CN105870215A - 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 - Google Patents
一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870215A CN105870215A CN201610279680.4A CN201610279680A CN105870215A CN 105870215 A CN105870215 A CN 105870215A CN 201610279680 A CN201610279680 A CN 201610279680A CN 105870215 A CN105870215 A CN 105870215A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- crystalline silicon
- electrode
- silicon layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法，电池背面结构包括设置在晶体硅片背面的用于对电池背面提供钝化作用的隧穿层，隧穿层上设置用于电荷垂直传导层的N型掺杂晶硅层，N型掺杂晶硅层上设置用于电荷的横向传导层的透明导电膜，透明导电膜上设置用于电荷汇集及电池片之间连接作用的背面金属电极。该电池背面结构背面电极采用透明导电膜/金属复合电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量，同时提高了电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法。
背景技术
自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80％以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破20％，全球年新增装机容量约50GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
按基材的掺杂类型，晶体硅太阳能电池分为P型晶体硅太阳能电池和N型晶体硅太阳能电池。与P型晶体硅太阳能电池相比，N型晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率和杂质容忍度，且基本上无光致衰减。此外，由于N型晶体硅比P型晶体硅具有更长的少子寿命，所以N型晶硅电池通常可以做成双面受光型电池以增加电池的输出功率，增加值一般在20％以上。
近年提出的背面钝化接触电池(采用Topcon技术)是N型电池的一种，这种电池由于采用了隧穿层和N型掺杂多/微晶硅背面结构，电荷传输方向由传统的三维变为一维，减少了电荷的传输路径，降低了少子复合的几率，电池的转换效率、收集率、内阻得到了改善。但背面钝化接触电池的背面电极由于采用全覆盖金属电极，无法发挥N型电池可双面发电的潜在优势，且金属电极的价格昂贵，不利于电池成本的降低。
发明内容
本发明的目的是提供了一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法，所述N型背面钝化接触电池的背面电极采用透明导电膜/金属复合电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量，同时提高了电池的转换效率。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种背面钝化接触电池电极结构，包括设置在晶体硅片上用于对电池背面提供钝化作用的隧穿层，隧穿层上设置有用于电荷垂直传导的N型掺杂晶硅层，N型掺杂晶硅层上设置有用于电荷的横向传导层的透明导电膜，透明导电膜上设置用于电荷汇集及电池片之间连接作用的背面金属电极。
所述的透明导电膜由ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，透明导电膜的厚度为50～500nm。
所述的背面金属电极阵列图案排布在透明导电膜上，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：线段、虚线段或弧线；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
一维几何图案的线宽为20～2000um，线长为2～156mm，相邻线段之间的距离为0.5～50mm；二维几何图案的尺寸为20～2000um，相邻两个图形中心距为0.5～10mm。
背面金属电极由一组或多组等间距平行的银、铝、镍、铜、金属合金、复合金属的栅线构成；栅线的线宽为20～2000um、线长为2～156mm，同组相邻栅线之间的距离为0.5～50mm，每组栅线的数量为5～100根。
所述的隧穿层为氧化硅、二氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅的一种或多种薄膜的叠层，隧穿层的厚度为1～10nm。
所述的N型掺杂晶硅层为单晶、多晶或微晶硅层，厚度为10～1000nm。
一种背面钝化接触电池电极结构的制备方法，包括以下步骤：
5)在晶体硅片背面制作隧穿层，制作的方法采用LPCVD、PECVD、ALD、热氧化、臭氧氧化、湿化学、电化学或阳极氧化；
6)在隧穿层上制作N型掺杂晶硅层，制作的方法为：①采用LPCVD或气相外延的方法直接形成N型掺杂晶硅层；或②采用PECVD的方法先形成N型掺杂非晶硅层，随后在200～500℃下进行热处理，使非晶硅层转化为多晶或微晶硅层；
7)在N型掺杂晶硅层上制作透明导电膜；
8)在透明导电膜上制作背面金属电极，完成电池背面电极结构的制作。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明的背面电池结构在保证电荷一维传输的情况下将透明导电膜/金属复合电极作为N型晶硅背面钝化接触电池的背面电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，实现了双面发电，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量。充分发挥了N型电池效率优势，使金属电极的遮光面积减小至4％以下，同时大幅提升了电池的转换效率。
本发明的制备方法采用依次由内向外的制作，先后制作隧穿层、N型掺杂晶硅层、透明导电膜和金属电极。制作方法简单，合格率高。掺杂非晶硅层提供了两种制备方案，保证了不同环境的制备需求。
附图说明
图1是N型晶体硅背面钝化接触电池的局部剖面示意图；
图2背面电极局部平面示意图一；
图3背面电极局部平面示意图二；
图4背面电极局部平面示意图三；
图5背面电极局部平面示意图四；
图6背面电极局部平面示意图五。
其中，1、正面金属电极，2、减反射膜，3、钝化膜，4、P型层，5、N型层，6、隧穿层，7、N型掺杂晶硅层，8为透明导电膜，9为背面金属电极。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
如图1所示，本发明一种背面钝化接触电池背面结构，N型背面钝化接触电池的背面电极采用透明导电膜/金属复合电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量，同时提高了电池的转换效率。该采用该电极的电池背面结构从上而下包括：隧穿层6、N型掺杂晶硅层(Poly-Si(N+)层)7、透明导电膜8、金属电极9。在本发明所述的电池电极结构中，隧穿层6对背面提供良好的钝化，N型掺杂晶硅层7作为电荷的垂直传导层，透明导电膜作8为电荷的横向传导层，透明导电膜8上的背面金属电极9起到电荷汇集及电池片之间连接的作用。
上述背面钝化接触电池背面结构的制备方法包括下述步骤：
1)N型晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀、正面制作钝化膜及减反射膜等工序处理，随后按如下步骤制作电池的背面电极。
2)在N型晶体硅片背面制作隧穿氧化硅薄膜6，膜厚为1～2nm，制作的方法可以采用LPCVD、PECVD、ALD、热氧化、臭氧氧化、湿化学、电化学、阳极氧化等。
3)在隧穿氧化硅上制作N型掺杂晶硅层7，该层的厚度为10～1000nm。制作的方法：①采用LPCVD、气相外延的方法直接形成N型掺杂晶硅层7；②采用PECVD的方法先形成N型掺杂非晶硅层，随后在200～500℃下进行热处理，使非晶硅层转化为多晶或微晶硅层7。
4)在N型掺杂晶硅层上制作透明导电膜，透明导电膜可以是ITO、AZO、GZO、FTO、IWO或石墨烯的一种薄膜或两种及以上薄膜的叠层构成，厚度为50～500nm，制作的方法可以采用溅射、气相沉积、喷涂、印刷等。
5)在透明导电膜上制作金属电极，背面金属电极采取阵列分布的实心或镂空图案，图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合，一维几何图形选自：线段、虚线段或弧线；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
其中，一维几何图案的线宽为20～2000um，数量为5～100根，线长为2～156mm，相邻线段之间的距离为0.5～50mm；二维几何图案的尺寸为20～2000um，相邻两个图形中心距为0.5～10mm。本发明优先考虑一维栅线状金属电极图案。金属电极可以是银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极和金属复合电极，制作方法可以采用印刷、激光转印、喷墨、3D打印、蒸镀等。
6)制作正面电极。
如图2至6所示，背面金属电极采用栅线电极，可以为主栅和细栅形成的网格结构(如图2)、单主栅结构(如图3)、不连续主栅和细栅形成的网格结构(如图4)、不连续细栅结构(如图5)或主栅和不连续细栅形成的网格结构(如图4)。
下面结合具体实施例，对本发明的制备方法进行详细说明：
实施例1：
(1)N型晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀、正面制作钝化膜及减反射膜等工序处理，随后按如下步骤制作背面电极。
(2)在背面采用LPCVD的方法制作厚度为2nm的隧穿氧化硅层。
(3)在隧穿氧化硅层上采用LPCVD的方法制作厚度为30nm的N型掺杂微晶硅层。
(4)在N型掺杂微晶硅层上采用溅射的方法制作厚度为100nm的ITO透明导电膜。
(5)在透明导电膜上采用喷墨的方法制作银电极，随后进行热处理。银电极由一组等间距平行的细栅线与一组等间距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为40根，截面宽度为30um。主栅为4根，截面宽度为1mm。
(6)制作正面电极。
实施例2：
(1)N型晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀、正面制作钝化膜及减反射膜等工序处理，随后按如下步骤制作背面电极。
(2)在背面采用PECVD的方法制作厚度为1nm的隧穿氧化硅薄膜。
(3)在隧穿氧化硅薄膜上采用PECVD的方法制作厚度为50nm的N型掺杂非晶硅层。
(4)在保护性气氛下进行200～500℃退火，使掺杂非晶硅转化为微晶硅；
(5)在N型掺杂微晶硅层上采用溅射的方法制作厚度为150nm的AZO透明导电膜。
(6)在透明导电膜上采用丝网印刷的方法制作银电极，随后进行热处理。银电极由相互平行的10组等间距平行的栅线构成，每组栅线为20根，截面宽度为20um，相邻两组平行栅线之间的间距为0.5mm。
(7)制作正面电极。
实施例3：
(1)N型晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀等工序处理，随后按如下步骤制作背面电极。
(2)在正面与背面采用光诱导臭氧氧化的方法制作厚度为2nm的氧化硅薄膜。
(3)在背面的氧化硅薄膜上采用ALD的方法制作厚度为100nm的N型掺杂微晶硅层。
(4)在N型掺杂微晶硅层上采用溅射的方法制作厚度为100nm的GZO透明导电膜。
(5)在透明导电膜上采用丝网印刷的方法制作银电极，随后进行热处理。银电极图案由1组等间距平行的栅线构成，栅线数量为20根，栅线宽度为40um。
(6)制作正面电极。
实施例4：
(1)N型晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀、正面制作钝化膜及减反射膜等工序处理，随后按如下步骤制作背面电极。
(2)在背面采用湿化学的方法制作厚度为2nm的隧穿氧化硅薄膜。
(3)在隧穿氧化硅薄膜上采用气相外延的方法制作厚度为200nm的N型掺杂多晶硅层。
(4)在N型掺杂多晶硅层上采用化学气相沉积的方法制作厚度为80nm的石墨烯透明导电膜。
(5)在透明导电膜上采用3D打印的方法制作银电极，随后进行热处理。银电极由一组等间距平行的细栅线与一组等间距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为20根，截面宽度为40um；主栅为5根，截面宽度为1mm。
(6)制作正面电极。
以上所述仅为本发明的几种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，包括设置在晶体硅片上用于对电池背面提供钝化作用的隧穿层(6)，隧穿层(6)上设置有用于电荷垂直传导的N型掺杂晶硅层(7)，N型掺杂晶硅层(7)上设置有用于电荷的横向传导的透明导电膜(8)，透明导电膜(8)上设置用于电荷汇集及电池片之间连接作用的背面金属电极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触电池背面结构，其特征在于，所述的透明导电膜(8)由ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，透明导电膜的厚度为50～500nm。
3.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，所述的背面金属电极(9)阵列图案排布在透明导电膜(8)上，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：线段、虚线段或弧线；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
4.根据权利要求3所述的一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，一维几何图案的线宽为20～2000um，线长为2～156mm，相邻线段之间的距离为0.5～50mm；二维几何图案的尺寸为20～2000um，相邻两个图形中心距为0.5～10mm。
5.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，背面金属电极(9)由一组或多组等间距平行的银、铝、镍、铜、金属合金、复合金属的栅线构成；栅线的线宽为20～2000um、线长为2～156mm，同组相邻栅线之间的距离为0.5～50mm，每组栅线的数量为5～100根。
6.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，所述的隧穿层(6)为氧化硅、二氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅的一种或多种薄膜的叠层，隧穿层(6)的厚度为1～10nm。
7.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触电池电极结构，其特征在于，所述的N型掺杂晶硅层(7)为单晶、多晶或微晶硅层，厚度为10～1000nm。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种背面钝化接触电池电极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在晶体硅片背面制作隧穿层(6)，制作的方法采用LPCVD、PECVD、ALD、热氧化、臭氧氧化、湿化学、电化学或阳极氧化；
2)在隧穿层(6)上制作N型掺杂晶硅层(7)，制作的方法为：①采用LPCVD或气相外延的方法直接形成N型掺杂晶硅层；或②采用PECVD的方法先形成N型掺杂非晶硅层，随后在200～500℃下进行热处理，使非晶硅层转化为多晶或微晶硅层；
3)在N型掺杂晶硅层(7)上制作透明导电膜(8)；
4)在透明导电膜(8)上制作背面金属电极(9)，完成电池背面电极结构的制作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610279680.4A CN105870215A (zh) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610279680.4A CN105870215A (zh) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870215A true CN105870215A (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=56629873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610279680.4A Pending CN105870215A (zh) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105870215A (zh) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449846A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-02-22 | 杨瑞鹏 | 网栅异质结太阳能电池及其工艺 |
| CN107546281A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 |
| CN107946405A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-20 | 隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触太阳能电池的制作方法 |
| CN108417666A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-08-17 | 苏州宝澜环保科技有限公司 | 一种高效率硅基光伏电池及其制造方法 |
| CN108807565A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-11-13 | 苏州太阳井新能源有限公司 | 一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法 |
| CN108878570A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-23 | 上海大学 | 空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法 |
| CN108899374A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 |
| WO2019007189A1 (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN109285897A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN109786476A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-21 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种钝化接触结构及其在硅太阳电池中应用 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110335916A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-10-15 | 张勇 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN110379882A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-10-25 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种n型钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN111009590A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-04-14 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种hjt太阳电池及其制备方法 |
| CN111081818A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-04-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法 |
| CN113540259A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-10-22 | 上海日岳新能源有限公司 | 简单高效的单结n型单晶硅电池技术 |
| CN113921378A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-11 | 惠科股份有限公司 | 微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板 |
| CN113972302A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-25 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | TOPCon电池及其制备方法和电器设备 |
| CN114744053A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-07-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池及生产方法、光伏组件 |
| CN115000196A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-02 | 苏州星翰新材料科技有限公司 | 太阳能电池栅线结构及太阳能电池 |
| AU2020448642B2 (en) * | 2020-05-19 | 2023-11-23 | Longi Solar Technology (Taizhou) Co., Ltd. | Back contact solar cell assembly |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177264A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| CN104465803A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 广西智通节能环保科技有限公司 | 一种背发射极异质结太阳电池及制备方法 |
| CN104718630A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-06-17 | 喜瑞能源公司 | 在基板中具有浅反掺杂层的隧穿结太阳能电池 |
| CN104952943A (zh) * | 2009-04-21 | 2015-09-30 | 泰特拉桑有限公司 | 高效率太阳能电池结构及制造方法 |
| CN205657066U (zh) * | 2016-04-28 | 2016-10-19 | 乐叶光伏科技有限公司 | 一种背面钝化接触电池电极结构 |
-
2016
- 2016-04-28 CN CN201610279680.4A patent/CN105870215A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177264A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| CN104952943A (zh) * | 2009-04-21 | 2015-09-30 | 泰特拉桑有限公司 | 高效率太阳能电池结构及制造方法 |
| CN104718630A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-06-17 | 喜瑞能源公司 | 在基板中具有浅反掺杂层的隧穿结太阳能电池 |
| CN104465803A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 广西智通节能环保科技有限公司 | 一种背发射极异质结太阳电池及制备方法 |
| CN205657066U (zh) * | 2016-04-28 | 2016-10-19 | 乐叶光伏科技有限公司 | 一种背面钝化接触电池电极结构 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449846A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-02-22 | 杨瑞鹏 | 网栅异质结太阳能电池及其工艺 |
| CN108899374B (zh) * | 2017-05-15 | 2020-02-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 |
| CN108899374A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 |
| WO2019007189A1 (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN107546281A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 |
| CN107946405A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-20 | 隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触太阳能电池的制作方法 |
| CN107946405B (zh) * | 2017-11-16 | 2019-10-18 | 隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触太阳能电池的制作方法 |
| CN108417666B (zh) * | 2018-03-02 | 2019-11-19 | 新昌县鼎瑞科技有限公司 | 一种高效率硅基光伏电池及其制造方法 |
| CN108417666A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-08-17 | 苏州宝澜环保科技有限公司 | 一种高效率硅基光伏电池及其制造方法 |
| CN108878570A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-23 | 上海大学 | 空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法 |
| CN108807565B (zh) * | 2018-07-13 | 2024-04-16 | 苏州太阳井新能源有限公司 | 一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法 |
| CN108807565A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-11-13 | 苏州太阳井新能源有限公司 | 一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法 |
| CN109285897A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN109786476A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-21 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种钝化接触结构及其在硅太阳电池中应用 |
| CN110335916A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-10-15 | 张勇 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN110190156B (zh) * | 2019-07-08 | 2024-06-11 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110379882A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-10-25 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种n型钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN111009590A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-04-14 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种hjt太阳电池及其制备方法 |
| CN111081818A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-04-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法 |
| US12154999B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-11-26 | Longi Solar Technology (Taizhou) Co., Ltd. | Back contact solar cell assembly |
| AU2020448642B2 (en) * | 2020-05-19 | 2023-11-23 | Longi Solar Technology (Taizhou) Co., Ltd. | Back contact solar cell assembly |
| CN114744053B (zh) * | 2020-12-23 | 2023-10-24 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池及生产方法、光伏组件 |
| CN114744053A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-07-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池及生产方法、光伏组件 |
| CN113540259A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-10-22 | 上海日岳新能源有限公司 | 简单高效的单结n型单晶硅电池技术 |
| CN113921378B (zh) * | 2021-09-29 | 2022-08-23 | 惠科股份有限公司 | 微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板 |
| CN113921378A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-11 | 惠科股份有限公司 | 微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板 |
| CN113972302A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-25 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | TOPCon电池及其制备方法和电器设备 |
| CN115000196A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-02 | 苏州星翰新材料科技有限公司 | 太阳能电池栅线结构及太阳能电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105870215A (zh) | 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 | |
| CN109346536B (zh) | 一种接触钝化晶体硅太阳能电池结构及制备方法 | |
| CN210926046U (zh) | 太阳能电池 | |
| CN106601855A (zh) | 一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法 | |
| CN103346211A (zh) | 一种背接触太阳能电池及其制作方法 | |
| CN105810779B (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN205657066U (zh) | 一种背面钝化接触电池电极结构 | |
| CN114497290A (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池制造方法 | |
| TWI727728B (zh) | 薄膜光伏電池串聯結構及薄膜光伏電池串聯的製備工藝 | |
| WO2022142343A1 (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106057926A (zh) | 具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池及其制备方法 | |
| CN111477720A (zh) | 一种钝化接触的n型背结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103022174B (zh) | 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN111524982A (zh) | 太阳电池 | |
| CN110021673A (zh) | 一种双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN205564764U (zh) | 一种背面钝化接触电池结构 | |
| CN102903775A (zh) | 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 | |
| CN105870212A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法 | |
| CN202076297U (zh) | 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池结构 | |
| CN104425651A (zh) | 一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺 | |
| CN215299264U (zh) | 一种新型低成本的太阳电池结构 | |
| CN209571422U (zh) | 一种双面晶硅太阳能电池 | |
| CN210073868U (zh) | 一种选择性增强正面钝化的perc太阳能电池 | |
| CN102522453A (zh) | 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法 | |
| CN104091843B (zh) | 一种背钝化太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 710018 Shaanxi Province, Xi'an economic and Technological Development Zone is Jilu No. 8989 A block 6 layer Applicant after: Long base music Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 710199 No. 388, middle route, Xi'an, Shaanxi, Changan District Applicant before: LERRI SOLAR TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160817 |