KR101627217B1 - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 백컨택 실리콘 태양전지로서 메탈 렙 쓰루(Metal Wrap Through,MWT) 구조를 포함하는 태양전지와 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명의 태양전지는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 에미터층과, 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하고 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 패시베이션층과, 상기 패시베이션층 위의 소정 부분에 형성된 적어도 하나 이상의 후면전계층(Back Surface Field, BSF)층, 및 상기 에미터층, 반도체 기판, 패시베이션층을 관통하고, 상기 패시베이션층 위로 노출되는 하부가 상기 후면전계층과 이격되어 형성되는 금속전극을 포함한다.
태양전지, 반도체, 실리콘, 에미터층, 후면전계층, 금속전극

Description

태양전지 및 그 제조방법{Sollar Cell And Fabrication Method Thereof}
본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 백컨택 실리콘 태양전지로서 메탈 렙 쓰루(Metal Wrap Through,MWT) 구조를 포함하는 태양전지(Metal Wrap Through Sollar Cell)와 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기존의 실리콘 태양전지의 전면에 버스바(bus bar) 전극이 형성된 것을 대신해서, 태양전지의 전면에 메탈 핑거라인(metal finger line)만 남게하고, 반도체 기판을 관통하여 기판의 후면에 이르는 금속전극을 설치하여 태양전지의 효율을 상승시키는 태양전지와 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 치솟는 유가 상승과 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양전지에 대한 연구개발이 활발하게 진행되어 지고 있다.
태양전지란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 이러한 태 양전지는 독립적으로는 전자시계, 라디오, 무인등대, 인공위성, 로켓 등의 주전력원으로 이용되고, 상용교류전원의 계통과 연계되어 보조전력원으로도 이용되며, 최근 대체 에너지에 대한 필요성이 증가하면서 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
태양광을 이용하여 전기를 생산하는 태양전지는 일반적으로 실리콘을 이용하여 제작하고 있으며, 현재 상용화된 단결정 Bulk 실리콘 태양전지는 높은 제조단가 및 설치 비용으로 인하여 적극적인 활용이 이루어지지 못하는 실정이다. 이러한 비용문제를 해결하기 위하여 실리콘을 이용한 태양전지에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 고효율 태양전지 모듈을 제조하기 위한 여러 가지 시도들이 이루어지고 있다.
지금까지 태양전지의 소재로서, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn 등의 Ⅳ 족계의 재료 또는 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족이나 CdS, CdTe, Cu2S 등의 Ⅱ-Ⅵ 족의 화합물 반도체 등이 사용되고 있다.
상용화되어가는 추세에 있는 결정질 실리콘 태양전지의 효율성을 제고하기 위하여 태양전지의 구조와 공정의 분야에서 다양한 연구가 진행되고 있는데, 특히 광 포획(Light trapping), 접촉저항이 개선되는 전극 형성, 전자 정공쌍의 재결합의 제어 등에서 개발의 필요성이 있으며 본 발명 역시 이러한 분야에 관심을 두고 안출된 것이다.
본 발명은 상술한 바와 같은 결정질 실리콘 태양전지의 광전 변환 효율성을 개선하기 위한 태양전지의 구조와 공정에 관한 기술로서, 특히 광 포획(Light trapping)성이 개선되고, 접촉저항이 개선되며, 여기된 전자 정공쌍의 재결합률이 억제되는 태양전지의 구조와 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 태양광이 입사하는 전면부의 전극 구조를 개선함으로써 전극에 의한 빛가림(shadowing) 현상을 줄어들게 하여 개방전압, 단락전류, 충실도(fill factor, F.F.)값이 상승된 고효율의 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
태양전지 중 가장 먼저 사용되었고, 현재도 태양전지 시장에서 가장 많은 비중을 차지하며 상용화되고 있는 결정질 실리콘 태양전지의 구조는 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면 종래 결정질 실리콘 태양전지의 기본적인 구조는 p형 또는 n형 반도체 불순물로 도핑된 반도체 기판(110) 위에, 상기 반도체 기판과 상이한 도전형의 반도체 불순물로 도핑하여 반도체층(120)을 형성하여 p-n 접합(p-n junction)을 형성하는 구조이다. 태양전지가 전면부로부터 빛을 수광하여 전자 정공쌍으로 여기되면 각각 전자는 n형 반도체층으로 정공은 p형 반도체층으로 분리되어 이동하고 이로 인해 생기는 전위차로 발전하게 되는 것이다. 따라서 실리콘 태양전지는 각각 p형과 n형의 도전형 컨택부를 가지고 전류를 수집하는 음극 또는 양극 그리드 전극을 가진다.
도 1에서는 전면전극(160)이 n형 반도체층(120)과 연결되어 전류를 수집하고, 후면전극(140)이 p형 반도체 기판(110)과 연결되어 전류를 수집하는 기능을 수행한다.
도 1을 특히 기존의 실리콘 태양전지에 입사광이 반사되지 않도록 반사방지막(130)이 태양전지의 전면부에 추가로 형성한 구조이다. 또한, 전자와 정공의 재결합이 방지되어 누설 전류를 줄이고 좋은 오믹 컨택을 만들어 주어 태양전지의 개방전압과 충실도를 향상시키는 후면전계(Back Surface Field, BSF)층(150)을 추가로 더 형성한 구조이다.
이러한 태양전지를 제조하는 방법은 다음과 같다.
먼저, p형 실리콘 반도체 기판(110) 표면에 입사광의 반사율을 최소화하기 위한 텍스쳐링(texturing) 구조를 형성시킨다. 그 후, 상기 반도체 기판(110) 표면 전면에 POCl3 등의 n형 반도체 불순물을 열 확산시켜 n+ 층(120)을 형성시킴으로써 p-n 접합을 형성시킨다.
다음으로, 상기 반도체 기판(110)에 있어서 수광면, 즉, 태양광이 입사하게 되는 표면에 반사율을 최소화하기 위한 반사방지막층(130)을 형성한다. 그 후, 은(Ag) 등과 같은 금속전극을 전면(160)과 후면(140)에 각각 형성한다.
다음으로 반도체 기판의 후면에 반도체 기판의 도전형과 동일한 도전형의 반도체 불순물을 패터닝하고, 동시에 열처리하여 소성하면, 전면전극(160)은 반사방지막(130)을 관통하여 n+ 층(120)에 연결되고, 반도체 기판의 후면에는 후면전계층(150)이 형성된다.
이후에 레이저를 이용한 에지 아이솔레이션(Edge isolation)을 수행하여 결정질 실리콘 태양전지를 완성한다.
그러나, 이러한 종래 결정질 실리콘 태양전지에 있어서는 태양광이 들어오는 면, 즉, 수광면 측에 전면전극(160)이 존재하기 때문에, 전극에 의한 빛가림(shadowing) 현상을 피할 수 없게 된다.
이러한 이유로, 결정질 실리콘 태양전지는 18% 이상의 고효율을 내기가 어렵다는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 고안된 것이 백 컨택 태양전지(Back Contact Sollar Cell)이다. 상기의 백 컨택 태양전지를 제조하기 위한 몇 가지의 접근법이 있다. 이러한 접근법들은 금속화 랩 어라운드(MWA : Metal Wrap Around), 메탈 랩 쓰루(MWT : Metal Wrap Through), 에미터 랩 쓰루(EWT : Emitter Wrap Through), 백 정크션(Back-Junction) 구조들을 포함한다.
상기 백 컨택 태양전지는 통상적으로 결정질 실리콘 전지에 비해서 몇 가지 장점을 가진다. 첫째, 컨택 옵스큐레이션 로스(contact obscuration loss)가 감소되어 높은 변환효율을 갖는다. 둘째, 양 전도성 타입의 컨택들이 모두 동일한 기판 표면에 존재하므로, 백 컨택 태양전지를 전기회로에 조립하는 것이 더욱 용이해지며, 그에 따라 제조비용이 더욱 절감된다.
