KR20140082050A - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

한 실시예에 따른 태양 전지는, 결정성 광전 물질을 포함하는 광전층, 상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하는 제1 도전형의 제1 불순물 영역, 상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역과 떨어져 있는 제2 도전형의 제2 불순물 영역, 상기 제1 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제1 도전형의 제3 불순물 영역, 상기 제2 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제2 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제2 도전형의 제4 불순물 영역, 상기 제3 불순물 영역과 접촉하는 제1 장벽층, 상기 제4 불순물 영역과 접촉하는 제2 장벽층, 상기 제1 장벽층과 접촉하는 제1 전극, 그리고 상기 제2 장벽층과 접촉하는 제2 전극을 포함한다.

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
인류가 사용하는 주요 에너지원으로는 현재 석탄 및 석유와 같은 화석 연료이다. 그러나 화석 연료가 점점 고갈되어 가고 있을 뿐 아니라 지구 온난화나 환경 오염과 같은 문제가 야기되고 있다. 화석 연료를 대체하기 위한 대체 에너지원으로서 태양광, 조력, 풍력, 지열 등을 이용하여 환경 오염 없이 에너지를 생산하는 방법이 제안되었다.
이들 중에서 태양광을 전기로 변환하는 기술이 가장 앞서고 있다. 태양광을 전기로 효율적으로 변환하기 위해 다양한 소재 및 소자가 개발되고 있으며, 특히 규소를 비롯한 결정계 태양 전지가 각광을 받고 있다.
하지만 이러한 종래 기술들은 전자-정공 재결합 등으로 인하여 발전 효율이 높지 않다.
전자-정공 재결합을 줄임으로써 발전 효율이 높은 태양 전지를 제공하고자 한다.
한 실시예에 따른 태양 전지는, 결정성 광전 물질을 포함하는 광전층, 상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하는 제1 도전형의 제1 불순물 영역, 상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역과 떨어져 있는 제2 도전형의 제2 불순물 영역, 상기 제1 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제1 도전형의 제3 불순물 영역, 상기 제2 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제2 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제2 도전형의 제4 불순물 영역, 상기 제3 불순물 영역과 접촉하는 제1 장벽층, 상기 제4 불순물 영역과 접촉하는 제2 장벽층, 상기 제1 장벽층과 접촉하는 제1 전극, 그리고 상기 제2 장벽층과 접촉하는 제2 전극을 포함한다.
상기 제3 및 제4 불순물 영역의 불순물은 각각 상기 제1 및 제2 불순물 영역의 불순물보다 무거울 수 있으며, 상기 제3 및 제4 불순물 영역은 각각 상기 제1 및 제2 불순물 영역보다 얕을 수 있다.
상기 제1 및 제2 장벽층은 각각 금속 실리사이드를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 광전층의 동일한 표면에 접하여 위치할 수 있다.
상기 광전층의 표면은 서로 반대쪽에 위치하는 제1면과 제2면을 포함하고, 상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 제1면에 접하여 위치하며, 상기 태양 전지는 상기 광전층의 제2면 위에 위치하는 BSF층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 광전층의 서로 반대쪽 표면에 접하여 위치할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나의 측면은 경사져 있을 수 있다.
한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 결정성 광전 물질을 포함하는 광전층에 제1 도전형의 제1 불순물을 포함하는 제1 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 광전층에 상기 제1 불순물 영역과 떨어져 있는 제2 도전형의 제2 불순물을 포함하는 제2 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 불순물 영역 내에 상기 제1 도전형의 제3 불순물을 상기 제1 불순물보다 높은 농도로 주입하는 단계, 상기 제2 불순물 영역 내에 상기 제2 도전형의 제4 불순물을 상기 제2 불순물보다 높은 농도로 주입하는 단계, 상기 제3 불순물이 주입된 상기 광전층의 표면 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제4 불순물이 주입된 상기 광전층의 표면 위에 제2 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 광전층을 열처리하여 상기 제3 및 제4 불순물을 활성화함으로써 제3 및 제4 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 불순물 영역을 형성하는 단계와 상기 제2 불순물 영역을 형성하는 단계는, 상기 광전층 내에 상기 제1 불순물을 주입하는 단계, 상기 광전층 내에 상기 제2 불순물을 주입하는 단계, 그리고 상기 광전층을 열처리하여 상기 제1 및 제2 불순물을 활성화하는 단계를 포함하며, 상기 제1 불순물의 주입 깊이는 상기 제3 불순물의 주입 깊이보다 깊고, 상기 제2 불순물의 주입 깊이는 상기 제4 불순물의 주입 깊이보다 깊고, 상기 제1 불순물은 상기 제3 불순물보다 가볍고, 상기 제2 불순물은 상기 제4 불순물보다 가벼울 수 있다.
상기 제3 및 제4 불순물 영역을 형성하는 단계에서의 열처리는 상기 제1 및 제2 불순물을 활성화하는 단계에서의 열처리보다 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 수행될 수 있다.
상기 광전층을 열처리하여 상기 제3 및 제4 불순물을 활성화하는 단계는 상기 제1 전극과 상기 제3 불순물 영역의 사이 및 상기 제2 전극과 상기 제4 불순물 영역의 사이에 각각 금속 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 실시예에 따른 태양 전지는 발전 효율이 높다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 3 내지 도 8은 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순서에 따라 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계 없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 1 및 도 2를 참고하여 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(100)는 광전층(110), 광전층(110) 상부의 베이스 전극(144, 145) 및 이미터 전극(148, 149)과 절연층(160), 그리고 광전층(110) 하부의 BSF(back surface field)층(150)을 포함한다.
광전층(110)은 빛을 받으면 전기를 생성할 수 있으며, 예를 들면 규소 따위의 결정성 광전 물질을 포함할 수 있다. 광전층(110)은 N형 또는 P형의 규소 기판일 수 있다. 앞으로 N형 및 P형 중 어느 하나를 제1 도전형이라고 하고 다른 하나를 제2 도전형이라고 하며, 광전층(110)의 도전형을 제1 도전형이라 한다.
광전층(110) 내에는 윗면에 접하는 한 쌍의 저농도 불순물 영역(122, 126)이 형성되어 있고, 각각의 저농도 불순물 영역(122, 126) 내에는 광전층(110)의 윗면에 접하는 고농도 불순물 영역(124, 128)이 형성되어 있다.
한 쌍의 저농도 불순물 영역(122, 126)은 광전층(110)과 동일한 제1 도전형인 저농도 베이스 영역(122)과 제2 도전형인 저농도 이미터 영역(126)을 포함한다. 고농도 불순물 영역(124, 128)은 저농도 베이스 영역(122) 내에 위치하며 저농도 베이스 영역(122)보다 불순물 농도가 높은 제1 도전형의 고농도 베이스 영역(124)과 저농도 이미터 영역(126) 내에 위치하며 저농도 이미터 영역(126)보다 불순물 농도가 높은 제2 도전형의 고농도 이미터 영역(128)을 포함한다. 고농도 불순물 영역(124, 128)은 저농도 불순물 영역(122, 126)보다 얕아서 광전층(110) 표면으로부터 고농도 불순물 영역(124, 128)의 하부 경계에 이르는 길이가 광전층(110) 표면으로부터 저농도 불순물 영역(122, 126)의 하부 경계에 이르는 길이보다 짧다. 고농도 불순물 영역(124, 128)에 포함된 불순물은 저농도 불순물 영역(122, 126)에 포함된 불순물에 비하여 무거울 수 있다.
고농도 불순물 영역(124, 128) 위에는 장벽층(barrier layer)(134, 138)이 형성되어 있다. 장벽층(134, 138)은 전극(144, 145, 148, 149)에 포함된 금속과 광전층(110)에 포함된 광전 물질의 합금, 예를 들면 금속 실리사이드 등을 포함할 수 있다.
광전층(110) 위에는 절연층(160)이 위치할 수 있으며, 절연층(160)은 장벽층(134, 138)을 노출하는 접촉 구멍을 가질 수 있다. 절연층(160)은 산화막 단일막 구조 또는 산화막과 반사방지막의 이중막 구조를 가질 수 수 있다.
절연층(160) 위에는 접촉 구멍을 통하여 장벽층(134, 138)과 접촉하는 베이스 전극(144, 145) 및 이미터 전극(148, 149)이 위치한다. 도 2를 참고하면, 베이스 전극(145) 및 이미터 전극(149)의 측면이 경사져 있을 수 있으며, 이와 같이 하면, 전극(145, 149)에 의하여 반사되는 빛의 양이 줄어들 수 있다. 베이스 전극(144, 145) 및 이미터 전극(148, 149)은 실리사이드를 형성할 수 있는 Ti, Co, Ni 따위의 금속을 포함할 수 있다.
BSF층(150)은 생략할 수도 있다.
이러한 태양 전지(100)에는 상부 또는 하부에서 태양광이 입사될 수 있다.
이와 같은 구조의 태양 전지(100)에서는 광전층(110)과 저농도 베이스 영역(122), 저농도 베이스 영역(122)과 고농도 베이스 영역(124)의 농도 차이로 인하여 전기장이 생성되고 이에 따라 빛에 의하여 광전층(110)에서 형성된 소스 캐리어가 베이스로 이동하는 흐름을 억제해 주어, 결과적으로 소수 캐리어가 베이스 전극(144, 145) 표면 부근에 있는 다수 캐리어와 재결합하는 것을 억제한다. 따라서 저농도 베이스 영역(122)만 형성하거나, 고농도 베이스 영역(124)만 형성하는 경우에 비하여 전자-정공 재결합 확률이 낮아질 수 있다. 이와 마찬가지로 이미터 전극(148, 149) 표면 부근에서도 소수 캐리어가 유입되는 것이 억제되고 이에 따라 이미터 전극(148, 149)에서의 전자-정공 재결합 확률이 낮아질 수 있다.
그러면, 도 3 내지 도 8을 참고하여 도 1에 도시한 태양 전지의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3 내지 도 8은 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순서에 따라 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 3을 참고하면, 아랫면에 BSF층(150)이 위치하는 제1 도전형의 광전층(110) 윗면에 제1 감광막(192)을 형성하고, 제1 도전형의 불순물을 이온 주입한다. 이온 주입 에너지는 예를 들면 약 5 keV로 하고 불순물 농도는 예를 들면 약 1×1015 이하로 할 수 있다.
다른 실시예에 따르면 이온 주입 대신 이온 도핑 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면 광전층(110)의 표면을 POCl3(phosphoryl chloride) 액체 또는 BBr4 기체에 노출시킴으로써, 인(P) 또는 붕소(B)를 광전층(110) 내에 도핑할 수 있다.
도 4를 참고하면, 제1 감광막(192)를 제거하고, 제2 감광막(194)을 형성한 다음, 제2 도전형의 불순물을 이온 주입한다. 이때에도 이온 주입 에너지는 예를 들면 약 5 keV로 하고 불순물 농도는 예를 들면 약 1×1015 미만으로 할 수 있다. 여기에서도 이온 주입 대신 이온 도핑 방법을 사용할 수 있다.
도 3의 과정과 도 4의 과정은 순서가 서로 뒤바뀔 수 있다.
도 5를 참고하면, 광전층(110)을 1차 열처리함으로써 도 3 및 도 4의 과정에서 주입된 불순물을 활성화하여 저농도 베이스 영역(122)과 저농도 이미터 영역(126)을 형성한다. 이때 산소 분위기에서 열처리를 수행하면 광전층(110)의 표면에 산화물을 포함하는 절연층(160)이 형성될 수 있다. 열처리 온도는 약 900℃ 이상일 수 있다. 다른 실시예에 따르면 절연층(160)은 화학 기상 증착 등의 방법으로 형성될 수도 있으며, 질화물을 포함할 수도 있다.
도 6을 참고하면, 절연층(160) 위에 제3 감광막(196)을 형성하고 절연층(160)을 패터닝하여 저농도 베이스 영역(122)을 노출하는 접촉 구멍(164)을 형성한다.
이어 제1 도전형의 불순물을 이온 주입한다. 이온 주입 에너지 및 불순물 농도는 저농도 베이스 영역(122)을 형성할 때의 이온 주입 에너지 및 불순물 농도보다 높은데, 예를 들면 이온 주입 에너지는 약 20 keV 내지 약 50 keV로 하고 불순물 농도는 약 1×1015 이상으로 할 수 있다. 이 과정에서 주입되는 불순물은 저농도 베이스 영역(122)에 포함된 불순물보다 무거운 불순물, 예를 들면 As, BF2를 들 수 있다. 또한 불순물의 주입 깊이는 저농도 베이스 영역(122)을 형성할 때의 이온 주입 깊이보다 낮게 할 수 있다. 이와 같이 고농도의 무거운 불순물을 고에너지로 주입하면 광전층(110)의 해당 부분이 선비정질화(pre-amorphization)될 수 있다.
다른 실시예에 따르면 이온 주입 대신 액상 또는 기상의 이온 도핑 방법이나 레이저빔을 사용한 부분 도핑 방법을 사용할 수 있다.
도 7을 참고하면, 제3 감광막(196)을 제거하고, 절연층(160) 위에 제4 감광막(198)을 형성한다. 제4 감광막(198)을 마스크로 하여 절연층(160)을 패터닝하여 저농도 이미터 영역(126)을 노출하는 접촉 구멍(168)을 형성한다.
이어 제2 도전형의 불순물을 이온 주입하며, 이때의 이온 주입 에너지 및 불순물 농도도 각각 저농도 이미터 영역(126)을 형성할 때의 이온 주입 에너지 및 불순물 농도보다 높은데, 예를 들면 이온 주입 에너지는 약 20 keV 내지 약 50 keV로 하고 불순물 농도는 약 1×1015 이상으로 할 수 있다. 이 과정에서 주입되는 불순물은 1차 이온 주입 시보다 무거울 수 있는데, 예를 들면 As, BF2를 들 수 있다.
다른 실시예에 따르면 이온 주입 대신 액상 또는 기상의 이온 도핑 방법이나 레이저빔을 사용한 부분 도핑 방법을 사용할 수 있다.
도 8을 참고하면, 제4 감광막(198)을 제거하고 절연층(160) 위에 베이스 전극(144) 및 이미터 전극(148)을 형성한다. 베이스 전극(144)은 절연층(160)의 접촉 구멍(164, 도 6)을 통하여 저농도 베이스 영역(122)과 접촉하고, 이미터 전극(148)은 절연층(160)의 접촉 구멍(168, 도 6)을 통하여 저농도 이미터 영역(126)과 접촉한다.
마지막으로, 광전층(110)을 2차 열처리하여 도 6 및 도 7의 과정에서 주입된 불순물을 활성화하여 고농도 베이스 영역(124)과 고농도 이미터 영역(128)을 형성한다. 2차 열처리는 1차 열처리에 비하여 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 수행될 수 있는데, 예를 들면 약 820 ℃에서 약 10초 동안 급속 열처리를 수행할 수 있다. 열처리는 질소 분위기에서 수행될 수 있다.
2차 열처리 과정에서는 전극(144, 148)을 이루는 물질과 광전층(110)을 이루는 물질이 결합하여 고농도 불순물 영역(124, 128)과 전극(144, 148) 사이에 위치하는 장벽층(134, 138)이 형성될 수 있다. 장벽층(134, 138)은 예를 들어 금속 실리사이드일 수 있다.
2차 열처리 과정에서는 도 6 및 도 7에 도시한 이온 주입 과정에서 선비정질화된 부분이 결정화되지 않고, 전극(144, 148)과의 경계면에 장벽층(134, 138)이 형성되도록 열처리 온도와 시간을 정함으로써 다수 캐리어의 이동을 원활하게 함과 동시에 소수 캐리어의 이동을 제한할 수 있다.
다음, 도 9를 참고하여 다른 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명한다.
도 9는 다른 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 9를 참고하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(200)는 광전층(210), 광전층(210) 하부의 베이스 전극(244) 및 제1 절연층(260), 그리고 광전층(210) 상부의 이미터 전극(248)과 제2 절연층(270)을 포함한다. 광전층(210)은 저농도 베이스 영역(222)과 저농도 이미터 영역(226)을 포함하는 저농도 불순물 영역, 그리고 고농도 베이스 영역(224)과 고농도 이미터 영역(228)을 포함하는 고농도 불순물 영역을 포함한다. 고농도 베이스 영역(224)과 베이스 전극(244) 사이 및 고농도 이미터 영역(228)과 이미터 전극(248) 사이에는 장벽층(234, 238)이 위치한다.
도 1에 도시한 실시예와는 달리, 저농도 베이스 영역(222) 및 고농도 베이스 영역(224)과 베이스 전극(244)이 광전층(110)의 하부에 위치한다. BSF층이 생략되었다는 점도 도 1에 도시한 실시예와 다르다.
도 2에 도시한 전극 구조도 본 실시예에 적용될 수 있다.
기타 다른 내용은 도 1에 도시한 실시예와 유사하므로 상세한 설명을 생략한다.
다음, 실험예에 따른 태양 전지에 대하여 각종 특성을 조사하였으며, 그 결과가 [표 1]에 나타나 있다.
실험예 1 실험예 2 실험예 3 실험예 4 실험예 5
Voc(V) 612 658 620 666 668
Jsc(mA) 36.03 41.32 36.70 42.76 43.67
FF 72.73 77.35 75.37 72.99 76.97
PCE (%) 16.04 20.47 17.15 20.78 22.45
표 1에서 Voc는 개방 전압(open circuit voltage), Jsc는 단락 전류(short-circuit current), FF는 충실도(fill factor), PCE는 전력 변환 효율(power conversion efficiency)를 나타낸다.
실험예 1은 도 1의 구조에서 장벽층을 생략한 경우이고, 실험예 2는 저농도 불순물 영역이 없는 경우이고, 실험예 3은 저농도 불순물 영역을 생략하고 고농도 불순물 영역을 저온이 아닌 고온에서 형성한 경우이고, 실험예 4는 고농도 불순물 영역이 없는 경우이며, 실험예 5는 저농도 불순물 영역, 고농도 불순물 영역 및 장벽층이 모두 있는 경우이다.
표 1에서 알 수 있는 것처럼 저농도 불순물 영역과 고농도 불순물 영역을 모두 구비한 경우에는 개방 전압이 높아지는 것으로 나타났고, 선비정질화 및 실리사이드 장벽층을 구비한 경우에는 충실도와 단락 전류가 커지는 것으로 나타났다.
또한 실험예 5의 경우에 가장 우수한 특성을 나타내었다.
