CN111477718A - 一种简易ibc电池电极制作的工艺 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
本发明公开了一种简易IBC电池电极制作的工艺，包括电池片、激光打孔、正电极主栅线、负电极主栅线、印刷机和激光刻槽，激光打孔和激光刻槽的工序均为非电极制作工序。本发明通过将激光打孔集成到前道的激光刻槽工序，只需要经过单次电极制作，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC电池的设备投入和生产制造成本，通过单次电极图形制做，减少丝网印刷工艺，降低了IBC电池的设备投入和生产制造成本，减少IBC电池的印刷制作工序数量，步骤简单易操作，显著降低IBC电池的制造成本，通过将经激光打孔后的电池片，进行电极图形的印刷，然后进行激光刻槽，替换掉原有的绝缘浆料印刷，实现细栅线与主栅线的选择性导电。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种简易IBC电池电极制作的工艺。
背景技术
太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源，是重要的可再生能源之一，随着太阳能行业的发展，更多的客户及太阳能电池片制造商越来越重视电池片的效率。近年来，国内外对IBC太阳能电池进行了大量研究，有结果显示：IBC太阳能电池是未来具有替代目前的PERC可能，IBC太阳能电池可以明显提升电池的转换效率，并特别适合于屋顶使用等优点。
传统IBC太阳能电池的电极制作流程非常繁琐，需要经过5次印刷，既繁琐而且生产成本还高，不利于IBC电池的批量化生产，因此，有必要开发一种简单的IBC电池的电极制作工艺，降低生产成本，提高电池转换效率。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种简易IBC电池电极制作的工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种简易IBC电池电极制作的工艺，包括电池片、激光打孔、正电极主栅线、负电极主栅线、印刷机和激光刻槽，所述激光打孔和激光刻槽的工序均为非电极制作工序，其制作工艺的主要步骤包括如下：
S：通过激光打孔器对电池片进行激光打孔的工序制作；
S：通过印刷机对激光打孔后的电池片进行电极图形的印刷；
S：通过激光刻槽机对电极图形印刷后的电池片进行激光刻槽的工序制作。
优选地，所述激光打孔的工序可以单独制作，也可以在前道工序的激光刻槽工序之前进行制作。
优选地，所述激光打孔的工序打孔形状可以是圆形，也可以是长方形和正方形等规则图形。
优选地，所述电极图形的印刷制作可以是丝网印刷的方式，也可以是光刻等方式实现。
优选地，所述正电极主栅线和负电极主栅线之间连接有若干细栅线，所述电极图形的印刷制作是由正电极主栅线、负电极主栅线和细栅线一次性完成。
优选地，所述激光刻槽实现正电极主栅线、负电极主栅线和细栅线的选择性导电接触，所述正电极主栅线和负电极主栅线与细栅线之间的部分位置切断断开。
本发明与现有技术相比，其有益效果为：
1、通过将激光打孔集成到前道的激光刻槽工序，只需要经过单次电极制作，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC电池的设备投入和生产制造成本。
2、通过单次电极图形制做，减少丝网印刷工艺，降低了IBC电池的设备投入和生产制造成本，减少IBC电池的印刷制作工序数量，步骤简单易操作，显著降低IBC电池的制造成本。
3、通过将经激光打孔后的电池片，进行电极图形的印刷，然后进行激光刻槽，替换掉原有的绝缘浆料印刷，实现细栅线与主栅线的选择性导电。
附图说明
图1为本发明提出的一种简易IBC电池电极制作的工艺流程框图；
图2为本发明提出的一种简易IBC电池电极制作的工艺中的激光打孔示意图；
图3为本发明提出的一种简易IBC电池电极制作的工艺中的电极图形制作示意图；
图4为本发明提出的一种简易IBC电池电极制作的工艺中的激光刻槽示意图。
图中：1激光打孔、2正电极主栅线、3负电极主栅线、4激光刻槽、5细栅线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明提出的IBC太阳能电池的电极制作工艺作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
参照图1-4，一种简易IBC电池电极制作的工艺，包括电池片、激光打孔1、正电极主栅线2、负电极主栅线3、印刷机和激光刻槽4，激光打孔1和激光刻槽4的工序均为非电极制作工序，可以和前道工序的激光刻槽4结合，减少IBC电池的制作工序数量，其制作工艺的主要步骤包括如下：
S1：通过激光打孔器对电池片进行激光打孔1的工序制作，激光打孔器为现有技术，在此不做赘述；
S2：通过印刷机对激光打孔1后的电池片进行电极图形的印刷，印刷机具体可以是丝网印刷机、光刻机等等，印刷机为现有技术，在此不做赘述；
S3：通过激光刻槽机对电极图形印刷后的电池片进行激光刻槽4的工序制作，激光刻槽机为现有技术，在此不做赘述。
激光打孔1的工序可以单独制作，也可以在前道工序的激光刻槽4工序之前进行制作，通过将激光打孔1集成到前道的激光刻槽4工序，只需要经过单次电极制作，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC电池的设备投入和生产制造成本。
激光打孔1的工序打孔形状可以是圆形，也可以是长方形和正方形等规则图形，激光打孔1的打孔形状可以根据实际需要来改变图形的形状，包括长方形和正方形等规则图形，其中最优的打孔方式为圆形孔状，电极图形的印刷制作可以是丝网印刷的方式，也可以是光刻等方式实现。
正电极主栅线2和负电极主栅线3之间连接有若干细栅线5，电极图形的印刷制作是由正电极主栅线2、负电极主栅线3和细栅线5一次性完成，通过正电极主栅线2、负电极主栅线3和细栅线5一次性完成，减少丝网印刷工艺，降低了IBC电池的设备投入和生产制造成本，减少IBC电池的印刷制作工序数量，步骤简单易操作，显著降低IBC电池的制造成本。
激光刻槽4实现正电极主栅线2、负电极主栅线3和细栅线5的选择性导电接触，通过将经激光打孔1后的电池片，再进行电极图形的印刷，然后进行激光刻槽4，替换掉原有的绝缘浆料印刷，实现细栅线5与正电极主栅线2和负电极主栅线3之间的选择性导电，正电极主栅线2和负电极主栅线3与细栅线5之间的部分位置切断断开，经过激光打孔1后的电池片，进行第一次正电极主栅线2和细栅线5的印刷，然后进行绝缘浆料的印刷，将需要绝缘的部分采用绝缘浆料进行隔绝，随后再进行负电极主栅线3和细栅线5的印刷，此时的细栅线5与第一次印刷的细栅线5图形重合，实现细栅线5高度的叠加，细栅线5高度的增加可以降低电池第一次细栅线5印刷的断线风险，提高电池的转换效率，激光刻槽4工序对正电极主栅线2和负电极主栅线3与细栅线5进行选择性切断断开，来完成IBC电池的电极制作。
本发明中，通过将激光打孔1集成到前道的激光刻槽4工序，只需要经过单次电极制作，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC电池的设备投入和生产制造成本，通过单次电极图形制做，减少丝网印刷工艺，降低了IBC电池的设备投入和生产制造成本，减少IBC电池的印刷制作工序数量，步骤简单易操作，显著降低IBC电池的制造成本，通过将经激光打孔1后的电池片，进行电极图形的印刷，然后进行激光刻槽4，替换掉原有的绝缘浆料印刷，实现细栅线5与正电极主栅线2和负电极主栅线3之间的选择性导电。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种简易IBC电池电极制作的工艺，包括电池片、激光打孔(1)、正电极主栅线(2)、负电极主栅线(3)、印刷机和激光刻槽(4)，其特征在于，所述激光打孔(1)和激光刻槽(4)的工序均为非电极制作工序，其制作工艺的主要步骤包括如下：
S1：通过激光打孔器对电池片进行激光打孔(1)的工序制作；
S2：通过印刷机对激光打孔(1)后的电池片进行电极图形的印刷；
S3：通过激光刻槽机对电极图形印刷后的电池片进行激光刻槽(4)的工序制作。
2.根据权利要求1所述的一种简易IBC电池电极制作的工艺，其特征在于，所述激光打孔(1)的工序可以单独制作，也可以在前道工序的激光刻槽(4)工序之前进行制作。
3.根据权利要求1所述的一种简易IBC电池电极制作的工艺，其特征在于，所述激光打孔(1)的工序打孔形状可以是圆形，也可以是长方形和正方形等规则图形。
4.根据权利要求1所述的一种简易IBC电池电极制作的工艺，其特征在于，所述电极图形的印刷制作可以是丝网印刷的方式，也可以是光刻等方式实现。
5.根据权利要求1所述的一种简易IBC电池电极制作的工艺，其特征在于，所述正电极主栅线(2)和负电极主栅线(3)之间连接有若干细栅线(5)，所述电极图形的印刷制作是由正电极主栅线(2)、负电极主栅线(3)和细栅线(5)一次性完成。
6.根据权利要求1所述的一种简易IBC电池电极制作的工艺，其特征在于，所述激光刻槽(4)实现正电极主栅线(2)、负电极主栅线(3)和细栅线(5)的选择性导电接触，所述正电极主栅线(2)和负电极主栅线(3)与细栅线(5)之间的部分位置切断断开。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911005954.0A CN111477718A (zh) | 2019-10-22 | 2019-10-22 | 一种简易ibc电池电极制作的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911005954.0A CN111477718A (zh) | 2019-10-22 | 2019-10-22 | 一种简易ibc电池电极制作的工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111477718A true CN111477718A (zh) | 2020-07-31 |
Family
ID=71744923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911005954.0A Pending CN111477718A (zh) | 2019-10-22 | 2019-10-22 | 一种简易ibc电池电极制作的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111477718A (zh) |
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