CN104681648B - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

太阳能电池及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104681648B
CN104681648B CN201410709226.9A CN201410709226A CN104681648B CN 104681648 B CN104681648 B CN 104681648B CN 201410709226 A CN201410709226 A CN 201410709226A CN 104681648 B CN104681648 B CN 104681648B
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
conductivity type
type regions
main region
main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410709226.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104681648A (zh
Inventor
梁荣成
崔正薰
朴铉定
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN104681648A publication Critical patent/CN104681648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104681648B publication Critical patent/CN104681648B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。

Description

太阳能电池及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年11月28日向韩国专利局申请的申请号为No.10-2013-0146519的韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含在本文中。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地，涉及背面接触太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来，随着诸如石油和煤炭的现有能源渐渐用尽，对替代能源的兴趣与日俱增。具体地，直接将太阳能转化为电能的太阳能电池作为下一代替代能源正日益受到关注。
这些太阳能电池可以通过根据设计形成各种层和电极来制造。在这方面，太阳能电池的效率可以根据各种层和电极的设计来确定。为了广泛应用太阳能电池，需要克服其低效率。因此，需要开发一种通过各种层和电极的设计来制造具有效率最大化的太阳能电池的方法。
发明内容
本发明的实施方式提供具有提高的效率的太阳能电池及其制造方法。
在本发明的一个实施方式中，一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：半导体基板；以及第一导电类型区域和第二导电类型区域，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域设置在所述半导体基板的同一侧；其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在所述主区域的周边部分的边界区域，以及其中，所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
第一导电类型区域可以包括第一主区域和设置在该第一主区域的周边部分的第一边界区域，并且所述第一边界区域可以具有变化的第一掺杂浓度和变化的第一掺杂深度中的至少一方。第二导电类型区域可以包括第二主区域和设置在该第二主区域的周边部分的第二边界区域，并且所述第二边界区域可以具有变化的第二掺杂浓度和变化的第二掺杂深度中的至少一方。第一边界区域可以具有与第二边界区域不同的宽度。
第一导电类型区域可以是p型的，第二导电类型区域可以是n型的，并且第一边界区域可以具有比第二边界区域大的宽度。
半导体基板可以包括基底区域，并且该基底区域可以是n型的。
第一边界区域的宽度可以是第二边界区域的两倍或更多。
第一边界区域的宽度可以是第二边界区域的两倍到四倍。
第一导电类型区域可以包括硼(B)并且为p型，第二导电类型区域可以包括磷(P)并且为n型。
边界区域的掺杂浓度和掺杂深度中的至少一方可以在远离主区域的过程中逐渐降低。
阻隔区域或基底区域可以设置在第一导电类型区域和第二导电类型区域之间。
第一导电类型区域、第二导电类型区域以及边界区域可以是共面的。
第一导电类型区域和第二导电类型区域之间的区域可以是1μm到100μm。
在本发明的另一实施方式中，制造太阳能电池的方法包括在半导体基板的同一侧上形成第一导电类型区域和第二导电类型区域。第一导电类型区域和第二导电类型区域中的至少一个包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
第一导电类型区域可以包括第一主区域和设置在该第一主区域的周边部分的第一边界区域，并且所述第一边界区域具有变化的第一掺杂浓度和变化的第一掺杂深度中的至少一方。第二导电类型区域可以包括第二主区域和设置在该第二主区域的周边部分的第二边界区域，并且所述第二边界区域具有变化的第二掺杂浓度和变化的第二掺杂深度中的至少一方。第一边界区域可以具有与第二边界区域不同的宽度。
第一主区域和第二主区域可以通过离子注入来形成，并且第一边界区域和第二边界区域可以通过激活的热处理引起的扩散来形成。
第一主区域的激活的热处理和第二主区域的激活的热处理可以利用相同的制造工艺同时进行。
第一主区域和第二主区域可以分别通过利用罩构件或阻隔构件作为掩模的第一导电类型杂质和第二导电类型杂质的离子注入形成。
第一导电类型区域和第二导电类型区域的形成可以包括以下步骤：在半导体基板的表面上形成半导体层；利用具有暴露与第一主区域相对应的区域的第一开口的罩通过将半导体层掺杂第一导电类型杂质来形成第一主区域；利用具有暴露与第二主区域相对应的区域的第二开口的罩通过将半导体层掺杂第二导电类型杂质来形成第二主区域；以及通过对第一主区域和第二主区域进行热处理在所述第一主区域和第二主区域之间的无掺杂区域中形成第一边界区域和第二边界区域。
可以在第一导电类型区域和第二导电类型区域之间设置阻隔区域，并且该阻隔区域可以具有比无掺杂区域小的面积。
所述方法可以进一步包括，在形成半导体层和形成第一主区域之间，在所述半导体层上形成阻隔构件，所述阻隔构件与位于第一导电类型区域和第二导电类型区域之间的边界部分相对应。
所述方法可以进一步包括，在形成半导体层和形成第一主区域之间，通过将预非晶化的元素离子注入到位于半导体层的第一导电类型区域和第二导电类型区域之间的边界部分中，在半导体层中形成非晶区域。
在本发明的实施方式中，导电类型区域包括边界区域，因此参与光电转换的导电类型区域的面积可以实现最大化。在这方面，可以通过将具有与基底区域相反的导电类型的第一导电类型区域的边界区域的宽度形成为大于具有与所述基底区域相同的导电类型的第二导电类型区域的边界区域的宽度来进一步增加用作发射区域的第一导电类型区域的尺寸。在这方面，当第一导电类型区域为p型且第二导电类型区域为n型时，通过利用第一导电类型杂质和第二导电类型杂质的特性，在不需要进一步执行单独的制造工艺或进一步使用单独的设备的情况下，可以容易地调整第一导电类型区域和第二导电类型区域的边界区域的宽度。这样，第一导电类型区域和第二导电类型区域的面积实现最大化，并且具体地，进一步增加第一导电类型区域的尺寸，因此提高太阳能电池的效率。
第一导电类型区域和第二导电类型区域的可以通过离子注入容易地形成，并且其宽度也可以容易地进行调整。按照根据本发明的实施方式的制造方法，可以利用简化的且容易的制造工艺来制造具有改进结构的太阳能电池。
附图说明
从下面结合附图进行的详细描述中，本发明的实施方式的细节将变得更加易于理解，在附图中：
图1是根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图；
图2是图1中所例示的太阳能电池的局部后视平面图；
图3是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的局部后视平面图；
图4是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；
图5是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；
图6A至图6I是例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池制造方法的截面图；
图7A至图7F是例示了根据本发明的另一实施方式的太阳能电池制造方法的截面图；
图8A至图8F是例示了根据本发明的另一实施方式的太阳能电池制造方法的截面图；
图9是图8A至图8F中所例示的过程的改进的示例；以及
图10是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示出了其示例。然而，本发明可以按照许多不同的形式来实现，不应认为局限于本文所述的实施方式。
为了进行清楚的描述，附图中仅仅例示里构成本发明的实施方式的特征的元件，将不在本文中进行描述的其它元件从附图中省略。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。为了清楚和便于说明，在附图中，构成元件的厚度、面积等可以进行放大或缩小。本发明的实施方式不限制于所例示的厚度、面积等。
应当进一步理解的是，在整个说明书中，当提到一个元件“包括”另一个元件时，术语“包括”指出存在另一个元件但是并不排除存在其他附加元件，除非文中另有规定。另外，应当理解的是，当提到诸如层、薄膜、区域或板的一个元件位于另一个元件的“上面”时，所述一个元件可以直接位于所述另一个元件上，也可以存在一个或多个中间元件。相反，当提到诸如层、薄膜、区域或板的一个元件“直接位于另一个元件的上面”时，不存在一个或多个中间元件。
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的太阳能电池及其制造方法。
图1是根据本发明的实施方式的太阳能电池100的截面图。图2是图1中的太阳能电池100的局部后视平面图。
参照图1和图2，根据本发明的实施方式的太阳能电池100包括包含基底区域110的半导体基板10、设置在半导体基板10的表面(例如背面)上的隧穿层20、设置在隧穿层20上的导电类型区域32和34以及与导电类型区域32和34连接的电极42和44。另外，太阳能电池100可以进一步包括钝化膜24、抗反射膜26以及绝缘层40(或背面钝化膜)。以下更加详细地对此进行说明。
半导体基板10可以包括基底区域110，该基底区域110包括具有相对低的掺杂浓度的第二导电类型掺杂剂。在本发明的实施方式中，基底区域110可以包括晶体(单晶或多晶)硅，所述晶体硅包括第二导电类型掺杂剂。例如，基底区域100可以是包括第二导电类型掺杂剂的单晶硅基板(例如，单晶硅晶圆)。第二导电类型掺杂剂可以为n型或p型。n型掺杂剂可以是V族元素，例如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等，p型掺杂剂可以是III族元素，例如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等。例如，当基底区域110为n型时，要与基底区域110形成其中通过光电转换形成载流子的结(例如，之间设置有隧穿层20的pn结)的p型的第一导电类型区域32具有宽的面积并且因此可以增加光电转换面积。另外，在这种情况下，具有宽的面积的第一导电类型区域32有效地收集具有相对慢的移动速率的空穴，并且因此可以进一步促进光电转换效率的提高。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
另外，半导体基板10可以包括位于其正面的正面场区域120。该正面场区域120可以具有与基底区域110相同的导电类型以及比基底区域110的掺杂浓度高的掺杂浓度。
在本发明的实施方式中，正面场区域120是通过以相对高的掺杂浓度对半导体基板10掺杂第二导电类型掺杂剂而形成的掺杂区域。因此，正面场区域120构成半导体基板10，包括第二导电类型的晶体(单晶或多晶)半导体。例如，正面场区域120可以被形成为第二导电类型的单晶半导体基板(例如，单晶硅晶圆基板)的一部分。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。因此，正面场区域120可以通过将与半导体基板10相分开的半导体层(例如，非晶半导体层、微晶半导体层或多晶半导体层)掺杂第二导电类型掺杂剂来形成。在另一实施方式中，正面场区域120可以是与通过经由与半导体基板10相邻形成的层(例如，钝化膜24和/或抗反射膜26)的固定电荷进行的掺杂而形成的区域作用相似的场区域。具有各种结构的正面场区域120可以利用其它各种方法来形成。
在本发明的实施方式中，半导体基板10的正面可以被纹理化为具有棱锥等的形式的不平坦部分。通过纹理化处理，不平坦部分形成在半导体基板10的正面，因此可以降低对入射到半导体基板10的正面上的光的反射率。因此，可以增加到达由基底区域110和第一导电类型区域32形成的pn结的光的量，并且因此可以使光损失最小化。
同时，半导体基板10的背面可以是通过镜面抛光等而形成并且具有低于半导体基板10的正面的表面粗糙度的相对平滑且平坦的表面。如本发明的实施方式中所述，当第一导电类型区域32和第二导电类型区域34共同形成在半导体基板10的背面上时，太阳能电池100的特性根据半导体基板10的背面的特性可以在很大程度上不同。由于通过纹理化而形成的不平坦部分没有形成在半导体基板10的背面，可以增强钝化特性，因此可以增强太阳能电池100的特性。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。在某些情况下，不平坦部分可以通过纹理化而形成在半导体基板10的背面。另外，可以进行各种变型。
隧穿层20形成在半导体基板10的背面上。通过隧穿层20可以提高半导体基板10的背面的界面特性，并且隧穿层20使得通过光电转换产生的载流子通过隧道效应平滑地进行传送。隧穿层20可以包括使载流子能够穿过隧道的各种材料，例如氧化物、氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，隧穿层20可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、本征非晶硅、本征多晶硅等。在这方面，隧穿层20可以形成在半导体基板10的整个背面之上。因此，隧穿层20可以使半导体基板10的背面完全钝化，并且可以在没有单独构图的情况下容易地形成。
为了具有足够的隧穿效应，隧穿层20可以具有小于绝缘薄膜40的厚度的厚度T1。例如，隧穿层20的厚度T1可以是10nm或更小，例如0.5nm到10nm(更具体地，0.5nm到5nm，例如1nm到4nm)。当隧穿层20的厚度T1超过10nm时，隧穿无法平滑地进行，因此太阳能电池150可能无法工作。另一方面，当隧穿层20的厚度T1小于0.5nm时，难以形成具有所需质量的隧穿层20。为了进一步提高隧穿效应，隧穿层20的厚度T1可以是0.5nm到5nm(更具体地，1nm到4nm)。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，隧穿层20的厚度T1可以具有各种值。
导电类型区域32和34可以设置在隧穿层20上。更具体地，导电类型区域32和34可以包括第一导电类型区域32和第二导电类型区域34，第一导电类型区域32包括第一导电类型掺杂剂因此具有第一导电类型，第二导电类型区域34包括第二导电类型掺杂剂因此具有第二导电类型。另外，在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间可以设置有阻隔区域36。
第一导电类型区域32与基底区域110形成pn结(或pn隧道结)，并且隧穿层20设置在其之间，并且因此构成通过光电转换产生载流子的发射区域。
在这方面，第一导电类型区域32可以包括包含与基底区域110相反的第一导电类型掺杂剂的半导体(例如，硅)。在本发明的实施方式中，第一导电类型区域32以与半导体基板10分开地形成在半导体基板10上(更具体地，形成在隧穿层20上)，并且形成为掺杂了第一导电类型掺杂剂的半导体层。因此，第一导电类型区域32可以形成为具有与半导体基板10不同的晶体结构的半导体层，从而容易地形成在半导体基板10上。例如，第一导电类型区域32可以通过将非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体(例如，非晶硅、微晶硅或多晶硅)掺杂第一导电类型掺杂剂来形成，该非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体可以通过诸如沉积等的各种方法容易地制造。第一导电类型掺杂剂可以通过各种掺杂方法包括在所形成的半导体层中。
在这方面，第一导电类型掺杂剂可以是具有与基底区域110相反的导电类型的任何掺杂剂。即，当第一导电类型掺杂剂为p型时，该第一导电类型掺杂剂可以是III族元素，例如B、Al、Ga、In等。当第一导电类型掺杂剂为n型时，该第一导电类型掺杂剂可以是V族元素，例如P、As、Bi、Sb等。
第二导电类型区域34形成背面场并且因此形成背面场区域，该背面场区域防止通过在半导体基板10的表面(更具体地，背面)进行的复合造成载流子的损失。
在这方面，第二导电类型区域34可以包括包含与基底区域110相同的第二导电类型掺杂剂的半导体(例如，硅)。在本发明的实施方式中，第二导电类型区域34以与半导体基板10分开地形成在半导体基板10上(更具体地，形成在隧穿层20上)，并且形成为掺杂了第二导电类型掺杂剂的半导体层。因此，第二导电类型区域34可以形成为具有与半导体基板10不同的晶体结构的半导体层，从而容易地形成在半导体基板10上。例如，第二导电类型区域34可以通过将非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体(例如，非晶硅、微晶硅或多晶硅)掺杂第二导电类型掺杂剂来形成，该非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体可以通过诸如沉积等的各种方法容易地制造。第二导电类型掺杂剂可以通过各种掺杂方法包括在所形成的半导体层中。
在这方面，第二导电类型掺杂剂可以是具有与基底区域110相同的导电类型的任何掺杂剂。即，当第二导电类型掺杂剂为n型时，该第二导电类型掺杂剂可以是V族元素，例如P、As、Bi、Sb等。当第二导电类型掺杂剂为p型时，该第二导电类型掺杂剂可以是III族元素，例如B、Al、Ga、In等。
另外，在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间设置有阻隔区域36，以使所述第一导电类型区域32与所述第二导电类型区域34相分开。当第一导电类型区域32与第二导电类型区域34互相接触时，发生分流(shunting)，因此太阳能电池150的性能可能会恶化。因此，在本发明的实施方式中，阻隔区域36可以形成在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间，以防止不必要地发生分流。
阻隔区域36可以包括使第一导电类型区域32和第二导电类型区域34能够基本上互相绝缘的各种材料。即，阻隔区域36可以由无掺杂的绝缘材料(例如，氧化物或氮化物)来形成。在另一实施方式中，阻隔区域36可以形成为包括本征半导体的本征区域。在这方面，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36形成在同一平面上，具有大致相同的厚度，由相同的半导体(例如，非晶硅、微晶硅或多晶硅)形成并且不包括掺杂剂。例如，可以形成包括半导体材料的半导体层，将该半导体层的区域掺杂第一导电类型掺杂剂以形成第一导电类型区域32，将该半导体层的另一区域掺杂第二导电类型掺杂剂以形成第二导电类型区域34，并且阻隔区域36可以形成在半导体层的没有形成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的区域中。根据本发明的实施方式，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36的制造方法可以被简化。
在一个实施方式中，阻隔区域36可以具有1μm到100μm的宽度(或者第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间的距离)。当阻隔区域36的宽度小于1μm时，难以制备阻隔区域36，并且分流预防效果可能不足。另一方面，当阻隔区域36的宽度超过100μm时，阻隔区域36的面积增大，因此第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的面积减小，因此太阳能电池100的效率被降低。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，阻隔区域36的宽度W可以具有各种值。
进一步地，本发明的实施方式并不限于上述的示例。即，当阻隔区域36以与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34分开的方式形成时，阻隔区域36可以具有与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34不同的厚度。例如，为了更加有效地防止第一导电类型区域32和第二导电类型区域34之间的短路，阻隔区域36的厚度可以大于第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的厚度。在另一实施方式中，为了降低用于形成阻隔区域36的原材料成本，阻隔区域36的厚度可以小于第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的厚度。另外，可以进行各种变型。另外，阻隔区域36的基本组成材料可以与第一导电类型区域32与第二导电类型区域34的基本组成材料不同。在另一实施方式中，阻隔区域36可以形成为设置在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间的空的空间(例如，沟槽)。
另外，阻隔区域36可以形成为仅使第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的一部分在其之间的界面处互相分离。因此，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的其它部分在其之间的界面处互相接触。另外，可以不必形成阻隔区域36，并且第一导电类型区域32和第二导电类型区域34(具体地，第一导电类型区域32的第一边界区域32b和第二导电类型区域34的第二边界区域34b)可以完全互相接触。另外，可以进行各种变型。
在本发明的实施方式中，具有与基底区域110相同的导电类型的第二导电类型区域34可以具有比具有与基底区域110不同的导电类型的第一导电类型区域32窄的面积。因此，经由隧穿层20在基底区域110与第一导电类型区域32之间形成的pn结可以具有较宽的面积。在这方面，当基底区域110和第二导电类型区域34为n型导电并且第一导电类型区域32为p型导电时，具有宽的面积的第一导电类型区域32可以有效地收集具有相对低的移动速率的空穴。下面将参照图2更加详细地描述第一导电类型区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36的平面结构。
在下文中，将更加详细地描述根据本发明的实施方式的第一导电类型区域32和第二导电类型区域34。在图1的放大的圆圈中，示意性地例示与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34相对应的部分的掺杂浓度的变化。
根据本发明的实施方式的第一导电类型区域32包括具有大致均匀的掺杂浓度的第一主区域32a和设置在所述第一主区域32a的相对边缘上并且具有变化的掺杂浓度的第一边界区域32b。例如，第一边界区域32b可以沿着第一主区域32a的边缘形成。
第一主区域32a是通过经由具有有一定图案的开口的掩模掺杂第一导电类型杂质形成的、具有大致均匀的掺杂浓度的区域。第一边界区域32b是通过对具有小的掺杂量的第一导电类型杂质的或未掺杂第一导电类型杂质的区域进行随后的热处理等通过第一导电类型杂质的扩散而形成的区域，与掩模的开口或其中未形成开口的部分的边界相对应。
假设第一主区域32a的掺杂浓度(例如，第一主区域32a的平均掺杂浓度)被表示为第一浓度，那么第一边界区域32b是指具有从第一浓度向大约零的变化的掺杂浓度的区域。例如，第一边界区域32b可以具有离开第一主区域32a而逐渐减小的掺杂浓度。在这方面，第一边界区域32b的掺杂浓度可以例如线性地(即，恒定的斜率)变化。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且掺杂浓度可以以各种方式进行变化(例如，非线性地)。
在这方面，第一边界区域32b的起点和终点可以基于被确定为具有参照掺杂分布等而变化的掺杂浓度的部分。例如，从第一主区域32a指向外部且具有比第一浓度降低了10％或更多的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的起点，并且从第一主区域32a指向外部且具有大约为零的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第一边界区域32b的基础可以以各种方式进行变化。
根据本发明的实施方式的第二导电类型区域34包括具有大致均匀的掺杂浓度的第二主区域34a和设置在所述第一主区域34a的相对边缘上并且具有变化的掺杂浓度的第二边界区域34b。例如，第二边界区域34b可以沿着第二主区域34a的边缘形成。
第二主区域34a是通过经由具有有一定图案的开口的掩模掺杂第二导电类型杂质形成的、具有大致均匀的掺杂浓度的区域。第二边界区域34b是通过对具有小的掺杂量的第二导电类型杂质的或未掺杂第二导电类型杂质的区域进行随后的热处理等通过第二导电类型杂质的扩散而形成的区域，与掩模的开口或其中未形成开口的部分的边界相对应。
假设第二主区域34a的掺杂浓度(例如，第二主区域34a的平均掺杂浓度)被表示为第二浓度，那么第二边界区域34b是具有从第二浓度向大约零的变化的掺杂浓度的区域。例如，第二边界区域34b可以具有离开第二主区域34a而逐渐减小的掺杂浓度。在这方面，第二边界区域34b的掺杂浓度可以例如线性地(即，恒定的斜率)变化。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且掺杂浓度可以以各种方式进行变化(例如，非线性地)。
在这方面，第二边界区域34b的起点和终点可以基于被确定为具有参照掺杂分布等而变化的掺杂浓度的部分。例如，从第二主区域34a指向外部且具有比第二浓度降低了10％或更多的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第二边界区域34b的起点，并且从第二主区域34a指向外部且具有大约为零的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第二边界区域34b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第二边界区域34b的基础可以以各种方式进行变化。
在这方面，第一边界区域32b和第二边界区域34b形成在除了由掩模的开口限定的区域之外的区域中。因此，当分别包括第一边界区域32b和第二边界区域34b时，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以具有比掩模的每个开口宽了第一边界区域32b和第二边界区域34b的面积的面积。因此，即使当在增加掩模的开口的尺寸方面存在限制时，具有比传统导电类型区域宽的面积的第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以通过形成第一边界区域32b和第二边界区域34b来形成。因此，可以进一步减小第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间的距离(更具体地，设置在第一边界区域32b与第二边界区域34b之间的阻隔区域36的尺寸)。阻隔区域36用来防止发生第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的不必要的分流等，但是当阻隔区域36具有较宽的面积时，参与光电转换的区域的面积可能减小。因此，阻隔区域36可以在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间设置成具有尽可能小的宽度。如在本发明的实施方式中，当第一边界区域32b和第二边界区域34b分别形成在第一主区域32a和第二主区域34a的外侧(或周边部分)时，阻隔区域36分别可以具有减小了第一边界区域32b和第二边界区域34b的宽度的宽度，以及并且参与光电转换的第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以具有增加了第一边界区域32b和第二边界区域34b的面积的面积。因此，这可以有助于提高太阳能电池100的效率。
第一边界区域32b和第二边界区域34b分别可以通过在形成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的掺杂过程中的离子注入，通过掺杂第一导电类型杂质和第二导电类型杂质来形成。在热扩散或利用单独形成的杂质层的扩散中，在热处理期间无限地(或持续地)提供第一导电类型掺杂剂或第二导电类型杂质，从而横向扩散活跃发生，因此，可能难以形成第一边界区域32b和第二边界区域34b或可能难以控制第一边界区域32b和第二边界区域34b的宽度。相比之下，离子注入是将第一导电类型杂质或第二导电类型杂质进行离子注入然后通过激活的热处理工艺将离子注入的杂质进行扩散的处理。因此，当使用离子注入时，通过控制第一导电类型杂质或第二导电类型杂质的扩散易于形成第一边界区域32b和第二边界区域34b并且易于控制其宽度。因此，根据本发明的实施方式的第一边界区域32b和第二边界区域34b可以通过离子注入来形成。下面将参照图6A至图6I更加详细地对其进行说明。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第一边界区域32b和第二边界区域34b可以通过热扩散、利用杂质层的方法等来形成。
在本发明的实施方式中，第一边界区域32b的宽度W1可以与第二边界区域34b的宽度W2不同。例如，第一边界区域32b的宽度W1大于第二边界区域34b的宽度W2。这样，通过将具有与基底区域110的导电类型相反的第一导电类型的第一导电类型区域32的第一边界区域32b的宽度W1形成为大于具有与基底区域110的导电类型相同的导电类型的第二边界区域34b的宽度W2，作为发射区域的第一导电类型区域32可以具有增加的尺寸。因此，可以通过将构成pn结的第一导电类型区域32的尺寸最大化来提高太阳能电池100的效率。
例如，第一边界区域32b的宽度W1可以是第二边界区域34b的宽度W2的两倍以上。当第一边界区域32b的宽度W1可以是第二边界区域34b的宽度W2的两倍以上时，可以提高第一导电类型区域32的尺寸的增加效果和阻隔区域36的宽度的减小效果。在这方面，第二边界区域34b的宽度W2与第一边界区域32b的宽度W1的倍数的上限没有特别限制。然而，当使第一边界区域32b的宽度W1形成为超过第二边界区域34b的宽度W2的4倍时，在制造处理方面存在困难。因此，第一边界区域32b的宽度W1可以是第二边界区域34b的两倍到四倍。
在这方面，当包括第一边界区域32b的第一导电类型区域32为p型并且包括第二边界区域34b的第二导电类型区域34为n型时，通过利用第一导电类型杂质和第二导电类型杂质的特性，可以在不需要进一步执行单独的制造处理或进一步使用单独的设备的情况下，将第一边界区域32b的宽度形成为大于第二边界区域34b的宽度。例如，当硼(B)被用作第一导电类型杂质并且磷(P)被用作第二导电类型杂质时，B具有小的原子尺寸和轻的重量因而具有相对较长的扩散长度，而P具有大的原子尺寸和重的重量因而具有相对较短的扩散长度。因此，第一边界区域32b可以具有大于第二边界区域34b的相对较大的宽度。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。在另一实施方式中，第一边界区域32b的宽度W1可以以不同的方式或结构大于第二边界区域34b的宽度W2。
在本发明的实施方式中，已经通过示例的方式描述了将第一导电类型区域32和第二导电类型区域34设置在半导体基板10的背面上(之间设置有隧穿层20)的情况。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。在另一实施方式中，不需要形成隧穿层20，并且第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以形成为通过对半导体基板10掺杂掺杂剂而形成的掺杂区域。即，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以形成为具有构成半导体基板10的一部分的单晶半导体结构的掺杂区域。下面将参照图4更加详细地描述该结构。可以利用各种其它方法来形成第一导电类型区域和第二导电类型区域34。
绝缘层40可以形成在第一导电类型区域区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36上可以形成有绝缘层40。该绝缘层40可以防止第一导电类型区域32和第二导电类型区域34必须不能连接的电极(即，针对第一导电类型区域32为第二电极44，并且针对第二导电类型区域34为第一电极42)互相连接，并且可以使第一导电类型区域32和第二导电类型区域34钝化。绝缘层40包括露出第一导电类型区域32的第一开口402和露出第二导电类型区域34的第二开口404。
绝缘层40可以具有与隧穿层20相同的厚度或者比隧穿层20的厚度大的厚度。因此，可以提高绝缘和钝化特性。绝缘层40可以由各种绝缘材料(例如，氧化物、氮化物等)来形成。例如，绝缘层40可以是从包含氮化硅膜、含氢氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅薄、氧化铝膜、MgF2膜、ZnS膜、TiO2膜、CeO2膜的组中选择的任一种膜，或者具有包括以上列出的膜中的两个或更多膜相结合的多层结构。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且绝缘层40还可以包括各种其它的材料。
设置在半导体基板10的背面上的电极42和44包括与第一导电类型区域32电力地且物理地相连接的第一电极42和与第二导电类型区域34电力地且物理地相连接的第二电极44。
在这方面，第一电极42经由绝缘层40的第一开口402与第一导电类型区域32连接，第二电极44经由绝缘层40的第二开口404与第二导电类型区域34连接。第一电极42和第二电极44可以包括各种金属材料。另外，第一电极42和第二电极44互相不电连接，而是分别与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34电连接，并且可以具有各种平面形状，所述平面形状能够收集所产生的载流子并将所收集的载流子传输到外部。然而，第一电极42和第二电极44的形状并不限于上述的示例。
在下文中，将参照图2详细地描述第一导电类型区域32和第二导电类型区域34，阻隔区域36，以及第一电极42和第二电极44的平面形状。
参照图2，在本发明的实施方式中，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34形成得较长以具有条形形状，并且在与其纵向相交的方向上相对于彼此交替设置。阻隔区域36可以设置为将第一导电类型区域32与第二导电类型区域34分开。彼此分开的多个第一导电类型区域32可以在其第一侧的边缘上互相连接，彼此分开的多个第二导电类型区域34可以在其第二侧的边缘上互相连接。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。在本发明的实施方式中，第一边界区域32b可以分别设置在第一主区域32a的相对的侧，第二边界区域34b可以分别设置在第二主区域34b的相对的侧。
在这方面，第一导电类型区域32可以具有比第二导电类型区域34宽的面积。例如，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的面积可以通过不同地调整其宽度进行调整。即，第一导电类型区域32的宽度W3可以大于第二导电类型区域34的宽度W4。因此，构成发射区域的第一导电类型区域32的面积被充分形成，这使得光电转换在宽的区域中发生。在这方面，当第一导电类型区域32为p型时，第一导电类型区域32的面积被充分保证，因此可以有效收集具有相对慢的移动速率的空穴。
另外，第一电极42可以形成为具有条形形状以与第一导电类型区域32相对应，第二电极44可以形成为具有条形形状以与第二导电类型区域34相对应。第一开口402和第二开口404(见图1)可以形成为分别对应于第一电极42和第二电极44的总面积。因此，第一电极42和第一导电类型区域32之间的接触面积以及第二电极44和第二导电类型区域34之间的接触面积实现最大化，因此可以提高载流子收集效率。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。另外，第一开口402和第二开口404还可以形成为分别仅将第一电极42和第二电极44的一部分与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34相连接。例如，第一开口402和第二开口404可以形成为多个接触孔。第一电极42可以在其第一侧的边缘上互相连接，第二电极44可以在其第二侧的边缘上互相连接。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
参照回图1，钝化膜24和/或抗反射膜26可以设置在半导体基板10的正面上(更具体地，第一表面场区域120形成在半导体基板10的正面)。根据实施方式，仅钝化膜24可以形成在半导体基板10上，仅抗反射膜26可以形成在半导体基板10上，或者钝化膜24和抗反射膜26可以顺序设置在半导体基板10上。图1例示了钝化膜24和抗反射膜26依次形成在半导体基板10上并且半导体基板10接触钝化膜24的情况。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且半导体基板10可以接触抗反射膜26。另外，可以进行各种变型。
钝化膜24和抗反射膜26可以基本上完全形成在半导体基板10的正面上。在这方面，这里所用的表述“完全形成”包括钝化膜24和抗反射膜26在物理方面完全形成的情况以及钝化膜24和抗反射膜26不可避免地不完全形成的情况。
钝化膜24形成在与其相接触的半导体基板10的正面上，因此使存在于半导体基板10的正面或块中的缺陷钝化。因此，少数载流子的复合场所被去除，并且因此，可以增加太阳能电池100的开路电压。抗反射膜26降低入射到半导体基板10的正面上的光的反射率。因此，可以通过降低对入射到半导体基板10的正面上的光的反射率以增加到达形成在基底区域110与第一导电类型区域32之间的界面处的pn结的光的量。因此，可以增加太阳能电池100的短路电流Isc。这样，可以通过钝化膜24和抗反射膜26来增加太阳能电池100的开路电压和短路电流Isc，因此可以提高太阳能电池100的效率。
钝化膜24和/或抗反射膜26可以由各种材料形成。例如，钝化膜24可以是从包含氮化硅膜、含氢氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、MgF2膜、ZnS膜、TiO2膜、CeO2膜的组中选择的任一种膜，或者具有包括以上列出的膜中的两个或更多膜相结合的多层结构。例如，钝化膜24可以包括氧化硅，抗反射膜26可以包括氮化硅。
当光入射到根据本发明的实施方式的太阳能电池100上时，在基底区域110与第一导电类型区域32之间形成的pn结处通过光电转换产生电子和空穴，所产生的空穴和电子通过隧穿层20分别移动到第一导电类型区域32和第二导电类型区域34，然后分别移动到第一电极42和第二电极44。从而产生电能。
如本发明的实施方式中所述，在使第一电极42和第二电极44形成在半导体基本10的背面上而不形成在半导体基板10的正面上的背面接触结构的太阳能电池150中，可以使半导体基板10的正面的遮蔽损失最小化。因此，可以提高太阳能电池100的效率。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。根据本发明的实施方式的第一电极42和第二电极44的结构可以应用于具有将第一电极42设置在半导体基板10的正面上(具体地，第二电极44设置在太阳能电池100的背面上)的电极结构的太阳能电池150。
另外，在本发明的实施方式中，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34分别包括第一边界区域32b和第二边界区域34b，因此可以使参与光电转换的第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的面积最大化。即，当形成阻隔区域36时，可以使阻隔区域36的宽度最小化。在这方面，可以通过将第一边界区域32b的宽度W1形成为大于第二边界区域34b的宽度W2进一步增加作为发射区域的第一导电类型区域32的尺寸。在这方面，当第一导电类型区域32为p型且第二导电类型区域34为n型时，第一边界区域32b和第二边界34b的各自的宽度W1和W2可以容易地进行调整，而无需进一步执行单独的制造处理或进一步使用单独的设备。这样，通过使第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的面积最大化，具体地通过进一步增加第一导电类型区域32的尺寸，可以提高太阳能电池100的效率。
下面，将参照附图更加详细地描述根据本发明的其它实施方式的太阳能电池。
图3是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池100的局部后视平面图。
参照图3，在根据本发明的实施方式的太阳能电池100中，多个第二导电类型区域34可以具有岛状并且彼此间隔开，第一导电类型区域32可以整体形成在不包括第二导电类型区域34和围绕每个第二导电类型区域34的阻隔区域36的部分中。
由于这样的构造，第一导电类型区域32具有尽可能宽的面积，因此可以提高光电转换效率。另外，第二导电类型区域34可以设置在具有大的面积的半导体基板10上同时第一导电类型区域32具有最小化的面积。因此，可以通过第二导电类型区域34有效地防止或减少表面复合，并且可以使第二导电类型区域34的面积最大化。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第二导电类型区域34可以具有能够使第二导电类型区域34具有最小化的面积的各种形状。
在这方面，第二主区域34a可以具有岛状，并且第二边界区域34b可以具有沿着第二主区域34a的边缘形成的封闭的环状。例如，当第二主区域34a具有圆形形状时，第二边界区域34b可以具有环状。第一主区域32a可以整体形成为与第二导电类型区域34以一定的距离间隔开，第一边界区域32b可以设置为在第一主区域32a的边缘(与第二导电类型区域34相邻的边缘)处与第二导电类型区域34相距一定的距离。在这方面，第一边界区域32b可以具有沿着第一主区域32a的边缘形成的封闭的环状。例如，当第二导电类型区域34具有圆形形状时，第一边界区域32b可以比第二边界区域34b宽，与第二边界区域34b以一定的距离间隔开，并且具有环状。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第一边界区域32b和第二边界区域34b可以具有各种形状。
尽管图3例示了第二导电类型区域34具有圆形形状，但是本发明的实施方式并不限于此。即，每个第二导电类型区域34还可以具有平面形状，例如，椭圆形或诸如三角形、四边形、六边形等的多边形。
考虑到第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的各自的形状，形成在绝缘层40上的第一开口402和第二开口404可以具有不同的形状。即，第一开口402可以在第一导电类型区域区域32上延长，多个第二开口404可以彼此间隔开以对应各自的第二导电类型区域34。这是考虑到第一电极42仅设置在第一导电类型区域32上，第二电极44设置在第一导电类型区域32和第二导电类型区域34上。即，绝缘层40的第二开口404被形成为与设置有第二导电类型区域34的部分相对应，并且第二电极44和第二导电类型区域34通过第二开口404相连接。另外，第二开口404没有形成在对应于第一导电类型区域32的绝缘层的部分上，因此第二电极44可以与第一导电类型区域32绝缘。第一电极42仅形成在每个第一导电类型区域32上，因此第一开口402可以具有与第一电极42相同或相似的形状。，并且因此，第一电极42可以完全接触上面的第一导电类型区域32。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且能够进行各种变型。例如，第一开口402可以形成为具有与第二开口404相似的形状的多个接触孔。
图4是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池100的截面图。
参照图4，在根据本发明的实施方式的太阳能电池100中，没有形成隧穿层20(参见图1)，并且第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以形成为通过对半导体基板10掺杂掺杂剂而形成的掺杂区域。即，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以形成为具有构成半导体基板10的一部分的单晶半导体结构的掺杂区域。
在这方面，基底区域110设置在第一导电类型区域32与第二导电类型区域34之间。在这种情况下，具有与基底区域110的导电类型相反的导电类型的第一边界区域32b的起点是第一导电类型杂质的掺杂浓度大约为零的点，而具有与基底区域110相同的导电类型的第二边界区域34b的起点是第二导电类型杂质的掺杂浓度与基底区域110的掺杂浓度大致相同或相近的点。
例如，从第一主区域32a指向外部且具有比第一浓度降低了10％或更多的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的起点，并且从第一主区域32a指向外部且具有大约为零的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第一边界区域32b的基础可以以各种方式进行变化。
另外，从第二主区域34a指向外部且具有比第一浓度降低了10％或更多的掺杂浓度的第一个点可以被表示为第二边界区域34b的起点，并且从第二主区域34a指向外部且具有基底区域10的掺杂浓度的10％或更小的掺杂浓度的第一点被表示为第二边界区域34b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第二边界区域34b的基础可以以各种方式进行变化。
这样，当第一导电类型区域32和第二导电类型区域34被形成为半导体基板10的一部分时，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34具有单晶半导体结构，并且因此，可以通过由于所述单晶半导体结构引起的高迁移性提高光电转换效率。
图5是根据本发明的另一实施方式的太阳能电池100的截面图。
参照图5，在根据本发明的实施方式的太阳能电池100中，半导体基板10只包括基底区域110，不包括正面场层120(参见图1)。不形成正面场层120，形成了与半导体基板10的基底区域110接触且具有固定电荷的场效应形成层52。如在正面场层120中，该场效应形成层52产生恒定的场效应，因此可以防止表面复合。场效应形成层52可以由具有负电荷(或固定负电荷)的氧化铝、具有正电荷(或固定正电荷)的氧化硅、具有正电荷的氧化氮等来形成。
这样，在本发明的实施方式中，半导体基板10不包括单独的掺杂区域，而只包括基底区域110。因此，不需要执行形成单独的掺杂区域的过程，并且因此可以简化制造过程。可以防止或降低当掺杂形成单独的掺杂区域时由于对半导体基板10的损坏造成的太阳能电池100的特性的恶化。
下面，将参照附图详细地描述根据本发明的实施方式的太阳能电池制造方法的各种示例。这里将省略上述元件的详细说明，并且将提供没有进行描述的元件详细说明。另外，在下文中将描述图1和图2中所例示的太阳能电池的制造方法，但根据本发明的实施方式的制造方法同样适用于图3至图5中所例示的太阳能电池。
图6A至图6I是顺序地例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池制造方法的截面图。
首先，如图6A中所例示，制备半导体基板10，该半导体基板10包括基底区域110，该基底区域110具有第一导电类型杂质。在本发明的实施方式中，半导体基板10可以由具有n型杂质的硅制成。n型杂质可以是V族元素，例如P、As、Bi、Sb等。
在这方面，半导体基板10的正面被纹理化为具有不平坦部分，并且半导体基板10的背面通过镜面抛光等进行处理，因此可以具有比其正面低的表面粗糙度。
半导体基板10的正面的纹理化可以通过湿纹理化或干纹理化来进行。湿纹理化可以通过将半导体基板10浸入纹理化溶液中来进行，并且其优势在于制造时间较短。干纹理化通过利用金刚石钻、激光等对半导体基板10的表面进行切割来执行。在干纹理化中，可能均匀地形成不规则，而制造时间较长，并且可能发生对半导体基板10的损坏。另外，半导体基板10可以通过反应离子蚀刻(RIE)等进行纹理化。这样，可以利用各种方法对半导体基板10进行纹理化。另外，半导体基板10的背面可以通过已知的镜面抛光工艺进行处理。
接下来，如图6B中所例示，在半导体基板10的背面上形成隧穿层20。隧穿层20可以通过例如热生长、沉积(例如，等离子增强化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD))等来形成。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且隧穿层20可以利用各种方法形成。
接下来，如图6C中所例示，在隧穿层20上形成半导体层30。半导体层30可以由微晶半导体、非晶半导体或多晶半导体形成。半导体层30可以通过例如热生长、沉积(例如，PECVD)等来形成。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且半导体层30可以利用各种方法形成。
接下来，如图6D至图6F中所例示，在半导体层30上形成第一导电类型区域32、第二导电类型区域34以及阻隔区域36。以下更加详细地对此进行说明。
即，如图6D中所例示，可以对与第一主区域32a相对应的部分掺杂第一导电类型杂质，以具有与第一导电类型区域32的每个第一主区域32a相对应的图案。在这方面，第一导电类型杂质可以利用具有与第一主区域32a相对应的第一开口302a的第一掩模构件302作为掩模，通过离子注入来进行掺杂。在这方面，第一开口302a可以具有与第一主区域32a相同的尺寸或者具有在一定程度上比期望的第一主区域32a小的尺寸。这是由于，即使第一开口302a具有在一定程度上比第一主区域32a小的尺寸，已经穿过第一开口302a的第一导电类型杂质扩散，因此可以形成具有期望尺寸的第一主区域32a。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且根据制造条件，第一开口302a可以具有比第一主区域32a大的尺寸。
尽管图6D例示了第一导电类型杂质在与第一主区域32a相对应的半导体层30的部分处被掺杂到半导体层30的总厚度中并且因此第一主区域32a完全形成在厚度方向上，但是特别地，第一导电类型杂质只在其中进行了离子注入的半导体层30的表面处被掺杂，因此第一主区域32a可以只形成在其表面。
接下来，如图6E中所例示，可以对与第二主区域34a相对应的部分掺杂第二导电类型杂质，以具有与每个第二导电类型区域34的第二主区域34a相对应的图案。在这方面，第二导电类型杂质可以利用具有与第二主区域34a相对应的第二开口304a的第二掩模构件304作为掩模，通过离子注入来进行掺杂。在这方面，第二掩模构件304的每个第二开口304a具有比第一主区域32a之间的距离D1小的宽度D2，因此第二主区域34a可以是无掺杂的。因此，在第一主区域32a与第二主区域34a之间形成无掺杂区域36a。无掺杂区域36a的宽度D3对应于通过从第一主区域32a之间的距离D1中减去第二开口304a的宽度D2得到的值的一半。
在这方面，第二开口304a可以具有与第二主区域34a相同的尺寸或者具有在一定程度上比期望的第二主区域34a小的尺寸。这是由于，即使第二开口304a具有在一定程度上比第二主区域34a小的尺寸，已经穿过第二开口304a的第二导电类型杂质扩散，因此可以形成具有期望尺寸的第二主区域34a。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且根据制造条件，第二开口304a可以具有比第二主区域34a大的尺寸。
尽管图6E例示了第二导电类型杂质在与第二主区域34a相对应的半导体层30的部分处被掺杂到半导体层30的总厚度中并且因此第二主区域34a完全形成在厚度方向上，但是特别地，第二导电类型杂质只在其中进行离子注入的半导体层30的表面处被掺杂，因此第二主区域34a可以只形成在其表面。
在本发明的实施方式中，第一主区域32a在第二主区域34a之前形成，但是本发明的实施方式不限于此。在另一实施方式中，可以利用第二掩模构件304首先形成第二主区域34a，然后利用第一掩模构件304形成第一主区域32a。第一掩模构件302的第一开口302a具有比第二主区域34a之间的距离小的宽度，这使得能够在第一主区域32a和第二主区域34a之间设置无掺杂区域36a。
接下来，如图6F中所例示，包括在第一主区域32a中的第一导电类型杂质和包括在第二主区域34a中的第二导电类型杂质通过激活的热处理工艺被激活。因此，包括在第一主区域32a中的第一导电类型杂质被激活，并且在半导体层30的厚度方向上扩散(参见图6E)。另外，第一导电类型杂质在第一主区域32a的外部部分地扩散，从而形成第一边界区域32b。另外，包括在第二主区域34a中的第二导电类型杂质被激活，并且在半导体层30的厚度方向上扩散。另外，第二导电类型杂质在第二主区域34a的外部部分地扩散，从而形成第二边界区域34b。
因此，第一边界区域32b和第二边界区域34b形成在无掺杂区域36a的部分中(参见图6E)，并且因此设置在第一导电类型区域32和第二导电类型区域34之间的阻隔区域36可以具有比无掺杂区域36a小的宽度。因此，设置在第一导电类型区域32和第二导电类型区域34之间的阻隔区域36的宽度可以实现最小化。
在这方面，当硼(B)被用作第一导电类型杂质并且磷(P)被用作第二导电类型杂质时，相对小且轻的第一导电类型杂质具有比相对大且重的第二导电类型杂质长的扩散长度。因此，第一边界区域32b可以具有比第二边界区域34b大的相对大的宽度。
接下来，如图6G中所例示，绝缘层40形成在第一导电类型区域区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36上。绝缘层40可以通过例如真空沉积、化学气相沉积、旋涂、丝网印刷、喷涂等各种方法形成。
接下来，如图6H中所例示，正面场层120、钝化膜24以及抗反射膜26形成在半导体基板10的正面上。
正面场层120可以通过掺杂第一导电类型杂质来形成。例如，正面场层120可以通过利用诸如离子注入、热扩散等的各种方法对半导体基板10掺杂第一导电类型杂质来形成。
钝化膜24和抗反射膜26可以通过例如有真空沉积、化学气相沉积、旋涂、丝网印刷、喷涂等各种方法形成。
接下来，如图6I中所例示，形成分别与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34电连接的第一电极42和第二电极44。
在一种实施方式中，在绝缘层140上形成第一开口402和第二开口404，第一电极42和第二电极44可以通过诸如电镀、沉积等的各种方法分别形成在第一开口402和第二开口404中。
在另一实施方式中，具有上述形状的第一电极42和第二电极44可以通过丝网印刷等在绝缘层40上涂覆用于形成第一电极和第二电极的糊剂并在上面执行烧穿(firethrough)、激光烧蚀接触等来形成。在这种情况下，当形成第一电极42和第二电极44时，形成第一开口402和第二开口404，因此不需要执行形成第一开口402和第二开口404的单独的过程。
根据本发明的实施方式，可以通过离子注入对半导体层30掺杂第一导电类型杂质或第二导电类型杂质并通过在其上执行激活的热处理来容易地形成第一边界区域32b和第二边界区域34b，并且第一边界区域32b和第二边界区域34b可以容易地进行调整。因此，具有改进结构的太阳能电池100可以利用简化的制造工艺来容易地制造。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第一边界区域32b和第二边界区域34b可以利用各种方法形成。
在上述的实施方式中，形成隧穿层20、第一导电类型区域32和第二导电类型区域34、阻隔区域36以及绝缘层40，然后形成正面场层120和抗反射膜50，接下来形成第一电极42和第二电极44。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。即，隧穿层20、第一导电类型区域32和第二导电类型区域34、阻隔区域36、绝缘层40、正面场层120、抗反射膜50、以及第一电极42和第二电极44的形成顺序可以进行各种变化。
下面将详细描述根据本发明的其它实施方式的太阳能电池制造方法。这里将省略与上面参照图6A至图6I所描述的元件相同或几乎相同的元件的详细说明，并且将提供仅不同元件的详细说明。
图7A至图7F是例示了根据本发明的另一实施方式的太阳能电池制造方法的截面图。
如图7A中所例示，在半导体基板10的背面上形成隧穿层20和半导体层30。
接下来，如图7B至图7E中所例示，在半导体层30上形成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36。以下更加详细地对此进行说明。
即，如图7B中所例示，形成每个第一导电类型区域32的第一主区域32a。形成第一主区域32a的过程与上面参照图6D所描述的过程相同或相似，因此这里将省略其详细说明。
接下来，如图7C中所例示，可以形成阻隔构件306，其在与第二主区域34a相对应的部分具有开口306a以具有与第二导电类型区域34各自的第二主区域34a相对应的图案。阻隔构件306可以形成为包括除第一导电类型杂质和第二导电类型杂质之外的无掺杂材料或者绝缘材料的层。在这方面，用于形成阻隔构件306的糊剂可以被涂覆在半导体层30和第一主区域32a上，以具有覆盖第一主区域32a和在其附近的半导体层30的形状(或图案)。因此，阻隔构件306的开口306a使半导体层30露出，以具有比第一主区域32a之间的面积小的宽度或面积。
用于形成阻隔构件306的糊剂可以是易于使用的各种已知的组成成分。例如，用于形成阻隔构件306的糊剂可以包括陶瓷颗粒、粘合剂、溶剂等。陶瓷颗粒可以是诸如氧化硅、氧化钛等的金属氧化物的颗粒。因此，可以形成具有优异的结构和化学稳定性的阻隔构件306。作为粘合剂和溶剂，可以使用各种已知的材料。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且还可以使用各种其它材料。
另外，阻隔构件306可以具有0.5μm-到10μm的厚度。当阻隔构件306的厚度小于0.5μm时，第二导电类型杂质穿过阻隔构件306，并且因此扩散到半导体基板10中。因此，阻隔区域36不需要平滑地形成。当阻隔构件306的厚度超过10μm时，难以通过进行印刷、喷涂等一次性形成阻隔区域36，因此制备过程不得不重复多次。因此，制造过程可能复杂，并且可能降低阻隔构件306的结构稳定性。
阻隔构件306防止第一导电类型杂质或第二导电类型杂质被掺杂，因此在与其相对应的半导体层30的部分设置无掺杂区域36a。
在这方面，图6E的在第二掩模构件304上形成第二开口304a的描述可以应用于阻隔构件306的开口306a，因此这里将省略对开口306a的详细说明。
接下来，如图7D中所例示，可以利用阻隔构件306作为掩模来掺杂第二导电类型杂质。在本发明的实施方式中，第一主区域32a在第二主区域34a之前形成，但是本发明的实施方式不限于此。即，可以利用第二掩模构件304首先形成第二主区域34a(参见6E)，阻隔构件306可以形成为覆盖第二主区域34a及其周边区域，然后可以掺杂第一导电类型杂质以形成第一主区域32a。在这方面，图6D的在第一掩模构件302上形成第一开口302a的描述可以应用于阻隔构件306的开口306a，因此这里将省略开口306a的详细说明。
接下来，如图7E中所例示，包括在第一主区域32a中的第一导电类型杂质和包括在第二主区域34a中的第二导电类型杂质通过激活的热处理工艺被激活。因此，形成第一边界区域32b和第二边界区域34b。
阻隔构件306可以在激活的热处理工艺之前或之后被去除。可以利用各种已知的方法来去除阻隔构件306。例如，可以通过浸入稀释的氟化氢(HF)和用水冲洗来去除阻隔构件306。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
接下来，如图7F中所例示，形成绝缘层40、钝化膜24、抗反射膜26以及第一电极42和第二电极44。
在本发明的实施方式中，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34中的一方利用阻隔构件306作为掩模来形成。因此，可以防止或缓解当使用单独的掩模构件时发生的问题(例如，掩模的成本、掩模的下垂等)。尽管图7D例示了第一导电类型区域32和第二导电类型区域34中的一方利用阻隔构件306作为掩模来形成，但是本发明的实施方式并不限于此。即，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34可以分别利用与其相对应的阻隔构件306作为掩模来形成。另外，可以进行各种变型。
图8A至图8F是顺序地例示了根据本发明的另一实施方式的太阳能电池制造方法的截面图。
如图8A中所例示，在半导体基板10的背面上形成隧穿层20和半导体层30。
接下来，如图8B至图8E中所例示，在半导体层30上形成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34以及阻隔区域36。以下更加详细地对此进行说明。
即，如图8B中所例示，在半导体层30上形成阻隔构件308，以包括与阻隔区域36相对应的部分。阻隔构件308可以通过将用于形成阻隔构件308的糊剂通过印刷、喷涂等应用在半导体层30上来形成，以具有包括与阻隔区域36相对应的部分的图案。作为用于形成阻隔构件308的糊剂，可以使用根据前述的实施方式的用于形成阻隔构件306的糊剂，因此这里将省略其详细说明。
每个阻隔构件308可以具有与无掺杂区域36a(参见图8E)的宽度大致相同的宽度(即，与阻隔区域36的宽度以及与其相邻的第一边界区域32b和第二边界区域34b的宽度之和相对应的宽度)，并且具有比要形成的阻隔区域36大的宽度。这是因为，当第一导电类型杂质和第二导电类型杂质通过随后的激活的热处理工艺进行热处理时，第一导电类型杂质和第二导电类型杂质扩散到第一主区域32a和第二主区域34a的周边部分中，从而形成第一边界区域32b和第二边界区域34b。这样，当形成第一边界区域32b和第二边界区域34b时，无掺杂区域36a部分地构成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34，因此阻隔区域36的宽度比无掺杂区域36a小。根据上述的实施方式，阻隔构件308的厚度与阻隔构件306的厚度相同，因此这里将省略其详细说明。
在本发明的实施方式中，阻隔构件308分别形成在与无掺杂区域36a相对应的区域中，这使得无掺杂区域36a不能被掺杂。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。在另一实施方式中，如图9中所例示，在具有开口310a的掩模构件310位于半导体基板10的背面的状态下，预非晶化的元素可以被掺杂到与无掺杂区域36a相对应的区域中。结果，无掺杂区域36a通过预非晶化的元素进行预非晶化，因此在接下来的过程中，可以不被掺杂第一导电类型杂质和第二导电类型杂质或者尽管被掺杂了第一导电类型杂质和第二导电类型杂质也可以具有较小的厚度或较低的掺杂厚度。即，非晶区域30a可以形成为与无掺杂区域36a相对应，因此如同在阻隔构件308中一样，可以被用来防止第一导电类型杂质和第二导电类型杂质被掺杂。在激活的热处理之后，非晶区域30a可以具有与第一导电类型区域32和第二导电类型区域34相同的晶体结构(例如，多晶结构)。另外，来自第一主区域32a和第二主区域34a的第一导电类型杂质和第二导电类型杂质扩散到设置在每个非晶区域30a的相对的两侧的部分中，从而形成第一边界区域32b和第二边界区域34b，并且第一边界区域32b和第二边界区域34b的靠内的部分构成阻隔区域36。
预非晶化的元素是用于在对半导体层30掺杂第一导电类型杂质和第二导电类型杂质之前在半导体层30中形成非晶区域30a的元素，并且不要求对半导体层30的电气特性等的不利影响，要求与半导体层30的特性相似的特性，或者要求不与半导体层30发生反应。预非晶化的元素的示例包括但不限于氩、锗、硅和氟。
预非晶化的元素可以具有与构成半导体层30的元素相同或更大的元素号，因此具有与构成半导体层30的元素相同或更大的质量、尺寸等。然而，当预非晶化的元素的注入量、注入能量等较大时，预非晶化的元素可以是具有比构成半导体层30的元素小的元素号的元素(例如，氟)。
在本发明的实施方式中，预非晶化的元素可以以足以使非晶区域30a形成小的厚度且足以防止非晶区域30a被掺杂第一导电类型杂质和第二导电类型杂质的量注入。预非晶化的元素的注入量等可以根据制造条件等而不同。
在下面的描述中，与阻隔构件308相关的描述也可以应用于非晶区域30a。
接下来，如图8C中所例示，第二主区域34a通过利用第二掩模构件304掺杂第二导电类型杂质来形成。因此，如所需要，第二掩模构件304的第二开口304a可以具有比第二主区域34a大的宽度。这是因为阻隔构件308可以防止除第二主区域34a之外的区域掺杂第二导电类型杂质。因此，第二开口304a可以部分地或完全与阻隔构件308重叠。因此，尽管当制作第二掩模构件304时出现制造误差等，仍然可以形成具有所需尺寸的第二主区域34a，因此可以减轻第二掩模构件304的制作中准确性的负担。
接下来，如图8D中所例示，第一主区域32a通过利用第一掩模构件302掺杂第一导电类型杂质来形成。因此，如所需要，第一掩模构件302的第一开口302a可以具有比第一主区域32a大的宽度。这是因为阻隔构件308可以防止除第一主区域32a之外的区域掺杂第一导电类型杂质。因此，第一开口302a可以部分地或完全与阻隔构件308重叠。因此，尽管当制作第一掩模构件302时出现制造误差等，仍然可以形成具有所需尺寸的第一主区域32a，因此可以减轻第一掩模构件302的制作中准确性的负担。
在本发明的实施方式中，第二主区域34a在第一主区域32a之前形成，但是本发明的实施方式不限于此。在另一实施方式中，可以利用第一掩模构件302首先形成第一主区域32a，然后利用第二掩模构件304形成第二主区域34a。
接下来，如图8E中所例示，包括在第一主区域32a中的第一导电类型杂质和包括在第二主区域34a中的第二导电类型杂质通过激活的热处理工艺被激活。因此，形成第一边界区域32b和第二边界区域34b。
阻隔构件308可以在激活的热处理工艺之前或之后被去除。可以利用各种已知的方法来去除阻隔构件308。例如，可以通过浸入稀释的氟化氢(HF)和用水冲洗来去除阻隔构件308。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
接下来，如图8F中所例示，形成绝缘层30、钝化膜24、抗反射膜26以及第一电极42和第二电极44。
在上述的实施方式中，第一导电类型区域32和第二导电类型区域34的各自的第一边界区域32b和第二边界区域34b分别具有超过总厚度的均匀的宽度并且被设置在第一主区域32a和第二主区域34a的外侧。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
即，在第一导电类型杂质和第二导电类型杂质在离子注入期间仅在半导体层30的表面附近被注入成小的厚度的情况下，当通过激活的热处理扩散时，第一导电类型杂质和第二导电类型杂质不得不既在横向方向上扩散又在厚度方向上扩散。在这种情况下，如图10中所例示，第一边界区域32b和第二边界区域34b的宽度可以朝向半导体基板10的正面逐渐减小。因此，阻隔区域36的宽度可以朝向半导体基板10的正面逐渐增大。另外，第一边界区域32b和第二边界区域34b的结深度(或掺杂深度)可以随着离开第一主区域32a和第二主区域34a而逐渐减小。
当第一主区域32a的结深度(例如，第一主区域32a的平均结深度)被表示为第一深度时，第一边界区域32b是指结深度从第一深度向大约零而变化的的区域。例如，第一边界区域32b的结深度可以随着随着离开第一主区域32a而逐渐减小。在这方面，第一边界区域32b的结深度可以例如线性地(即，恒定的斜率)变化。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第一边界区域32b的结深度可以以各种方式进行变化(例如，非线性地)。
在这方面，第一边界区域32b的起点和终点可以基于被确定为具有参照掺杂分布等而变化的结深度的部分。例如，从第一主区域32a指向外部且具有比第一深度小10％或更多的结深度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的起点，并且从第一主区域32a指向外部且具有大约为零的结深度的第一个点可以被表示为第一边界区域32b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第一边界区域32b的基础可以以各种方式进行变化。
另外，当第二主区域34a的结深度(例如，第二主区域34a的平均结深度)被表示为第二深度时，第二边界区域34b是指结深度从第二深度向大约零而变化的的区域。例如，第二边界区域34b的结深度可以远离第二主区域34a而逐渐减小。在这方面，第二边界区域34b的结深度可以例如线性地(即，恒定的斜率)变化。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且第二边界区域34b的结深度可以以各种方式进行变化(例如，非线性地)。
在这方面，第二边界区域34b的起点和终点可以以确定为具有参照掺杂分布等而变化的结深度的部分为基础。例如，从第二主区域34a指向外部且具有比第二深度小10％或更多的结深度的第一点可以被表示为第二边界区域34b的起点，并且从第二主区域34a指向外部且具有大约为零的结深度的第一点可以被表示为第二边界区域34b的终点。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例，并且确定第二边界区域34b的基础可以以各种方式进行变化。
在这种情况下，第一边界区域32b和第二边界区域34b可以在相应的位置进行比较。即，当第一边界区域32b和第二边界区域34b在厚度方向上在相同的位置进行比较时，第一边界区域32b可以具有比第二边界区域34b大的宽度。例如，第一边界区域32b的宽度可以是第二边界区域34b的两倍到四倍。然而，本发明的实施方式并不限于上述的示例。
在上面的描述中，第一边界区域32b和第二边界区域34b中的每个的掺杂浓度和结深度中的一方发生改变。然而，在另一实施方式中，第一边界区域32b和第二边界区域34b中的每个的掺杂浓度和结深度这两者都可以发生改变。
与实施方式相关的所描述的具体特性、结构或效果被包括在本发明的至少一个实施方式中，而不一定被包括在所有实施方式中。而且，本发明的任何特定的实施方式的具体特性、结构或效果可以以任何合适的方式与一个或更多其它的实施方式相结合，或者可以通过这些实施方式所属的技术人员进行改变。因此，需要理解的是，与这种结合和改变相关联的内容落入本发明的实施方式的精神和范围内。
尽管已经参照许多例示性实施方式对本发明进行了说明，但是应当理解，本领域技术人员可设计出落入本发明的实施方式的本质方面范围内的许多其它修改和应用。更具体地，在本发明的实施方式的具体构成要素中可以进行各种变型和修改。另外，应当理解的是，与变型和修改相关的不同之处应当落入所附权利要求限定的本发明的实施方式的精神和范围之内。

Claims (19)

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
半导体基板，所述半导体基板包括第二导电类型掺杂剂；
隧穿层，所述隧穿层设置在所述半导体基板的表面上；以及
半导体层，所述半导体层设置在所述隧穿层上，其中，所述半导体层包括：
第一导电类型区域，所述第一导电类型区域包括与所述半导体基板相反的第一导电类型掺杂剂；
第二导电类型区域，所述第二导电类型区域包括所述第二导电类型掺杂剂；以及
阻隔区域，所述阻隔区域设置在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间，以使所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域分开，并且所述阻隔区域为不掺杂的；
其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在所述主区域的周边部分的边界区域，
其中，所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方，
其中，所述第一导电类型区域包括第一主区域和设置在所述第一主区域的周边部分的第一边界区域，并且所述第一边界区域具有变化的第一掺杂浓度和变化的第一掺杂深度中的至少一方，并且
所述第二导电类型区域包括第二主区域和设置在所述第二主区域的周边部分的第二边界区域，并且所述第二边界区域具有变化的第二掺杂浓度和变化的第二掺杂深度中的至少一方，
其中，所述第一边界区域的宽度是所述第二边界区域的宽度的两倍或更多，以及
其中，所述第一导电类型区域的宽度大于所述第二导电类型区域的宽度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池进一步包括：
绝缘层，所述绝缘层形成在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域以及所述阻隔区域上，
电极，所述电极通过所述绝缘层的开口连接到所述第一导电类型区域或者所述第二导电类型区域。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板包括基底区域，所述第一导电类型区域具有与所述基底区域的导电类型相反的导电类型，所述第二导电类型区域具有与所述基底区域的导电类型相同的导电类型。
4.根据权利要求1所述太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域为p型，所述第二导电类型区域和所述半导体基板为n型。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池进一步包括正面场层，所述正面场层设置在所述半导体基板的另一表面上并且掺杂有与所述半导体基板相同的极性的杂质。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一边界区域的所述宽度是所述第二边界区域的所述宽度的两倍到四倍。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域包括硼B并且为p型，所述第二导电类型区域包括磷P并且为n型。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述边界区域的所述掺杂浓度和所述掺杂深度中的至少一方随着离开所述主区域而逐渐降低。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述太阳能电池进一步包括设置在所述正面场层上的钝化膜或抗反射膜。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域、所述第二导电类型区域以及所述边界区域在所述半导体层中是共面的。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的距离为1μm到100μm。
12.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：
形成在半导体基板的表面上的隧穿层；以及
在所述隧穿层上形成半导体层，所述半导体层包括第一导电类型区域和第二导电类型区域以及阻隔区域，
其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在所述主区域的周边部分的边界区域，
其中，所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方，
其中，所述第一导电类型区域包括第一主区域和设置在所述第一主区域的周边部分的第一边界区域，并且所述第一边界区域具有变化的第一掺杂浓度和变化的第一掺杂深度中的至少一方，并且
所述第二导电类型区域包括第二主区域和设置在所述第二主区域的周边部分的第二边界区域，并且所述第二边界区域具有变化的第二掺杂浓度和变化的第二掺杂深度中的至少一方，
其中，所述第一边界区域的宽度是所述第二边界区域的宽度的两倍或更多，
其中，所述第一导电类型区域的宽度大于所述第二导电类型区域的宽度，
其中，所述第一导电类型区域包括与所述半导体基板相反的第一导电类型掺杂剂，
其中，所述第二导电类型区域包括第二导电类型掺杂剂，并且
其中，所述阻隔区域设置在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间，以使所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域分开，并且所述阻隔区域为不掺杂的。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一主区域和所述第二主区域通过离子注入形成，并且所述第一边界区域和所述第二边界区域通过由对所述第一主区域和所述第二主区域的激活的热处理引起的扩散而形成。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一主区域的所述激活的热处理和所述第二主区域的所述激活的热处理利用相同的制造工艺同时进行。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一主区域和所述第二主区域利用掩模构件或阻隔构件作为掩模分别通过第一导电类型杂质和第二导电类型杂质的离子注入形成。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的步骤包括以下步骤：
利用具有将与所述第一主区域对应的区域露出的第一开口的掩模通过对所述半导体层掺杂第一导电类型杂质形成所述第一主区域；
利用具有将与所述第二主区域对应的区域露出的第二开口的掩模通过对所述半导体层掺杂第二导电类型杂质形成所述第二主区域；以及
通过对所述第一主区域和所述第二主区域进行热处理，在设置在所述第一主区域和所述第二主区域之间的无掺杂区域中形成所述第一边界区域和所述第二边界区域。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述阻隔区域具有比所述无掺杂区域小的面积。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法进一步包括，在形成所述半导体层的步骤和形成所述第一主区域的步骤之间，在所述半导体层上形成阻隔构件，所述阻隔构件与所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域之间的边界部分相对应。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法进一步包括以下步骤：在形成所述半导体层的步骤和形成所述第一主区域的步骤之间，通过将预非晶化的元素离子注入到所述半导体层的所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域之间的边界部分中，在所述半导体层中形成非晶区域。
CN201410709226.9A 2013-11-28 2014-11-28 太阳能电池及其制造方法 Active CN104681648B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0146519 2013-11-28
KR1020130146519A KR101627204B1 (ko) 2013-11-28 2013-11-28 태양 전지 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104681648A CN104681648A (zh) 2015-06-03
CN104681648B true CN104681648B (zh) 2017-04-12

Family

ID=51999207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410709226.9A Active CN104681648B (zh) 2013-11-28 2014-11-28 太阳能电池及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9356182B2 (zh)
EP (1) EP2879189B1 (zh)
KR (1) KR101627204B1 (zh)
CN (1) CN104681648B (zh)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2491209B (en) * 2011-05-27 2013-08-21 Renewable Energy Corp Asa Solar cell and method for producing same
NL2013722B1 (en) * 2014-10-31 2016-10-04 Univ Delft Tech Back side contacted wafer-based solar cells with in-situ doped crystallized thin-film silicon and/or silicon oxide regions.
US10903379B2 (en) * 2015-03-13 2021-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Photovoltaic devices and photovoltaic modules
DE102015107842B3 (de) * 2015-05-19 2016-10-27 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit oxidierten Zwischenbereichen zwischen Poly-Silizium-Kontakten
CN106252458B (zh) 2015-06-10 2017-12-12 Lg电子株式会社 制造太阳能电池的方法
US20180254359A1 (en) * 2015-08-28 2018-09-06 Mitsubishi Electric Corporation Solar cell and solar cell manufacturing method
WO2017047375A1 (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
US9985159B2 (en) 2015-11-13 2018-05-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc Passivated contact formation using ion implantation
JP6639295B2 (ja) * 2016-03-23 2020-02-05 シャープ株式会社 光電変換装置、光電変換モジュールおよび太陽光発電システム
CN109564946B (zh) * 2016-08-15 2023-10-03 夏普株式会社 光电转换元件以及光电转换装置
CN109074895B (zh) 2016-08-16 2022-05-27 浙江凯盈新材料有限公司 用于硅太阳能电池中正面金属化的厚膜浆料
US10525252B2 (en) 2016-09-10 2020-01-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Compliance voltage monitoring and adjustment in an implantable medical device
US10589090B2 (en) 2016-09-10 2020-03-17 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Implantable stimulator device with magnetic field sensing circuit
US11040192B2 (en) 2016-09-10 2021-06-22 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable medical device
US10549091B2 (en) 2016-09-10 2020-02-04 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Use models for a current generation architecture for an implantable medical device
US10576265B2 (en) 2016-09-10 2020-03-03 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulse definition circuitry for creating stimulation waveforms in an implantable pulse generator
US10786665B2 (en) 2016-09-10 2020-09-29 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Biasing of a current generation architecture for an implantable medical device
US10716932B2 (en) 2016-09-10 2020-07-21 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulse definition circuitry for creating stimulation waveforms in an implantable pulse generator
US10632300B2 (en) 2016-09-10 2020-04-28 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Measurement circuitry for measuring analog values in an implantable pulse generator
US10716937B2 (en) 2016-09-10 2020-07-21 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Passive charge recovery circuitry for an implantable medical device
US10525253B2 (en) 2016-10-13 2020-01-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable medical device including controllable slew rate
EP3355364A1 (en) * 2016-11-15 2018-08-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. High photoelectric conversion efficiency solar cell, method for manufacturing same, solar cell module, and solar power generation system
SG11201809794SA (en) * 2016-12-20 2018-12-28 Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions
MY189222A (en) 2016-12-20 2022-01-31 Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd Siloxane-containing solar cell metallization pastes
KR102600449B1 (ko) * 2016-12-22 2023-11-10 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN106981537B (zh) * 2017-04-05 2019-05-24 南昌大学 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构
CN106981523B (zh) * 2017-04-05 2019-05-24 南昌大学 一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构
KR102342065B1 (ko) * 2017-04-12 2021-12-21 아쿠아 뱅크 주식회사 전기분해식 가스 흡인도구
WO2018229946A1 (ja) * 2017-06-15 2018-12-20 三菱電機株式会社 光電変換装置
AU2018222994B2 (en) 2017-09-15 2019-11-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device to promote current steering between electrodes
ES2925235T3 (es) 2017-09-15 2022-10-14 Boston Scient Neuromodulation Corp Arquitectura de generación de corriente para un dispositivo estimulador implantable que incluye circuitos distribuidores para enviar una corriente de amplitud escalada a convertidores de digital a analógico en los electrodos
JP6670808B2 (ja) * 2017-10-24 2020-03-25 信越化学工業株式会社 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
TWI662715B (zh) * 2017-10-27 2019-06-11 財團法人工業技術研究院 太陽能電池
CN107946390A (zh) * 2017-12-04 2018-04-20 孙健春 一种具有换电网的太阳能电池及制作方法
CN110034193A (zh) * 2019-04-04 2019-07-19 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池及其制备方法
KR102350960B1 (ko) * 2019-04-25 2022-01-14 엘지전자 주식회사 태양전지의 제조 방법
US10622502B1 (en) 2019-05-23 2020-04-14 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell edge interconnects
US10749045B1 (en) 2019-05-23 2020-08-18 Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. Solar cell side surface interconnects
JP7397732B2 (ja) 2020-03-24 2023-12-13 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法
CN111799348A (zh) * 2020-06-10 2020-10-20 中国科学院微电子研究所 一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法
CN111864014A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 中国科学院微电子研究所 一种太阳能电池及其制造方法
US11967969B2 (en) 2021-04-06 2024-04-23 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device
CN113140656B (zh) * 2021-04-26 2023-04-04 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
US9493358B2 (en) * 2003-04-14 2016-11-15 Stile Photovoltaic module including integrated photovoltaic cells
US8637340B2 (en) * 2004-11-30 2014-01-28 Solexel, Inc. Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation
WO2006075426A1 (ja) 2004-12-27 2006-07-20 Naoetsu Electronics Co., Ltd. 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
US8461032B2 (en) * 2008-03-05 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Use of dopants with different diffusivities for solar cell manufacture
CN102318013B (zh) 2009-03-27 2014-12-03 株式会社日立制作所 导电性浆料及具备使用其的电极配线的电子部件
KR20110135880A (ko) 2009-04-08 2011-12-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 태양 전지 전극
KR20110135609A (ko) * 2010-06-11 2011-12-19 삼성전자주식회사 태양 전지 제조 방법
US20130298989A1 (en) * 2010-12-10 2013-11-14 Teijin Limited Semiconductor laminate, semiconductor device, method for producing semiconductor laminate, and method for manufacturing semiconductor device
US20120255603A1 (en) 2011-04-08 2012-10-11 Young-June Yu Photovoltaic structures and methods of fabricating them
FR2988908B1 (fr) 2012-04-03 2015-03-27 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a contacts interdigites en face arriere
JP2013219080A (ja) * 2012-04-04 2013-10-24 Sharp Corp 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子
KR101871273B1 (ko) 2012-05-11 2018-08-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20140082050A (ko) 2012-12-21 2014-07-02 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101627204B1 (ko) 2016-06-03
US20150144183A1 (en) 2015-05-28
EP2879189A3 (en) 2015-07-29
EP2879189B1 (en) 2020-05-27
EP2879189A2 (en) 2015-06-03
US9356182B2 (en) 2016-05-31
CN104681648A (zh) 2015-06-03
KR20150062022A (ko) 2015-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104681648B (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN104124302B (zh) 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
JP6059173B2 (ja) 太陽電池
CN106159008B (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN105390558B (zh) 太阳能电池及其制造方法
US10566484B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
CN104037243B (zh) 太阳能电池
TW201513380A (zh) 高效率堆疊太陽電池
CN105244389B (zh) 太阳能电池
KR101768907B1 (ko) 태양 전지 제조 방법
CN115241299B (zh) 一种太阳能电池以及光伏组件
KR102132740B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102140068B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
JP2018129511A (ja) 太陽電池
KR20150029202A (ko) 태양 전지
KR20090019600A (ko) 고효율 태양전지 및 그의 제조방법
KR101003677B1 (ko) Ｃｉｓ계 태양전지 제조방법
CN113990959B (zh) 中间串联层及生产方法、叠层光伏器件及制备方法
KR20150109745A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP7004483B1 (ja) 光起電力セル及びその製造方法、光起電力モジュール
KR102132741B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101889774B1 (ko) 태양 전지
KR20160063010A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102005439B1 (ko) 태양 전지 제조 방법
KR20160097922A (ko) 태양 전지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20150603

Assignee: Hanhua thinksin Co.,Ltd.

Assignor: LG ELECTRONICS Inc.

Contract record no.: X2022990000645

Denomination of invention: Solar cell and method of making the same

Granted publication date: 20170412

License type: Common License

Record date: 20220914

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221027

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province

Patentee after: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG ELECTRONICS Inc.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee after: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd.

Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee before: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240305

Address after: 213031 Tianhe PV Industrial Park No. 2, Xinbei District, Changzhou, Jiangsu

Patentee after: TRINA SOLAR Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee before: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd.

Country or region before: China