CN108054223A - 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 - Google Patents
一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108054223A CN108054223A CN201810027467.3A CN201810027467A CN108054223A CN 108054223 A CN108054223 A CN 108054223A CN 201810027467 A CN201810027467 A CN 201810027467A CN 108054223 A CN108054223 A CN 108054223A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact
- solar cell
- passivation
- type silicon
- front surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 8
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。本发明为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池。
背景技术
目前，全背电极太阳能电池由于其优异的光电转换效率而备受青睐，是高效太阳电池的主流技术之一。顾名思义，全背电极太阳能电池即指金属电极全部在电池背面，而电池正面无电极的电池。
由于全背电极太阳能电池正面无金属栅线遮挡，因此可大幅度提高太阳电池短路电流，增大受光面积，提高了电池效率。目前，美国Sunpower制备的全背电极太阳电池效率已经达到25％，中国企业制备的全背电极太阳电池效率已达到24.2％。
目前，全背电极太阳电池均采用N型单晶硅作衬底，主要是因为N型单晶硅具有高少数载流子寿命的优势。而随着晶体硅制备技术的进步，P型单晶硅的体少子寿命较之前有很大的提高，可以达到1ms以上，因此P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面也有应用前景。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池。
本发明的技术方案为：一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：
P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；
隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；
局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；
多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；
共晶层，设置于局域背场上；
介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；
金属正电极，设置在局域背场上；
金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。
作为优选，所述隧穿氧化层通过热氧化或湿化学氧化设置于P型硅基体背表面的非金属接触区域上。
作为优选，所述隧穿氧化层为二氧化硅薄膜。
作为优选，所述二氧化硅薄膜的厚度为0.1～10nm。
作为优选，所述多晶硅薄膜层通过低压化学气相沉积或等离子体化学气相沉积的方式沉积于隧穿氧化层上，所述多晶硅薄膜层的厚度为1～1000nm。
作为优选，所述P型硅基体为P型单晶硅或P型多晶硅。
作为优选，所述局域背场为局域铝背场或局域硼背场。
作为优选，还包括设置在所述P型硅基体前表面的前表面结构，所述前表面结构包括：
前表面减反射绒面结构，设置在所述P型硅基体前表面上；
前表面场，设置在所述前表面减反射绒面层上；
前表面减反射膜，设置在所述前表面场上。
作为优选，所述前表面减反射绒面结构为金字塔绒面结构或腐蚀坑绒面结构。
作为优选，所述前表面减反射膜为氮化硅薄膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：
P型硅基体1，该P型硅基体1的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；
隧穿氧化层2，设置于所述P型硅基体1背表面的非金属接触区域上；
局域背场8，设置于所述P型硅基体1背表面的金属接触区域上；
多晶硅薄膜层3，设置于所述隧穿氧化层2上；
共晶层7，设置于局域背场8上；
介质膜钝化层4，设置在所述多晶硅薄膜层3以及非金属接触区域上；
金属正电极5，设置在局域背场8上；
金属负电极6，设置在多晶硅薄膜层3上。
如图1所示，本发明还包括设置于P型硅基体前表面的前表面结构，所述前表面结构包括：
前表面减反射绒面结构，设置在所述P型硅基体1前表面上；
前表面场，设置在所述前表面减反射绒面层上；
前表面减反射膜，设置在所述前表面场上。
本实施例中采用P型单晶硅作为基体，在基体前表面制备金字塔绒面，在金字塔绒面上形成前表面场，并采用氮化硅SiNx作为前表面减反射膜；将背表面抛光，沉积隧穿型SiO2/poly-Si(二氧化硅/多晶硅)薄膜，采用对隧穿型SiO2/poly-Si薄膜进行图案化，形成局域铝背场区域，再丝网印刷正电极和负电极，经过烧结形成基于钝化接触的全背电极太阳能电池。
实施例2
本实施例采用P型多晶硅作为基体，前表面制备腐蚀坑绒面，在前表面形成前表面场，采用氮化硅SiNx作为前表面减反射膜；将背表面抛光，沉积隧穿型SiO2/poly-Si(二氧化硅/多晶硅)薄膜，采用对隧穿型SiO2/poly-Si薄膜进行图案化，形成局域铝背场区域，再丝网印刷正电极和负电极，经过烧结形成基于钝化接触的全背电极太阳能电池。本实施例其余结构与实施例1相同。
实施例3
本实施例采用P型单晶硅作为基体，前表面制备金字塔绒面，在金字塔绒面上形成前表面浮动结，采用SiNx作为前表面减反射膜；将背表面抛光，沉积隧穿型SiO2/poly-Si(二氧化硅/多晶硅)薄膜，采用对隧穿型SiO2/poly-Si薄膜进行图案化，形成局域铝背场区域，再丝网印刷正电极和负电极，经过烧结形成基于钝化接触的全背电极太阳能电池。本实施例其余结构与实施例1相同。
Claims (10)
1.一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，包括：
P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；
隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；
局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；
多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；
共晶层，设置于局域背场上；
介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；
金属正电极，设置在局域背场上；
金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。
2.如权利要求1所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层通过热氧化或湿化学氧化设置于P型硅基体背表面的非金属接触区域上。
3.如权利要求1或2所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅薄膜。
4.如权利要求3所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为0.1～10nm。
5.如权利要求1所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅薄膜层通过低压化学气相沉积或等离子体化学气相沉积的方式沉积于隧穿氧化层上，所述多晶硅薄膜层的厚度为1～1000nm。
6.如权利要求1所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述P型硅基体为P型单晶硅或P型多晶硅。
7.如权利要求1所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述局域背场为局域铝背场或局域硼背场。
8.如权利要求1所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，还包括设置在所述P型硅基体前表面的前表面结构，所述前表面结构包括：
前表面减反射绒面结构，设置在所述P型硅基体前表面上；
前表面场，设置在所述前表面减反射绒面层上；
前表面减反射膜，设置在所述前表面场上。
9.如权利要求8所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述前表面减反射绒面结构为金字塔绒面结构或腐蚀坑绒面结构。
10.如权利要求8所述的基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，所述前表面减反射膜为氮化硅薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810027467.3A CN108054223A (zh) | 2018-01-11 | 2018-01-11 | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810027467.3A CN108054223A (zh) | 2018-01-11 | 2018-01-11 | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108054223A true CN108054223A (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=62126504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810027467.3A Pending CN108054223A (zh) | 2018-01-11 | 2018-01-11 | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108054223A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666376A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666379A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666377A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN109545901A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-29 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | Ibc电池的制作方法 |
| CN110061086A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-26 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种hbc太阳能电池 |
| CN110634983A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110634964A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN113690334A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-23 | 浙江中晶新能源股份有限公司 | 一种p型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101546790A (zh) * | 2009-04-24 | 2009-09-30 | 中山大学 | 一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法 |
| KR20120085072A (ko) * | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| US20170117433A1 (en) * | 2014-04-03 | 2017-04-27 | Trina Solar Energy Development Pte Ltd | A hybrid all-back-contact solar cell and method of fabricating the same |
| CN207690803U (zh) * | 2018-01-11 | 2018-08-03 | 天合光能股份有限公司 | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 |
-
2018
- 2018-01-11 CN CN201810027467.3A patent/CN108054223A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101546790A (zh) * | 2009-04-24 | 2009-09-30 | 中山大学 | 一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法 |
| KR20120085072A (ko) * | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| US20170117433A1 (en) * | 2014-04-03 | 2017-04-27 | Trina Solar Energy Development Pte Ltd | A hybrid all-back-contact solar cell and method of fabricating the same |
| CN207690803U (zh) * | 2018-01-11 | 2018-08-03 | 天合光能股份有限公司 | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666376A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666379A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666377A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN108666376B (zh) * | 2018-07-11 | 2023-08-08 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN109545901A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-29 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | Ibc电池的制作方法 |
| CN110061086A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-26 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种hbc太阳能电池 |
| CN110634983A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110634964A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110634964B (zh) * | 2019-09-26 | 2021-06-15 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN113690334A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-23 | 浙江中晶新能源股份有限公司 | 一种p型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108054223A (zh) | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 | |
| CN103489934B (zh) | 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103904164B (zh) | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 | |
| CN103996746B (zh) | 一种可量产的perl晶体硅太阳电池的制作方法 | |
| CN201112399Y (zh) | 具有浓硼浓磷扩散结构的太阳能电池 | |
| CN103594529A (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN102738304B (zh) | 一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法 | |
| CN101604711A (zh) | 一种太阳电池的制备方法以及通过该方法制备的太阳电池 | |
| CN107644925B (zh) | 一种p型晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN109285897A (zh) | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN109473492A (zh) | 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池及其制备方法 | |
| WO2020211207A1 (zh) | 一种双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104332522B (zh) | 一种石墨烯双结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110061072A (zh) | 一种tbc太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN103646994A (zh) | 一种太阳电池正面电极的制备方法 | |
| CN210866196U (zh) | 一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件 | |
| CN108666379A (zh) | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 | |
| CN103594530A (zh) | 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN108461554A (zh) | 全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| Wang et al. | Selective nano-emitter fabricated by silver assisted chemical etch-back for multicrystalline solar cells | |
| CN207690803U (zh) | 一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池 | |
| CN203674218U (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池 | |
| CN104009120B (zh) | N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN205985009U (zh) | 一种ibc结构太阳能电池 | |
| CN209056506U (zh) | 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |