CN108666376B - 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种p型背接触太阳电池及其制备方法，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面，相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层；n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法。
背景技术
目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
背接触电池，即backcontact电池，其中指状交叉背接触太阳电池又称为IBC电池。IBC全称为Interdigitatedbackcontact指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
目前使用的指状交叉背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料，并且在背面通常使用银浆，因此在制备IBC电池时，需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂，才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触，成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程，工艺流程较长，尤其是在硅片在进行p型掺杂时，需要更高的温度和时间，额外带来边缘pn结难以去除，增加工艺的复杂性，延长了工艺流程。另外常规IBC背面电极由于在空间上有交叠，增加了漏电问题，并且额外引入了绝缘体的构件，另外也增加了工艺复杂性。
发明内容
针对以上问题，本发明提供了一种p型背接触太阳电池及其制备方法，可以较好的解决上述问题。
本发明的技术解决方案是：
一种p型背接触太阳电池，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜和电池电极；
所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层上远离p型硅基底一侧的n型掺杂膜层；
所述第二膜层区域未进行额外掺杂，所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层上远离p型硅基底一侧的本征膜层；
所述的n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；在第一贯穿区域方向上，所述第一垂直区域和第二垂直区域交错排列；
所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；所述正极细栅线置于背面本征膜层范围内，并与p型硅基底形成接触；所述负极细栅线置于背面的n型掺杂膜层范围内，并与n型掺杂膜层形成接触；负极连接电极设置在第一贯穿区域内；正极连接电极设置在第二贯穿区域内；正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。
所述n型掺杂膜层由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。
所述本征膜层由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成。
所述钝化隧穿层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种。
所述第一垂直区域的宽度为0.08～3mm，第二垂直区域的宽度为0.05～1mm。
所述正面钝化及减反射膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成；所述背面的钝化膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。
所述的正极细栅线和p型硅基底局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层，空穴掺杂层的厚度为1～15um。
所述的空穴掺杂层和正极细栅线之间还设置有一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。
所述正极细栅线为含铝的电极，正极细栅线的宽度为20um～200um。
所述负极细栅线包含银的电极，负极细栅线的宽度为10um～100um。
所述正极连接电极包含银、铜、铝、镍中的一种或多种，所述负极连接电极包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。
一种p型背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
1)对p型硅基底进行正面表面织构化处理；
2)在硅基底背面制备钝化隧穿层和第二膜层区域，并形成局域分布的第一膜层区域，所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层上远离p型硅基底一侧的n型掺杂膜层，所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层上远离p型硅基底一侧的本征膜层；所述的第一膜层区域和第二膜层区域呈指状交叉形式交错排列，其中第一膜层区域包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述第二膜层区域包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行，所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接，所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接，在第一贯穿区域方向上，所述第一垂直区域和第二垂直区域交错排列；
