CN112349798B - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 249
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 46
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 43
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910017947 MgOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 1
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底上表面的发射极；在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力。本发明实施例有利于提高太阳能电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HIT)电池和隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)电池。
然而，现有钝化接触电池的转换效率有待提高。
发明内容
本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法，有利于提高太阳能电池的转换效率。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底上表面的发射极；在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力。
另外，所述第一区域的场钝化层的材料与所述第二区域的场钝化层的材料相同，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第二区域的场钝化层的厚度小于所述第一区域的场钝化层的厚度。
另外，在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第一区域的场钝化层的顶面齐平于所述第二区域的场钝化层的顶面。
另外，在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第二区域的场钝化层的顶面的表面掺杂浓度低于所述第一区域的场钝化层的顶面的表面掺杂浓度。
另外，所述第一区域的场钝化层具有第一顶面，所述第二区域的场钝化层具有第二顶面，所述第一顶面与所述第二顶面的表面掺杂浓度差为0.5E+20/cm3～1.5E+20/cm3。
另外，在远离所述基底的方向上，所述第一区域的场钝化层包括依次层叠的离子富集层和离子扩散层，所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度；在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第二区域的场钝化层的顶面低于所述第一区域的场钝化层的顶面，且所述第二区域的场钝化层和所述第一区域的场钝化层的厚度差大于所述离子富集层的厚度。
另外，所述第二区域的场钝化层和所述第一区域的场钝化层的厚度差为50nm～80nm。
另外，所述第一区域的场钝化层的材料与所述第二区域的场钝化层的材料不同。
另外，所述第二区域的场钝化层的吸光系数小于所述第一区域的场钝化层的吸光系数。
相应地，本发明实施例还提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述基底上表面形成发射极；在所述基底下表面形成依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力。
另外，形成所述场钝化层的工艺步骤包括：形成位于所述基底上的场钝化膜；形成具有图案化开口的掩膜层，所述图案化开口暴露所述第二区域的场钝化膜表面；对所述第二区域的场钝化膜进行刻蚀，以使所述第二区域的场钝化膜的顶面低于所述第一区域的场钝化摸的顶面，剩余的所述场钝化膜作为场钝化层。
另外，所述场钝化膜包括离子富集层和离子扩散层，所述离子富集层位于所述场钝化膜顶部，所述离子扩散层位于所述离子富集层与所述基底之间，所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度；对所述第二区域的场钝化膜进行刻蚀，包括：以使所述第二区域的场钝化膜与所述第一区域的场钝化膜的厚度差大于所述离子富集层的厚度。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，与第二电极接触的第一区域的场钝化层具有较高的电导率，有利于保证多数载流子的有效传输，提高太阳能电池的短路电流；而不与第二电极接触的第二区域的场钝化层的具有较弱的吸光能力，有利于降低场钝化层的整体吸光程度，从而提高太阳能电池的转换效率。
另外，可通过控制第二区域的场钝化层远离基底的表面的表面掺杂浓度较小，使得第二区域的场钝化层的吸光能力较弱；且通过控制第一区域的场钝化层远离基底的表面的表面掺杂浓度较大，保证场钝化层与第二电极之间形成良好的欧姆接触，以及保证多数载流子的有效传输。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的太阳能电池的制造方法的流程示意图；
图3、图6和图7为本发明一实施例提供的太阳能电池的制造方法各步骤对应的结构示意图；
图4和图5为图3所示结构中场钝化膜的深度-掺杂浓度示意图；
图8为本发明另一实施例提供的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
参考图1，以太阳能电池为TOPCon电池为例。
现有应用中，基底10可分为第一区域10a和第二区域10b，场钝化层122作为材料性质相同且厚度均匀的膜层均匀覆盖在隧穿层121表面，且第一区域10a的场钝化层用于与金属电极接触。
