制备的第一电极11的栅线和第二电极12的栅线质量。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种光伏电池，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面；
第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层，所述第一钝化隧穿层设在所述第一表面上，所述第二钝化隧穿层设在所述第二表面上；
第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部设在所述第一表面上或者所述第一绝缘部设在所述第一钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二绝缘部设在所述第二表面上或者所述第二绝缘部设在所述第二钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上；
第一电极和第二电极，所述第一电极设在所述第一绝缘部的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二电极设在所述第二绝缘部的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上；
第一导电防护层，所述第一导电防护层包括第一掺杂层，所述第一掺杂层设在所述第一钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第一掺杂层与所述第一电极接触，所述第一导电防护层覆盖所述第一电极；
第二导电防护层，所述第二导电防护层包括第二掺杂层，所述第二掺杂层设在所述第二钝化隧穿层的在所述第一方向上远离所述衬底的表面上，所述第二掺杂层与所述第二电极接触，所述第二导电防护层覆盖所述第二电极。
2.根据权利要求1中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一钝化隧穿层包括第一隧穿区和第一绝缘区，所述第一绝缘区凸起以使所述第一隧穿区在所述第一方向上的尺寸小于所述第一绝缘区在所述第一方向上的尺寸，所述第一绝缘区形成所述第一绝缘部，
所述第二钝化隧穿层包括第二隧穿区和第二绝缘区，所述第二绝缘区形成所述第二绝缘部，所述第一绝缘区凸起以使所述第二隧穿区在所述第一方向上的尺寸小于所述第二绝缘区在所述第一方向上的尺寸，所述第二绝缘区形成所述第二绝缘部，
所述第一电极设在所述第一绝缘区上，所述第二电极设在所述第二绝缘区上。
3.根据权利要求2中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一隧穿区远离所述衬底的一侧的表面与所述第一绝缘区远离所述衬底的一侧的表面在所述第一方向上的间隔距离大于或者等于10nm且小于等于50nm。
4.根据权利要求1中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一掺杂层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极。
5.根据权利要求1中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为5nm-20nm；所述第二掺杂层的厚度为5nm-20nm。
6.根据权利要求1中所述的光伏电池，其特征在于，进一步包括：第一透明导电层和第二透明导电层，
所述第一透明导电层设在所述第一掺杂层上且位于第一掺杂层在第一方向上远离衬底的一侧，
所述第二透明导电层设在所述第二掺杂层上且位于第二掺杂层在第一方向上远离衬底的一侧。
7.根据权利要求6中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一掺杂层覆盖所述第一电极侧面的至少部分，所述第一透明导电层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极侧面的至少部分，所述第二透明导电层覆盖所述第二电极；或者，
所述第一掺杂层覆盖所述第一电极，所述第二掺杂层覆盖所述第二电极。
8.根据权利要求6中所述的光伏电池，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为80nm-150nm；所述第二透明导电层的厚度为80nm-150nm。
9.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，所述光伏电池的制备方法用于制备权利要求1-5中任一项所述的光伏电池，包括以下步骤：
在衬底的第一表面上制备第一钝化隧穿层，在衬底的第二表面上制备第二钝化隧穿层；
在第一钝化隧穿层上沉积出第一绝缘区，在第二钝化隧穿层上沉积出第二绝缘区；
在所述第一绝缘区上制备第一电极，在所述第二绝缘区上制备第二电极；
利用沉积制备出覆盖所述第一钝化隧穿层和所述第一电极的第一掺杂层，利用沉积制备出覆盖所述第二钝化隧穿层和所述第二电极的第二掺杂层。
10.根据权利要求9所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘区上制备第一电极，在所述第二绝缘区上制备第二电极，包括：
利用高温烧结银浆进行丝网印刷制备所述第一电极的栅线和所述第二电极的栅线。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115020510B (zh) |
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| CN109841693A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-04 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触结构及太阳能电池 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2022-06-23 CN CN202210719701.5A patent/CN115020510B/zh active Active
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