3)在硅基底正面进行正面钝化及减反射膜制备，在硅基底背面进行背面钝化膜制备；
4)电池电极制备：正极细栅线和背面p型硅基底形成接触，负极细栅线和背面n型掺杂膜层形成接触，负极细栅线局域地与第一垂直区域形成直接接触。
进一步地，负极细栅线和n型掺杂膜层的接触为电极浆料烧穿背面钝化膜形成，或者为电极浆料在预开膜区域形成直接接触。
进一步地，所述硅基底背面的钝化隧穿层的制备方法是气相沉积方法。
进一步地，所述第一膜层区域的形成方法，包括：外掺杂源局域涂布协同加热推进方法，局域离子注入方法，或局域掩膜协同气体携源热扩散。
进一步地，所述电极制备步骤中，正极细栅线和背面p型硅基底形成接触，负极细栅线和背面n型掺杂膜层形成接触；所述电极和掺杂层的接触可以为电极浆料烧穿背面钝化膜形成，也可以是电极浆料在预开膜区域形成直接接触。
本发明的有益效果是：
目前使用的指状交叉背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料，并且在背面通常使用银浆，需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂，才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触，成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程，工艺流程较长，尤其是在硅片在进行p型掺杂时，需要更高的温度和时间，增加工艺的周期。而本发明中，我们使用了p型片作为电池基底，并且在工艺流程中取消了掺杂p型背面场的过程，从而极大的减少了工艺流程的复杂性，避免了p型背面场掺杂需要的高温复杂处理过程。另外，电池流程中背面使用铝栅线作为电池正极电极，相比银浆作为电池正极电极，极大的降低了成本，还可以在没有额外掺杂的p型基底上形成更好的接触。另外，电池背面的n型发射极和p型的区域，使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。
附图说明
图1，为实施例中的一个具体实施例的结构示意图。
图2，为实施例中的第三个实施例的结构示意图。
图3，为实施例的背面掺杂区域示意图。
图4，为实施例的电极示意图。
其中1为p型硅基底，2为正面钝化及减反射膜，3为n型掺杂膜层，4为p型区域，5为本征膜层，6为背面钝化膜，7为正极细栅线，8为负极细栅线，9为正极连接电极，10为负极连接电极，11为钝化隧穿层，12为空穴掺杂层，13为铝硅合金层；301为第一贯穿区域，302为第一垂直区域，401为第二贯穿区域，402为第二垂直区域。
具体实施方式
如图1至图4所示，本发明一种p型背接触太阳电池，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜2、p型硅基底1、钝化隧穿层11、局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜6和电池电极；
第一膜层区域包括：钝化隧穿层11上远离p型硅基底1一侧的n型掺杂膜层3；第二膜层区域未进行额外掺杂，所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层11上远离p型硅基底1一侧的本征膜层5；
如图3所示，n型掺杂膜层3和本征膜层5呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层3包括第一贯穿区域301和第一垂直区域302，所述本征膜层5包括第二贯穿区域401和第二垂直区域402；第一贯穿区域301和第二贯穿区域401相互平行；所述第一垂直区域302和第一贯穿区域301相互垂直并连接；所述第二垂直区域402和第二贯穿区域401相互垂直并连接；在第一贯穿区域301方向上，所述第一垂直区域302和第二垂直区域402交错排列；
如图4所示，所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线7和正极连接电极9，所述负极包括负极细栅线8和负极连接电极10；所述正极细栅线7置于背面本征膜层5范围内，并与p型硅基底1形成接触；所述负极细栅线8置于背面的n型掺杂膜层3范围内，并与n型掺杂膜层3形成接触；负极连接电极10设置在第一贯穿区域301内；正极连接电极9设置在第二贯穿区域401内；正极细栅线7与正极连接电极9连接，并通过正极连接电极9导出电流，负极细栅线8与负极连接电极10连接，并通过负极连接电极导出电流。
第一垂直区域302的宽度为0.08～3mm，第二垂直区域402的宽度为0.05～1mm。
如图2所示，正极细栅线7和p型硅基底1局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层12，空穴掺杂层12的厚度为1～15um。
如图2所示，空穴掺杂层12和正极细栅线7之间还设置有一层铝硅合金层13，铝硅合金层13厚度为1～5um。
下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
