CN208538871U - 一种p型背接触太阳电池 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种p型背接触太阳电池，上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、n型异质结区、背面钝化膜和电池电极；n型异质结区自上而下依次为背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层；电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线局域地与p型硅基底形成接触；负极细栅线局域地与n型掺杂膜层形成接触；所述正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。本实用新型大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。

Description

一种p型背接触太阳电池

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种p型背接触太阳电池。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

背接触电池，即back contact电池，其中指状交叉背接触太阳电池又称为IBC 电池。IBC全称为Interdigitated back contact，指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻 Rs从而提高填充因子FF；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

目前使用的指状交叉背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料，并且在背面通常使用银浆，因此在制备IBC电池时，需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂，才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触，成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程，工艺流程较长，尤其是在硅片在进行p型掺杂时，需要更高的温度和时间，对硅基底的少子寿命造成带来较大的负面影响，并且额外带来边缘pn结难以去除，增加工艺的复杂性，延长了工艺流程，对工业化生产较为不利。

实用新型内容

针对以上问题，本实用新型提供了一种p型背接触太阳电池，可以较好的解决上述问题。

为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是：

一种p型背接触太阳电池，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；所述的n型掺杂膜层间隔设置在背面钝化隧穿层下表面；

所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线通过背面钝化膜上的开膜区域与p型硅基底形成接触；负极细栅线与n型掺杂膜层形成接触；所述正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，所述负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。

所述背面n型掺杂膜层由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。

所述背面钝化隧穿层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。

所述n型掺杂区域的宽度为0.08～3mm，相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05～1mm。

所述正面钝化及减反射膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。

所述的正极细栅线和p型硅基底的局部接触区域内设置有一层III族元素掺杂的空穴掺杂层，空穴掺杂层的厚度为1～15um。

所述的空穴掺杂层和正极细栅线之间还包括一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。

所述正极细栅线为含铝的电极，所述正极细栅线的宽度为20um～200um。

所述负极细栅线为含银的电极，所述负极细栅线的宽度为10um～100um。

所述正极连接电极包含银、铜、铝、镍中的一种或多种；所述负极连接电极包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。

所述负极细栅线在正极连接电极处分段断开，避免与正极连接电极相连；正极细栅线在负极连接电极处分段断开，避免与负极连接电极相连；正极和负极隔离，互不交叉。

所述正极连接电极和负极细栅线交叉设置，交叉处设置有绝缘体互相隔离，所述负极连接电极和正极细栅线交叉设置，交叉处设置一层绝缘体互相隔离；正极和负极相互绝缘。

一种p型背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤，

1)对p型硅基底进行清洗和去损伤，p型硅基底进行表面织构化处理；

2)在p型硅基底背面形成钝化隧穿层，并形成间隔排列的n型掺杂膜层；

3)在p型硅基底正面进行正面钝化及减反射膜的制备，在p型硅基底背面进行背面钝化膜的制备；

4)进行电极制备：正极细栅线和p型硅基底形成接触，负极细栅线和n型掺杂膜层形成接触；

进一步的，负极细栅线和n型掺杂膜层的接触为电极浆料烧穿背面钝化膜形成，或者是电极浆料在预开膜区域形成直接接触。

进一步地，所述硅基底背面的n型掺杂膜层的制备方法，可使用原位掺杂化学气相沉积方法；所述n型掺杂膜层的制备方法，亦可采用先化学气相沉积本征层，后协同外部掺杂源热推进方法、离子注入方法、气体携源热扩散方法。

进一步地，所述正面的钝化及减反射膜制备方法，包括：化学气相沉积法、原子层沉积法、热生长法、物理气相沉积法。

进一步地，所述背面钝化膜制备方法，包括：化学气相沉积法、原子层沉积法、热生长法、物理气相沉积法。

进一步地，所述电极制备步骤中，正极细栅线和硅基底形成接触，负极细栅线和背面n型掺杂层形成接触；所述电极和掺杂层的接触可以为电极浆料烧穿背面钝化膜形成，也可以是电极浆料在预开膜区域形成直接接触。

进一步地，所述电极制备步骤中，还包括正极和负极间绝缘体的制备过程。

本实用新型的有益效果是：

目前使用的指状交叉背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料，并且在背面通常使用银浆，因此在制备IBC电池时，需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂，才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触，成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程，工艺流程较长，尤其是在硅片在进行p型掺杂时，需要更高的温度和时间，增加工艺的周期。本实用新型使用了p型片作为电池基底，并且在工艺流程中取消了掺杂p 型背面场的过程，从而极大的减少了工艺流程的复杂性，避免了p型背面场掺杂需要的高温复杂处理过程。另外，电池流程中背面使用铝栅线作为电池正极电极细栅线，相比银浆作为电池正极电极，极大的降低了成本，还可以在没有额外掺杂的p型基底上形成更好的接触。另外，电池背面的发射极和背面场的区域，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，完全隔绝了发射极和背面场，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。

本实用新型的制备方法，使用了p型片作为电池基底，并且在工艺流程中取消了掺杂p型背面场的过程，从而极大的减少了工艺流程的复杂性，避免了p型背面场掺杂需要的高温复杂处理过程。

附图说明

图1为实施例中的一个具体实施例的电池结构示意图。

图2为实施例中的一个具体实施例的电池结构示意图。

图3为实施例中的一个具体实施例的电池结构示意图。

图4为实施例1和3的电极示意图。

图5为实施例2的电极示意图。

其中1为p型硅基底，2为正面钝化及减反射膜，3为钝化隧穿层，4为n型掺杂膜层，5为背面钝化膜，6为局部开膜区域，7为正极细栅线，8为负极细栅， 9为正极连接电极，10为负极连接电极，11为绝缘体，12为空穴掺杂层，13为铝硅合金层。

具体实施方式

如图1和2所示，本实用新型一种p型背接触太阳电池，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜2、p型硅基底1、背面钝化隧穿层3、n型掺杂膜层4、背面钝化膜5和电池电极；所述的n型掺杂膜层4间隔设置在背面钝化隧穿层3下表面；背面钝化膜5将间隔设置的n型掺杂膜层4隔开。

所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线7和正极连接电极9，所述负极包括负极细栅线8和负极连接电极10；正极细栅线7与p型硅基底1形成接触；负极细栅线8与n型掺杂膜层4形成接触；所述正极细栅线7与正极连接电极9连接，并通过正极连接电极9导出电流，所述负极细栅线8与负极连接电极10连接，并通过负极连接电极10导出电流。

如3图所示，正极细栅线7和p型硅基底1的局部接触区域内设置有一层 III族元素掺杂的空穴掺杂层12，空穴掺杂层12的厚度为1～15um。优选地，空穴掺杂层12和正极细栅线之间还包括一层铝硅合金层13，铝硅合金层13厚度为1～5um。

如图4所示，负极细栅线8在正极连接电极9处分段断开，避免与正极连接电极9相连；正极细栅线7在负极连接电极10处分段断开，避免与负极连接电极10相连；正极和负极隔离，互不交叉。

如图5所示，正极连接电极9和负极细栅线8交叉设置，交叉处设置有绝缘体10互相隔离，所述负极连接电极10和正极细栅线7交叉设置，交叉处设置一层绝缘体10互相隔离；正极和负极相互绝缘。

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。

实施例1：

以下举例一种使用上述结构和方法的背接触太阳电池的制备方法，为如图1 所示结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：

对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。

背面钝化隧穿层3和背面n型掺杂膜层4的制备。使用低压化学气相沉积 (LPCVD)一次进行隧穿氧化硅的沉积，n型原位掺杂的多晶硅(poly silicon) 沉积。其中隧穿氧化硅层厚度2nm，n型掺杂多晶硅厚度100nm，n型掺杂浓度 2E20个原子/立方厘米。背面进行p型区域的开槽。

图形化n型异质结区。使用激光对电池背面的需要进行p型区域进行处理，局域去除其上的隧穿氧化层、n型poly层、钝化氧化层和本征多晶硅层，并对开槽区域进行清洗。P型区域呈平行直线状分布，开槽线宽300um，开槽线中心间距1500um。经过处理后，剩余的n型发射极区域也呈直线状分布，宽度为1200um。使用四甲基氢氧化铵溶液对开槽区域进行清洗处理后，进行盐酸溶液清洗，去离子水清洗，烘干等。

正面钝化及减反射膜2、背面钝化膜5的制备。在电池背面进行钝化，沉积氧化铝和氮化硅层。使用等离子增强性化学气相沉积PECVD完成氧化铝和氮化硅钝化膜的沉积，氧化铝厚度15nm，氮化硅厚度100nm，折射率2.10。使用增强型等离子化学气相沉积PECVD在电池受光面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。

电池电极制备。在电池背面p型区域进行p型接触区域的制备，在p型区域使用激光进行开膜，开孔区域呈点状分布，点图形呈直线状分布在p型区域，开膜点图形的直径为90nm，点间距500um。使用激光在电池背面p型区域进行开孔。扫描方式为对p型区域进行脉冲式局部激光辐照处理，扫描方向沿着掺杂的平行线方向，其中开孔激光的波长为532nm，光斑大小为90um直径圆形，扫描速度为10000mm/s，频率为20kHz，即在条状p型区域上上每隔500um有一个直径为90um圆形区域的预留接触孔。背面的钝化膜在激光的光斑辐照的区域形成开孔，未辐照的区域则没有形成接触孔，此接触孔区域上进过激光开孔后，没有背面钝化膜5。

