CN117457759B - 双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 - Google Patents
双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117457759B CN117457759B CN202311780305.4A CN202311780305A CN117457759B CN 117457759 B CN117457759 B CN 117457759B CN 202311780305 A CN202311780305 A CN 202311780305A CN 117457759 B CN117457759 B CN 117457759B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- doped layer
- solar cell
- line electrode
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 81
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 106
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 32
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 24
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 silver aluminum Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统，在双面太阳能电池片中，在第一掺杂层的第一电极设置区域上沿第一预定方向间隔设置有若干第一阻挡层。在第一遮挡区域处，第一栅线电极贯穿第一钝化膜层与第一阻挡层接触且未与第一掺杂层接触，在第一非遮挡区域处，第一栅线电极贯穿第一钝化膜层与第一掺杂层接触。如此，在采用烧穿型浆料制作第一栅线电极的过程中，第一栅线电极只会在第一非遮挡区域处烧穿第一钝化膜层与第一掺杂层实现接触，这样可以实现烧穿型浆料的选择性烧穿，可以减少第一栅线电极与第一掺杂层的金属化接触面积，降低金属化区域的复合，从而提升双面太阳能电池片的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统。
背景技术
太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。目前，在双面太阳能电池片（例如Topcon太阳能电池片）中，在硅片的正面形成有掺杂层，在背面则形成另一极性的掺杂层，同时，在正面和背面均设有钝化膜层和副栅。
在相关技术中，副栅可采用非烧穿型浆料或者烧穿型浆料来进行制作，而采用非烧穿型浆料时需要在钝化膜层上进行打孔，其工艺复杂且容易产生激光损伤，为了避免这一问题，通常采用烧穿型浆料来制作副栅，在印刷浆料形成电极的过程中，副栅浆料烧穿钝化膜层与下方的掺杂层直接接触。
然而，在副栅位置处，烧穿型浆料通常都是全部将钝化膜层进行烧穿与下方的掺杂层全部接触，也即，副栅与掺杂层全部接触，而无法选择性地对钝化膜层进行烧穿，这样就会导致副栅与掺杂层的接触面积过大，导致金属化区域的复合较为严重，从而导致转换效率降低。
发明内容
本发明提供一种双面太阳能电池片、电池串、电池组件和光伏系统，旨在解决现有双面太阳能电池片的金属化区域的复合较为严重，从而导致转换效率降低的技术问题。
本发明是这样实现的，本发明实施例的双面太阳能电池片包括：
硅衬底，所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面；
位于所述第一表面上的第一掺杂层，所述第一掺杂层具有若干第一电极设置区域；
位于所述第一电极设置区域上的若干第一阻挡层，若干所述第一阻挡层沿第一预定方向间隔排列设置，以使所述第一电极设置区域包括被所述第一阻挡层遮挡的第一遮挡区域和未被所述第一阻挡层遮挡的第一非遮挡区域；
第一钝化膜层，所述第一钝化膜层覆盖所述第一阻挡层以及所述第一掺杂层；
沿所述第一预定方向延伸设置的第一栅线电极，所述第一栅线电极设置在所述第一电极设置区域且位于所述第一掺杂层和所述第一阻挡层上方，所述第一栅线电极由烧穿型浆料制成；
其中，在所述第一遮挡区域处，所述第一栅线电极贯穿所述第一钝化膜层与所述第一阻挡层接触且未与所述第一掺杂层接触，在所述第一非遮挡区域处，所述第一栅线电极贯穿所述第一钝化膜层与所述第一掺杂层接触。
更进一步地，所述第一掺杂层与所述第一表面之间设有第一隧穿层。
更进一步地，所述第一掺杂层与所述第一阻挡层之间具有介电层，所述第一阻挡层层叠设置在所述介电层上且位于所述介电层和所述第一钝化膜层之间，所述第一阻挡层与所述第一掺杂层通过所述介电层绝缘隔离。
更进一步地，所述介电层包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层中的至少一种或者多种的组合。
更进一步地，所述第一阻挡层包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层、硼磷硅玻璃膜层和第三掺杂层中的至少一种，其中，所述第三掺杂层与所述第一掺杂层的极性相反。
更进一步地，所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述第一阻挡层为N型掺杂层。
更进一步地，所述第一栅线电极与所述第一阻挡层之间的结合拉力大于所述第一栅线电极与所述第一掺杂层之间的结合拉力。
更进一步地，所述第一阻挡层与所述第一钝化膜层的结合拉力大于所述第一掺杂层与所述第一钝化膜层之间的结合拉力。
更进一步地，所述双面太阳能电池片还包括与所述第一栅线电极连接的焊点，所述焊点设置在所述第一钝化膜层上且至少部分位于所述第一阻挡层上方。
更进一步地，所述焊点至少部分烧穿所述第一钝化膜层与所述第一阻挡层接触，所述焊点与所述第一阻挡层之间的结合拉力大于所述焊点与所述第一掺杂层之间的结合拉力。
更进一步地，所述第一阻挡层在所述硅衬底上的投影面积大于或者等于所述焊点在所述硅衬底上的投影面积，所述焊点完全位于所述第一阻挡层的投影区域内。