实施例1：
以下举例一种使用上述结构和方法的背接触太阳电池的制备方法，如图1所示为电池结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：
1)对p型硅基底1进行正面表面织构化处理。对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。
2)在硅基底背面进行钝化隧穿层11和本征膜层5的制备，以及完成n型局域掺杂。在此实施例中背面进行氧化钝化隧穿层11和本征多晶硅层的制备。使用低压化学气相沉积LPCVD进行隧穿氧化层的沉积，以及本征多晶硅(poly silicon)沉积，其中隧穿氧化层厚度1nm，本征掺杂多晶硅厚度200nm。
将本征膜层5进行n型的区域掺杂，形成发射极区域。在此实施例中在本征多晶硅层上局域形成n型掺杂。我们使用印刷掺杂浆料的方法在本征多晶硅层上局域图形化涂布含有磷元素的掺杂浆料，使得掺杂区域形成如图4所示的掺杂分布，所述第一垂直区域的宽度为0.2mm，所述第二垂直区域的宽度为0.08mm。然后经过200℃的烘干，在840℃有氧条件20分钟条件下，完成对本征多晶硅上的局域n型掺杂。掺杂区域的方块电阻为80-90ohm/sq，在完成n型局域掺杂后，使用含有HF的溶液进行清洗，水洗和烘干。
3)在硅基底正面进行钝化及减反射膜制备，在硅基底背面进行钝化膜制备。使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池背面沉积15nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.10，完成背面钝化膜6的制备。
使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池正面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。
4)电池电极制备。在电池背面p型区域4进行p型接触区域的制备，在p型区域4使用激光进行开膜，开孔区域呈点状分布，开膜点图形的直径为90nm。背面的钝化膜在激光的光斑辐照的区域形成开孔，未辐照的区域则没有形成接触孔，此接触孔区域上进过激光开孔后，没有背面钝化层。
采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域4上方形成包含导电成分的电极浆料层。
烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线7和正极连接电极9，所述负极包括负极细栅线8和负极连接电极10；负极细栅线8局域地与n型掺杂区域的第一垂直区域302形成接触；正极细栅线7局域地与p型区域4的第二垂直区域402形成接触；负极连接电极10设置在n型贯穿区域内；正极连接电极9设置在p型贯穿区域内；正极细栅线7与正极连接电极9连接，并通过正极连接电极9导出电流，负极细栅线8与负极连接电极10连接，并通过负极连接电极导出电流；其电池结构如图1所示,其中电极结构如图4所示。
实施例2：
1)以下举例一种使用上述结构和方法的背接触太阳电池的制备方法，为如图1所示结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：对p型硅基底1进行正面表面织构化处理。对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。
2)在硅基底背面进行钝化隧穿层11和本征膜层5的制备。在此实施例中背面进行氧化钝化隧穿层11和本征多晶硅层的制备。使用低压化学气相沉积LPCVD进行隧穿氧化层的沉积，以及本征多晶硅(polysilicon)和本征非晶硅混合物的沉积，成为本征膜层5。其中隧穿氧化层厚度1nm，本征膜层5厚度200nm。将本征膜层5进行n型的区域掺杂，形成局域的n型掺杂区域。我们使用印刷掺杂浆料的方法在本征多晶硅层上局域图形化涂布含有磷元素的掺杂浆料，使得掺杂区域形成如图4所示的掺杂分布，所述第一垂直区域的宽度为1mm，所述第二垂直区域的宽度为0.8mm。然后经过200℃的烘干，在840℃有氧条件120分钟条件下，完成对本征多晶硅上的局域n型掺杂。掺杂区域的方块电阻为80-90ohm/sq，在完成n型局域掺杂后，使用含有HF的溶液进行清洗，水洗和烘干。
3)在硅基底正面进行钝化及减反射膜制备，在硅基底背面进行钝化膜制备。使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池背面沉积15nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.10，完成背面钝化膜6的制备。
使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池正面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。
4)电池电极制备。采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域4上方形成包含导电成分的电极浆料层。
烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线7和正极连接电极9，所述负极包括负极细栅线8和负极连接电极10；负极细栅线8局域地与n型掺杂区域的第一垂直区域302形成接触；正极细栅线7局域地与p型区域4的第二垂直区域402形成接触；负极连接电极10设置在n型贯穿区域内；正极连接电极9设置在p型贯穿区域内；正极细栅线7与正极连接电极9连接，并通过正极连接电极9导出电流，负极细栅线8与负极连接电极10连接，并通过负极连接电极导出电流。正极浆料使用含有铝的浆料，在金属化热处理烧结热处理过程中，所述含铝的浆料穿透背面钝化膜6及本征膜层5和p型硅基底1形成接触。整个电池的结构如图1所示，其中电极结构如图4所示。