场钝化层122一般为掺杂的多晶硅层或非晶硅层，为了在金属电极覆盖区域，即第一区域10a达到尽可能低的饱和复合电流密度，需要对场钝化层122进行重掺杂，以在基底10表面形成较明显的能带弯曲，对少数载流子实现场钝化，对多数载流子实现选择性传输，同时和金属电极之间形成良好的欧姆接触，保证多数载流子的有效传输。但是，重掺杂之后的场钝化层122吸光能力较强，会相应地减少进入太阳能电池体区的光子的总量，从而降低太阳能电池的短路电流和转换效率。
因此，目前钝化接触技术一般应用于太阳能电池下表面，即背面，以降低对光的吸收的影响，但是因为场钝化层122一般为材料性质相同且厚度均匀的膜层，其自身吸光还是比较严重，不利于转换效率的提升。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法，通过使得与第二电极接触的第一区域的场钝化层具有较高的电导率，保证多数载流子的有效传输，提高太阳能电池的短路电流；以及使得不与第二电极接触的第二区域的场钝化层的具有较低的吸光系数，降低场钝化层的整体吸光能力，从而提高太阳能电池的转换效率。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图2为本发明一实施例提供的太阳能电池的制造方法的流程示意图；图3、图6和图7为本发明一实施例提供的太阳能电池的制造方法各步骤对应的结构示意图；图4和图5为图3所示结构中场钝化膜的深度-掺杂浓度示意图。参考图2至图7，太阳能电池的制造方法包括以下步骤：
步骤101：参考图3，提供包含场钝化膜222的半成品电池。
半成品电池至少包括基底20、位于基底20上表面的发射极211、在基底20下表面依次层叠的隧穿层221和场钝化膜222。在一些实施例中，半成品电池还包括在发射极211表面依次层叠的第一钝化膜212、减反膜213以及第一电极214。
其中，基底20的材料包括硅，基底20包括第一区域20a和第二区域20b；隧穿层221的材料包括氧化硅，厚度为1～2nm，可采用热氧化工艺形成；场钝化膜222的材料包括掺杂的多晶硅，第一区域20a的场钝化摸222用于与后续形成的第二电极接触连接。
本实施例中，场钝化膜222包括在远离基底20的方向上依次层叠的离子扩散层223和离子富集层224，离子富集层224的掺杂离子浓度大于离子扩散层223的掺杂离子浓度。离子富集层224可通过离子注入工艺对本征半导体进行离子注入得到，离子扩散层223中的掺杂离子可为离子富集层224中的掺杂离子因浓度差的存在自由扩散迁入得到。离子富集层224的设置用于保证场钝化膜222与后续形成的第二电极之间能够形成良好的欧姆接触，从而保证载流子的有效传输，此外，还用于形成明显的能带弯曲，实现载流子的选择性传输；离子扩散层223的设置用于保证多数载流子的有效传输。
本实施例中，离子富集层224的材料与离子扩散层223的材料相同，如此，有利于降低离子富集层224与离子扩散层223之间的界面能，增加能够扩散至离子扩散层223的掺杂离子的数量，保证场钝化膜222在多数载流子传输路径上具有较高的电导率，从而保证多子的有效传输，以及提高太阳能电池的转换效率；在其他实施例中，离子富集层的材料与离子扩散层的材料不同，如此，有利于通过界面能的限制减少掺杂离子的扩散，从而保证离子富集层具有较高的掺杂浓度，进而保证场钝化膜222与后续形成的第二电极之间能够形成良好的欧姆接触。
具体地，其中，场钝化膜222的材料类型包括本征半导体、金属氧化物、硅化物、盐类、有机物或金属中的至少一种。具体地，本征半导体包括多晶硅、非晶硅或微晶硅，金属氧化物包括TiOx、MoOx、Vox、Wox或MgOx，硅化物包括SiC、SiNx、SiOxNy或SiOxNyCz，盐类包括MgFx、CsFx或LiFx，有机物包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene/poly(styrenesulfonate)，PEDOT/PSS)，金属包括Mg、Ca或Al。需要说明的是，金属的选用与基底20的掺杂类型和掺杂浓度有关，即第一阻滞层222a可根据基底20的掺杂类型和掺杂浓度匹配对应的功函数。
根据基底20的区域划分方式，可将场钝化膜222分为位于第一区域20a的第一场钝化膜222a以及位于第二区域20b的第二场钝化膜222b，以及将离子富集层224分为位于第一区域20a的第一富集层224a和位于第二区域20b的第二富集层224b。
本实施例中，采用同一离子注入工艺同时形成第一富集层224a和第二富集层224b，也就是说，第一富集层224a的平均掺杂浓度与第二富集层224b的平均掺杂浓度相同，以及在基底20朝向场钝化膜222的方向上，第一富集层224a的顶面的表面掺杂浓度与第二富集层224b的顶面的表面掺杂浓度相同。
关于本实施例中场钝化膜222在朝向基底20的方向上不同深度的掺杂浓度，可具体参考图4。根据图4所示的深度-掺杂浓度示意图可知，在垂直于基底20表面的方向上，离子富集层224的厚度约为70nm，离子富集层224远离基底20的表面的表面掺杂浓度大于1.5E+20/cm3，离子扩散层223的掺杂浓度小于等于1.5E+20/cm3。
在另一实施例中，采用不同的离子注入工艺分别形成第一富集层224a和第二富集层224b，第一富集层224a的平均掺杂浓度大于第二富集层224b的平均掺杂浓度，以及在基底20朝向场钝化膜222的方向上，第一富集层224a的顶面的表面掺杂浓度大于第二富集层224b的顶面的表面掺杂浓度。如此，有利于减弱第二场钝化膜222b的吸光能力，提高太阳能电池的转换速率。
关于另一实施例中场钝化膜222在朝向基底20的方向上不同深度的掺杂浓度，可具体参考图5。根据图5所示的深度-掺杂浓度示意图可知，在垂直于基底20表面的方向上，第一富集层224a的顶面的表面掺杂浓度大于1.5E+20/cm3，第二富集层224b的顶面的表面掺杂浓度小于1.5E+20/cm3。
