CN113140656B - 一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法。该制备方法包括：在硅基体第一主表面形成介质层；在所述介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜，硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；将所述第一区域的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性。该制备方法简化了太阳能电池制作工艺。

Description

一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法。
背景技术
全背接触(Full rear contact，FRC)太阳能电池(简称：FRC电池)，是一种将p+掺杂区域和n+掺杂区域交替排列在电池背面(非受光面)的太阳能电池，该FRC电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池的短路电流，使电池的能量转化效率得到提高。
由于FRC电池的电极都位于硅基体背面，需要在硅基体背面形成交替排列的两种不同的掺杂区域。目前FRC类的太阳能电池制备过程中，为了实现在硅基体背面形成交替排列的两种不同掺杂区域，需要在掺杂工艺和金属化工艺中引入光刻掩膜技术、激光刻蚀方式以及二次扩散法，比如，通过光刻掩膜技术和激光刻蚀方式为硅基体分隔出p+掺杂区域和n+掺杂区域，并通过二次扩散法先后在分隔出的p+掺杂区域和n+掺杂区域进行相应的掺杂以及掺杂材料激活的步骤，并需要在相邻的p+掺杂区域和n+掺杂区域之间设置隔离区域或者隔离层等，使得不同的掺杂区域被隔离开。导致现有的FRC电池制备工艺步骤比较复杂，生产效率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法，能够有效地简化FRC电池制作工艺，并有效地提高FRC电池生产效率。
为了解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
步骤(a)、在硅基体第一主表面形成介质层；
步骤(b)、在所述介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜，所述硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
步骤(c)、将所述第一区域的导电特性由所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性。
第二方面，本发明提供一种硅薄膜的制备方法，包括：
步骤(a′)，形成具有第一导电特性的硅薄膜，所述硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
步骤(b′)将所述第一区域的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性。
上述发明的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：通过在硅基体第一主表面生长介质层，并在介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜，即可初步形成太阳能电池的第一导电特性，并进一步将硅薄膜包括的第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，第一导电特性和第二导电特性具有相反的导电特性，实现在同一个硅薄膜中制备出具有第一导电特性的第二区域和具有第二导电特性的第一区域，有效地简化FRC电池制作工艺，并有效地提高FRC电池生产效率。
另外，由于具有第一导电特性的第一区域和具有第二导电特性的第二区域同属于同一硅薄膜，通过将第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，而无需复杂工艺比如光刻掩膜、激光刻蚀、二次扩散等，使FRC电池更利于工业化以及量产化。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的一种太阳能电池的制备方法的主要流程的示意图；
图2是根据本发明的一个实施例的包括硅基体和介质层的剖面结构的示意图；
图3是根据本发明的一个实施例的包括硅基体、介质层和硅薄膜的剖面结构的示意图；
图4A是根据本发明一个实施例的模板的平面结构的示意图；
图4B是根据本发明一个实施例的制备太阳能电池过程中模板与硅薄膜关系的平面结构的示意图；
图5A是根据本发明的一个实施例的制备太阳能电池过程中掩膜与硅薄膜关系的平面结构的示意图；
图5B是根据本发明的一个实施例的制备太阳能电池过程中掩膜/模板与硅薄膜关系的剖面结构的示意图；
图6A是根据本发明一个实施例的第一区域掺杂第二类掺杂材料的浓度变化的示意图；
图6B是根据本发明一个实施例的第一区域与第二区域之间关系的示意图；
图7A是根据本发明一个实施例的第一区域包括的第一主导电区域和第一隔离区域的部分剖面的示意图；
图7B是根据本发明一个实施例的第二区域包括的第二主导电区域和第二隔离区域的部分剖面的示意图；
图7C是根据本发明一个实施例的第一主导电区域、第一隔离区域、第二主导电区域和第二隔离区域相对位置关系的部分剖面的示意图；
图8是根据本发明一个实施例的太阳能电池的部分剖面的示意图；
图9是根据本发明另一实施例的太阳能电池的部分剖面的示意图；
图10是根据本发明一个实施例的太阳能电池组件的剖面的示意图；
图11是根据本发明的一个实施例的一种硅薄膜的制备方法的主要流程的示意图。
附图标记如下：
10   硅基体
20   介质层
30   硅薄膜
31   第一区域
311  第一主导电区域         312  第一隔离区域
32   第二区域
321  第二主导电区域         322  第二隔离区域
40   钝化减反射膜
50   金属电极
60   背板
70   盖板
80   模板结构
90   掩膜
具体实施方式
硅基体可以为n型硅基体(也称为电子型硅基体)，也可以为p型硅基体，作为太阳能电池的基体材料的n型硅基体或者p型硅基体(下述简称硅基体)一般为片状，该硅基体一般包括两个主表面(即下述的第一主表面和第二主表面)。在将该硅基体应用于太阳能电池中，其中一个主表面(比如下述的第一主表面)可作为该硅基体的背表面，相应地，另一个主表面(比如下述的第二主表面)可作为该硅基体的正表面，其中，该硅基体的背表面是指，在将该硅基体应用于太阳能电池中，背向太阳光的主表面，该硅基体的正表面是指，在将该硅基体应用于太阳能电池中，朝向太阳光的主表面。下面主要以第一主表面作为背表面，第二主表面作为正表面为例说明制备方法。第一主表面也可作为正表面，相应地，第二主表面也可作为背表面，在此不再赘述。
导电特性是指，由于在硅薄膜上产生大量的能够容纳电子的空穴而形成的p型导电特性，或者，由于在硅薄膜上产生大量的自由电子而形成的n型导电特性。其中，p型导电特性和n型导电特性为相反的导电特性。
如图1所示，本发明实施例提供一种太阳能电池的制备方法，该太阳能电池的制备方法可包括如下步骤：
步骤S101：在硅基体第一主表面形成介质层；
通过该步骤S101，得到如图2所示的包括硅基体10和介质层20的剖面结构的示意图，在图2示出的硅基体10与介质层20中，介质层20平铺于硅基体10的第一主表面，该介质层可钝化硅基体第一主表面，以提高太阳能电池的光电转化效果。
该步骤S101的具体实施方式可包括：通过低压化学沉积的方式，在硅基体第一主表面生长单层介质膜或叠层介质膜，其中，单层介质膜或叠层介质膜可包括：氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种。该叠层介质膜由多个单层介质膜层叠得到。具体地，叠层介质膜包括氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种。可以是，叠层介质膜包括的每一层单层介质膜包括氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种；也可以是叠层介质膜包括的每一层单层介质膜包括氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种。其中，低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)，其在太阳能电池制备中已经有应用，本发明实施例在采用LPCVD沉积介电层过程中，可选用现有的LPCVD控制参数实现。
该单层介质膜或叠层介质膜的厚度范围0.5nm～2.5nm。值得说明的是，该叠层介质膜的厚度是指的叠层介质膜的总厚度，比如，该介质层20包括叠层设置的氧化硅膜、氧化钛膜以及氮氧化硅膜，则该叠层介质膜的厚度是指氧化硅膜的厚度、氧化钛膜的厚度以及氮氧化硅膜的厚度的总和。单层介质膜或叠层介质膜的厚度在0.5nm～2.5nm范围内，可以有效地保证FRC的性能。通过研究发现，介电层的厚度低于0.5nm或高于2.5nm均会降低FRC的性能。
步骤S102：在介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜,硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
值得说明的是，该第一导电特性可以为P型导电特性或者N型导电特性，相对地，下述步骤S103的第二导电特性与第一导电特性相反。比如，如果第一导电特性为P型导电特性，相对地，第二导电特性则为N型导电特性；如果第一导电特性为N型导电特性，相对地，第二导电特性则为P型导电特性。P型导电特性的硅薄膜是指，将导致正电荷载流子数量增加的掺杂材料硼加入进硅薄膜中，从而形成具有P型导电特性的硅薄膜。N型导电特性的硅薄膜是指，将导致负电荷载流子(电子)数量增加的掺杂材料磷加入进硅薄膜中，从而形成具有N型导电特性的硅薄膜。
即该步骤可通过在介质层上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜的方式，获得具有第一导电特性的硅薄膜，比如，第一类掺杂材料为硼等能够使正电荷载流子数量增加的掺杂材料，则可使硅薄膜具有P型导电特性；又比如，第一类掺杂材料为磷等能够使负电荷载流子(电子)数量增加的掺杂材料，则可使硅薄膜具有N型导电特性。
具体地，在介质层上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜的实现方式可有两种。
第一种在介质层上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜的实现方式：
首先，在介质层上沉积硅薄膜；然后，通过扩散或者离子注入等方式将第一类掺杂材料掺杂到硅薄膜。
第二种在介质层上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜的实现方式：
在介质层上沉积硅薄膜，并将通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到硅薄膜，该第二种实现方式使形成具有第一导电特性的硅薄膜的过程更加简单、高效，为简化太阳能电池制备工艺提供支撑。
其中，沉积过程可采用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)。该PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该PECVD已经应用于太阳能电池制备，本发明实施例，在采用PECVD向本征硅(可以是多晶硅、非晶硅、微晶硅中的任意一种)中原位掺杂第一掺杂材料过程中，可通过调变PECVD运行参数实现。
经过步骤S102之后，得到如图3所示的包括硅基体10、介质层20以及具有第一导电特性的硅薄膜30的剖面结构的示意图，从图3中可以看出具有第一导电特性的硅薄膜30位于介质层20上。该具有第一导电特性的硅薄膜30位于介质层20上并不特指硅薄膜30位于介质层20的上方，而是指硅薄膜30覆盖于介质层20的表面。通过该过程可以直接得到一种导电特性的硅薄膜，后续通过改变该硅薄膜部分区域的导电特性，即可得到相反的导电特性的区域在硅基体第一主表面交替排列。比如，通过后续步骤可得到P+掺杂区域和N+掺杂区域在硅基体第一主表面交替排列。
在该步骤中，硅薄膜可包括：微晶硅、非晶硅、多晶硅中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜。另外，在该硅薄膜还可进一步包括：氧化硅和/或碳化硅。即该氧化硅和/或碳化硅可添加到微晶硅、非晶硅、多晶硅中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜。
另外，在该步骤S102中，还可以在硅薄膜中划分出第一区域31和第二区域32，从而得到硅薄膜包括第一区域31和位于第一区域31之外的第二区域32。其中，硅薄膜包括多个第一区域31以及多个第二区域32；多个第一区域31以及多个第二区域32交替排列。
其中，在硅薄膜中划分出第一区域31和第二区域32的具体实现方式可以为，将如图4A所示的模板结构80覆盖在硅薄膜30上，得到如图4B所示的覆盖有模板结构80的硅薄膜30表面结构。那么，硅薄膜30中，未被模板结构80所覆盖的区域即为划分出的第一区域31，而被模板结构80所覆盖的区域即为第二区域。值得说明的是，上述模板结构80的结构可以为任意形状，上述图4A仅是示例性地给出的一种模板结构。
另外，还可使用掩膜90替代上述模板结构，那么，通过掩膜遮盖后的硅薄膜30可如图5A所示。图5A示出的，未被掩膜90所遮盖的区域即为在硅薄膜30中划分出的第一区域31，而被掩膜所遮盖的区域即第二区域。另外，如图5B所示的覆盖掩膜或模板的剖面图，未被掩膜或模板所遮盖的区域即为在硅薄膜30中划分出的第一区域31，而被掩膜或模板所遮盖的区域即第二区域32。
由于太阳能电池在整个制备过程中，仅在划分第一区域和第二区域中引入了一次掩膜或一次模板结构，与现有的太阳能电池生产工艺需多次借助掩膜或者多次借助模板结构相比，进一步体现出本发明实施例简化了太阳能电池的制备工艺。
值得说明的是，本发明实施例通过图示示例性地给出了多个第一区域和多个第二区域交替排列的情况，对于第一区域和第二区域在硅薄膜上的其他排列方式也可通过上述划分方式得到。
步骤S103：将第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，第一导电特性和第二导电特性具有相反的导电特性。
该步骤S103的具体实现方式可包括：通过离子注入方式向第一区域掺杂第二类掺杂材料，第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度。
该第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一掺杂材料的掺杂浓度的实质是，第一区域内第二类掺杂材料所产生的空穴的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的自由电子的数量，或者，第一区域内第二类掺杂材料所产生的自由电子的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的空穴的数量。
值得说明的是，针对上述步骤S102中通过原位掺杂方式将第一类掺杂材料掺杂到硅薄膜中，在硅薄膜厚度方向上，该第一类掺杂材料均有分布，因此第一类掺杂材料的掺杂浓度的计量单位一般为atoms/cm3，而对于该步骤S103通过离子注入方式向第一区域掺杂第二类掺杂材料，该离子注入方式注入的第二类掺杂材料主要分布在硅薄膜的表面(即激活前，第二类掺杂材料主要分布在硅薄膜的表面)，而在激活过程中，第二类掺杂材料会向硅薄膜厚度方向上迁移，因此，离子注入方式注入的第二类掺杂材料的计量单位一般为atoms/cm2。上述第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度，可以是指根据硅薄膜的厚度以及第一区域的面积，将离子注入方式注入的(激活前)第二类掺杂材料的计量单位由atoms/cm2转换为atoms/cm3后的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度。上述第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度，也可以是指该第二掺杂材料和第一掺杂材料经过激活后，第二掺杂材料在第一区域的中间区域的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度。该第一区域的中间区域是指在离子注入第二掺杂材料过程中，离子束所覆盖的区域。
其中，离子注入用离子束(例如能量为100keV量级的离子束)入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。该离子注入已经应用于太阳能电池制备，本发明实施例，在采用离子注入方式在硅薄膜注入第二类掺杂材料过程中，可选用现有的离子注入方式的运行参数。
经过该步骤S103，可得到如图6A所示的第二类掺杂材料的浓度分布图以及图6B所示的太阳能电池的部分结构，从图6A可以看出，按照箭头所示的方向，第二类掺杂材料通过离子注入的方式掺杂到第一区域31的过程中，掺杂到第一区域31中的第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的第二区域32逐渐降低，第一区域31的中间区域的第二类掺杂材料的浓度高于第一类掺杂材料的浓度，随着第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的第二区域32逐渐降低，第二区域32与第一区域31交界的区域由于第二类掺杂材料的浓度与第一类掺杂材料的浓度相当，使第二区域32与第一区域31交界的区域具有电中性(即第二区域32与第一区域31交界的区域的第二类掺杂材料的导电特性与第一类掺杂材料的导电特性抵消，该第二类掺杂材料的导电特性与第一类掺杂材料的导电特性抵消是指，即针对第二类掺杂材料主要产生空穴、第一类掺杂材料主要产生自由电子的情况，第二类掺杂材料产生的大多数空穴可容纳第一类掺杂材料产生的大多数的自由电子；针对第二类掺杂材料主要产生自由电子、第一类掺杂材料主要产生空穴的情况，第二类掺杂材料产生的大多数自由电子可进入第一类掺杂材料产生的大多数的空穴中)，从而实现第一区域和第二区域之间电隔离。其中，第二区域32与第一区域31交界的区域可以为：属于第二区域32的、与第一区域31相邻的一部分(即：离子注入的方式会有部分第二掺杂材料进入到第二区域32的部分区域，通过调变进入到第二区域32中的第二类掺杂材料的浓度，使进入到第二区域32中的第二类掺杂材料与第一类掺杂材料相互抵消，呈电中性)；第二区域32与第一区域31交界的区域也可以为：属于第一区域31的、与第二区域32相邻的一部分。
可通过调变第一区域31所掺杂的第二类掺杂材料的浓度，实现第一区域31的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性。即：首先通过第一区域31所掺杂的第二类掺杂材料所产生的空穴，将第一区域所掺杂的第一类掺杂材料所产生的自由电子抵消，或者，首先，通过第一区域所掺杂的第二类掺杂材料所产生的自由电子，将第一区域所掺杂的第一类掺杂材料所产生的空穴抵消；然后，随着第二类掺杂材料的浓度的升高，该第一区域即可显现出第二类掺杂材料所能产生的导电特性。比如，第二类掺杂材料如硼掺杂到硅薄膜后主要产生空穴，第一类掺杂材料如磷掺杂到硅薄膜后主要产生自由电子，则随着第二类掺杂材料在第一区域中的浓度的升高，可使第一区域由N型导电特性转变为P型导电特性。又比如，第二类掺杂材料如磷掺杂到硅薄膜后主要产生自由电子，第一类掺杂材料如硼掺杂到硅薄膜后主要产生空穴，则随着第二类掺杂材料在第一区域中的浓度的升高，可使第一区域由P型导电特性转变为N型导电特性。
即：第一类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料如磷，第二类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料如硼；或者，第一类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料如硼，第二类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料如磷等。
另外，在本实施例中，可调变的第一类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度范围为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；可调变的第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度范围为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；值得说明的是，第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度一般不低于第一类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度，以实现第一区域的导电特性的转变。另外，针对离子注入方式注入第二类掺杂材料来说其计量单位为atoms/cm2，而在激活过程中，第二类掺杂材料会向硅薄膜厚度方向上迁移，因此，该第二类掺杂材料的掺杂浓度可以是指根据硅薄膜的厚度以及第一区域的面积，将离子注入方式注入的(激活前)第二类掺杂材料的计量单位由atoms/cm2转换为atoms/cm3后的掺杂浓度，或者，经过激活后，第二掺杂材料在第一区域的中间区域的掺杂浓度。该第一区域的中间区域是指在离子注入第二掺杂材料过程中，离子束所覆盖的区域。
另外，由于离子注入的方式会使中间区域浓度高，上述第二类掺杂材料的掺杂浓度是指，如图6A和图6B所示的第一区域31中的中间区域K的平均浓度。
另外，第二类掺杂材料中一部分抵消第一类掺杂材料的导电特性之后，剩余部分能够显示出第二导电特性，上述第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度是指，该能够显示出第二导电特性的剩余部分的第一类掺杂材料的掺杂浓度。
在经过上述步骤S103之后，需将上述步骤S102中的模板或者掩膜去除，该去除方式可以采用现有的工艺实现。去除模板或者掩膜后的太阳能电池结构可如图7A至图7C所示。即隔离区域可在第一区域与第二区域的交界区域形成，具体地，如图7A所示，在第一区域31中，中间区域为第一主导电区域311，与第二区域32的相邻侧可存在部分区域导电特性相抵消，形成过渡区域(即在第一区域内形成第一隔离区域312)，实现第一区域与第二区域电隔离。如图7B所示，第二区域32中，中间区域为第二主导电区域321，与第一区域31的相邻侧可存在部分区域导电特性相抵消，形成过渡区域(即在第二区域内形成第二隔离区域322)，实现第一区域与第二区域电隔离。如图7C所示，在第一区域31中，中间区域为第一主导电区域311，与第二区域32的相邻侧存在部分区域导电特性相抵消，形成一个过渡区域(即在第一区域内形成第一隔离区域312)，同时第二区域32中，中间区域为第二主导电区域321，与第一区域31的相邻侧可存在部分区域导电特性相抵消，形成过渡区域(即在第二区域内形成第二隔离区域322)，即同时在第一区域形成第一隔离区域312以及在第二区域形成第二隔离区域322，实现第一区域与第二区域电隔离。在上述过渡区域(第一隔离区域312和/或第二隔离区域322)内，由于两次掺杂浓度接近，导电特性为中性(第一类导电材料的导电特性与第二类材料的导电特性相互抵消)。
在上述步骤S102掺杂第一类掺杂材料之后和/或在上述步骤S104掺杂第二类掺杂材料之后，可进一步通过退火方式，激活掺杂到硅薄膜中的掺杂材料(该掺杂材料是指第一类掺杂材料和/或第二类掺杂材料)。即该退火方式激活掺杂到硅薄膜中的掺杂材料可执行两次，分别在步骤S102之后以及步骤S104之后进行，用来分别激活第一类掺杂材料和第二掺杂材料。该退火方式激活掺杂到硅薄膜中的掺杂材料还可仅执行一次，在步骤S104之后进行，以同时激活第一类掺杂材料和第二类掺杂材料。通过该激活步骤，可以使太阳能电池具有更好的导电特性。其中，退火的温度范围为800～1000℃。即该退火的温度可以为800～1000℃中的任意一个值，通过将退火的温度控制在该800～1000℃范围内，可以保证掺杂材料激活，同时避免资源浪费。
在本发明实施例中，上述太阳能电池的制备方法可进一步包括：分别在硅基体10的第二主表面、硅薄膜30上沉积钝化减反射膜40。具体地，如图8的太阳能电池制备过程中沉积钝化减反射膜后的剖面结构的示意图所示，分别在硅基体10的第二主表面、硅薄膜30上沉积钝化减反膜40；由于第一区域和第二区域属于同一个硅薄膜，因此，在沉积钝化减反射膜过程中，不必分别对第一区域和第二区域沉积钝化减反射膜，进一步简化了太阳能电池制备工艺。
可以理解地，在硅基体10的第二主表面沉积钝化减反膜40，与在硅薄膜30上沉积钝化减反膜40可以分为两步进行，即可先在硅基体10的正面沉积钝化减反膜40，然后再在硅薄膜30沉积钝化减反膜40，还可以先在硅薄膜30沉积钝化减反膜40，然后再在硅基体10的正面沉积钝化减反膜40。
其中，钝化减反射膜可包括：包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的任意一种或多种。
具体地，在硅基体10的第二主表面沉积的钝化减反膜40与在硅薄膜30沉积的钝化减反膜40可以为具有不同成分的钝化减反膜。具体地，硅基体10的第二主表面沉积的钝化减反膜40可为SiO2/SiNx形成的钝化减反射膜。其中，SiO2/SiNx形成的钝化减反射膜为SiO2膜、SiNx膜以及SiO2膜和SiNx膜组成的叠层膜中的一种；硅薄膜30上沉积的钝化减反膜40可为Al2O3/SiNx形成的钝化减反膜。其中，该Al2O3/SiNx形成的钝化减反膜为Al2O3膜、SiNx膜以及Al2O3膜和SiNx膜组成的叠层膜中的一种。
其中，钝化减反射膜的厚度范围为30～300nm。即钝化减反射膜的厚度可以为30nm到300nm之间的任意一个值。将钝化减反射膜的厚度控制在该30～300nm范围内，可有效地保证太阳能电池的光电性能。
其中，钝化减反射膜的折射率范围为1.2～2.8。即钝化减反射膜的折射率可以为1.2到2.8之间的任意一个值。将钝化减反射膜的折射率控制在该1.2～2.8范围内，可有效地保证太阳能电池的光电性能。
上述钝化减反射膜的沉积也可采用等离子体增强化学的气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)实现。
值得说明的是，上述太阳能电池的制备方法还可进一步包括选择硅基体10(n型硅基体或者p型硅基体)，对硅基体10的表面进行清洗，并在硅基体10的的正面制作绒面，如图2至图9所示。
上述图1所示的实施例，通过在硅基体第一主表面生长介质层，并在介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜，即可初步形成太阳能电池的第一导电特性，进一步将硅薄膜包括的第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，第一导电特性和第二导电特性具有相反的导电特性，实现在同一个硅薄膜中制备出具有第一导电特性的第二区域和具有第二导电特性的第一区域，有效地简化FRC电池制作工艺，并有效地提高FRC电池生产效率。
另外，由于具有第一导电特性的第一区域和具有第二导电特性的第二区域同属于同一硅薄膜，通过将第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，而无需复杂工艺比如光刻掩膜、激光刻蚀、二次扩散等，使FRC电池更利于工业化以及量产化。
另外，针对该介质层具有显著的电学性能，可同时获得低接触电阻率和低表面复合，解决了硅基体第一主表面的钝化效果不好的问题。由于钝化质量会影响太阳能电池的隐开路电压、暗饱和电流密度和短波段的内量子效率等性能。本发明实施例通过介质层可有效地提高FBC电池的钝化效果，因此，能够提高FBC电池的隐开路电压、暗饱和电流密度和短波段的内量子效率等性能。
另外，由于本发明实施例提供FBC电池制备工艺简单、易于操作，并不需要精密设备的特殊处理以及特定结构的掩膜，因此，本发明实施例提供的方案能够实现量产化。
在本发明实施例中，太阳能电池的制备方法可进一步包括：在第一区域31和第二区域32制备金属电极50，并烧结实现欧姆接触。在第一区域31和第二区域32设置金属栅线作为金属电极50。如图9的太阳能电池的剖面的示意图所示，该金属栅线作为金属电极50，分布于第一区域和第二区域(p+掺杂层和n+掺杂层)，并使金属电极50与硅基体10背面接触。如图9的太阳能电池的剖面的示意图所示，其中，针对硅基体10为n型硅基体、第一类掺杂材料为硼之类的产生空穴的材料，第二类掺杂材料为磷之类的产生自由电子的材料，相应地，第一区域为N型导电特性的n+掺杂区域，第二区域为P型导电特性的p+掺杂区域，则分布于p+掺杂区域(第二区域)的金属电极50，穿过p+掺杂区域，与n型硅基体的背面欧姆接触；分布于n+掺杂区域(第一区域)的金属电极50，穿过n+掺杂区域(第一区域)，并与介质层20接触。针对硅基体10为p型硅基体、第一类掺杂材料为磷之类的产生自由电子的材料，第二类掺杂材料为硼之类的产生空穴的材料，相应地，第一区域为P型导电特性的p+掺杂区域，第二区域为N型导电特性的n+掺杂区域，则分布于n+掺杂区域(第一区域)的金属电极50，穿过n+掺杂区域，与p型硅基体的背面欧姆接触；分布于p+掺杂区域(第二区域)的金属电极50，穿过p+掺杂区域(第一区域)，并与介质层20接触。
其中，烧结的温度范围为750～1000℃。通过将烧结的温度控制在该750～1000℃可以保证金属电极稳固。
另外，上述第一区域中的金属电极和第二区域中的电极可选用不同的金属材料制得。
如图6B至9所示，本发明实施例提供一种太阳能电池，该太阳能电池可包括：硅基体10、介质层20及硅薄膜30，其中，
介质层20设置于硅基体(10)的第一主表面；硅薄膜30设置于介质层20上；
硅薄膜30可包括：交替排列的第一区域31和第二区域32，该第二区域32具有第一导电特性，第一区域31具有第二导电特性，第一导电特性和第二导电特性具有相反的导电特性；相邻的第一区域31和第二区域32电隔离。
由于本发明实施例提供的太阳能电池通过控制不同掺杂材料掺杂到硅薄膜的区域，同一硅薄膜上交替排列有相反导电特性的区域，使相反导电特性的掺杂材料通过导电特性抵消，在第一区域和第二区域之间形成电隔离区域。基于此，本发明提供的太阳能电池无需专门为第一区域和第二区域之间设置隔离，省去了第一区域和第二区域之间设置隔离的步骤，同时在同一个硅薄膜制作第一区域和第二区域，可以减少掩膜的步骤。因此，本发明实施例提供的太阳能电池结构简单，易于产业化。
在本发明实施例中，如图7所示，第二区域32包括：主导电区域321以及隔离区域322，其中，主导电区域321具有第一导电特性，掺杂有第一类掺杂材料；隔离区域322设置于靠近相邻的第一区域31的一侧；隔离区域322具有电隔离特性，掺杂有第一类掺杂材料和第二类掺杂材料；第一区域31掺杂有第一类掺杂材料和第二类掺杂材料。该隔离区域322中的第一类掺杂材料的导电特性与第二类掺杂材料的导电特性相互抵消，使该隔离区域322实现电隔离。
在本发明实施例中，第一类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料，第二类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料；或者，第一类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料，第二类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料。其中，P型导电特性的掺杂材料是指掺杂到硅薄膜中，能够产生空穴的材料，比如硼等。N型导电特性的掺杂材料是指掺杂到硅薄膜中，能够产生自由电子的材料，比如磷等。
在本发明实施例中，介质层20可包括：单层介质膜或叠层介质膜，其中，单层介质膜或叠层介质膜可包括：氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种。该介质层能够保证太阳能电池的光电性能。
在本发明实施例中，单层介质膜或叠层介质膜的厚度范围0.5nm～2.5nm，单层介质膜或叠层介质膜在该厚度范围内，可以使太阳能电池的性能达到较优的状态。
在本发明实施例中，硅薄膜30可包括：微晶硅、非晶硅、多晶硅中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜。其中，在微晶硅、非晶硅、多晶硅中可中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜可包括氧化硅和/或碳化硅。通过该硅薄膜可以为太阳能电池的第一区域和第二区域提供导电基础。
在本发明实施例中，第一类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度范围为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度范围为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；值得说明的是，第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度一般不低于第一类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度，以实现第一区域的导电特性的转变。在硅薄膜厚度方向上，该第一类掺杂材料均有分布，因此第一类掺杂材料的掺杂浓度的计量单位一般为atoms/cm3，而通过离子注入方式注入第一区域的第二类掺杂材料，该第二类掺杂材料在激活前主要分布在硅薄膜的表面，因此，离子注入方式注入的(激活前)第二类掺杂材料的计量单位一般为atoms/cm2。上述第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度，可以是指根据硅薄膜的厚度以及第一区域的面积，将离子注入方式注入的(激活前)第二类掺杂材料的计量单位由atoms/cm2转换为atoms/cm3后的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度；也可以是指第二掺杂材料和第一掺杂材料经过激活后，第二掺杂材料在第一区域的中间区域的掺杂浓度大于第一类掺杂材料的掺杂浓度。该第一区域的中间区域是指在离子注入第二掺杂材料过程中，离子束所覆盖的区域。
该第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一掺杂材料的掺杂浓度的实质是，第一区域内第二类掺杂材料所产生的空穴的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的自由电子的数量，或者，第一区域内第二类掺杂材料所产生的自由电子的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的空穴的数量。
另外，由于离子注入的方式会使中间区域浓度高，上述第二类掺杂材料的掺杂浓度是指，如图6所示的第一区域31中的中间区域K的平均浓度。
另外，第二类掺杂材料中一部分抵消第一类掺杂材料的导电特性之后，剩余部分能够显示出第二导电特性，上述第二类掺杂材料在硅薄膜中的掺杂浓度是指，该能够显示出第二导电特性的剩余部分的第一类掺杂材料的掺杂浓度。
在本发明实施例中，如图8所示，分别在硅基体10的第二主表面和硅薄膜30上设置有钝化减反膜40。
其中，钝化减反射膜40可包括：包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的任意一种或多种。
在本发明实施例中，设置于硅基体10的第二主表面的钝化减反膜40可为SiO2/SiNx形成的钝化减反膜。
在本发明实施例中，设置于硅薄膜30上的钝化减反膜40为Al2O3/SiNx形成的钝化减反膜。
在本发明实施例中，钝化减反射膜40的厚度范围为30～300nm。
在本发明实施例中，钝化减反射膜40的折射率范围为1.2～2.8。
在本发明实施例中，如图9所示，太阳能电池可进一步包括：分设于主导电区域321和第一区域31的金属电极50。
如图10所示，本发明实施例提供一种太阳能电池组件，该太阳能电池组件可包括：背板60、盖板70以及多个上述实施例提供的任一种太阳能电池，其中，
多个太阳能电池封装于背板60和盖板70之间。
值得说明的是，上述各个实施例的太阳能电池或者太阳能电池组件使用的太阳能电池可通过上述图1所示的制备方法以及与图1所示的制备方法相关的方案得到。
如图11所示，本发明实施例提供一种硅薄膜的制备方法，该硅薄膜的制备方法可包括如下步骤：
步骤S1101：形成具有第一导电特性的硅薄膜，硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
在该步骤中，主要通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到硅薄膜，形成具有第一导电特性的硅薄膜。
步骤S1102：将第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性，第一导电特性和第二导电特性具有相反的导电特性。
在该步骤中，主要通过离子注入方式向第一区域掺杂第二类掺杂材料；第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一掺杂材料的掺杂浓度，从而使第一区域的导电特性从第一导电特性转变为第二导电特性。比如，第一类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料，第二类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料；又比如，第一类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料，第二类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料。该第二类掺杂材料的掺杂浓度大于第一掺杂材料的掺杂浓度的实质是，第一区域内第二类掺杂材料所产生的空穴的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的自由电子的数量，或者，第一区域内第二类掺杂材料所产生的自由电子的数量大于第一区域内第一类掺杂材料所产生的空穴的数量。
另外，还可通过退火方式，激活掺杂到硅薄膜中的掺杂材料(第一掺杂材料和第二掺杂材料)。
值得说明的是，该硅薄膜的制备方法可以选用上述太阳能制备方法中涉及硅薄膜的制备方式、制备参数和制备条件等，在此不再赘述。
通过上述过程可得到具有不同导电类型区域的硅薄膜，该硅薄膜可如图图6B至图9所示，设置于太阳能电池中，也可设置于其他半导体器件中。
下面以各个具体实施例具体说明硅薄膜应用在太阳能电池，硅薄膜结合太阳能电池的具体制备过程。
实施例1
A1：选择合格的n型硅基体，对n型硅基体的表面进行清洗，并制作绒面；
A2：制备介质层：采用LPCVD设备，在n型硅基体10上原位生长1.5nm的氧化层(SiO2)，该生长的氧化层即为介质层20。
A3：制备原位掺杂的晶硅薄膜：将生长了介质层20的n型硅基体10，在PECVD设备中，温度为610℃在介质层(SiO2氧化层)上再生长一层125nm原位磷(P)掺杂的多晶硅薄膜30(即硅薄膜)，磷的掺杂浓度是1.0×1019atoms/cm3。
A4：划分区域内导电特性的改变：通过模板遮盖多晶硅薄膜30的部分区域(即第二区域)，未被遮盖部分为第一区域，利用离子注入机对原位P掺杂的硅薄膜进行局部硼(B)掺杂元素的注入(即在第一区域通过离子注入方式注入B掺杂元素)，实现多晶硅薄膜的第一区域内掺杂导电特性的转变，其中，离子注入所用的硼的掺杂剂量为2×1015atoms/cm2。硼的掺杂剂量可以保证第一区域的导电特征发生转变。
A5：掺杂元素的激活：利用950℃温度对掺杂元素(磷和硼)进行推进激活，同时次高温也实现了对PECVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能。
A6：制备钝化减反膜：然后再在PECVD设备分别在硅基体10的上表面和硅薄膜上镀一层氮化硅的薄膜，镀膜温度为450℃，膜厚为80nm，折射率为2.0，反射率为3.5％。
A7：制备电极：用丝网印刷技术做精准对准，在第一区域(p+掺杂区域)和第二区域(n+掺杂区域)分别印刷银铝浆和银浆，用温度870℃进行烧结处理，形成欧姆接触，得到金属电极。
实施例2
步骤B1至B7与实施例1中步骤A1至A7相同，在此不再赘述。
其中，
在步骤B2制备超薄介质层过程中，在硅基底上原位生长1.0nm的氮氧化硅介质层。
在步骤B3制备原位掺杂的晶硅薄膜，调节温度为700℃，在氮氧化硅介质层上再生长125nm氧化硅及碳化硅叠层的硅薄膜，该氧化硅及碳化硅叠层的硅薄膜原位掺杂磷，掺杂浓度是1.0×1019atoms/cm3。
在步骤B4中划分出的区域内导电特性的改变，硼的掺杂剂量为3×1015atoms/cm2。硼的掺杂剂量可以保证第一区域的导电特征发生转变。
在步骤B5中，掺杂元素的激活则选择850℃温度对掺杂元素进行推进激活。
在步骤B6中，制备钝化减反膜则在硅片表面镀氮氧化硅以及氧化铝叠层薄膜，镀膜温度为450℃，膜厚为100nm，折射率为2.5，反射率为3％。
在步骤B7中，用温度1000℃进行烧结处理，形成欧姆接触。
实施例3
步骤C1至C7与实施例1中步骤A1至A7相同，在此不再赘述。
其中，
在步骤C2制备超薄介质层过程中，在硅基底上原位生长1.0nm的氧化钛和氮氧化硅组成的叠层介质层。
在步骤C3制备原位掺杂的晶硅薄膜，调节温度为800℃，在氮氧化硅介质层上再生长200nm氧化硅及碳化硅叠层的硅薄膜，该氧化硅及碳化硅叠层的硅薄膜原位掺杂磷，掺杂浓度是5.0×1019atoms/cm3。
在步骤C4中划分出区域内导电特性的改变，硼的掺杂剂量为7×1017atoms/cm2。硼的掺杂剂量可以保证第一区域的导电特征发生转变。
在步骤C5中，掺杂元素的激活则选择950℃温度对掺杂元素进行推进激活。
在步骤C6中，制备钝化减反膜则在硅片表面镀氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅叠层薄膜，镀膜温度为550℃，膜厚为150nm，折射率为2.7，反射率为3.5％。
在步骤C7中，用温度900℃进行烧结处理，形成欧姆接触。
实施例4：
D1：选择合格的p型硅基体，对p型硅基体的表面进行清洗，并制作绒面；
D2：制备介质层：采用低压化学沉积(LPCVD)设备，在p型硅基体上原位生长2nm的介质层(氧化硅和氮氧化硅)。
D3：制备原位掺杂的晶硅薄膜：将生长了介质层20的p型硅基体10，在PECVD设备中，温度为610℃在介质层(SiO2氧化层和氮氧化硅组成的介质层)上再生长一层125nm原位硼(B)掺杂的多晶硅薄膜30(即硅薄膜)，硼的掺杂浓度是1.0×1019atoms/cm3。
D4：划分出的区域内导电特性的改变：通过模板遮盖多晶硅薄膜30的部分区域(即第二区域)，未被遮盖部分为第一区域，利用离子注入机对原位硼掺杂的硅薄膜进行局部磷(P)掺杂元素的注入(即在第一区域通过离子注入方式注入磷掺杂元素)，实现多晶硅薄膜的第一区域内掺杂导电特性的转变，其中，离子注入所述用的磷掺杂剂量为2×1015atoms/cm2。磷的掺杂剂量可以保证第一区域的导电特征发生转变。
D5：掺杂元素的激活：利用1000℃温度对掺杂元素(磷和硼)进行推进激活，同时次高温也实现了对PECVD生长的多晶硅薄膜进行了晶化热处理，进一步提升该薄膜的性能。
D6：制备钝化减反膜：然后采用PECVD设备在硅片表面镀一层氮化硅的薄膜，镀膜温度为650℃，膜厚为150nm，折射率为3.0，反射率为3.5％。
D7：制备电极：用丝网印刷技术做精准对准，第一区域(n+掺杂区域)和第二区域(p+掺杂区域)分别印刷银铝浆和银浆，用温度970℃进行烧结处理，形成欧姆接触，得到金属电极。
本申请提供以下技术方案：
技术方案1.一种太阳能电池的制备方法，包括：
步骤a、在硅基体第一主表面形成介质层；
步骤b、在所述介质层上形成具有第一导电特性的硅薄膜，硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
步骤c、将所述第一区域的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性。
技术方案2.根据技术方案1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)，进一步包括：
步骤(b1)、在所述硅薄膜(30)中划分出第一区域(31)以及所述第二区域(32)。
技术方案3.根据技术方案1或2所述的制备方法，其特征在于，
所述硅薄膜包括多个所述第一区域以及多个所述第二区域；
多个所述第一区域以及多个所述第二区域交替排列。
技术方案4.根据技术方案1所述的制备方法，步骤b，包括：
步骤b2、在所述介质层上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜。
技术方案5.根据技术方案4所述的制备方法，步骤b2包括：
步骤b21、在所述介质层上沉积硅薄膜；
步骤b22、通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到所述硅薄膜。
技术方案6.根据技术方案5所述的制备方法，步骤c，包括：
通过离子注入方式向所述第一区域掺杂第二类掺杂材料。
技术方案7.根据技术方案6所述的制备方法，
通过退火方式，激活掺杂到所述硅薄膜中的掺杂材料。
技术方案8.根据技术方案6所述的制备方法，
所述第一类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料，所述第二类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料；
或者，
所述第一类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料，所述第二类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料。
技术方案9.根据技术方案1所述的制备方法，
步骤a包括：通过低压化学沉积的方式，在所述硅基体第一主表面形成单层介质膜或叠层介质膜，其中，所述单层介质膜或所述叠层介质膜包括：氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种。
技术方案10.根据技术方案9所述的制备方法，所述单层介质膜或所述叠层介质膜的厚度范围0.5nm～2.5nm。
技术方案11.根据技术方案1、2、4以及5中任一项所述的制备方法，所述硅薄膜，包括：微晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化硅及碳化硅中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜。
技术方案12.根据技术方案8所述的制备方法，
所述第一类掺杂材料在所述硅薄膜中的掺杂浓度为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；
和/或，
所述第二类掺杂材料在所述硅薄膜中第二区域内的掺杂浓度为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3。
技术方案13.根据技术方案7所述的制备方法，其特征在于，
退火的温度范围为800～1000℃。
技术方案14.根据技术方案1、2、4、5至10、12、13中任一项所述的制备方法，在步骤d之后，进一步包括：
在所述硅薄膜上和所述硅基体的第二主表面沉积钝化减反射膜。
技术方案15.根据技术方案14所述的制备方法，所述钝化减反射膜，包括：包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的任意一种或多种。
技术方案16.根据技术方案14所述的制备方法，所述钝化减反射膜的厚度范围为30～300nm；和/或，所述钝化减反射膜的折射率范围为1.2～2.8。
技术方案17.根据技术方案14所述的制备方法，进一步包括：在所述第一区域和所述第二区域制备金属电极，并烧结实现欧姆接触。
技术方案18.根据技术方案17所述的制备方法，烧结的温度范围为750～1000℃。
技术方案19.根据技术方案11所述的制备方法，其特征在于，
所述硅薄膜进一步包括：氧化硅和/或碳化硅。
技术方案20.一种硅薄膜的制备方法，包括：
步骤(a′)、形成具有第一导电特性的硅薄膜，所述硅薄膜包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域；
步骤(b′)、将所述第一区域的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性。
技术方案21.根据技术方案20所述的制备方法，
步骤(a′)中，通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到所述硅薄膜。
技术方案22.根据技术方案20所述的制备方法，
步骤(b′)中，通过离子注入方式向所述第一区域掺杂第二类掺杂材料；所述第二类掺杂材料的掺杂浓度大于所述第一掺杂材料的掺杂浓度。
以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本发明的结构、方法及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本发明权利要求保护范围之内。

Claims (19)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
步骤(a)、在硅基体(10)的第一主表面形成介质层(20)；
步骤(b)、在所述介质层(20)上形成具有第一导电特性的硅薄膜(30)，所述硅薄膜包括第一区域(31)和位于第一区域(31)之外的第二区域(32)；
步骤(c)、将所述第一区域(31)的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性；
所述将所述第一区域(31)的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，包括：通过离子注入方式向所述第一区域(31)掺杂第二类掺杂材料，所述第二类掺杂材料通过离子注入的方式掺杂到所述第一区域(31)的过程中，掺杂到所述第一区域(31)中的第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的所述第二区域(32)逐渐降低，所述第一区域(31)的中间区域的第二类掺杂材料的浓度高于第一类掺杂材料的浓度，随着所述第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的所述第二区域(32)逐渐降低，所述第二区域(32)与所述第一区域(31)交界的区域由于第二类掺杂材料的浓度与第一类掺杂材料的浓度相当，使所述第二区域(32)与所述第一区域(31)交界的区域具有电中性，实现所述第一区域(31)和所述第二区域(32)之间电隔离；
所述制备方法进一步包括：通过退火方式，激活掺杂到所述硅薄膜(30)中的第一类掺杂材料和第二类掺杂材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)，进一步包括：
步骤(b1)、在所述硅薄膜(30)中划分出第一区域(31)以及所述第二区域(32)。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，
所述硅薄膜包括多个所述第一区域(31)以及多个所述第二区域(32)；
多个所述第一区域(31)以及多个所述第二区域(32)交替排列。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)，进一步包括：
步骤(b2)、在所述介质层(20)上沉积具有第一类掺杂材料的硅薄膜。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(b2)，包括：
步骤(b21)、在所述介质层(20)上沉积硅薄膜；
步骤(b22)、通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到所述硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述第一类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料，所述第二类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料；
或者，
所述第一类掺杂材料为形成P型导电特性的掺杂材料，所述第二类掺杂材料为形成N型导电特性的掺杂材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
所述第一类掺杂材料在所述硅薄膜中的掺杂浓度为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3；
和/或，
所述第二类掺杂材料在所述硅薄膜中第二区域内的掺杂浓度为1.0×1019atoms/cm3～2.0×1021atoms/cm3。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(a)包括：
通过低压化学沉积的方式，在所述硅基体(10)第一主表面形成单层介质膜或叠层介质膜，其中，所述单层介质膜或所述叠层介质膜包括：氧化硅、氧化钛以及氮氧化硅中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
所述单层介质膜或所述叠层介质膜的厚度范围0.5nm～2.5nm。
10.根据权利要求1、2、4以及5中任一项所述的制备方法，其特征在于，
所述硅薄膜，包括：微晶硅、非晶硅、多晶硅中的一种或多种形成的单层膜或者叠层膜。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
退火的温度范围为800～1000℃。
12.根据权利要求1、2、4、5至9、11中任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(c)之后，进一步包括：
在所述硅薄膜(30)上和所述硅基体(10)的第二主表面分别沉积钝化减反射膜(40)。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述钝化减反射膜，包括：
包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的任意一种或多种。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，
所述钝化减反射膜的厚度范围为30～300nm；
和/或，
所述钝化减反射膜的折射率范围为1.2～2.8。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，进一步包括：
在所述第一区域和所述第二区域制备金属电极(50)，并烧结实现欧姆接触。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，
烧结的温度范围为750～1000℃。
17.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，
所述硅薄膜进一步包括：氧化硅和/或碳化硅。
18.一种硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
步骤(a′)、形成具有第一导电特性的硅薄膜(30)，所述硅薄膜包括第一区域(31)和位于第一区域之外的第二区域(32)；
步骤(b′)、将所述第一区域(31)的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，所述第一导电特性和所述第二导电特性具有相反的导电特性；
所述将所述第一区域(31)的导电特性从所述第一导电特性转变为第二导电特性，包括：通过离子注入方式向所述第一区域(31)掺杂第二类掺杂材料，所述第二类掺杂材料通过离子注入的方式掺杂到所述第一区域(31)的过程中，掺杂到所述第一区域(31)中的第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的所述第二区域(32)逐渐降低，所述第一区域(31)的中间区域的第二类掺杂材料的浓度高于第一类掺杂材料的浓度，随着所述第二类掺杂材料的浓度从中间向相邻的所述第二区域(32)逐渐降低，所述第二区域(32)与所述第一区域(31)交界的区域由于第二类掺杂材料的浓度与第一类掺杂材料的浓度相当，使所述第二区域(32)与所述第一区域(31)交界的区域具有电中性，实现所述第一区域(31)和所述第二区域(32)之间电隔离；
所述制备方法进一步包括：通过退火方式，激活掺杂到所述硅薄膜(30)中的第一类掺杂材料和第二类掺杂材料。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，
步骤(a′)中，通过原位掺杂的方式将第一类掺杂材料掺杂到所述硅薄膜。
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