采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域上方形成包含导电成分的电极浆料层。电极包括正极电极和负极电极，其中正极电极包括正极细栅线 7和正极连接电极9，负极电极包括负极细栅线8和负极连接电极10；正极细栅线7由铝组成，负极细栅由银组成，正极和负极的栅线互不相连；正极细栅和正极的连接电极相互连接，负极的连接电极和负极的细栅相互连接；所述正极细栅线7和所述负极细栅线8均为分段式排布；正极连接电极9设置于负极细栅线8 分段处，负极连接电极10设置于正极细栅线7分段处；正极和负极互相绝缘。正极细栅宽度为120um，完全覆盖所设置的接触开孔区域，负极细栅线8宽度50um，正极连接电极94根，负极连接电极104根。形成如图4所示的电池电极。

烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。在此过程中正极细栅线7穿过钝化膜和p型硅基底1形成接触，负极细栅线8穿过钝化膜和n型掺杂多晶硅形成接触。形成的电池结构如图1所示。

实施例2

以下举例另一种背接触太阳电池的制备方法，为如图2所示结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：

对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。

背面n型异质结的制备。使用低压化学气相沉积(LPCVD)一次进行隧穿氧化硅的沉积，n型原位掺杂的多晶硅(poly silicon)沉积。其中隧穿氧化硅层厚度2nm，n型掺杂多晶硅厚度100nm，n型掺杂浓度2E20个原子/立方厘米。背面进行p型区域的开槽。

图形化n型异质结制备。使用掩膜协同四甲基氢氧化铵进行清洗局域去除其上的n型poly层，保留钝化隧穿层3。P型区域呈平行直线状分布，开槽线宽 300um，开槽线中心间距1500um。经过处理后，剩余的n型发射极区域也呈直线状分布，宽度为1200um。然后，进行盐酸溶液清洗，去离子水清洗，烘干等。

正面钝化及减反射膜2、背面钝化膜5的制备。在电池背面进行钝化，沉积氧化铝和氮化硅层。使用等离子增强性化学气相沉积PECVD完成氧化铝和氮化硅钝化膜的沉积，氧化铝厚度15nm，氮化硅厚度100nm，折射率2.10。使用增强型等离子化学气相沉积PECVD在电池受光面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。

电池电极制备。在电池背面p型区域进行p型接触区域的制备，在p型区域使用激光进行开膜，开孔区域呈点状分布，点图形呈直线状分布在p型区域，开膜点图形的直径为90nm，点间距500um。使用激光在电池背面p型区域进行开孔。扫描方式为对p型区域进行脉冲式局部激光辐照处理，扫描方向沿着掺杂的平行线方向，其中开孔激光的波长为532nm，光斑大小为90um直径圆形，扫描速度为10000mm/s，频率为20kHz，即在条状p型区域上上每隔500um有一个直径为90um圆形区域的预留接触孔。背面的钝化膜在激光的光斑辐照的区域形成开孔，未辐照的区域则没有形成接触孔，此接触孔区域上进过激光开孔后，没有背面钝化膜5。

采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域上方形成包含导电成分的电极浆料层。电极包括正极电极和负极电极，其中正极电极包括正极细栅线 7和正极连接电极9，负极电极包括负极细栅线8和负极连接电极10；正极细栅线7由铝组成，负极细栅由银组成，正极和负极的栅线互不相连；正极细栅和正极的连接电极相互连接，负极的连接电极和负极的细栅相互连接；正极的连接电极和负极的细栅之间印刷有绝缘体10进行隔绝，负极的连接电极和正极的细栅之间印刷有绝缘体10进行隔绝。正极细栅宽度为120um，在钝化膜上所设置的开孔区域，负极细栅线8宽度50um，正极连接电极9为4根，负极连接电极10 为4根。形成如图5所示意的电池电极。

烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。在此过程中正极细栅线7穿过钝化膜和p型硅基底1形成接触，负极细栅线8穿过钝化膜和n型掺杂多晶硅形成接触。形成的电池结构如图2所示。

实施例3：

以下举例一种使用上述结构和方法的背接触太阳电池的制备方法，为如图3 所示结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：

对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。

背面钝化隧穿层3和背面n型掺杂膜层4的制备。使用低压化学气相沉积 (LPCVD)一次进行隧穿氧化硅的沉积，n型原位掺杂的多晶硅(poly silicon) 沉积。其中隧穿氧化硅层厚度2nm，n型掺杂多晶硅厚度100nm，n型掺杂浓度 2E20个原子/立方厘米。背面进行p型区域的开槽。

图形化n型异质结区。使用激光对电池背面的需要进行p型区域进行处理，局域去除其上的隧穿氧化层、n型poly层、钝化氧化层和本征多晶硅层，并对开槽区域进行清洗。P型区域呈平行直线状分布，开槽线宽300um，开槽线中心间距1500um。经过处理后，剩余的n型发射极区域也呈直线状分布，宽度为1200um。使用四甲基氢氧化铵溶液对开槽区域进行清洗处理后，进行盐酸溶液清洗，去离子水清洗，烘干等。

正面钝化及减反射膜2、背面钝化膜5的制备。在电池背面进行钝化，沉积氧化铝和氮化硅层。使用等离子增强性化学气相沉积PECVD完成氧化铝和氮化硅钝化膜的沉积，氧化铝厚度15nm，氮化硅厚度100nm，折射率2.10。使用增强型等离子化学气相沉积PECVD在电池受光面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。

电池电极制备。在电池背面p型区域进行p型接触区域的制备，在p型区域使用激光进行开膜，开孔区域呈点状分布，点图形呈直线状分布在p型区域，开膜点图形的直径为90nm，点间距500um。使用激光在电池背面p型区域进行开孔。扫描方式为对p型区域进行脉冲式局部激光辐照处理，扫描方向沿着掺杂的平行线方向，其中开孔激光的波长为532nm，光斑大小为90um直径圆形，扫描速度为10000mm/s，频率为20kHz，即在条状p型区域上上每隔500um有一个直径为90um圆形区域的预留接触孔。背面的钝化膜在激光的光斑辐照的区域形成开孔，未辐照的区域则没有形成接触孔，此接触孔区域上进过激光开孔后，没有背面钝化膜5。

采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域上方形成包含导电成分的电极浆料层。电极包括正极电极和负极电极，其中正极电极包括正极细栅线 7和正极连接电极9，负极电极包括负极细栅线8和负极连接电极10；正极细栅线7由铝组成，负极细栅由银组成，正极和负极的栅线互不相连；正极细栅和正极的连接电极相互连接，负极的连接电极和负极的细栅相互连接；所述正极细栅线7和所述负极细栅线8均为分段式排布；正极连接电极9设置于负极细栅线8 分段处，负极连接电极10设置于正极细栅线7分段处；正极和负极互相绝缘。正极细栅宽度为120um，完全覆盖所设置的接触开孔区域，负极细栅线8宽度50um，正极连接电极9为4根，负极连接电极10为4根。形成如图4所示的电池电极。

烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。在此过程中正极细栅线7穿过钝化膜和p型硅基底1形成接触，负极细栅线8穿过钝化膜和n型掺杂多晶硅形成接触。最后形成的太阳电池中，正极细栅线7和硅基底之间形成有掺铝的空穴层12和铝硅合金层13。形成的电池结构如图3所示。

另外，本实用新型的上述实施方式为示例，具有与本实用新型的权利要求书所述的技术思想使之相同的方法并发挥相同作用效果的技术方案，均包含在本实用新型内。

Claims (12)

1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面钝化隧穿层(3)、n型掺杂膜层(4)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型掺杂膜层(4)间隔设置在背面钝化隧穿层(3)下表面；

所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；正极细栅线(7)与p型硅基底(1)形成接触；负极细栅线(8)与n型掺杂膜层(4)形成接触；所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极(10)导出电流。

2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂膜层(4)由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。

3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述背面钝化隧穿层(3)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。

4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂区域的宽度为0.08～3mm，相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05～1mm。

5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。

6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)的局部接触区域内设置有一层III族元素掺杂的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。

7.根据权利要求6所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线之间还包括一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。

8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝的电极，所述正极细栅线(7)的宽度为20um～200um。

9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为含银的电极，所述负极细栅线(8)的宽度为10um～100um。

10.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)包含银、铜、铝、镍中的一种或多种；所述负极连接电极(10)包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。

11.根据权利要求1～10任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)在正极连接电极(9)处分段断开，避免与正极连接电极(9)相连；正极细栅线(7)在负极连接电极(10)处分段断开，避免与负极连接电极(10)相连；正极和负极隔离，互不交叉。

12.根据权利要求1～10任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)和负极细栅线(8)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(11)互相隔离，所述负极连接电极(10)和正极细栅线(7)交叉设置，交叉处设置一层绝缘体(11)互相隔离；正极和负极相互绝缘。