이상에서 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100, 200: 태양 전지
110, 210: 광전층
122, 126, 222, 226: 저농도 불순물 영역
124, 128, 224, 228: 고농도 불순물 영역
134, 138, 234, 238: 장벽층
144, 145, 244: 베이스 전극
148, 149, 248: 이미터 전극
150: BSF층
160, 260, 270: 절연층
164, 168: 접촉 구멍
192, 194, 196, 198: 감광막

Claims (11)

  1. 결정성 광전 물질을 포함하는 광전층,
    상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하는 제1 도전형의 제1 불순물 영역,
    상기 광전층 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역과 떨어져 있는 제2 도전형의 제2 불순물 영역,
    상기 제1 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제1 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제1 도전형의 제3 불순물 영역,
    상기 제2 불순물 영역 내에서 상기 광전층의 표면에 접하여 위치하며 상기 제2 불순물 영역보다 고농도의 불순물을 포함하는 상기 제2 도전형의 제4 불순물 영역,
    상기 제3 불순물 영역과 접촉하는 제1 장벽층,
    상기 제4 불순물 영역과 접촉하는 제2 장벽층,
    상기 제1 장벽층과 접촉하는 제1 전극, 그리고
    상기 제2 장벽층과 접촉하는 제2 전극
    을 포함하는 태양 전지.
  2. 제1항에서,
    상기 제3 및 제4 불순물 영역의 불순물은 각각 상기 제1 및 제2 불순물 영역의 불순물보다 무거우며,
    상기 제3 및 제4 불순물 영역은 각각 상기 제1 및 제2 불순물 영역보다 얕은
    태양 전지.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 장벽층은 각각 금속 실리사이드를 포함하는 태양 전지.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 광전층의 동일한 표면에 접하여 위치하는 태양 전지.
  5. 제4항에서,
    상기 광전층의 표면은 서로 반대쪽에 위치하는 제1면과 제2면을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 제1면에 접하여 위치하며,
    상기 태양 전지는 상기 광전층의 제2면 위에 위치하는 BSF층을 더 포함하는
    태양 전지.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 불순물 영역은 상기 광전층의 서로 반대쪽 표면에 접하여 위치하는 태양 전지.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나의 측면은 경사져 있는 태양 전지.
  8. 결정성 광전 물질을 포함하는 광전층에 제1 도전형의 제1 불순물을 포함하는 제1 불순물 영역을 형성하는 단계,
    상기 광전층에 상기 제1 불순물 영역과 떨어져 있는 제2 도전형의 제2 불순물을 포함하는 제2 불순물 영역을 형성하는 단계,
    상기 제1 불순물 영역 내에 상기 제1 도전형의 제3 불순물을 상기 제1 불순물보다 높은 농도로 주입하는 단계,
    상기 제2 불순물 영역 내에 상기 제2 도전형의 제4 불순물을 상기 제2 불순물보다 높은 농도로 주입하는 단계,
    상기 제3 불순물이 주입된 상기 광전층의 표면 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
    상기 제4 불순물이 주입된 상기 광전층의 표면 위에 제2 전극을 형성하는 단계, 그리고
    상기 광전층을 열처리하여 상기 제3 및 제4 불순물을 활성화함으로써 제3 및 제4 불순물 영역을 형성하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 불순물 영역을 형성하는 단계와 상기 제2 불순물 영역을 형성하는 단계는,
    상기 광전층 내에 상기 제1 불순물을 주입하는 단계,
    상기 광전층 내에 상기 제2 불순물을 주입하는 단계, 그리고
    상기 광전층을 열처리하여 상기 제1 및 제2 불순물을 활성화하는 단계
    를 포함하며,
    상기 제1 불순물의 주입 깊이는 상기 제3 불순물의 주입 깊이보다 깊고,
    상기 제2 불순물의 주입 깊이는 상기 제4 불순물의 주입 깊이보다 깊고,
    상기 제1 불순물은 상기 제3 불순물보다 가볍고,
    상기 제2 불순물은 상기 제4 불순물보다 가벼운
    태양 전지의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 제3 및 제4 불순물 영역을 형성하는 단계에서의 열처리는 상기 제1 및 제2 불순물을 활성화하는 단계에서의 열처리보다 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 수행되는 태양 전지의 제조 방법.
  11. 제8항에서,
    상기 광전층을 열처리하여 상기 제3 및 제4 불순물을 활성화하는 단계는 상기 제1 전극과 상기 제3 불순물 영역의 사이 및 상기 제2 전극과 상기 제4 불순물 영역의 사이에 각각 금속 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.

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