实施例3：
以下举例一种使用上述结构和方法的背接触太阳电池的制备方法，如图1所示为电池结构。此背接触太阳电池的制备方法具体如下：
1)对p型硅基底1进行正面表面织构化处理。对硅基底进行去损伤处理，表面织构化处理和清洗过程。以p型单晶硅作为电池基底，使用含有KOH的60℃溶液进行去损伤处理，并在80℃条件下使用含有KOH的溶液进行表面织构化处理，形成金字塔绒面，金字塔尺度2-5um，并使用还有氢氟酸和盐酸的混合溶液进行清洗，去离子水清洗和烘干。
2)在硅基底背面进行钝化隧穿层11和本征膜层5的制备，以及完成n型局域掺杂。在此实施例中背面进行氧化钝化隧穿层11和本征多晶硅层的制备。使用低压化学气相沉积LPCVD进行隧穿氧化层的沉积，以及本征多晶硅(poly silicon)沉积，其中隧穿氧化层厚度1nm，本征掺杂多晶硅厚度200nm。
将本征膜层5进行n型的区域掺杂，形成发射极区域。在此实施例中在本征多晶硅层上局域形成n型掺杂。我们使用印刷掺杂浆料的方法在本征多晶硅层上局域图形化涂布含有磷元素的掺杂浆料，使得掺杂区域形成如图4所示的掺杂分布，所述第一垂直区域的宽度为0.2mm，所述第二垂直区域的宽度为0.08mm。然后经过200℃的烘干，在840℃有氧条件20分钟条件下，完成对本征多晶硅上的局域n型掺杂。掺杂区域的方块电阻为80-90ohm/sq，在完成n型局域掺杂后，使用含有HF的溶液进行清洗，水洗和烘干。
3)在硅基底正面进行钝化及减反射膜制备，在硅基底背面进行钝化膜制备。使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池背面沉积15nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.10，完成背面钝化膜6的制备。
使用增强型等离子化学气相沉积(PECVD)在电池正面沉积5-10nm的氧化铝层，在其上再沉积氮化硅，厚度为80nm，折射率2.03，完成正面钝化及减反射膜2的制备。
4)电池电极制备。在电池背面p型区域4进行p型接触区域的制备，在p型区域4使用激光进行开膜，开孔区域呈点状分布，开膜点图形的直径为90nm。背面的钝化膜在激光的光斑辐照的区域形成开孔，未辐照的区域则没有形成接触孔，此接触孔区域上进过激光开孔后，没有背面钝化层。
采用丝网印刷方式在电池背面n区域和背面p型区域4上方形成包含导电成分的电极浆料层。
烧结炉中完成金属化热处理过程。加热峰值温度500-800℃。本实施例中优选的加热处理峰值温度为700℃。经过此步骤，完成电池制备。所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线7和正极连接电极9，所述负极包括负极细栅线8和负极连接电极10；负极细栅线8局域地与n型掺杂区域的第一垂直区域302形成接触；正极细栅线7局域地与p型区域4的第二垂直区域402形成接触；负极连接电极10设置在n型贯穿区域内；正极连接电极9设置在p型贯穿区域内；正极细栅线7与正极连接电极9连接，并通过正极连接电极9导出电流，负极细栅线8与负极连接电极10连接，并通过负极连接电极导出电流。其电池结构如图2所示,最后形成的太阳电池中，正极细栅线7和硅基底之间形成有空穴掺杂层12和铝硅合金层13，其中电极结构如图4所示。
另外，本发明的上述实施方式为示例，具有与本发明的权利要求书所述的技术思想使之相同的方法并发挥相同作用效果的技术方案，均包含在本发明内。
Claims (15)
1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜（2）、p型硅基底（1）、钝化隧穿层（11）、局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜（6）和电池电极；
所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层（11）上远离p型硅基底（1）一侧的n型掺杂膜层（3）；
所述第二膜层区域未进行额外掺杂，所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层（11）上远离p型硅基底（1）一侧的本征膜层（5）；
所述局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域通过以下方式形成：将本征膜层进行n型局域掺杂以形成呈指状交叉形式交错排列的第一膜层区域和第二膜层区域；其中第一膜层区域包括第一贯穿区域（301）和第一垂直区域（302），所述第二膜层区域包括第二贯穿区域（401）和第二垂直区域（402）；第一贯穿区域（301）和第二贯穿区域（401）相互平行；所述第一垂直区域（302）和第一贯穿区域（301）相互垂直并连接；所述第二垂直区域（402）和第二贯穿区域（401）相互垂直并连接；在第一贯穿区域（301）方向上，所述第一垂直区域（302）和第二垂直区域（402）交错排列；