需要说明的是，吸光能力与场钝化膜222的厚度和掺杂浓度有关，掺杂浓度包括场钝化膜222远离基底20的表面的表面掺杂浓度或场钝化膜222的平均掺杂浓度。具体地，吸光能力可以根据公式I＝I0exp(-a*d)计算得到，其中，I用于表征初始入射光在经过吸光介质之后的剩余强度，I0用于表征初始入射光强度，a用于表征场钝化膜222的吸光系数，d用于表征场钝化膜222的厚度，a值的大小与场钝化膜222的表面掺杂浓度或平均掺杂浓度有关，场钝化膜222的表面掺杂浓度或平均掺杂浓度越高，a值越大。
根据上述公式可知，降低场钝化膜222远离基底20的表面的表面掺杂浓度、降低场钝化膜222的平均掺杂浓度或者减薄场钝化膜222厚度都可以降低场钝化膜222的吸光能力，提高初始入射光在经过吸光介质之后的剩余强度，即到达基底20表面的光线强度，从而增加可供太阳能电池利用的光；此外，由于场钝化膜222的吸光能力降低，因此，后续形成的第二钝化膜可将从基底20处透射出的光线反射回基底20表面，从而进一步增多可供太阳能电池利用的光。
步骤102：参考图6，形成掩膜层225，并通过掩膜层225刻蚀第二区域20b的离子富集层224。
本实施例中，掩膜层225覆盖第一场钝化膜222a，掩膜层225的材料为有机蜡，在垂直于基底20表面的方向上，有机蜡的厚度为50μm～300μm，在掩膜层225朝向基底20的方向上，掩膜层225的视图为指栅线式。掩膜层225可通过丝网印刷工艺或喷墨打印工艺形成。
在形成掩膜层225之后，可以将半成品电池放置于硝酸、氢氟酸以及水的混合溶液中进行反应。由于有机蜡不与混合溶液发生反应，因此掩膜层225保护的第一场钝化膜222a不会被混合溶液刻蚀，而被掩膜层225暴露的第二场钝化膜222b则会被刻蚀，从而实现仅减薄第二场钝化膜222b的厚度，即使得第二场钝化膜222b与第一场钝化膜222a具有厚度差，剩余的第一场钝化膜222a和第二场钝化膜222b构成场钝化层226。
本实施例中，可通过控制反应时间、反应温度以及溶液配比等因素控制厚度差的大小。具体地，当需要控制厚度差为0μm～100μm时，可以设置溶液配比HF:HNO3:H2O＝1:5:5～1:25:25，反应温度为7℃～15℃，反应时间为30s～90s。
在经过刻蚀之后，在垂直于基底20表面的方向上，第二场钝化膜222b的厚度小于第一场钝化膜222a的厚度。由于第一场钝化膜222a朝向基底20的表面齐平于第二场钝化膜222b朝向基底20的表面，因此，在基底20朝向场钝化层226的方向上，第二场钝化膜222b的顶面低于第一场钝化膜222a的顶面。
本实施例中，刻蚀的深度大于离子富集层224的厚度，即第二场钝化膜222b远离基底20的表面位于离子扩散层223内，第二场钝化膜222b远离基底20的表面的表面掺杂浓度小于第一场钝化膜222a远离基底20的表面的表面掺杂浓度。如此，有利于减弱第二场钝化膜222b的吸光能力，提高太阳能电池的转换效率。
本实施例中，第二场钝化膜222b与第一场钝化膜222a的厚度差为50nm～80nm，第二场钝化膜222b远离基底20的表面的表面掺杂浓度与第一场钝化膜222a远离基底20的表面的表面掺杂浓度的浓度差为0.5E+20/cm3～1.5E+20/cm3。
具体地，在垂直于基底20表面的方向的上，第一场钝化膜222a的厚度为120nm，第一场钝化膜222a远离基底20的表面的表面掺杂浓度为2E+20/cm3；第二场钝化膜222b的厚度为50nm，第二场钝化膜222b远离基底20的表面的表面掺杂浓度为E+20/cm3。
由于第一场钝化膜222a的厚度以及远离基底20的表面的表面掺杂浓度没有发生改变，因此第一场钝化膜222a依旧具有良好的钝化效果，第一场钝化膜222a的电导率大于第二场钝化膜222b的电导率，第一场钝化膜222a与后续形成的第二电极之间依旧会有较高的短路电流。也就是说，通过减薄第二场钝化膜222b，可以使得太阳能电池在保持开压的同时，提高太阳能电池的转换效率。
在其他实施例中，刻蚀的深度小于等于离子富集层的厚度，如此，有利于在减弱第二场钝化膜的吸光能力的同时，保证第二场钝化膜远离基底的表面的表面掺杂浓度与第一场钝化膜远离基底的表面的表面掺杂浓度相近或相同，即保证基底与第二场钝化膜远离基底的表面之间具有较高的势垒，从而保持第二场钝化膜的场钝化效果，使得基底表面的任意位置对于载流子都具有较强的选择性传输能力。
步骤103：参考图7，去除掩膜层225(参考图6)，形成第二钝化膜227和第二电极228。
本实施例中，在对第二区域20b的离子富集层224进行刻蚀之后，采用浓度为0.1～10％的碱性溶液清洗半成品电池以去除掩膜层225，从而暴露出顶面图案为指栅线式的离子富集层224；沉积第二钝化膜227和进行丝网印刷工艺形成第二电极228，第二钝化膜227中包含有氢离子，在高温处理过程中，扩散的氢离子会对基底20表面缺陷、体内缺陷以及与隧穿层221之间的界面缺陷进行钝化。其中，碱性溶液包括氢氧化钾。
本实施例中，与第二电极接触的第一区域的场钝化层具有较高的电导率，有利于保证多数载流子的有效传输，提高太阳能电池的短路电流；而不与第二电极接触的第二区域的场钝化层的具有较弱的吸光能力，有利于降低场钝化层的整体吸光程度，从而提高太阳能电池的转换效率。
相应地，本发明实施例还提供一种太阳能电池，可采用上述太阳能电池的制作方法制成。
参考图7，太阳能电池包括：基底20，基底20包括第一区域20a和第二区域20b；位于基底20上表面的发射极211；在基底20下表面依次层叠的隧穿层221、场钝化层226、第二钝化膜227以及第二电极228，第一区域20a的场钝化层226与第二电极228接触，第一区域20a的场钝化层226的电导率大于第二区域20b的场钝化层226的电导率，第二区域20b的场钝化层226的吸光能力弱于第一区域20a的场钝化层226的吸光能力。
具体地，本实施例中，第一区域20a的场钝化层226的材料与第二区域20b的场钝化层226的材料相同，在垂直于基底20表面的方向上，第二区域20b的场钝化层226的厚度小于第一区域20a的场钝化层226的厚度。
其中，在基底20朝向场钝化层226的方向上，第一区域20a的场钝化层226的顶面齐平于第二区域20b的场钝化层226的顶面；此外，第二区域20b的场钝化层226与第一区域20a的场钝化层226的厚度差为50nm～80nm，例如为60nm、65nm或70nm。
在其他实施例中，参考图8，第一区域30a的场钝化层322的材料与第二区域30b的场钝化层322的材料不同。具体地，第二区域30b的场钝化层322的材料的吸光系数小于第一区域30a的场钝化层322的材料的吸光系数。
举例来说，第一区域30a的场钝化层322的材料为多晶硅，第二区域30b的场钝化层322的材料为非晶硅。由于在太阳能电池背面采用钝化接触结构，太阳光抵达背面后主要为长波段光谱，用在长波段上吸收系数较低的非晶硅作为第二区域30b的场钝化层322的材料，可以减少长波段光谱的吸收，提高太阳能电池的转换速率。
本实施例中，在基底20朝向场钝化层226的方向上，第二区域20b的场钝化层226的顶面的表面掺杂浓度低于第一区域20a的场钝化层226的顶面的掺杂浓度。具体地，第一区域20a的场钝化层226具有第一顶面，第二区域20b的场钝化层226具有第二顶面，第一顶面和第二顶面的表面掺杂浓度差为0.5E+20/cm3～1.5E+20/cm3，例如为0.75E+20/cm3、1E+20/cm3或1.25E+20/cm3。
本实施例中，在远离基底20的方向上，第一区域20a的场钝化层226包括依次层叠的离子富集层224和离子扩散层223，离子富集层224的掺杂浓度大于离子扩散层223的掺杂浓度；在基底20朝向场钝化层226的方向上，第二区域20b的场钝化层226的顶面低于第一区域20a的场钝化层226的顶面，且第二区域20b的场钝化层226与第一区域20a的场钝化层226的厚度差大于离子富集层224的厚度。
本实施例中，与第二电极接触的第一区域的场钝化层具有较高的电导率，有利于保证多数载流子的有效传输，提高太阳能电池的短路电流；而不与第二电极接触的第二区域的场钝化层的具有较弱的吸光能力，有利于降低场钝化层的整体吸光能力，从而提高太阳能电池的转换效率。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (9)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一区域和第二区域；
位于所述基底上表面的发射极；
在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力；
在远离所述基底的方向上，所述第一区域的场钝化层包括依次层叠的离子扩散层和离子富集层，所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度；
在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第二区域的场钝化层的顶面低于所述第一区域的场钝化层的顶面，且所述第二区域的场钝化层和所述第一区域的场钝化层的厚度差大于所述离子富集层的厚度；
至少部分所述第二区域的所述场钝化层的掺杂浓度与所述第一区域的所述场钝化层的掺杂浓度相等。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区域的场钝化层的材料与所述第二区域的场钝化层的材料相同，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第二区域的场钝化层的厚度小于所述第一区域的场钝化层的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第二区域的场钝化层的顶面的表面掺杂浓度低于所述第一区域的场钝化层的顶面的表面掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区域的场钝化层具有第一顶面，所述第二区域的场钝化层具有第二顶面，所述第一顶面与所述第二顶面的表面掺杂浓度差为0.5E+20/cm3～1.5E+20/cm3。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区域的场钝化层和所述第一区域的场钝化层的厚度差为50nm～80nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区域的场钝化层的材料与所述第二区域的场钝化层的材料不同。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区域的场钝化层的材料的吸光系数小于所述第一区域的场钝化层的材料的吸光系数。
8.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；
在所述基底上表面形成发射极；
在所述基底下表面形成依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力；
形成所述场钝化层的工艺步骤包括：形成位于所述基底上的场钝化膜，所述场钝化膜包括离子富集层和离子扩散层，所述离子富集层位于所述场钝化膜顶部，所述离子扩散层位于所述离子富集层与所述基底之间，所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度；对所述第二区域的场钝化膜进行刻蚀，包括：以使所述第二区域的场钝化膜与所述第一区域的场钝化膜的厚度差大于所述离子富集层的厚度，剩余的所述场钝化膜作为所述场钝化层；
至少部分所述第二区域的所述场钝化层的掺杂浓度与所述第一区域的所述场钝化层的掺杂浓度相等。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成所述场钝化层的工艺步骤包括：形成具有图案化开口的掩膜层，所述图案化开口暴露所述第二区域的场钝化膜表面；对所述第二区域的场钝化膜进行刻蚀，以使所述第二区域的场钝化膜的顶面低于所述第一区域的场钝化摸的顶面，剩余的所述场钝化膜作为场钝化层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011165606.2A CN112349798B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 太阳能电池及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011165606.2A CN112349798B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 太阳能电池及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112349798A CN112349798A (zh) | 2021-02-09 |
| CN112349798B true CN112349798B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=74359136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011165606.2A Active CN112349798B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 太阳能电池及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112349798B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274867B (zh) * | 2021-04-29 | 2024-01-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏电池与光伏组件 |
| CN116722055A (zh) * | 2022-06-27 | 2023-09-08 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及光伏组件 |
| CN115172515B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-11-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
| CN115881835B (zh) * | 2023-02-08 | 2024-05-14 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN115985981B (zh) * | 2023-02-22 | 2023-06-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180103038A (ko) * | 2018-09-12 | 2018-09-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| CN109494261A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-19 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 硅基太阳能电池及制备方法、光伏组件 |
| CN110233179A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110838528A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-25 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 一种后掺杂式n型接触钝化电池 |
| CN210897294U (zh) * | 2019-10-29 | 2020-06-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池 |
-
2020
- 2020-10-27 CN CN202011165606.2A patent/CN112349798B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180103038A (ko) * | 2018-09-12 | 2018-09-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| CN109494261A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-19 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 硅基太阳能电池及制备方法、光伏组件 |
| CN110233179A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110838528A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-25 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 一种后掺杂式n型接触钝化电池 |
| CN210897294U (zh) * | 2019-10-29 | 2020-06-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112349798A (zh) | 2021-02-09 |
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| PB01 | Publication | ||
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|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |