KR20090019600A - 고효율 태양전지 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고효율 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 서로 다른 타입의 반도체층의 페르미 에너지 레벨을 조절하여 전하를 충진할 수 있는 구조를 채택함으로써 광전 변환 효율이 개선된 태양전지를 제공한다.
본 발명의 태양전지는 p형 기판에 고농도로 도핑된 n+층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 p형 기판과 상기 n+층 사이에 고농도의 p+층을 더 포함하는 구조이다.
본 발명의 태양전지는 p형 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑하여 n+층을 형성하는 단계와, 상기 p형 기판과 n+층이 접하는 수평면 중 어느 하나의 면 사이에 고농도의 p+층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 n+층 중 측면에 형성되는 n+층을 제거하는 단계 및 상기 p형 기판과 인접한 n+층을 제거하고 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
태양전지, 페르미 에너지 레벨, 광전 변환 효율, p형 기판, n+층

Description

고효율 태양전지 및 그의 제조방법{High-efficiency Solar Cell And Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 차세대 청정 에너지원인 태양전지에 있어서 광전 변환 효율을 개선한 것으로서, 서로 다른 타입의 반도체층의 적층 형태 및 도핑 농도를 달리함으로써 각 반도체층의 페르미 에너지 레벨을 조정하여 반도체층간 인접면에서 많은 전하가 축적되는 고효율의 태양전지에 관한 것이다.
또한 페르미 에너지 레벨을 조정하여 고효율의 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 p형 기판에 고농도의 n형 불순물층을 형성하여 n+층을 구성하는 태양전지 제조방법에 있어서 pn+층 사이에 고농도의 p+층을 더 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 차세대 청정 에너지원으로서 수십 년간 많은 연구가 진행되어 오고 있다. 지금까지 태양전지의 소재로서, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn 등의 IV 족계의 재료, 또는 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP) 등의 III-V 족이나 CdS, CdTe, Cu2S 등의 II-VI족의 화합물 반도체가 사용되고 있다.
또한, 태양전지의 구조로서는, 배면전계형을 포함하는 pn 구조, pin 구조, 헤테로접합구조, 쇼트키구조, 탠덤형이나 수직 접합형을 포함하는 다중접합구조 등이 채용되고 있다.
도 1은 종래의 일반적인 태양전지의 구조를 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면 일반적인 실리콘 웨이퍼 태양전지 즉, 벌크형 태양전지는 불순물이 도핑된 실리콘 웨이퍼층(101)을 중심으로 그와 다른 타입의 불순물이 도핑된 반도체층(102)이 적층되는 구조를 포함한다.
실리콘 웨이퍼층의 후면에서 전도성의 금속원소가 포함된 후면 전극층(104)으로 형성된다.
실리콘 웨이퍼 반도체층(101)에서 빛에 의해 분리된 전자-정공쌍이 각각 분리되어 기전력을 생성하여 전기에너지로 변환되는 구조이다.
이러한 태양전지의 연구과제로서 중점적인 것은 대면적으로 제조될 수 있는지, 광전변환 효율이 고효율인지, 그에 대비하여 제조단가에서 경제적인지 등에 관한 것이다.
특히 광전 변환효율(Efficiency)을 높이는 것은 매우 중요하다.
이를 위하여 반도체층의 적층 구조를 달리하거나, 반도체층의 도핑 농도 또는 도핑 물질을 조절하거나 혹은 서로 다른 광학 밴드갭(Optical Bandgap)을 갖는 물질을 함께 사용하여 넓은 범위의 빛을 효과적으로 이용할 수 있게 하는 등의 연구가 진행되어 왔다.
실리콘 웨이퍼를 이용한 태양전지는 이미 저변적으로 실용화되어 있는데, 실리콘 웨이퍼 태양전지에 있어서 실리콘 막을 형성하는 방법으로는 모노실란 가스나 다이실란가스의 화학기상증착법 (CVD)이 많이 사용되고 있다.
이러한 방법을 사용하여 실리콘 막을 형성한 후 불순물을 도핑하여 서로 다른 타입의 반도체층에서 빛에 의한 전자-정공쌍을 발생하여 전기에너지로 변환하게 되는데, 도핑 농도와 재료를 달리하여 광전 변환 효율을 높이는 것은 그 효과가 미흡하며 아직 연구가 미비한 면이 있다.
따라서, 일반적인 태양전지의 제조방법을 사용하면서도 고효율의 반복재현적인 효과를 기대할 수 있는 태양전지의 구조 개선에 대한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 태양전지의 효율 개선이 미흡한 문제점을 해결하고 현재 공정을 최대한 이용함으로써 태양전지를 제작하는 데 있어서의 제조 단가에 대한 경제성을 고려한 고효율의 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고효율의 태양전지는 p형 기판에 고농도로 도핑된 n+층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 p형 기판과 상기 n+층 사이에 고농도의 p+층을 더 포함한다.
상기 n+층 및 p+층은 고농도의 n형 불순물이 도핑된 n형 반도체층 및 고농도의 p형 불순물이 도핑된 p형 반도체층을 의미하는 것으로 정의한다.
상기 고농도의 수준은 특정 농도로 제한되지 않으나, 일반적인 반도체 불순물이 도핑되는 농도에 비하여 10배 내지 100배의 고농도일 수 있다.
바람직하게는 고농도로 도핑되는 n+층 또는 p+층의 반도체층의 도핑농도는 1017cm-3 내지 1019cm-3 일 수 있다.
본 발명에서 상기 고농도 p+층은 다공성 실리콘(porous silicon)층으로 이루어질 수 있다.
또한 상기 p+층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 100~600nm인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 태양전지는 p형 기판 상부에 적층된 고농도의 p+층과 상기 p+층 상부에 적층된 고농도의 n+층을 포함한다.
마찬가지로 상기 고농도의 p+층은 다공성 실리콘층일 수 있다.
본 발명에서 상기 p형 기판은 다결정 실리콘 웨이퍼를 이용하여 제조된 것일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않으며 태양전지의 다양한 종류에 맞추어 사용되는 다양한 공지의 기판일 수 있다.
본 발명에서 상기 p형 기판 하부에는 후면 전극층을 더 포함할 수 있으며, 상기 후면전극층은 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 특히 도전성 금속원소를 포함할 수 있는데, 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 금속원소 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질이면 족할 것이다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고효율 태양전지의 제조방법은 p형 기판에 고농도의 n형 불순물층을 형성하여 n+층을 구성하는 태양전지 제조방법에 있어서, 상기 pn+층 사이에 고농도의 p+층을 더 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에서 상기 고농도의 p+층을 형성하는 방법은 다공성 실리콘층의 형성방법을 사용할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고효율 태양전지의 제조방법 중 하나로서, p형 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑하여 n+층을 형성하는 단계와, 상기 p형 기판과 n+층이 접하는 수평면 중 어느 하나의 면 사이에 고농도의 p+층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 n+층 중 측면에 형성되는 n+층을 제거하는 단계 및 상기 p형 기판과 인접한 n+층을 제거하고 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 고농도의 n형 불순물은 15족 원소 중 어느 하나이면 족할 것이지만 인(P)을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고농도의 n형 불순물을 도핑하는 방법은 고온의 노(furnace)에 p형 기판을 두고 n형 불순물을 포함하는 가스를 주입하는 방법일 수 있는데, 이때 상기 노의 온도는 800~900도 인 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 고농도의 n형 불순물을 포함하는 가스는 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3)일 수 있다.
상기 고농도의 p+층은 다공성 실리콘 형성방법에 의해 생성될 수 있다.
또한 본 발명에서 상기 측면에 형성된 n+층을 제거하는 방법은 에지 아이솔레이션(edge isolation)을 이용할 수 있다.
상기 전극을 생성하는 방법은 금속을 도포한 후 고온에서 열처리하는 것일 수 있는데, 이때 사용되는 금속은 금속성 원소이면 족할 것이지만 특히 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 물질인 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 태양전지는 p형 실리콘 웨이퍼에 고농도의 n+층과 다공성 실리콘 형성방법에 의해 형성되는 p+층이 인접하여 구성되고 전극층을 통해 전기적으로 소 통될 수 있게 이루어진 것이다.
p+층은 반드시 층상 구조일 필요는 없으며 일정한 형태로서 p형 실리콘 웨이퍼 내부에 포함될 수 있는 복수 개의 함몰형 구조이어도 무방하다.
이러한 구조의 태양전지의 각 반도체층에 따른 전도대와 가전도대 및 페르미 에너지 레벨을 도시하여 보면, p형 실리콘 웨이퍼층에서 빛에 의해 여기된 전자-정공쌍이 발생되고 이들 여기된 전자가 페르미 에너지 레벨이 다른 p+층의 구조로 인해 p형 실리콘층과 p+층의 인터페이스(interface)에서 다량으로 축적되는 구조임을 알 수 있다.
이러한 본 발명의 태양전지를 제조하기 위하여 우선 p형 기판, 바람직하게는 실리콘 웨이퍼 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑한다.
n형 불순물은 15족 원소의 물질 중 어느 하나 이상을 함유하는 물질로서 일반적인 도핑방법에 준하여 수행할 수 있다. n형 불순물은 인(P)인 것이 바람직하다.
일반적으로 도핑 방법은 이온 주입(Ion Implantation)법, 열확산법, 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3) 확산법이 있으며, 고농도의 도핑을 위하여 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3) 확산법이 바람직할 수 있다.
구체적으로는 p형 기판을 고온의 노(furnace)에 주입하고 온도를 800도 내지 900도로 가열하면서 고농도의 n형 불순물 생성가스를 주입한다. 바라직하게는 n형 불순물 생성가스는 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3) 일 수 있다.
이러한 n형 불순물의 도핑에 의해 상기 p형 기판의 사면, 즉 전면, 후면, 사방의 측면에 고농도의 n+층이 형성될 수 있다. n+층의 형성 두께는 100 내지 600nm인 것이 바람직하다.
다음 단계로서는 p형 기판과 n+층의 인접면에 수평적으로 p+층을 하나 이상 형성한다.
상술한 본 발명의 일 구조로서 수평적인 p+층에 한정하지 않고 p형 기판에 함몰되어 p+층이 형성될 수 있다.
p+층은 다공성 실리콘층을 형성함으로서 구비될 수 있다.
다공성 실리콘은 짧은 공정시간과 별다른 장비 없이 간단하게 형성할 수 있어 반사방지막으로서도 크게 기능할 수 있다.
다공성 실리콘은 HF-C2H5OH-H2O로 이루어진 수용액에 상기 p형 기판을 담가 기판 조건에 따라 일정한 전류를 흘려줌으로써 정공(hole)을 주입하는 양극산화 식각을 통해 형성될 수 있다. 형성방법으로는 HNO3 를 통한 화학적 에칭과 전류를 흘려주는 전기화학적 에칭이 있다.
이렇게 형성된 다공성 실리콘은 태양전지에서 반사방지막 이외에 표면 보호 막의 역할도 함으로써 태양전지 효율을 극대화하는 데 기여할 수 있다.
다음 단계로서 상기 p형 기판 및 그와 인접한 p+층 및 n+층에 있어서, 측면에 형성된 n+층 및 p+층에 접하지 않은 수평의 n+층을 제거하는 에지 아이솔레이션(edge isolation) 과정을 수행한다.
이는 동시에 또는 순차로 제거될 수 있다.
상기의 n+층을 제거하는 것은 추후 후면 금속층 또는 금속전극과 연결되었을 때 태양전지의 양극과 음극의 단락(short)을 초래하여 태양전지 동작에 불필요한 요소가 되기 때문이다.
단 측면이 아닌 수평부분의 n+층을 제거하는 과정은 알루미늄(Al)과 같은 전도성 물질을 포함하는 후면 표면 전계(back surface field, BSF)의 형성과정에서 존재 의미가 없어지므로 별도로 제거 공정을 수행하지 않을 수도 있다.
n+층을 제거하는 방법은 일반적으로 공지된 방법을 사용할 수 있으며 특정 방법에 한정되지는 않는다.
바람직한 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정은 플라즈마를 이용한 습식 식각(plasma wet etching), 플라즈마를 이용한 건식 식각(plasma dry etching), 레이저 식각(laser etching), 레이저스크라이빙법 등이 있다.
아이솔레이션 방법에 따라 태양전지의 동작 특성 변화는 크지 않으나, 양산 적용성을 고려해 볼 때 플라즈마 건식 식각법과 플라즈마 습식 식각법이 유리하게 사용될 수 있다.
상기 플라즈마 식각법은 복수 개의 기판을 적층하여 플라즈마 입자나 용액에 노출시켜 pn 접합이 분리되도록 하는 방법이다.
마지막으로 상기 태양전지의 에지 제거 형태에 따라 후면 또는 전면에 전도성 금속원소를 포함하는 전극층을 형성하는 단계를 수행한다.
바람직하게는 금속 원소 중 알루미늄(Al)이 포함된 후면 표면 전계(back surface field, BSF)일 수 있다. 그 이외에도 전도성이 우수한 은(Ag), 백금(Pt) 등이 사용될 수 있다.
구체적인 Al BSF의 형성방법은, 상기 에지로 작용하는 n+층이 제거된 p형 기판, p+층 및 n+층으로 구성된 태양전지에 있어서, p형 기판의 후면 또는 태양전지 적층형태에 따라 적층가능한 p형 기판의 전면에 알루미늄(Al) 등의 금속원소가 포함된 페이스트를 도포하고 고온에서 열처리하는 것이다.
상기 열처리 온도는 600도 내지 900도에서 수행될 수 있으며, 이 경우 알루미늄이 실리콘 표면에서 불순물로 작용하여 p형 기판의 후면 또는 전면을 p형 불순물이 고농도로 도핑된 p+층 또는 p++층으로 변화시키고 이러한 층은 빛에 의해 p형 기판에서 생성된 전자-정공쌍으로부터의 전자가 재결합되는 것을 방지하여 태양전지의 효율을 높이는 역할을 한다.
상기 전극층의 두께는 10㎛ 내지 30㎛ 인 것이 바람직하다.
상술한 방법에 의해 제조되는 태양전지는, 빛에 의해 전자-정공쌍이 생성되 는 p형 실리콘 웨이퍼 기판의 인접면에서 p+층과 알루미늄 BSF층의 p+층의 페르미 에너지 준위에 따른 전자 축적 부위가 형성되므로 효율이 높아질 수 있는 구조이다.
즉, 본 발명에 따른 태양전지는 적층구조를 조절하여 인위적으로 페르미 에너지 레벨을 디자인하여 p형 기판에서 발생한 전자를 일시적으로 가두고 축적함으로써 실리콘 웨이퍼와 p+층 사이의 인접면에 다량의 전자를 충진하는 구조의 태양전지이다.
따라서 이렇듯 다량으로 축적된 전자는 다시 재결합하여 손실될 확률이 적고 충전량에 의해 높은 전력을 발생할 수 있어 고효율의 광전 변환율을 기대할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기존의 태양전지 제조방법을 최대한 이용하면서도 전자를 축적할 수 있는 에너지 레벨 구조의 태양전지를 제조할 수 있어 고광전변환 효율의 태양전지를 경제적으로 생산할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시형태들을 상세히 설명한다.
하기의 도면에서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되 더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 하며 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 순차로 적층되는 태양전지 구조를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따라 적층된 후의 완성된 태양전지 구조는 도 4에 게시하였다.
도 2a를 참조하면 먼저, p형 실리콘 웨이퍼 반도체층(201)을 준비한다.
이는 실리콘 웨이퍼에 p형 불순물을 도핑하여 불순물 반도체층으로 만든 것이다.
상기 p형 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑한다.
n형 불순물로서 인(P)를 1017cm-3 내지 1019cm- 3 의 고농도로 도핑하여 p형 기판의 전면부, 후면부, 좌우 측면부를 모두 에둘러서 도핑한다.
도핑 방법으로 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3)확산법을 사용하고 800도 내지 900도의 고온의 노(furnace)에서 열처리한다.
n형 불순물이 고농도로 도핑되면 p형 기판 면에 400nm 내지 600nm 정도의 n+층(202)이 형성된다.
다음으로 도 2b를 참조하면 p형 기판(201)과 n+층(202)의 접합면 중 상면 접합면에 다공성 실리콘 형성방법으로 p+층(203)을 형성한다.
그 후 에지 아이솔레이션 방법 중에서 특히 플라즈마 습식 식각법을 사용하 여 p형 기판의 측면부에 형성된 n+층만을 제거한다.
상술했듯이 에지 아이솔레이션 방법은 특별히 제한되지 않으며 공지의 방법이면 족하다.
기판의 측면부에 형성된 n+층을 제거하는 과정은 상기 p+층(203)을 형성하는 과정보다 먼저 진행될 수도 있다.
플라즈마 습식 식각법을 사용하여 기판 측면의 n+층들을 제거하고 난 태양전지의 구조는 아래부터 n+층(202), p형 기판(201), p+층(203) 및 n+층(202)으로 순차로 적층된 구조이며 이는 도 2c에 도시된 바와 같다.
다음 과정으로 p형 기판의 하부면에 형성된 n+층(202)을 제거하고 알루미늄(Al) 후면 표면 전계(BSF)층을 형성한다.
p형 기판(201)의 후면에 형성된 n+층(202)은 화학적 또는 물리적 에칭법에 의해 제거할 수 있다.
후면 n+층이 제거된 p형 기판에 알루미늄(Al) 등의 금속원소가 포함된 페이스트를 도포하고 600도 내지 900도의 고온에서 열처리한다. 이러한 알루미늄이 p형 기판의 실리콘 기판 표면에서 p형 불순물로 작용하여 고농도로 도핑된 p+층(204) 또는 p++층으로 변화시킨다. p++층은 p+층보다 더 고농도로 불순물이 도핑된 층일 경우를 가리킨다.
이러한 p+층은 10㎛ 내지 30㎛ 로 적층될 수 있으며 전극층(204)으로 작용한다.
상기의 과정을 거치고 난 본 발명의 태양전지는 p형 기판(201)과 p+층(203) 의 인접면 쪽에 빛에 의해 분리된 전자들이 축적되는 구조를 가질 수 있으므로 전자의 손실을 줄일 수 있어 광전 변환 효율을 높게 개선할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 순차로 적층되는 태양전지 구조를 나타낸 단면도이다.
상기 도면에 의한 제조방법 역시 상술한 도 2a 내지 도 2d의 제조방법과 다르지 않다.
다만, 도 3a를 참조하면 본 발명의 또다른 일 실시예의 태양전지는 p형 기판(201)을 둘러싸서 n+층(202)을 형성한 후 p형 기판과 수평적으로 접촉하는 n+층 중에서 하부 수평층인 n+층과 p형 기판의 접촉면 사이에 p+층(203)을 형성한다는 것이다.
따라서, 도 3b를 참조하면 중간 과정으로서 태양전지의 단면은 아래부터 n+층(202), p+층(203), p형 기판(201) 및 n+층(202)으로 적층된다.
이 경우의 태양전지는 전자-정공쌍이 발생하는 p형 기판에 분리된 전자를 고립하여 축적하기 위한 구조로서 p+층을 p형 기판의 상하로 두기 위하여 도 3c와 같이 상부층의 n+층을 제거하고 알루미늄을 포함하는 p+층 또는 p++층을 형성한다.
도 4에서 간략하게 단면도로 나타낸 본 발명의 태양전지에서도 알 수 있듯이, 본 발명의 태양전지는 p형 기판(201, ③)을 사이에 두고 p형 불순물이 고농도로 도핑된 p+층(203, ②)과 p+전극층(204, ④)을 형성하는 것이어서 전자손실을 감소케 하여 광전 변환 효율을 높이도록 개선한다.
본 발명의 태양전지의 광전 변환 효율이 개선되는 원리는 도 4의 태양전지 도면과 각 반도체층에서의 페르미 에너지 준위를 표현한 그래프인 도 5를 대비하면 더 이해가 용이할 것이다.
도 5는 도 4의 태양전지층에 대하여 구획별로 전도대와 가전자대를 도시한 것인데, p형 기판(③)에서 생성되어 분리된 전자들이 n+층(①)으로 이동되다가 p+층(②)의 장벽에 막혀서 p형 실리콘층과 p+층의 인접면에 고립, 축적되는 것을 알 수 있다.
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조에 대한 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조과정에 대응하는 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 태양전지의 제조과정에 대응하는 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조에 대한 전도대-가전자대의 에너지 준위를 나타낸 그래프.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
101,201 : p형 실리콘 웨이퍼 반도체층 102,202 : n+층
104,204 : 전극층 203 : p+층

Claims (20)

  1. p형 기판에 고농도로 도핑된 n+층을 포함하는 태양전지에 있어서,
    상기 p형 기판과 상기 n+층 사이에 고농도의 p+층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 고농도 p+층은 다공성 실리콘층인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 p+층의 두께는 100~600nm인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. p형 기판 상부에 적층된 고농도의 p+층; 및
    상기 p+층 상부에 적층된 고농도의 n+층을 포함하는 태양전지.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 고농도의 p+층은 다공성 실리콘층인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 p형 기판은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 p+층의 두께는 100~600nm인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제 4항에 있어서
    상기 p형 기판 하부에는 후면 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 후면전극층은 알루미늄(Al)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  10. p형 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑하여 n+층을 구성하는 태양전지 제조방법에 있어서,
    상기 pn+층 사이에 고농도의 p+층을 더 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 고농도의 p+층을 형성하는 방법은 다공성 실리콘층의 형성방법에 의한 것을 특징으로 하는 태양전지 제작방법.
  12. p형 기판에 고농도의 n형 불순물을 도핑하여 n+층을 형성하는 단계;
    상기 p형 기판과 n+층이 접하는 수평면 중 어느 하나의 면 사이에 고농도의 p+층을 형성하는 단계;
    상기 형성된 n+층 중 측면에 형성되는 n+층을 제거하는 단계; 및
    상기 p형 기판과 인접한 n+층을 제거하고 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 고농도의 n형 불순물은 인(P)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 고농도의 n형 불순물을 도핑하는 방법은 고온의 노(furnace)에 p형 기판을 두고 n형 불순물을 포함하는 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 노의 온도는 800~900도 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 고농도의 n형 불순물을 포함하는 가스는 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 고농도의 p+층은 다공성 실리콘 형성방법에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 측면에 형성된 n+층을 제거하는 방법은 에지 아이솔레이션(edge isolation)을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  19. 제 12항에 있어서,
    상기 전극을 생성하는 방법은 금속을 도포한 후 고온에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 금속은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
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