所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线（7）和正极连接电极（9），所述负极包括负极细栅线（8）和负极连接电极（10）；所述正极细栅线（7）置于背面第二膜层区域范围内，并与p型硅基底（1）形成接触；所述负极细栅线（8）置于背面的第一膜层区域范围内，并与第一膜层区域形成接触；负极连接电极（10）设置在第一贯穿区域（301）内；正极连接电极（9）设置在第二贯穿区域（401）内；正极细栅线（7）与正极连接电极（9）连接，并通过正极连接电极（9）导出电流，负极细栅线（8）与负极连接电极（10）连接，并通过负极连接电极导出电流。
2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。
3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第二膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成。
4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述钝化隧穿层（11）为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种。
5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一垂直区域（302）的宽度为0.08~3mm，第二垂直区域（402）的宽度为0.05~1mm。
6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜（2）采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成；所述背面的钝化膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。
7.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线（7）和p型硅基底（1）局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层（12），空穴掺杂层（12）的厚度为1~15um。
8.根据权利要求7所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层（12）和正极细栅线（7）之间还设置有一层铝硅合金层（13），铝硅合金层（13）厚度为1~5um。
9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线（7）为含铝的电极，正极细栅线（7）的宽度为20um~200um。
10.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线（8）包含银的电极，负极细栅线（8）的宽度为10um~100um。
11.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极（9）包含银、铜、铝、镍中的一种或多种，所述负极连接电极（10）包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。
12.一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)对p型硅基底（1）进行正面表面织构化处理；
2)在硅基底背面制备钝化隧穿层（11）和本征膜层，将所述本征膜层进行n型局域掺杂以形成呈指状交叉形式交错排列的第一膜层区域和第二膜层区域，所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层（11）上远离p型硅基底（1）一侧的n型掺杂膜层（3），所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层（11）上远离p型硅基底（1）一侧的本征膜层（5）；其中第一膜层区域包括第一贯穿区域（301）和第一垂直区域（302），所述第二膜层区域包括第二贯穿区域（401）和第二垂直区域（402）；第一贯穿区域（301）和第二贯穿区域（401）相互平行，所述第一垂直区域（302）和第一贯穿区域（301）相互垂直并连接，所述第二垂直区域（402）和第二贯穿区域（401）相互垂直并连接，在第一贯穿区域（301）方向上，所述第一垂直区域（302）和第二垂直区域（402）交错排列；
3)在硅基底正面进行正面钝化及减反射膜（2）制备，在硅基底背面进行背面钝化膜（6）制备；
4)电池电极制备：正极细栅线（7）和背面p型硅基底（1）形成接触，其中，正极细栅线（7）穿过背面钝化膜（6）、本征膜层（5）以及钝化隧穿层（11），负极细栅线（8）和背面n型掺杂膜层（3）形成接触，负极细栅线（8）局域地与第一垂直区域（302）形成直接接触。
13.根据权利要求12所述的一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，负极细栅线（8）和n型掺杂膜层（3）的接触为电极浆料烧穿背面钝化膜（6）形成，或者为电极浆料在预开膜区域形成直接接触。
14.根据权利要求12或13所述的一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述硅基底背面的钝化隧穿层（11）的制备方法是气相沉积方法。
15.根据权利要求12所述的一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一膜层区域的形成方法包括：外掺杂源局域涂布协同加热推进方法，局域离子注入方法，或局域掩膜协同气体携源热扩散。
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