CN107546281A - 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 - Google Patents

一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 Download PDF

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郭瑶
郑霈霆
金浩
张昕宇
张范
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Jinko Solar Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，包括：在P型硅片正面进行碱制绒；在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。

Description

一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法。
背景技术
背面局域接触钝化结构的PERC和PERL电池在背面钝化上是比较完善的，但局部接触的结构特点限制了背面钝化效果，且正面复合的存在，使得当前结构的PERC电池提升空间受到限制。Fraunhofer开发的隧穿氧化层钝化接触技术使表面钝化得到更好的完善，既能降低表面复合，又避免了局部接触所需开孔流程，也就是钝化接触技术，当前的技术大多着重在背面钝化接触及n型钝化接触，当前PERC电池已有较完善的背面钝化结构，但正面复合仍然较大，限制了效率提升。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
本发明提供的一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，包括：
在P型硅片正面进行碱制绒；
在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；
在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；
在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；
在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化之后，还包括：
在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅为：
利用浓度为60％的HNO3在100至120℃下沉积50至70min，得到厚度范围为3nm至7nm的二氧化硅。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜为：
以磷烷、硅烷为气源，在300℃条件反应100min至150min，得到厚度范围为15nm至25nm的掺杂多晶硅薄膜。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层为：
在1000W至1300W的功率范围和180℃至220℃的温度范围内，在所述P型硅片的正面蒸镀ITO4至6分钟，得到厚度范围为70nm至100nm的ITO层。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述掺杂多晶硅薄膜为掺磷多晶硅薄膜。
优选的，在上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中，所述在P型硅片正面进行碱制绒为：
在P型硅片正面进行碱制绒形成金字塔绒面。
通过上述描述可知，本发明提供的上述实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，由于包括在P型硅片正面进行碱制绒；在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；在所述P型硅片的背面开槽、刷电极和烧结，因此能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的示意图。
具体实施方式
本发明的核心思想在于提供一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的示意图，该方法包括如下步骤：
S1：在P型硅片正面进行碱制绒；
其中，可以但不限于制作金字塔绒面。
S2：在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；
S3：在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；
其中，重点在于这种正面氧化层加多晶硅薄膜的结构，其选择性传输载流子效果更好，能降低正面复合，有一个更好的钝化效果，能够明显提升开路电压，电池开压能达到710mV，而且形成高效钝化结构的流程相比扩散制结的工艺温度更低，对P型硅片质量的影响更小。
S4：在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；
S5：在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。
可以采用常用的激光方式在P型硅片的背面开槽，暴露出硅基体，然后背面印刷铝背场，正面印刷银电极并烧结，支撑正面钝化接触PERC电池。
上述两个步骤都与现有技术一样，此处不再赘述。
通过上述描述可知，本申请实施例提供的第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，由于包括在P型硅片正面进行碱制绒；在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；在所述P型硅片的背面开槽、刷电极和烧结，因此能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。
本申请实施例提供的第二种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的基础上，还包括如下技术特征：
在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化之后，还包括：
在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层。
需要说明的是，正面ITO能提升导电性，降低钝化层导致的高方阻，使正面方阻可控性更高。而且，透明导电氧化物都能起到这个作用，除了ITO之外，还可以采用TCO。
本申请实施例提供的第三种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅为：
利用浓度为60％的HNO3在100至120℃下沉积50至70min，得到厚度范围为3nm至7nm的二氧化硅。
本申请实施例提供的第四种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜为：
以磷烷、硅烷为气源，在300℃条件反应100min至150min，得到厚度范围为15nm至25nm的掺杂多晶硅薄膜。
需要说明的是，上述掺杂多晶硅薄膜的厚度越大，则钝化效果越好，但因为其接近非晶硅的特性，厚度越大吸光也越严重，所以这一厚度范围是为了达到吸光和钝化之间的平衡。
本申请实施例提供的第五种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第二种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的基础上，还包括如下技术特征：
所述在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层为：
在1000W至1300W的功率范围和180℃至220℃的温度范围内，在所述P型硅片的正面蒸镀ITO4至6分钟，得到厚度范围为70nm至100nm的ITO层。
需要说明的是，这仅仅是一个优选方案，还可以根据实际需要来选择相应的ITO厚度，并采取相应的制作工艺，此处并不限制。
本申请实施例提供的第六种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法的基础上，还包括如下技术特征：所述掺杂多晶硅薄膜为掺磷多晶硅薄膜。
需要说明的是，P型硅片掺杂用Ⅴ族元素，现在一般所用P型晶硅电池的生产，多采用液态磷源扩散制结，因此本实施例采用这种掺磷多晶硅薄膜，技术更加成熟。
本申请实施例提供的第七种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，是在上述第一种至第六种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法中任一种的基础上，还包括如下技术特征：所述在P型硅片正面进行碱制绒为：
在P型硅片正面进行碱制绒形成金字塔绒面。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，包括：
在P型硅片正面进行碱制绒；
在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅；
在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜；
在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化；
在所述P型硅片的背面开槽、印刷电极和烧结。
2.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，在所述P型硅片的背面刻蚀并钝化之后，还包括：
在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层。
3.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉积一层二氧化硅为：
利用浓度为60％的HNO3在100至120℃下沉积50至70min，得到厚度范围为3nm至7nm的二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片的正面沉积掺杂多晶硅薄膜为：
以磷烷、硅烷为气源，在300℃条件反应100min至150min，得到厚度范围为15nm至25nm的掺杂多晶硅薄膜。
5.根据权利要求2所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，
所述在所述P型硅片的正面蒸镀ITO层为：
在1000W至1300W的功率范围和180℃至220℃的温度范围内，在所述P型硅片的正面蒸镀ITO4至6分钟，得到厚度范围为70nm至100nm的ITO层。
6.根据权利要求1所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅薄膜为掺磷多晶硅薄膜。
7.根据权利要求1-6任一项所述的实现P型PERC电池正面钝化接触的方法，其特征在于，所述在P型硅片正面进行碱制绒为：
在P型硅片正面进行碱制绒形成金字塔绒面。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585578A (zh) * 2019-01-15 2019-04-05 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种背结太阳能电池及其制备方法
CN110137270A (zh) * 2019-04-17 2019-08-16 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性正面钝化perc太阳能电池的制备方法
CN111416011A (zh) * 2020-04-08 2020-07-14 上海交通大学 一种p型PERC晶硅太阳电池及制备方法
CN113113510A (zh) * 2021-04-09 2021-07-13 通威太阳能（成都）有限公司 一种p型双面perc太阳电池及其制备方法和应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102144303A (zh) * 2008-09-03 2011-08-03 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 异质太阳能电池及其制造方法
CN102959731A (zh) * 2010-07-02 2013-03-06 太阳能公司 用于制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法
CN102959738A (zh) * 2010-09-24 2013-03-06 太阳能公司 制造太阳能电池的发射极区域的方法
CN104103699A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN105845761A (zh) * 2016-04-29 2016-08-10 常州大学 一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构及制备方法
CN105870215A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法
CN205657066U (zh) * 2016-04-28 2016-10-19 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池电极结构
CN106575678A (zh) * 2014-09-05 2017-04-19 太阳能公司 改善的前触点异质结工艺
CN106611799A (zh) * 2017-01-12 2017-05-03 合肥海润光伏科技有限公司 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN106684160A (zh) * 2016-12-30 2017-05-17 中国科学院微电子研究所 一种背结背接触太阳能电池

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102144303A (zh) * 2008-09-03 2011-08-03 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 异质太阳能电池及其制造方法
CN102959731A (zh) * 2010-07-02 2013-03-06 太阳能公司 用于制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法
CN102959738A (zh) * 2010-09-24 2013-03-06 太阳能公司 制造太阳能电池的发射极区域的方法
CN104103699A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 Lg电子株式会社 太阳能电池
CN106575678A (zh) * 2014-09-05 2017-04-19 太阳能公司 改善的前触点异质结工艺
CN105870215A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法
CN205657066U (zh) * 2016-04-28 2016-10-19 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池电极结构
CN105845761A (zh) * 2016-04-29 2016-08-10 常州大学 一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构及制备方法
CN106684160A (zh) * 2016-12-30 2017-05-17 中国科学院微电子研究所 一种背结背接触太阳能电池
CN106611799A (zh) * 2017-01-12 2017-05-03 合肥海润光伏科技有限公司 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585578A (zh) * 2019-01-15 2019-04-05 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种背结太阳能电池及其制备方法
CN110137270A (zh) * 2019-04-17 2019-08-16 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性正面钝化perc太阳能电池的制备方法
CN111416011A (zh) * 2020-04-08 2020-07-14 上海交通大学 一种p型PERC晶硅太阳电池及制备方法
CN111416011B (zh) * 2020-04-08 2023-02-21 上海交通大学 一种p型PERC晶硅太阳电池及制备方法
CN113113510A (zh) * 2021-04-09 2021-07-13 通威太阳能（成都）有限公司 一种p型双面perc太阳电池及其制备方法和应用

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