更进一步地，在所述第一预定方向上，所述第一栅线电极与所述第一掺杂层接触的长度与所述第一栅线电极的总长度之间的比值为30%-80%。
更进一步地，在所述第一预定方向上，所述第一栅线电极与所述第一掺杂层接触的长度与所述第一栅线电极的总长度之间的比值为40%-60%。
更进一步地，所述第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第一掺杂层设置在所述第一区域上且未覆盖所述第二区域，至少一个所述第一区域上的所述第一掺杂层上方具有若干所述第一阻挡层。
更进一步地，所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8%。
更进一步地，所述双面太阳能电池片还包括：
位于所述第二表面上的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的极性相反，所述第二掺杂层具有若干第二电极设置区域；
第二钝化膜层，所述第二钝化膜层设置在所述第二掺杂层上；和
第二栅线电极，所述第二栅线电极设置在所述第二电极设置区域且位于所述第二掺杂层上，所述第二栅线电极至少部分烧穿所述第二钝化膜层与所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述双面太阳能电池片还包括位于所述第二电极设置区域上的若干第二阻挡层，若干所述第二阻挡层层叠设置在所述第二掺杂层上且沿第二预定方向间隔设置，以使所述第二电极设置区域包括被所述第二阻挡层遮挡的第二遮挡区域和未被所述第二阻挡层遮挡的第二非遮挡区域；
其中，所述第二栅线电极沿所述第二预定方向延伸设置且位于所述第二掺杂层和所述第二阻挡层上方，在所述第二遮挡区域处，所述第二栅线电极贯穿所述第二钝化膜层与所述第二阻挡层接触且未与所述第二掺杂层接触，在所述第二非遮挡区域处，所述第二栅线电极贯穿所述第二钝化膜层与所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述第二掺杂层为硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层。
更进一步地，所述第二掺杂层与所述第二表面之间设有第二隧穿层。
更进一步地，所述第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域，所述第二掺杂层设置在所述第三区域上且未覆盖所述第四区域。
更进一步地，所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30%且小于100%。
本发明还提供一种电池组件，所述电池组件包括若干上述的双面太阳能电池片。
本发明还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。
在本发明实施例中的双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统中，在第一掺杂层的第一电极设置区域上沿第一预定方向间隔设置有若干第一阻挡层。第一栅线电极也沿第一预定方向设置在第一电极设置区域上，在第一遮挡区域处，第一栅线电极贯穿第一钝化膜层与第一阻挡层接触且未与第一掺杂层接触，在第一非遮挡区域处，第一栅线电极贯穿第一钝化膜层与第一掺杂层接触。如此，在采用烧穿型浆料制作第一栅线电极的过程中，第一栅线电极只会在第一非遮挡区域处烧穿第一钝化膜层与第一掺杂层实现接触，而在第一遮挡区域处则只会烧穿第一钝化膜层与第一阻挡层接触而不会有第一掺杂层直接接触，这样可以实现烧穿型浆料的选择性烧穿，可以减少第一栅线电极与第一掺杂层的金属化接触面积，降低金属化区域的复合，从而提升双面太阳能电池片的转换效率。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是本发明实施例提供的光伏系统的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的双面太阳能电池片的平面结构示意图；
图3是图2中的双面太阳能电池片沿线III-III的剖面示意图；
图4是图2中的双面太阳能电池片沿线IV-IV的剖面示意图；
图5是图2中的双面太阳能电池片沿线III-III的另一剖面示意图；
图6是图2中的双面太阳能电池片沿线III-III的又一剖面示意图；
图7是图2中的双面太阳能电池片沿线IV-IV的另一剖面示意图；
图8是图2中的双面太阳能电池片沿线III-III的再一剖面示意图；
图9是图2中的双面太阳能电池片沿线III-III的再一剖面示意图；
图10是图2中的双面太阳能电池片沿线IV-IV的再一剖面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。需要说明的是，下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。
实施例一
请参阅图1，本发明实施例中的光伏系统1000可包括本发明实施例中的电池组件200，本发明实施例中的电池组件200可包括若干本发明实施例中的双面太阳能电池片100。
具体地，在本发明中，电池组件200中的多个双面太阳能电池片100可通过焊带依次串接在一起从而实现形成电池串。电池组件200中的各个电池串可串联、并联、或者串并联组合后实现电流的汇流输出，例如，可通过汇流条来实现各个电池串之间的连接。
请参阅图2-图4，本发明实施例中的双面太阳能电池片100可包括硅衬底10、第一掺杂层20、若干第一阻挡层30、第一钝化膜层40和第一栅线电极50。
如图3所示，硅衬底10具有相对的第一表面11和第二表面12，两者分别为硅衬底10的正面和背面，具体在此不作限制。第一掺杂层20位于第一表面11上，第一掺杂层20具有若干第一电极设置区域21，若干第一阻挡层30位于第一电极设置区域21上且沿第一预定方向间隔排列设置，以使第一电极设置区域21包括被第一阻挡层30遮挡的第一遮挡区域212和未被第一阻挡层30遮挡的第一非遮挡区域211。
第一钝化膜层40覆盖第一阻挡层30以及第一掺杂层20，第一栅线电极50沿第一预定方向延伸设置，第一栅线电极50设置在第一电极设置区域21且位于第一掺杂层20和第一阻挡层30上方，第一栅线电极50由烧穿型浆料制成；
其中，如图3所示，在第一遮挡区域212处，第一栅线电极50贯穿第一钝化膜层40与第一阻挡层30接触且未与第一掺杂层20接触，在第一非遮挡区域211处，第一栅线电极50贯穿第一钝化膜层40与第一掺杂层20接触（需要说明的是，由于图3是沿第一栅线电极50的延伸方向的剖面图，在此位置处，第一钝化膜层40基本被全部消融，因此，图3中未示出第一钝化膜层40）。
在本发明实施例中的双面太阳能电池片100、电池组件200和光伏系统1000中，在第一掺杂层20的第一电极设置区域21上沿第一预定方向间隔设置有若干第一阻挡层30。第一栅线电极50也沿第一预定方向设置在第一电极设置区域21上，在第一遮挡区域212处，第一栅线电极50贯穿第一钝化膜层40与第一阻挡层30接触且未与第一掺杂层20接触，在第一非遮挡区域211处，第一栅线电极50贯穿第一钝化膜层40与第一掺杂层20接触。
如此，在采用烧穿型浆料制作第一栅线电极50的过程中，第一栅线电极50只会在第一非遮挡区域211处烧穿第一钝化膜层40与第一掺杂层20实现接触，而在第一遮挡区域212处则只会烧穿第一钝化膜层40与第一阻挡层30接触而不会有第一掺杂层20直接接触，这样可以实现烧穿型浆料的选择性烧穿，可以减少第一栅线电极50与第一掺杂层20的金属化接触面积，降低金属化区域的复合，从而提升双面太阳能电池片100的转换效率。
具体地，在本发明的实施例中，双面太阳能电池片100可为PERC太阳能电池片，也可为Topcon太阳能电池片，具体在此不作限制，其可优选为Topcon太阳能电池片。在其为Topcon太阳能电池片时，其可为单面Topcon太阳能电池片也可为双面Topcon太阳能电池片，具体在此不作限制。
在本发明中，第一表面11和第二表面12可分别为硅衬底10的正面和背面，硅衬底10可为P型硅衬底，也可为N型硅衬底，第一掺杂层20可为P型掺杂层也可为N型掺杂层，第一掺杂层20可以是通过沉积的方式形成在硅片的第一表面11上，当然，在一些实施例中，第一掺杂层20也可以是通过扩散的方式形成在硅衬底10上，具体在此不作限制，在这样的情况下，通过扩散形成的第一掺杂层20下方的衬底部分则可视为硅衬底10。
需要说明的是，在本发明中，烧穿型浆料所指的是具有较强的烧穿能力的金属浆料，其可为银浆，也可为银铝浆等浆料，其能够完全烧穿第一钝化膜层40以使第一栅线电极50可以与第一钝化膜层40下方的掺杂层实现接触。例如，在一个可能的实施例中，烧穿型浆料的玻璃粉含量可高于传统浆料，从而使其具有更强的烧穿能力。
在本发明中，第一电极设置区域21为第一掺杂层20上被第一栅线电极50覆盖的区域，第一预定方向为第一栅线电极50的延伸方向，在第一栅线电极50是沿电池片的横向方向设置时，第一预定方向为横向方向，在第一栅线电极50是沿电池片的纵向方向设置时，第一预定方向则为纵向方向，第一栅线电极50的设置方向可根据实际具体情况进行选择，在此不作限制。
实施例二
请参阅图5，在一些实施例中，双面太阳能电池片100还可包括第二掺杂层80、第二钝化膜层90和第二栅线电极110，第二栅线电极110位于第二表面12上，第二掺杂层80与第一掺杂层20的极性相反，第二掺杂层80具有若干第二电极设置区域81，第二钝化膜层90设置在第二掺杂层80上。第二栅线电极110设置在第二电极设置区域81且位于第二钝化膜层90上方，第二栅线电极110至少部分烧穿第二钝化膜层90与第二掺杂层80接触。
具体地，在这样的实施例中，双面太阳能电池片100为Topcon太阳能电池片，第一掺杂层20和第二掺杂层80的其中一个为P型掺杂层，另外一个为N型掺杂层，第一栅线电极50和第二栅线电极110的其中一个为P型电极，另外一个为N型电极。
进一步地，在一些实施例中，第一阻挡层30可为与第一掺杂层20极性相反且与第二掺杂层80极性相同的第三掺杂层。
在一些实施例中，第一掺杂层20可通过扩散或者沉积的方式形成在第一表面11上，第二掺杂层80也可通过扩散或者沉积的方式形成在第二表面12上，第一阻挡层30可为在形成第二掺杂层80的过程中在第一掺杂层20上所形成的绕镀层通过局部去除的方式形成。
下面，对第二掺杂层80的两种形成方式的具体情况进行详细介绍：
第一种情况：第二掺杂层80通过沉积的方式形成，在这样的情况下，在第一表面11形成了第一掺杂层20之后，在沉积第二掺杂层80的过程中，会在第一掺杂层20上形成具有掺杂性质的绕镀层，在传统的技术方案中，在后续工艺过程中，需要将绕镀层全部进行去除，而在本发明中，可只对该绕镀层进行局部的去除，也即，保留第一遮挡区域212处的绕镀层，从而形成本发明中的第一阻挡层30，在这样的情况下，第一阻挡层30包括与第二掺杂层80极性相同的第三掺杂层。可以理解，在第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层80为N型掺杂层时，第一阻挡层30为N型掺杂层，在第一掺杂层20为N型掺杂层，第二掺杂层80为P型掺杂层时，第一阻挡层30为P型掺杂层。
第二种情况：第二掺杂层80通过在第二表面12上进行扩散形成，在这样的情况下，在第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层80为N型掺杂层时，第二掺杂层80可通过在第二表面12上进行磷扩散形成。
在形成第一掺杂层20的过程中，第一掺杂层20的表面会形成硼硅玻璃膜层，在扩散形成第二掺杂层80时，若第一掺杂层20上的硼硅玻璃膜层不进行去除处理，那么，在第一掺杂层20上会形成硼磷硅玻璃膜层或者硼硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层，在这样的情况下，只需要去除第一掺杂层20上局部区域的硼磷硅玻璃膜层或者硼硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层即可在第一遮挡区域212上形成第一阻挡层30，也即，第一阻挡层30为硼磷硅玻璃膜层或者硼硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层。
而若在扩散形成第二掺杂层80之前对第一掺杂层20上的硼硅玻璃膜层进行了去除，那么，在第一掺杂层20上会形成磷硅玻璃膜层，在这样的情况下，只需要去除第一掺杂层20上局部区域的磷硅玻璃膜层即可在第一遮挡区域212上形成第一阻挡层30，也即，第一阻挡层30为磷硅玻璃膜层。
同理，在第一掺杂层20为N型掺杂层，第二掺杂层80为P型掺杂层时，第二掺杂层80可通过在第二表面12上进行硼扩散形成。
在形成第一掺杂层20的过程中，第一掺杂层20的表面会形成磷硅玻璃膜层，在扩散形成第二掺杂层80的过程中，若第一掺杂层20上的磷硅玻璃膜层不进行去除处理，那么，在第一掺杂层20上会形成硼磷硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层，在这样的情况下，只需要去除第一掺杂层20上局部区域的硼磷硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层即可在第一遮挡区域212上形成第一阻挡层30，也即，第一阻挡层30为硼磷硅玻璃膜层或者硼硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层的组合层。
而若在在扩散形成第二掺杂层80之前对第一掺杂层20上的磷硅玻璃膜层进行了去除，那么，在第一掺杂层20上会形成硼硅玻璃膜层，在这样的情况下，只需要去除第一掺杂层20上局部区域的硼硅玻璃膜层即可在第一遮挡区域212上形成第一阻挡层30，也即，第一阻挡层30为硼硅玻璃膜层。
实施例四
在一些实施例中，双面太阳能电池片100也可为PERC太阳能电池片，第一掺杂层20可通过扩散或者沉积的方式形成在硅衬底10上，在这样的情况下，第一阻挡层30可为磷硅玻璃膜层或者硼硅玻璃膜层，例如，在第一掺杂层20为采用硼扩散形成时，第一阻挡层30可为硼硅玻璃膜层，在第一掺杂层20为磷扩散形成时，第一阻挡层30则可为磷硅玻璃膜层。
不难理解，在通常情况下，在扩散形成第一掺杂层20的过程中会在第一掺杂层20上形成硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层，在扩散完成后，通常会将硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层进行去除。在本发明中，第一阻挡层30可以是在去除硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层进行去除的过程中，保留第一遮挡区域212处的硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层从而形成第一阻挡层30。
由上文可知，在本发明中，基于双面太阳能电池片100的类型以及基于第二掺杂层80的不同形成工艺，第一阻挡层30可为不同的膜层，也即是说，在本发明中，第一阻挡层30可包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层、硼磷硅玻璃膜层和与第一掺杂层20极性相反且与第二掺杂层80极性相同的第三掺杂层中的至少一种。
实施例五
请参阅图6和图7，在一些实施例中，双面太阳能电池片100还可包括位于第二电极设置区域81上的若干第二阻挡层120，若干第二阻挡层120层叠设置在第二掺杂层80上且沿第二预定方向间隔设置，以使第二电极设置区域81包括被第二阻挡层120遮挡的第二遮挡区域812和未被第二阻挡层120遮挡的第二遮挡区域811；在本实施例中，第二预定方向可与第一预定方向相同。
其中，第二栅线电极110也沿第二预定方向延伸设置且位于第二掺杂层80和第二阻挡层120上方，在第二遮挡区域812处，第二栅线电极110贯穿第二钝化膜层90与第二阻挡层120接触且未与第二掺杂层80接触，在第二遮挡区域811处，第二栅线电极110贯穿第二钝化膜层90与第二掺杂层80接触。
如此，通过第二阻挡层120设置，在制作第二栅线电极110的过程中，第二栅线电极110只会在第二遮挡区域811处烧穿第二钝化膜层90与第二掺杂层80实现接触，而在第二遮挡区域812处则只会烧穿第二钝化膜层90与第二阻挡层120接触而不会有第二掺杂层80直接接触，这样可以实现烧穿型浆料的选择性烧穿，可以减少第二栅线电极110与第二掺杂层80的金属化接触面积，降低金属化区域的复合，进一步从而提升双面太阳能电池片100的转换效率。在这样的实施例中，双面太阳能电池片100可为双面Topcon太阳能电池片，具体在此不作限制。
具体地，在这样的实施例中，第二掺杂层80可通过沉积或者扩散的方式形成，在第二掺杂层80为N型掺杂层时，在形成第二掺杂层80的过程中，会在第二掺杂层80上形成磷硅玻璃膜层，在后续去除过程中，将第二掺杂层80的第二遮挡区域812处的磷硅玻璃膜层保留从而形成第二阻挡层120，也即，第二阻挡层120为磷硅玻璃膜层。
在第二掺杂层80为P型掺杂层时，在形成第二掺杂层80的过程中，会在第二掺杂层80上形成硼硅玻璃膜层，在后续去除过程中，将第二掺杂层80的第二遮挡区域812处的硼硅玻璃膜层保留从而形成第二阻挡层120，也即，第二阻挡层120为硼硅玻璃膜层。
实施例六
请参阅图8，在一些实施例中，第一掺杂层20与第一表面11之间设有第一隧穿层60。
如此，第一隧穿层60设置可以实现对第一表面11的隧穿钝化功能，提升第一表面11的钝化效果。
在一些实施例中，第二掺杂层80与第二表面12之间可设有第二隧穿层130，这样，第二隧穿层130设置可以实现对第二表面12的隧穿钝化功能，提升第二表面12的钝化效果。
具体地，在这样的实施例中，在双面太阳能电池片100只具有第一隧穿层60时，双面太阳能电池片100为单面Topcon太阳能电池片，在双面太阳能电池片100同时具有第一隧穿层60和第二隧穿层130时，双面太阳能电池片100为为双面Topcon太阳能电池片，具体在此不作限制。第一隧穿层60和第二隧穿层130均可为隧穿氧化硅膜层。
实施例七
请参阅图9，在一些实施例中，第一掺杂层20与第一阻挡层30之间具有介电层70，第一阻挡层30层叠设置在介电层70上且位于介电层70和第一钝化膜层40之间，第一阻挡层30与第一掺杂层20通过介电层70绝缘隔离。
如此，介电层70的设置可以将第一阻挡层30与第一掺杂层20绝缘隔离，可以避免在第一阻挡层30为与第一掺杂层20极性相反的掺杂层（即上文中的第三掺杂层）时导致漏电。
进一步地，在这样的实施例中，介电层70可包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层中的至少一种或者多种的组合。
具体地，在这样的实施例中，双面太阳能电池片100可为上文中所提及的具有第二掺杂层80的Topcon太阳能电池片，第一阻挡层30即为上述实施例中的与第二掺杂层80极性相同的第三掺杂层，基于形成第二掺杂层80的不同工艺，介电层70即为上文中所述的硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层或者硼磷硅玻璃膜层中的至少一种。
例如，在第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层80为N型掺杂层时，在形成第一掺杂层20时，第一掺杂层20上方会形成硼硅玻璃膜层，在该硼硅玻璃膜层未被去除且第二掺杂层80通过沉积的方式形成时，会在第一掺杂层20上方会依次具有硼硅玻璃膜层、硼磷硅玻璃膜层（两者即为介电层70）和第一阻挡层30（即N型掺杂层），而在第一掺杂层20上的硼硅玻璃膜层经过去除时，在第一掺杂层20上方会具有磷硅玻璃膜层（即介电层70）以及第一阻挡层30（即N型掺杂层）。此外，在第二掺杂层80是采用扩散的方式形成时，在第一掺杂层20上方会依次具有硼硅玻璃膜层（即介电层70）和硼磷硅玻璃膜层（即第一阻挡30）。
在第一掺杂层20为N型掺杂层，第二掺杂层80为P型掺杂层时，在形成第一掺杂层20时，第一掺杂层20上方会形成磷硅玻璃膜层，在该磷硅玻璃膜层未被去除且第二掺杂层80通过沉积的方式形成时，会在第一掺杂层20上方会依次具有磷硅玻璃膜层、硼磷硅玻璃膜层（两者即为介电层70）和第一阻挡层30（即P型掺杂层）。此外，在第二掺杂层80是采用扩散的方式形成时，在第一掺杂层20上方会依次具有磷硅玻璃膜层（即介电层70）和硼磷硅玻璃膜层（即第一阻挡层30）。
实施例八
在一些实施例中，第一掺杂层20为P型掺杂层，第一阻挡层30和第二掺杂层80均为N型掺杂层。
如此，在P型掺杂层上的第一阻挡层30为N型掺杂层，通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，钝化膜层与N型掺杂层的结合拉力要大于钝化膜层与P型掺杂层之间的结合拉力，在后续设置焊点的时候可有效地提高焊点在焊接时的焊接拉力，进而有效地避免焊点在焊接时出现脱离，提高焊接的可靠性。
具体地，在这样的实施例中，双面太阳能电池片100为Topcon太阳能电池片，第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层80为N型掺杂层，第一阻挡层30为在形成N型掺杂层时在第一掺杂层20上形成的绕镀层经过局部去除后的N型掺杂层。
实施例九
在一些实施例中，第一栅线电极50与第一阻挡层30之间的结合拉力大于第一栅线电极50与第一掺杂层20之间的结合拉力。
如此，通过第一阻挡层30的设置可以提高第一栅线电极50的稳定性，可有效地避免第一栅线电极50出现偏移和脱落。
实施例十
在一些实施例中，第一阻挡层30与第一钝化膜层40的结合拉力大于第一掺杂层20与第一钝化膜层40之间的结合拉力。
如此，第一阻挡层30与第一钝化膜层40的结合拉力较大，可以有效地提高设置在第一钝化膜层40上的焊点的拉力，避免焊接时出现焊点脱落。
具体地，在这样的实施例中，第一掺杂层20为P型掺杂层，第一阻挡层30为N型阻挡层，N型掺杂层与第一钝化膜层40之间的结合拉力要大于P型掺杂层与第一钝化膜层40之间的拉力。
进一步地，在这样的实施例中，在一些实施例中，双面太阳能电池片100还包括与第一栅线电极50连接的焊点（图未示出），焊点设置在第一钝化膜层40上且至少部分位于第一阻挡层30上方。
如此，将焊点至少部分设置在第一阻挡层30上方可以提高焊点在焊接时的焊接拉力。
再进一步地，在一些实施例中，焊点至少部分烧穿第一钝化膜层40与第一阻挡层30接触，焊点与第一阻挡层30之间的结合拉力大于焊点与第一掺杂层20之间的结合拉力。
如此，焊点与第一阻挡层30之间的结合拉力较大，也可以有效地提高焊点在焊接时的焊接拉力。
具体地，在这样的实施例中，焊点可为P型焊点，形成焊点的浆料可与形成第一栅线电极50的浆料相同也可以不同，具体在此不作限制。
实施例十一
在一些实施例中，第一阻挡层30在硅衬底10上的投影面积大于或者等于焊点在硅衬底10上的投影面积，焊点完全位于第一阻挡层30的投影区域内。
如此，焊点完全位于第一阻挡层30所在的区域内，焊点的整个下方均具有第一阻挡层30，这样可以最大程度地提高焊点处的焊接拉力，从而保证焊接的可靠性。
具体地，在这样的实施例中，第一阻挡层30的面积可优选为刚好等于焊点的投影面积或者略大于焊点的投影面积，具体在此不作限制。
实施例十二
请参阅图1，在一些实施例中，在第一预定方向上，第一栅线电极50与第一掺杂层20接触的长度与第一栅线电极50的总长度之间的比值为30%-80%。
如此，将第一栅线电极50与第一掺杂层20的接触长度设置在上述这一比值范围内，可以在有效地降低金属化接触面积以降低复合同时避免接触面积过小而导致电阻过大，也即，可平衡复合以及电阻之间的关系以提高双面太阳能电池片100的效率。
具体地，在这样的实施例中，第一栅线电极50与第一掺杂层20接触的长度与第一栅线电极50的总长度之间的比值可例如为30%、40%、50%、60%、70%、80%或者为30%-80%之间的任一数值。
进一步地，在这样的实施例中，经过本发明的发明人经过仔细的研究和衍生发现，为了最大程度的平衡金属化复合和电阻的同时尽可能地提高双面太阳能电池片100的转换效率，第一栅线电极50与第一掺杂层20接触的长度与第一栅线电极50的总长度之间的比值可优选在40%-60%范围内，例如40%、45%、50%、55%、60%以及40%-60%之间的任一数值。
实施例十三
请参阅图10，在一些实施例中，第一表面11具有若干依次交替设置的第一区域111和第二区域112，第一掺杂层20设置在第一区域111上且未覆盖第二区域112，至少一个第一区域111上的第一掺杂层20上方具有若干第一阻挡层30。
如此，第一掺杂层20仅覆盖第一表面11的第一区域111且未覆盖第二区域112，硅衬底10的第一表面11未被第一掺杂层20全部覆盖，可以有效地减少第一掺杂层20对光线的寄生吸收，提高转换效率。
进一步地，在一些实施例中，硅衬底10可优选为P型硅衬底10，第一表面11为向光面，第二表面12为背光面，第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层80为N型掺杂层。
如此，一方面，采用P型硅衬底10，P型硅衬底10的制备技术相较于N型衬底更为成熟；另一方面，在P型硅衬底10的向光面上采用仅覆盖第一区域111的P型掺杂层，由于P型掺杂层对P型硅衬底10的钝化效果较差，因此，只在第一区域111上设置P型掺杂层进行局域钝化，第二区域112则采用第一钝化膜层40直接钝化，钝化性能较好，可以提升第一表面11的钝化效果，从而提升太阳能电池片的电性能，进而提升效率。
在一些实施例中，第二掺杂层80的厚度小于第一掺杂层20的厚度。
如此，在硅衬底10为P型硅衬底10，第一掺杂层20为P型掺杂层时，将第一掺杂层20的厚度设置得较厚可以提高第一表面11的钝化效果，进而提升电池片的电性能。
在一些实施例中，第一掺杂层20和第二掺杂层80均可包括掺杂半绝缘多晶硅层。如此，第一掺杂层20和第二掺杂层80的材料均为半绝缘多晶硅，其相较于传统的多晶硅来说具有更少的寄生吸收，也即，采用这样的材料可以降低寄生吸收，提升转换效率。
实施例十四
在一些实施例中，第一区域111与第一表面11的面积之比（也即第一区域111的面积占比）小于8%。
如此，将第一区域111与第一表面11的面积之比设置在小于8%这一范围内可以大大减少第一掺杂层20的面积占比，从而减少第一掺杂层20的寄生吸收，提升效率。
同时，在硅衬底10为P型硅衬底10，第一掺杂层20为P型掺杂层、第一表面11为向光面时，将第一区域111的面积设置的较小，可以增大第二区域112的面积，从而提升第一表面11的钝化效果，也即，可以在减少寄生吸收的同时提升第一表面11的钝化效果，从而提升效率。
进一步地，在这样的实施例中，第一区域111与第一表面11的面积之比优选为小于6%，最优选为小于5%。
实施例十五
请继续参阅图10，在一些实施例中，第二表面12可具有若干依次交替设置的第三区域121和第四区域122，第二掺杂层80设置在第三区域121上且未覆盖第四区域122。
如此，第二掺杂层80仅覆盖第二表面12的第三区域121且未覆盖第四区域122。如此，硅衬底10第二表面12未被第二掺杂层80全部覆盖，可以有效地减少第二掺杂层80对光线的寄生吸收，提高转换效率。
在一些实施例中，第三区域121与第二表面12的面积之比大于或等于30%且小于100%。
如此，在硅衬底10为P型硅衬底10，第二掺杂层80为N型掺杂层、第二表面12为背光面时，将第二表面12的第三区域121的面积设置得较大，可以在减少寄生吸收的情况下也能够保证N型掺杂层的面积占比，平衡钝化接触面积和寄生吸收，从而提高转换效率。
进一步地，在这样的实施例中，第三区域121与第二表面12的面积之比优选大于或等于40%且小于100%，再进一步地，在这样的实施例中，第三区域121与第二表面12的面积之比更优选大于或等于50%且小于100%，最优选为大于或者等于60%且小于100%。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
此外，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (22)
1.一种双面太阳能电池片，其特征在于，包括：
硅衬底，所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面；
位于所述第一表面上的第一掺杂层，所述第一掺杂层具有若干第一电极设置区域；
位于所述第一电极设置区域上的若干第一阻挡层，若干所述第一阻挡层沿第一预定方向间隔排列设置，以使所述第一电极设置区域包括被所述第一阻挡层遮挡的第一遮挡区域和未被所述第一阻挡层遮挡的第一非遮挡区域；
第一钝化膜层，所述第一钝化膜层覆盖所述第一阻挡层以及所述第一掺杂层；
沿所述第一预定方向延伸设置的第一栅线电极，所述第一栅线电极设置在所述第一电极设置区域且位于所述第一掺杂层和所述第一阻挡层上方，所述第一栅线电极由烧穿型浆料制成；
其中，在所述第一遮挡区域处，所述第一栅线电极贯穿所述第一钝化膜层与所述第一阻挡层接触且未与所述第一掺杂层接触，在所述第一非遮挡区域处，所述第一栅线电极贯穿所述第一钝化膜层与所述第一掺杂层接触；
所述第一阻挡层包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层、硼磷硅玻璃膜层和第三掺杂层中的至少一种，其中，所述第三掺杂层与所述第一掺杂层的极性相反。
2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一掺杂层与所述第一表面之间设有第一隧穿层。
3.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一掺杂层与所述第一阻挡层之间具有介电层，所述第一阻挡层层叠设置在所述介电层上且位于所述介电层和所述第一钝化膜层之间，所述第一阻挡层与所述第一掺杂层通过所述介电层绝缘隔离。
4.根据权利要求3所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述介电层包括硼硅玻璃膜层、磷硅玻璃膜层和硼磷硅玻璃膜层中的至少一种或者多种的组合。
5.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述第一阻挡层为N型掺杂层。
6.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一栅线电极与所述第一阻挡层之间的结合拉力大于所述第一栅线电极与所述第一掺杂层之间的结合拉力。
7.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一阻挡层与所述第一钝化膜层的结合拉力大于所述第一掺杂层与所述第一钝化膜层之间的结合拉力。
8.根据权利要求7所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述双面太阳能电池片还包括与所述第一栅线电极连接的焊点，所述焊点设置在所述第一钝化膜层上且至少部分位于所述第一阻挡层上方。
9.根据权利要求8所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述焊点至少部分烧穿所述第一钝化膜层与所述第一阻挡层接触，所述焊点与所述第一阻挡层之间的结合拉力大于所述焊点与所述第一掺杂层之间的结合拉力。
10.根据权利要求8所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一阻挡层在所述硅衬底上的投影面积大于或者等于所述焊点在所述硅衬底上的投影面积，所述焊点完全位于所述第一阻挡层的投影区域内。
11.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，在所述第一预定方向上，所述第一栅线电极与所述第一掺杂层接触的长度与所述第一栅线电极的总长度之间的比值为30%-80%。
12.根据权利要求11所述的双面太阳能电池片，其特征在于，在所述第一预定方向上，所述第一栅线电极与所述第一掺杂层接触的长度与所述第一栅线电极的总长度之间的比值为40%-60%。
13.根据权利要求1所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第一掺杂层设置在所述第一区域上且未覆盖所述第二区域，至少一个所述第一区域上的所述第一掺杂层上方具有若干所述第一阻挡层。
14.根据权利要求13所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8%。
15.根据权利要求1-14任一项所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述双面太阳能电池片还包括：
位于所述第二表面上的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的极性相反，所述第二掺杂层具有若干第二电极设置区域；
第二钝化膜层，所述第二钝化膜层设置在所述第二掺杂层上；和
第二栅线电极，所述第二栅线电极设置在所述第二电极设置区域且位于所述第二掺杂层上，所述第二栅线电极至少部分烧穿所述第二钝化膜层与所述第二掺杂层接触。
16.根据权利要求15所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述双面太阳能电池片还包括位于所述第二电极设置区域上的若干第二阻挡层，若干所述第二阻挡层层叠设置在所述第二掺杂层上且沿第二预定方向间隔设置，以使所述第二电极设置区域包括被所述第二阻挡层遮挡的第二遮挡区域和未被所述第二阻挡层遮挡的第二非遮挡区域；
其中，所述第二栅线电极沿所述第二预定方向延伸设置且位于所述第二掺杂层和所述第二阻挡层上方，在所述第二遮挡区域处，所述第二栅线电极贯穿所述第二钝化膜层与所述第二阻挡层接触且未与所述第二掺杂层接触，在所述第二非遮挡区域处，所述第二栅线电极贯穿所述第二钝化膜层与所述第二掺杂层接触。
17.根据权利要求16所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第二掺杂层为硼硅玻璃膜层或者磷硅玻璃膜层。
18.根据权利要求16所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第二掺杂层与所述第二表面之间设有第二隧穿层。
19.根据权利要求15所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域，所述第二掺杂层设置在所述第三区域上且未覆盖所述第四区域。
20.根据权利要求19所述的双面太阳能电池片，其特征在于，所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30%且小于100%。
21.一种电池组件，其特征在于，包括若干权利要求1-20任一项所述的双面太阳能电池片。
22.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求21所述的电池组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311780305.4A CN117457759B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311780305.4A CN117457759B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117457759A CN117457759A (zh) | 2024-01-26 |
| CN117457759B true CN117457759B (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=89589529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311780305.4A Active CN117457759B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117457759B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150049211A (ko) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| KR20170013160A (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| CN106784167A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-05-31 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种ibc电池的金属化方法及其电池和组件、系统 |
| CN109216491A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN209104161U (zh) * | 2018-09-17 | 2019-07-12 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种选择性钝化接触太阳能电池 |
| CN111540794A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-14 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种p型钝化接触太阳能电池及其制作方法 |
| WO2023010858A1 (zh) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池 |
| CN115939254A (zh) * | 2022-12-09 | 2023-04-07 | 晶科能源股份有限公司 | 太阳能电池的制备方法 |
| WO2023124048A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 异质结太阳电池、其制备方法及发电装置 |
| CN117133814A (zh) * | 2023-07-31 | 2023-11-28 | 天合光能股份有限公司 | 选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106575676B (zh) * | 2014-07-17 | 2019-06-28 | 光城公司 | 具有叉指背接触的太阳能电池 |
-
2023
- 2023-12-22 CN CN202311780305.4A patent/CN117457759B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150049211A (ko) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| KR20170013160A (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| CN106784167A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-05-31 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种ibc电池的金属化方法及其电池和组件、系统 |
| CN209104161U (zh) * | 2018-09-17 | 2019-07-12 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种选择性钝化接触太阳能电池 |
| CN109216491A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN111540794A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-14 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种p型钝化接触太阳能电池及其制作方法 |
| WO2023010858A1 (zh) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池 |
| WO2023124048A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 异质结太阳电池、其制备方法及发电装置 |
| CN115939254A (zh) * | 2022-12-09 | 2023-04-07 | 晶科能源股份有限公司 | 太阳能电池的制备方法 |
| CN117133814A (zh) * | 2023-07-31 | 2023-11-28 | 天合光能股份有限公司 | 选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117457759A (zh) | 2024-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5289625B1 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| EP2854181A1 (en) | Solar cell | |
| KR101699299B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 | |
| EP2816609B1 (en) | Solar cell | |
| CN108987516A (zh) | 网格状双面直连太阳能电池组件及制备方法 | |
| WO2024098968A1 (zh) | 一种光伏电池结构及其制造方法、光伏组件 | |
| JP7168800B1 (ja) | 太陽電池及び光起電力モジュール | |
| KR20190013927A (ko) | 광전지, 광전지 어레이, 태양 전지 및 광전지 준비 방법 | |
| US10644181B2 (en) | Photovoltaic module | |
| CN217881529U (zh) | P型ibc太阳能电池片、电池组件和光伏系统 | |
| CN116632075A (zh) | 电池片及光伏组件 | |
| CN117457759B (zh) | 双面太阳能电池片、电池组件和光伏系统 | |
| CN115000198B (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| CN109037364A (zh) | 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法 | |
| US20230067444A1 (en) | Solar cell | |
| CN108987507A (zh) | 分片单面直连太阳能电池组件及制备方法 | |
| CN208753350U (zh) | 网格状双面直连太阳能电池组件 | |
| KR101153591B1 (ko) | 결정질 실리콘 태양전지의 구조 및 제조방법 | |
| CN108987515A (zh) | 分片贯孔单面直连太阳能电池组件及制备方法 | |
| CN112993072A (zh) | Perc双面电池及其制作方法 | |
| CN220233205U (zh) | 一种无主栅异质结太阳能电池及其组件 | |
| CN220543923U (zh) | 电池片及光伏组件 | |
| CN108987508A (zh) | 单面直连太阳能电池组件及制备方法 | |
| JP7425232B1 (ja) | セル、光起電力モジュール及び光起電力モジュールの製造方法 | |
| KR102139224B1 (ko) | 태양전지 모듈용 인터커넥터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |