CN115810688A - 一种太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

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Jinko Solar Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、掺杂导电层、本征多晶硅层和第一电极。基底具有第一表面；隧穿氧化层覆盖于第一表面；掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面；本征多晶硅层设置于掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧；多个第一电极设置于本征多晶硅层远离掺杂导电层的一侧，多个第一电极与掺杂导电层电连接；第一电极的至少部分位于本征多晶硅层内，且第一电极的顶端与基底之间存在间隔。能够防止隧穿氧化层被破坏，使得第一表面处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。

Description

一种太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，为了抑制太阳能电池基底表面的载流子复合，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。
现有技术中，太阳能电池的电极容易穿透遂穿氧化层而与基底相接触，导致基底表面的钝化效果被破坏，使得载流子复合增加，影响了太阳能电池的光电转化效率。
发明内容
本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转化效率。
本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
基底，所述基底具有第一表面；
隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；
掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；
本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧；
第一电极，多个所述第一电极设置于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧，多个所述第一电极与所述掺杂导电层电连接；
所述第一电极的至少部分位于所述本征多晶硅层内，且所述第一电极的顶端与所述基底之间存在间隔。
在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层覆盖于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。
在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面。
在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层包括多个覆盖部，所述覆盖部用于覆盖所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；多个所述覆盖部分别覆盖于所述掺杂导电层上与多个所述第一电极相对应的部位。
在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，一部分所述第一钝化层覆盖于所述掺杂导电层上未设置所述覆盖部的部位，另一部分所述第一钝化层覆盖于所述覆盖部远离所述掺杂导电层的一侧表面。
在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层的厚度D1满足：10nm≤D1≤80nm。
在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域，所述局部掺杂区域分别与所述第一电极、所述本征多晶硅层和所述掺杂导电层相连接，以使所述第一电极与所述掺杂导电层电连接。
在一种可能的设计中，所述第一电极为金属电极，所述第一电极与所述掺杂导电层具有相同导电类型的掺杂元素，且所述第一电极的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度；所述第一电极中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层的方向渗透，以形成所述局部掺杂区域。
在一种可能的设计中，所述掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为1×1020atoms/cm3～1×1021atoms/cm3。
在一种可能的设计中，所述局部掺杂区域中所述掺杂元素的浓度为1×1019atoms/cm3～1×1020atoms/cm3。
在一种可能的设计中，所述第一电极与所述基底具有相同导电类型的所述掺杂元素。
在一种可能的设计中，所述第一电极与所述基底具有不同导电类型的所述掺杂元素。
在一种可能的设计中，所述局部掺杂区域的截面积为1×10-8mm2～1×10-6mm2。
在一种可能的设计中，所述第一电极包括本体和沿所述本体朝向所述掺杂导电层的方向延伸的延伸部；所述延伸部位于所述本征多晶硅层和/或所述掺杂导电层内，且所述延伸部的顶端与所述基底之间存在间隔，所述局部掺杂区域包覆于所述延伸部。
在一种可能的设计中，所述延伸部包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述本体相连接，所述第二部分与所述本体和所述第一部分之间均存在间隔；一部分所述局部掺杂区域包覆于所述第一部分，另一部分所述局部掺杂区域包覆于所述第二部分。
在一种可能的设计中，所述掺杂导电层的厚度D2满足：10nm≤D2≤80nm。
在一种可能的设计中，所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面；
所述太阳能电池还包括：
发射极，所述发射极设置于所述第二表面；
第二电极，多个所述第二电极设置于所述发射极远离所述基底的一侧，多个所述第二电极与所述发射极电连接；
第二钝化层，所述第二钝化层覆盖于所述发射极远离所述基底的一侧表面。
本申请第二方面提供一种光伏组件，所述光伏组件包括：
电池串，所述电池串由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为以上所述的太阳能电池；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
本申请中，通过设置本征多晶硅层，能够防止第一电极穿透隧穿氧化层而与基底产生接触，避免了隧穿氧化层被破坏，从而使得第一表面处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。并且，本征多晶硅层中没有掺杂，其吸光系数相比于掺杂导电层低很多，因此设置本征多晶硅层还能够降低太阳能电池的光学损失，提高了太阳能电池对光能的利用率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
图1为本申请所提供的太阳能电池在第一种具体实施例中的剖面结构示意图；
图2为本申请所提供的太阳能电池在第二种具体实施例中的剖面结构示意图；
图3为图1中A部分的放大图；
图4为本申请所提供的光伏组件的结构示意图。
附图标记：
1-基底；
1a-第一表面；
1b-第二表面；
2-隧穿氧化层；
3-掺杂导电层；
4-本征多晶硅层；
41-覆盖部；
5-第一电极；
51-本体；
52-延伸部；
521-第一部分；
522-第二部分；
6-局部掺杂区域；
7-第一钝化层；
8-发射极；
9-第二电极；
10-第二钝化层；
110-电池串；
120-封装层；
130-盖板；
140-导电带。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
现有技术中，制备太阳能电池时，会在基底的一侧表面设置隧穿氧化层和掺杂导电层，隧穿氧化层能够作为多数载流子的隧穿层，同时对基底表面进行化学钝化，减少界面态。掺杂导电层能够形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少复合损失，保证了载流子的传输效率。此外，还会在基底表面制备金属电极，金属电极与掺杂导电层电连接，且不穿透隧穿氧化层，以保持良好的界面钝化效果。
然而，掺杂导电层具有吸光能力，会造成一定的光学损失而使得太阳能电池的正面电池和背面电池效率降低，进而使得电池双面率下降，导致太阳能电池用于双面发电功能时，双面发电率下降。为了改善上述情况，可以将掺杂导电层的厚度减薄，从而减少掺杂导电层的吸光能力，以减少光学损失，提高太阳能电池的电池效率。但是，当掺杂导电层减薄后，金属电极很容易穿透隧穿氧化层而与基底相接触，导致基底表面的钝化效果被破坏，使得基底表面的载流子复合增加，导致电池的光电转化效率下降，并且，现有的金属电极的制作工艺难以控制其达到“金属电极与掺杂导电层相接触，但不穿透隧穿氧化层”的要求。
基于上述情况，本申请实施例提供了一种太阳能电池，该太阳能电池能够降低基底表面的复合损失，提高太阳能电池的光电转化效率。如图1所示，该太阳能电池包括基底1、隧穿氧化层2、掺杂导电层3、本征多晶硅层4和第一电极5。其中，基底1具有第一表面1a，隧穿氧化层2覆盖于第一表面1a，掺杂导电层3覆盖于隧穿氧化层远离基底1的一侧表面，本征多晶硅层4设置于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧，多个第一电极5设置于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧，多个第一电极5与掺杂导电层3电连接，第一电极5的至少部分位于本征多晶硅层4内，且第一电极5的顶端与基底1之间存在间隔。
如图1所示，基底1用于接收入射光线并产生光生载流子，隧穿氧化层2能够对第一表面1a进行化学钝化，能够降低第一表面1a的界面缺陷密度，从而减少第一表面1a的复合中心来降低载流子复合速率，掺杂导电层3用于形成场钝化层，能够降低少数载流子浓度，从而降低载流子复合速率。本征多晶硅层4设置于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧，能够增大第一电极5与隧穿氧化层2之间的距离，第一电极5的至少部分能够经本征多晶硅层4与掺杂导电层3接触，并与掺杂导电层3实现电连接，同时，第一电极5的顶端与基底1之间存在间隔，确保了第一电极5不会穿透隧穿氧化层2而与基底1产生接触，从而使得第一表面1a能够保持良好的界面钝化效果。
本实施例中，通过设置本征多晶硅层4，能够防止第一电极5穿透隧穿氧化层2而与基底1产生接触，避免了隧穿氧化层2被破坏，从而使得第一表面1a处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。并且，本征多晶硅层4中没有掺杂，其吸光系数相比于掺杂导电层3低很多，因此设置本征多晶硅层4还能够降低太阳能电池的光学损失，提高了太阳能电池对光能的利用率。
需要说明的是，第一电极5不穿透隧穿氧化层2包括第一电极5未与隧穿氧化层2接触，以及第一电极5的部分伸入至隧穿氧化层2内，但并未完全穿过隧穿氧化层2这两种情况。
本实施例中，基底1可以为硅基底，包括但不限于单晶硅基底、多晶硅基底、微晶硅基底、纳米晶硅基底等等。
在一种具体的实施例中，如图1所示，本征多晶硅层4覆盖于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2一侧的全部表面。
本征多晶硅层4将掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面全部覆盖，能够增大第一电极5与隧穿氧化层2之间的距离，在电极浆料烧结形成第一电极5的过程中，第一电极5的顶端会先与本征多晶硅层4接触，再与掺杂导电层3接触，降低了第一电极5穿透隧穿氧化层2而与基底1接触的可能性。
具体地，如图1所示，太阳能电池还包括第一钝化层7，第一钝化层7覆盖于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧表面。
第一钝化层7可以起到钝化与其接触的表面的作用，用于增强太阳能电池的钝化效果，能够降低界面处载流子的复合，提高载流子的传输效率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。第一钝化层7还具有减少或消除太阳能电池表面的反射光、增加透光量的功能，进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。
具体地，第一钝化层7可以包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅等组分，此外，第一钝化层7可以为单层结构，也可以为多层结构，每一层的折射率和厚度均可以做出相应的设计。
此外，在另一种具体的实施例中，如图2所示，本征多晶硅层4包括多个覆盖部41，覆盖部41用于覆盖掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面，多个覆盖部41分别覆盖于掺杂导电层3上与多个第一电极5相对应的部位。
本实施例中，本征多晶硅层4由间隔设置的多个覆盖部41组成，每个覆盖部41分别覆盖掺杂导电层3的一部分表面，且能够与多个第一电极5的位置相对应，以确保第一电极5能够先接触覆盖部41，再接触掺杂导电层3，降低了第一电极5穿透隧穿氧化层2而与基底1接触的可能性。在此基础上，间隔设置的覆盖部41有利于减少太阳能电池的光学损失，从而使更多的光被基底1吸收，产生更多的载流子，进而提高太阳能电池的光电转换效率。还能够减少设置本征多晶硅层4的成本，进而降低太阳能电池的制作成本。
具体地，如图2所示，太阳能电池还包括第一钝化层7，一部分第一钝化层7覆盖于掺杂导电层3上未设置覆盖部41的部位，另一部分第一钝化层7覆盖于覆盖部41远离掺杂导电层3的一侧表面。
如图2所示，第一钝化层7能够将掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面上所有裸露的部位全部覆盖，同时还能够将覆盖部41远离掺杂导电层3的表面及其侧面全部覆盖，起到了良好的钝化作用，从而降低了上述表面处载流子的复合，提高了载流子的传输效率，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
在一种具体的实施例中，如图3所示，本征多晶硅层4的厚度D1满足：10nm≤D1≤80nm。具体地，本征多晶硅层4的厚度D1可以为10nm、30nm、50nm、70nm或80nm，也可以是上述范围内的其他值，再此不做限定。
当D1过小(例如小于10nm)时，本征多晶硅层4过薄，导致第一电极5与隧穿氧化层2之间的距离过小，第一电极5很容易穿透隧穿氧化层2而与基底1接触，造成载流子复合增加，影响太阳能电池的光电转换效率；当D1过大(例如大于80nm)时，会导致本征多晶硅层4的成本增加，但太阳能电池的光电转换效率并没有明显提高。因此，当本征多晶硅层4的厚度D1为10nm～80nm时，既可以确保太阳能电池的光电转换效率得到提升，又能够适量降低太阳能电池的制作成本。
在一种具体的实施例中，如图3所示，太阳能电池还包括局部掺杂区域6，局部掺杂区域6分别与第一电极5、本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，以使第一电极5与掺杂导电层3电连接。
本征多晶硅层4中不含掺杂元素，相比于掺杂导电层3，本征多晶硅层4的导电能力较弱，当第一电极5未穿透本征多晶硅层4时，即第一电极5只与本征多晶硅层4接触，而未与掺杂导电层3接触时，无法实现第一电极5与掺杂导电层3之间的电连接，导致载流子的传输速率降低。因此，需要设置导电性较强的局部掺杂区域6来实现第一电极5与掺杂导电层3之间的电连接。
具体地，如图3所示，局部掺杂区域6位于本征多晶硅层4和掺杂导电层3的区域内，当第一电极5未穿透本征多晶硅层4时，局部掺杂区域6能够分别与第一电极5、本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，从而实现第一电极5与掺杂导电层3之间的电连接，加快载流子的传输速率。当第一电极5穿透本征多晶硅层4，并与掺杂导电层3相接触形成电连接时，局部掺杂区域6能够在此基础上提高第一电极5与掺杂导电层3之间的导电效率，进而加快载流子的传输速率。
具体地，第一电极5为金属电极，第一电极5与掺杂导电层3具有相同导电类型的掺杂元素，且第一电极5的掺杂浓度大于掺杂导电层3的掺杂浓度，第一电极5中的掺杂元素朝向掺杂导电层3的方向渗透，以形成局部掺杂区域6。
当第一电极5与掺杂导电层3具有相同导电类型的掺杂元素，且第一电极5的掺杂浓度大于掺杂导电层3的掺杂浓度时，在电极浆料烧结的高温过程中，掺杂元素能够沿浓度从高到底的方向发生渗透作用，以在本征多晶硅层4和掺杂导电层3处形成沿第一电极5朝向掺杂导电层3的方向延伸分布的局部掺杂区域6，当本征多晶硅层4的部分区域形成有局部掺杂区域6之后，该区域的导电性能够得到提高，有利于实现第一电极5与掺杂导电层3的电连接，从而提高了太阳能电池的性能。
具体地，掺杂元素可以为包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等V族元素N型掺杂物，或包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等III族元素的P型掺杂物。
此外，第一电极5由金属电极浆料烧结而成，金属电极浆料中掺杂元素占浆料全部组分的比例为0.01％～5％，具体可以为0.01％、0.05％、1％、3％或5％，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
形成局部掺杂区域6之后，局部掺杂区域6中掺杂元素的掺杂浓度与掺杂导电层3中掺杂元素的掺杂浓度之比为1:100～1:1，具体可以为1:100、1:80、1:50、1:30或1:1，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
具体地，掺杂导电层3中掺杂元素的浓度为1×1020atoms/cm3～1×1021atoms/cm3，局部掺杂区域6中掺杂元素的浓度为1×1019atoms/cm3～1×1020atoms/cm3。
可选地，掺杂导电层3中掺杂元素的浓度可以为1×1020atoms/cm3、0.3×1021atoms/cm3、0.5×1021atoms/cm3、0.8×1021atoms/cm3或1×1021atoms/cm3，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
可选地，局部掺杂区域6中掺杂元素的浓度可以为1×1019atoms/cm3、0.3×1020atoms/cm3、0.5×1020atoms/cm3、0.8×1020atoms/cm3或1×1020atoms/cm3，可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
当掺杂导电层3和局部掺杂区域6中掺杂元素的浓度分别满足上述范围时，可以确保第一电极5与掺杂导电层3之间能够形成稳定的电连接关系，从而提高载流子的传输速率，进而提高太阳能电池的性能。
在一种具体的实施例中，第一电极5与基底1具有相同导电类型的掺杂元素。
本实施例中，第一电极5与基底1中的掺杂元素相同，可以是诸如包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等V族元素的N型掺杂物，或包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等III族元素的P型掺杂物。
此外，在另一种具体的实施例中，第一电极5与基底1具有不同导电类型的掺杂元素。
本实施例中，第一电极5与基底1中的掺杂元素不同，当基底1中的掺杂元素为包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等V族元素的N型掺杂物时，第一电极5中的掺杂元素为包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等III族元素的P型掺杂物。或者，当基底1中的掺杂元素为包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等III族元素的P型掺杂物时，第一电极5中的掺杂元素为包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等V族元素的N型掺杂物。
在一种具体的实施例中，局部掺杂区域6的截面积为1×10-8mm2～1×10-6mm2。可选地，局部掺杂区域6的截面积可以为1×10-8mm2、0.5×10-7mm2、1×10-7mm2、0.5×10-6mm2或1×10-6mm2，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
当局部掺杂区域6的截面积过小(例如小于1×10-8mm2)时，会导致第一电极5与掺杂导电层3之间的接触面积过小，不利于载流子的传输；当局部掺杂区域6的截面积过大(例如大于1×10-6mm2)时，需要增大第一电极5内掺杂元素的浓度，即需要在电极浆料中掺入更多的掺杂元素，导致第一电极5的工艺制作难度和成本大幅增加，但载流子的传输速率并不会得到明显提升。因此，当局部掺杂区域6的截面积为1×10-8mm2～1×10-6mm2时，既能够增大第一电极5与掺杂导电层3之间的接触面积，提高载流子的传输效率，又能够适当地降低太阳能电池的制作成本。
在一种具体的实施例中，如图3所示，第一电极5包括本体51和沿本体51朝向掺杂导电层3的方向延伸的延伸部52，延伸部52位于本征多晶硅层4和/或掺杂导电层3内，且延伸部52的顶端与基底1之间存在间隔，局部掺杂区域6包覆于延伸部52。
如图3所示，本体51设置于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧，本体51不与掺杂导电层3直接接触，能够减少对场钝化层的破坏，确保第一表面1a具有良好的钝化效果。延伸部52与第一本体51电连接，二者均能起到传输载流子的作用，延伸部52沿本体51朝向掺杂导电层3的方向延伸，延伸部52是由于电极浆料的烧结过程中，电极浆料朝向掺杂导电层3的方向渗透而形成，本征多晶硅层4能够避免延伸部52穿透隧穿氧化层2，使得延伸部52的顶端与基底1之间存在间隔。局部掺杂区域6包覆于延伸部52位于本体51相接触的表面，且能够与本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，以实现延伸部52与掺杂导电层3之间的电连接。
具体地，如图3所示，延伸部52包括第一部分521和第二部分522，第一部分521与本体51相连接，第二部分522与本体51和第一部分521之间均存在间隔，一部分局部掺杂区域6包覆于第一部分521，另一部分局部掺杂区域6包覆于第二部分522。
延伸部52存在两种形式，一种是与本体51直接连接的第一部分521，另一种是与本体51之间存在间隔的第二部分522，第二部分522为游离态的晶粒，第一部分521和第二部分522的表面均包覆有局部掺杂区域6，以确保延伸部52与掺杂导电层3之间的稳定电连接。
在一种具体的实施例中，如图3所示，掺杂导电层3的厚度D2满足：10nm≤D2≤80nm。具体地，掺杂导电层3的厚度D2可以为10nm、30nm、50nm、70nm或80nm，也可以是上述范围内的其他值，再此不做限定。
本实施例中，当掺杂导电层3的厚度D2为10nm≤D2≤80nm时，既能够确保第一电极5与掺杂导电层3之间的电连接可靠性，提高载流子的传输速率，又能够降低掺杂导电层3的吸光能力，从而减少太阳能电池的光学损失，提高太阳能电池的电池效率，还能够降低太阳能电池整体的厚度和重量，便于安装和运输。
在一种具体的实施例中，如图1所示，基底1还具有与第一表面1a相对设置的第二表面1b，该太阳能电池还包括发射极8、第二电极9和第二钝化层10，发射极8设置于第二表面1b，多个第二电极9设置于发射极8远离基底1的一侧，多个第二电极9与发射极8电连接，第二钝化层10覆盖于发射极8远离基底1的一侧表面。
基底1的第一表面1a和第二表面1b均可用于接收入射光线或反射光线，如图1所示，与第一表面1a相对的第二表面1b上依次设置有发射极8、第二电极9和第二钝化层10。其中，当基底1为P型硅基底时，发射极8可以为N型发射极，二者可以共同组成PN结结构，或者，当基底1为N型硅基底时，发射极8可以为P型发射极。第二钝化层10与第一钝化层7的作用和效果接近，即起到钝化与其接触的表面的作用，从而降低了界面处载流子的复合，提高载流子的传输效率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。
此外，如图1所示，基底1的第二表面1b可以设置为金字塔绒面结构，以使第二表面1b对入射光线的反射率减小，对光线的吸收利用率增大，从而提高第二表面1b的透光量，进而提高太阳能电池的光电转换效率。基底1的第一表面1a可以设置为非金字塔绒面结构，比如层叠的台阶形貌，以使位于第一表面1a的隧穿氧化层2具有较高的致密度和均匀性，使得隧穿氧化层2的对基底1具有良好的钝化效果。具体地，第一表面1a可以为基底1的背面，即基底1背向太阳的一侧表面，相应地，第二表面1b可以为基底1的正面，即基底1面向太阳，用于接收太阳光的一侧表面；或者，第一表面1a也可以为基底1的正面，相应地，第二表面1b也可以为基底1的背面。
本申请实施例还提供了一种光伏组件，如图4所示，该光伏组件包括电池串110、封装层120和盖板130，电池串110由多个太阳能电池连接而成，该太阳能电池为以上各实施例中所述的太阳能电池，封装层120用于覆盖电池串110的表面，盖板130用于覆盖封装层120远离电池串110的表面。
如图4所示，太阳能电池以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串110，多个电池串110以串联和/或并联的方式进行电连接。具体地，多个电池串110之间可以通过导电带140电连接。封装层120覆盖太阳能电池的正面以及背面，具体地，封装层120可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜或者聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等有机封装胶膜。盖板130可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板130。具体地，盖板130朝向封装层120的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。
太阳能电池设置有本征多晶硅层4，能够避免隧穿氧化层2被第一电极5破坏，提高了太阳能电池的光电转换效率，则包含该太阳能电池的光伏组件的光电转换效率也能够得到提升。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
基底(1)，所述基底(1)具有第一表面(1a)；
隧穿氧化层(2)，所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a)；
掺杂导电层(3)，所述掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面；
本征多晶硅层(4)，所述本征多晶硅层(4)设置于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧；
第一电极(5)，多个所述第一电极(5)设置于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧，多个所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)电连接；
所述第一电极(5)的至少部分位于所述本征多晶硅层(4)内，且所述第一电极(5)的顶端与所述基底(1)之间存在间隔。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层(7)，所述第一钝化层(7)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)包括多个覆盖部(41)，所述覆盖部(41)用于覆盖所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面；
多个所述覆盖部(41)分别覆盖于所述掺杂导电层(3)上与多个所述第一电极(5)相对应的部位。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层(7)，一部分所述第一钝化层(7)覆盖于所述掺杂导电层(3)上未设置所述覆盖部(41)的部位，另一部分所述第一钝化层(7)覆盖于所述覆盖部(41)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)的厚度D1满足：10nm≤D1≤80nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域(6)，所述局部掺杂区域(6)分别与所述第一电极(5)、所述本征多晶硅层(4)和所述掺杂导电层(3)相连接，以使所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)电连接。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极(5)为金属电极，所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)具有相同导电类型的掺杂元素，且所述第一电极(5)的掺杂浓度大于所述掺杂导电层(3)的掺杂浓度；
所述第一电极(5)中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层(3)的方向渗透，以形成所述局部掺杂区域(6)。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)中所述掺杂元素的浓度为1×1020atoms/cm3～1×1021atoms/cm3。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部掺杂区域(6)中所述掺杂元素的浓度为1×1019atoms/cm3～1×1020atoms/cm3。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极(5)与所述基底(1)具有相同导电类型的所述掺杂元素。
12.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极(5)与所述基底(1)具有不同导电类型的所述掺杂元素。
13.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部掺杂区域(6)的截面积为1×10-8mm2～1×10-6mm2。
14.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极(5)包括本体(51)和沿所述本体(51)朝向所述掺杂导电层(3)的方向延伸的延伸部(52)；
所述延伸部(52)位于所述本征多晶硅层(4)和/或所述掺杂导电层(3)内，且所述延伸部(52)的顶端与所述基底(1)之间存在间隔，所述局部掺杂区域(6)包覆于所述延伸部(52)。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述延伸部(52)包括第一部分(521)和第二部分(522)，所述第一部分(521)与所述本体(51)相连接，所述第二部分(522)与所述本体(51)和所述第一部分(521)之间均存在间隔；
一部分所述局部掺杂区域(6)包覆于所述第一部分(521)，另一部分所述局部掺杂区域(6)包覆于所述第二部分(522)。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)的厚度D2满足：10nm≤D2≤80nm。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底(1)还具有与所述第一表面(1a)相对设置的第二表面(1b)；
所述太阳能电池还包括：
发射极(8)，所述发射极(8)设置于所述第二表面(1b)；
第二电极(9)，多个所述第二电极(9)设置于所述发射极(8)远离所述基底(1)的一侧，多个所述第二电极(9)与所述发射极(8)电连接；
第二钝化层(10)，所述第二钝化层(10)覆盖于所述发射极(8)远离所述基底(1)的一侧表面。
18.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括：
电池串(110)，所述电池串(110)由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为权利要求1-17中任一项所述的太阳能电池；
封装层(120)，所述封装层(120)用于覆盖所述电池串(110)的表面；
盖板(130)，所述盖板(130)用于覆盖所述封装层(120)远离所述电池串(110)的表面。
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