도 2는 종래의 백 컨택 태양전지의 단면도를 나타낸다. 이하, 도 2를 참조하여 종래의 백 컨택 태양전지(Back Contact Sollar Cell)의 구조에 대해서 간단히 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 백 컨택 태양전지(210)는 실리콘 반도체 기판(212), 상기 기판의 후면에 형성된 n++ 도핑된 반도체층(216) 및 p++ 도핑된 반도체층(218), 상기 기판의 후면에 형성된 패시베이션층(214) 및 상기 각각의 반도체층에 접촉하는 금속전극(220)을 포함한다. 상기 실리콘 반도체 기판(212)은 n형 불순물 반도체 기판이거나 p형 불순물 반도체 기판일 수 있다. 따라서, 상기 n++ 도핑된 반도체층(216) 과 p++ 도핑된 반도체층(218) 중 어느 하나는 p-n 접합을 이루는 에미터층으로 기능하며, 어느 하나는 후면전계효과를 가지는 후면전계층으로 기능할 수 있어 생략도 가능하다.
상기의 패시베이션층(214)은 기판 후면의 광발생 캐리어(carrier)의 손실을 줄이고, 금속전극(220) 사이의 도핑되지 않은 기판 표면에서의 분로전류(shunt currents)에 의한 전기적 손실을 감소시키는 역할을 한다.
위와 같은 백 컨택 태양전지의 개발은 고효율 태양전지를 개발하는데 있어서 매우 각광 받고 있는 기술이지만, 반도체 기판의 후면부로 에미터층과 후면전계층을 위치하게 하는 기술은 자칫하면 전자-정공의 재결합 가능성이 높아질 염려가 있으며 이동도가 달라져 효율이 높아지지 않을 염려를 배제할 수 없다.
따라서, 태양전지의 전면부로 p-n 접합이 배치되는 구조이면서 전극으로 인한 빛가림 현상이 방지되고, 그 이외에도 접촉저항성이 개선되어 효율이 향상되는 신개념의 태양전지 구조와 이를 제조하는 방법을 모색할 필요성이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 에미터층, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 패시베이션층, 상기 패시베이션층을 통해 상기 반도체 기판과 접촉하는 후면전극, 상기 후면전극과 반도체 기판이 접촉하는 영역에 형성되는 적어도 하나 이상의 후면전계층(Back Surface Field, BSF), 및 상기 에미터층 상에 형성된 핑거부, 상기 에미터층, 반도체 기판, 패시베이션층을 관통하는 관통부, 및 상기 후면전계층과 이격되어 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 버스바로 이루어진 금속전극을 포함한다.
본 발명에서 상기 반도체 기판은 p형 반도체 기판이고, 상기 에미터층은 n형 반도체 불순물 도핑층이고, 상기 후면전계층은 상기 반도체 기판에 도핑된 p형 반도체 불순물의 농도보다 더 고농도로 도핑된 p+형 반도체 불순물 도핑층일 수 있으며, 그 역도 물론 가능하다.
상기 반도체 기판에서 태양광의 입사로 여기되어 분리된 전자와 정공 쌍은 각각 에미터층과 후면전계층 쪽으로 분리되어 이동하되, 상기 금속전극과 후면전극을 통해 각각 전하가 수집되는 구조이다. 본 발명에 따르면 전면부의 쉐도잉 현상을 일으키는 전극 면을 최소화하여 수광 면적을 크게하되 후면부로 전하를 수집하는 전극 구조이므로 취급과 효율성 및 신뢰성이 개선되는 효과를 가질 수 있다.
상기 금속전극과 후면전극은 반도체 기판과 에미터층 및 후면전계층의 도전 형에 따라서 각각 양극 혹은 음극 전극으로 기능한다.
본 발명에서 상기 금속전극의 상부는 핑거부로서, 상기 에미터층의 윗쪽으로 핑거 라인(finger line)형태로 노출될 수 있다. 다만 이러한 형태는 제한된 것이 아니며 다양한 실시형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
본 발명에서 상기 금속전극의 핑거부의 폭은 상기 관통부의 폭 또는 상기 버스바의 폭보다 좁은 것을 특징으로 한다. 그러나 경우에 따라서 금속전극의 핑거부의 폭은 관통부의 폭과 동일하거나 다소 클 수도 있다. 이 때에도 핑거부의 폭은 버스바의 폭보다는 좁은 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 금속전극의 버스바의 폭은 상기 관통부의 폭보다 큰 것을 특징으로 한다.
또한 금속전극의 핑거부의 높이는 상기 금속전극의 버스바의 높이보다 짧을 수 있다. 그러나 이러한 제한은 하나의 실시예일뿐 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 에미터층, 반도체 기판, 패시베이션층을 관통하는 금속전극은 폭이 50㎛ 내지 100㎛인 관통홈의 형상일 수 있으며 상기 폭의 수치는 반드시 제한적인 것은 아니다.
본 발명에서 상기 에미터층은, 에미터층을 관통하는 금속전극으로 갈수록 반도체 불순물의 도핑농도가 증가하는 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 에미터층은, 에미터층을 관통하는 금속전극과 인접한 영역으로서 고농도의 반도체 불순물로 도핑된 제1 영역과, 상기 제1 영역보다 저농도의 반도체 불순물로 도핑된 제2 영역으로 이루어진 선택적 에미터층일 수 있다.
본 발명에서와 같이 에미터층 내에서 금속전극의 관통부에 인접하는 영역을 고농도로 도핑하는 것은, 전하의 이동과 수집을 용이하게 한다. 또한 금속전극이 위치하지 않는 부위까지 고농도의 에미터를 형성하는 경우에 비하여, 표면에 존재하는 고농도의 불순물(dopant)들이 실리콘 내에 과잉으로 존재함으로써 응집물(precipitate)이 형성되고, 이로 인해 전하의 수명(lifetime)이 감소되어 궁극적으로 태양전지의 작동 효율을 저하시키는 문제를 해결할 수 있게 된다.
또한 에미터층에서 상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께보다 클 수 있으며, 각 영역의 두께는 특별히 제한되지 않으나 제 1영역의 두께가 제2 영역의 두께의 3배 또는 4배로 클 수 있다.
특히 이러한 선택적 에미터층의 고농도 도핑 영역인 제1 영역은 0.7㎛ 내지 1.0㎛ 의 두께를 가질 수 있으며, 저농도 도핑 영역인 제2 영역은 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 두께를 가질 수 있다. 그러나 이에 반드시 한정되는 것은 아니며, 제1 영역은 면저항이 20Ω/sq.이하일 수 있는 두께로 형성될 수 있고, 제2 영역은 면저항이 80Ω/sq.보다 높아질 수 있는 두께로 형성될 수 있다. 종래 결정질 실리콘 태양전지의 에미터층의 면저항은 50Ω/sq. 정도에서 균일한 두께로 형성되지만, 본 발명의 에미터층은 선택적 도핑영역으로 구분하여 효율성을 꾀한 것이다.
본 발명에서 상기 적어도 하나 이상의 후면전계층은 상기 패시베이션층의 개구부를 통하여 반도체 기판과 접촉하는 부분에 선택적으로 형성할 수 있다.
상기 패시베이션층은 적어도 하나 이상의 개구부를 가지는 것으로 형성될 수 있는데 이러한 개구부를 통해 후면전계층이 반도체 기판과 접촉하여 전하를 더욱 용이하게 끌어들일 수 있게 된다. 만일 복수 개의 후면전계층으로 구성된다면 이들 후면전계층은 각각 반도체 기판의 후면부에 선택적으로 형성되되, 패시베이션층의 개구부마다 혹은 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하여 간헐적으로 형성될 수 있다.
반도체 기판의 후면에서 후면전계층이 부분컨택(locally contact)하기 때문에 해당 부분에서의 전자-정공의 재결합 속도가 감소하게 되어 태양전지 효율이 증대될 수 있다. 즉, 부분적으로 컨택되기 때문에 만들어진 전하들이 외부로 더 잘 빠져나올 수 있게되는 장점이 있게된다.
본 발명에서의 패시베이션층은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiOxNy) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있느나 반드시 이에 제한되지 않으며 실리콘 웨이퍼 기판의 변성을 방지할 수 있는 공지된 유전체 물질이면 족할 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라서, 상기 에미터층의 상부면에는 적어도 하나 이상의 반사방지막이 더 포함될 수 있다.
반사방지막은 보통 실리콘 질화물(SiNx)로 구성된 단일층일 수 있으나 이에 한정하지 않고 SiNx/SiON, SiNx/SiO2 등의 물질을 사용할 수 있으며, 이들 물질층이 포함된 다층으로 구현할 수도 있다. 이러한 반사방지막은 수광면으로 입사하는 빛을 반사를 억제하여 효율적인 광포획을 유도할 수 있으며, 아울러 실리콘 반도체 기판의 패시베이션으로도 기능하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따라서, 상기 반도체 기판의 전면 또는 상기 반도체 기판의 전면 및 후면은 텍스쳐링 구조일 수 있다.
텍스쳐링 구조는 기판의 표면이 부정형의 불규칙한 요철구조를 가지는 것을 말하며 그 형태와 모양, 밀도 등의 특성이 특별히 제한되지 않는다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 태양전지의 제조방법은, 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서, 반도체 기판의 전면과 후면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통 홈을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면에 에미터층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 후면에 적어도 하나 이상의 개구부를 가지거나 혹은 개구부를 가지지 않는 패시베이션층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면으로부터 후면까지 상기 관통 홈을 경유하여 연결된 금속전극을 형성하는 단계, 및 상기 반도체 기판과 부분적으로 접촉하고, 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면전극을 형성하는 단계를 포함한다.
또한 본 발명의 태양전지의 제조방법은 상기 후면전극과 반도체 기판의 접촉면에서 부분적으로 후면전계층이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 금속전극은 반도체 기판의 도전형에 따라 음극 또는 양극 전극으로 기능하게 되어 전하를 수집하며, 후면전계층을 통하여 후면전극은 상기 금속전극과 반대 도전형의 전극으로 기능하면서 전하를 수집하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따라서, 상기 관통 홈을 형성하는 단계 전 또는 후에는, 상기 반도체 기판의 전면 또는 상기 반도체 기판의 전면 및 후면을 텍스쳐링하 는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.
상기 텍스쳐링은 습식화학에칭법, 건식화학에칭법, 전기화학에칭법, 기계적에칭법 중 어느 하나의 방법일 수 있으며 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
특히 건식화학에칭법으로서 반응성 이온 식각법(Reactive Ion Etching, RIE)법이 사용될 수 있으며, 기계적에칭법으로서 레이저를 사용한 식각법이 활용될 수 있다.
본 발명의 태양전지 제조방법에서, 상기 관통 홈은 레이저 드릴링(Laser Drilling)법, 건식 식각법, 습식 식각법, 기계적 드릴링법 및 워터 젯 머시닝법 중 어느 하나의 방법을 사용하여 형성할 수 있다.
또한 본 발명에서 상기 금속전극을 형성하는 단계와 상기 후면전극을 형성하는 단계는 동시(同時)에 또는 이시(異時)에 이루어질 수 있다.
동시(同時)에 금속전극을 형성하는 단계와 후면전극을 형성하는 단계가 이루어지는 과정은, 반도체 기판의 전면과 후면의 관통 홈에 각각 금속 페이스트를 도포하고 건조하는 단계와, 반도체 기판의 후면에 상기 금속 페이스트와 이격되도록 패터닝하여 상기 반도체 기판의 도전형과 동일한 도전형의 페이스트를 도포하고 건조하는 단계, 및 열처리하여 소성하는 단계일 수 있다.
이 경우는 열처리의 소성단계를 금속전극 형성을 위한 페이스트와 후면전극의 형성을 위한 페이스트를 각각 패터닝하여 도포하고 건조한 후 일괄적으로 한꺼번에 수행하는 co-firing과정이다.
이시(異時)에 금속전극을 형성하는 단계와 후면전극을 형성하는 단계가 이루 어지는 과정은, 반도체 기판의 전면과 후면의 관통 홈에 각각 금속 페이스트를 도포하고 건조하는 단계와, 상기 금속 페이스트를 열처리하여 소성하는 단계와, 반도체 기판의 후면에 상기 금속 페이스트와 이격되도록 패터닝하여 상기 반도체 기판과 동일한 도전형의 페이스트를 도포하고 건조하는 단계, 및 상기 페이스트를 열처리하여 소성하는 단계일 수 있다.
이 경우는 금속전극의 형성을 위한 페이스트의 패터닝 도포와 건조 및 후면전극의 형성을 위한 페이스트의 패터닝 도포와 건조를 각각 따로 수행하고 그 후에 열처리하여 소성하는 과정까지 따로 수행하는 double-firing단계이다.
상기 금속전극의 형성에 사용되는 금속 페이스트는 은(Ag) 페이스트일 수 있으나 반드시 이에 제한되지 않으며 금속전극을 구현할 수 있는 공지의 전도성 금속물질이면 족할 것이다.
또한 후면전극을 형성하기 위한 페이스트는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 알루미늄(Al) 페이스트 또는 알루미늄 은(AgAl) 페이스트를 사용할 수 있다.
상기 페이스트의 도포는 인쇄법, 스크린 인쇄법, 증착법 중 어느 하나의 방법으로 이루어질 수 있다.
상기 금속전극과 후면전극의 형성은 페이스트를 패터닝하여 도포하는 것을 예시하였으나 이는 일 실시형태일 뿐 반드시 이에 제한되는 것은 아니며 원하는 위치에 패터닝하여 구성 물질을 형성하는 방법이면 공지의 방법이 모두 적용될 수 있다.
상기 소성 단계의 열처리 온도는 특별히 제한되지 않으며 패터닝된 페이스트들이 녹아서 실리콘 기판 내부로 투입될 수 있는 온도이면 족할 것이다. 일 실시예로서 700℃ 내지 1200℃로 열처리 할 수 있다.
반도체 기판의 후면에 부분적으로 접촉하는 후면전극을 형성할 때 소성과정을 거치면 패시베이션층을 매개로 하여 반도체 기판의 도전형과 동일한 도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 후면전계층의 영역이 부분적으로 반도체 기판과 컨택될 수 있다.
본 발명의 태양전지 제조방법에서 상기 에미터를 형성하는 단계는, 상기 관통 홈이 내포되는 반도체 기판 전면의 소정 영역을 제외한 나머지 영역에 실리콘 산화막을 패터닝하는 단계와, 및 상기 반도체 기판의 도전형과 반대되는 도전형의 반도체 불순물의 열확산으로, 상기 실리콘 산화막이 패터닝되지 않은 제1 영역 및 패터닝된 실리콘 산화막을 부분적으로 통과하여 상기 제1 영역보다 낮은 반도체 불순물의 도핑 농도를 가지는 제2 영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한 상기 에미터층의 상부에 적어도 하나 이상의 반사방지막층을 형성하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.
본 발명에서의 상기 패시베이션층은 화학기상증착법(CVD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 프린팅법, 스프레이법 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있는데, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며 다양한 공지의 적층방법이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라서, 상기 개구부를 가지는 패시베이션층은, 화학기상증착법(CVD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 프린팅법, 스프레이법 중 어느 하나의 방법으로 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiOxNy) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 막을 형성하는 단계와, 및 상기 막의 일부분을 화학적 식각법 또는 기계적 식각법으로 제거하여 적어도 하나 이상의 개구부를 생성하는 단계로 형성될 수 있다.
화학적 식각법은 에칭 용액이나 페이스트를 사용한 식각법이며, 기계적 식각법은 레이저를 이용한 식각법이다.
이렇게 패시베이션 하는 이유는 드러난 실리콘 웨이퍼 기판의 끊어져있는 결합(dangling bond)나 계면에서의 결함들을 비활성화 시켜서 빛이 입사할때 만들어지는 전자나 정공같은 전하가 그 부분에서 사라지는 것을 줄여 전하의 재결합 확률이 줄어들게 된다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따라 에칭 페이스트나 레이저를 이용하여 패시베이션층을 부분적으로 벗겨내어 개구부를 만들고 그 위에 후면전극을 프린팅하고 소성하여 전기적으로 연결시키는 방법을 사용하기도 하지만, 반드시 이러한 방법에 한정되는 것은 아니다. 경우에 따라서는 개구부를 가지지 않은 패시베이션층을 형성하고 나서, 레이저를 이용하여 강제로 후면전극과 패시베이션층의 일부분을 섞어서 후면전극과 반도체 기판을 전기적으로 연결하는 방법을 사용할 수도 있다.
상기 과정이 수행된 후 본 발명의 태양전지는 레이저를 이용한 에지 아이소레이션(Edge isolation)을 수행하고 셀 테스트 과정과 분류과정을 거쳐 완성될 수 있다.
본 발명의 태양전지 및 그 제조방법에 따르면, 기존의 결정질 실리콘 태양전지에 비하여 광포획성이 우수하고, 금속-실리콘간의 접촉저항이 개선되며, 전자-정공쌍의 재결합으로 인한 손실이 감소된 우수한 효율의 태양전지를 제공할 수 있다.
본 발명의 태양전지 및 제조방법에 의하면 기존의 공정에 별도의 공정을 많이 추가하지 않고서도 전반적인 태양전지의 구조를 개선하여 광전변환 효율성이 크게 개선된 태양전지를 경제적인 생산 비용과 생산시간으로 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도이다. 이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 태양전지의 구조를 설명하기로 한다.
상기 태양전지는 반도체 기판(300), 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 에미터층(301), 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 패시베이션층(303), 상기 패시베이션층의 위에 소정의 부분에 적어도 하나 이상 형성되어 반도체 기판과 연결되는 로컬 후면전계층(Localized Back Surface Field, BSF)(304), 및 상기 반도체 기판의 전면과 후면을 관통하는 금속전극(305)을 포함한다.
상기 반도체 기판(300)의 전면은 입사광의 반사도를 줄이기 위하여 텍스쳐링 될 수 있다. 상기 반도체 기판의 전면의 텍스쳐링은 습식화학식각공정, 반응이온성 식각(RIE) 공정을 비롯한 건식화학식각공정 또는 레이저 조사 공정 등에 의할 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판(300)의 후면은 내부 반사도(internal reflection)을 줄이기 위하여 평탄화 될 수 있고, 본 일실시예와 같이, 텍스쳐링 될 수도 있다. 상기 반도체 기판의 후면의 평탄화는 습식화학식각공정, 반응이온성식각(RIE) 공정을 비롯한 건식화학식각공정에 의할 수 있다.
상기 에미터층(301)의 상부면에는 적어도 하나 이상의 반사방지막층(302)이 더 포함될 수 있다. 예를 들면, SiNx/SiON 또는 SiNx/SiOx 와 같은 두개 층을 이용하거나, SiOx/SiNx/SiOx 와 같은 세개 층을 이용하는 등 다층막을 이용하여 반사방지막층(302)를 형성할 수 있다. 상기 반사방지막층(302)은 태양전지의 반사율을 최소화하는 기능을 할 뿐만 아니라, 패시베이션층의 기능도 수행한다.
상기 반도체 기판(300)은 p형 불순물 반도체 기판 또는 n형 불순물 반도체 기판이 사용될 수 있다.
상기 에미터층(301)은 상기 반도체 기판과 상반되는 타입의 불순물이 포함될 수 있다. 따라서, p형 불순물 반도체 기판에는 n형 에미터층이 형성되고, n형 불순물 반도체 기판에는 p형 에미터층이 형성될 수 있으며 p-n 접합을 형성한다.
후면 패시베이션층(303)은 복수 개의 개구부(contact hole, 310)를 가질 수 있다. 후면 패시베이션층(303)은 기판의 표면을 안정화시켜 보호하고, 전자-전공 표면 재결합을 최소화시켜서 전자-정공 표면 재결합 속도(BSRV : Back Surface Recombination Velocity)를 500cm/sec 미만으로 줄여 태양전지의 효율을 높이는 역 할을 한다. 상기의 컨택 개구부(310)는 p형 불순물 반도체 기판(300)과 로컬 BSF층간의 컨택(contact)이 이루어질 수 있게 하여 태양전지의 전극 연결이 가능하도록 한다.
상기 패시베이션층(303)은, 급속 열처리(RTP : Rapid Thermal Process)를 위한 노(furnace) 내부에서 수행되는 급속 열 산화(RTO : Rapid Thermal Oxidation)방식으로 형성되는 실리콘 산화물(SiO2) 등의 열적 산화물일 수 있다. 상기 방식 외에 SiO2을 타겟(target) 물질로 하는 스퍼터링법(sputtering)에 의해 패시베이션층(303)이 형성될 수도 있다. 또한 기상화학증착(PECVD) 법에 의해 형성된 SiO2, SiNx, SiOxNy 와 같은 물질도 패시베이션층에 사용될 수 있다.
본 일 실시예에서는 하나의 패시베이션층(303)이 형성되어 있지만, 복수 개의 다층 구조로 이루어진 패시베이션층이 형성될 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 태양전지의 구조에 대하여 도 3을 참조하여 설명하였는바, 이하에서는 상기의 태양전지를 제조할 수 있는 방법에 대하여 설명하도록 한다.
다만, 이하의 태양전지의 제조방법은, 보다 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공된 것 일 뿐, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
본 발명의 태양전지의 제조방법의 일 실시형태는, 반도체 기판의 전면과 후 면을 관통하는 관통홈을 형성하는 단계, 입사광의 반사도를 줄이기 위하여 상기 반도체 기판의 전면을 텍스쳐링을 하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면의 상부면에 에미터층을 형성하는 단계, 내부 반사도(internal reflection)을 줄이기 위하여 상기 반도체 기판의 후면을 평탄화 시키는 단계, 상기 반도체 기판의 후면의 상부면에 복수 개의 컨택 개구부(contact hole)를 가진 패시베이션층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 금속전극을 형성하는 단계, 상기 컨택 개구부 영역에 패턴화된 후면전극을 형성하는 단계, 상기 금속전극 및 후면전극을 소성하여 후면전극과 반도체 기판이 접촉하는 영역에 로컬 BSF(Localized Back Surface Field)층을 형성하는 단계, 레이저를 이용한 에지 아이소레이션(Edge isolation)을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서는 각 단계에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
우선, 반도체 기판(300)을 준비한다. 상기 반도체 기판은 p형 불순물 반도체 기판 또는 n형 불순물 반도체 기판이 될 수 있으며, 본 실시 예에서는 p형 불순물 반도체 기판(300)을 사용한다.
다음으로, 상기 반도체 기판(300)의 전면과 후면을 관통하는 관통홈(311)을 형성한다. 상기 관통홈(311)은, 레이저 드릴링(laser drilling)에 의해 기판을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 레이저의 광원으로 여러가지가 이용될 수 있고, 일례로, 그린레이저원(green laser source), Nd/YAG 레이저원이 이용될 수 있다. 상기의 관통홈(311)의 폭은 100 ㎛ 이하가 되도록, 레이저 식각한다. 본 발명의 태양전지는, 에미터 랩 쓰루(EWT : Emitter Wrap Through) 구조의 태양전지와 달리, 수만 개의 홀을 형성할 필요가 없으므로, 기판이 깨지는 문제점이 발생할 염려가 거의 없다.
다음으로, 상기 p형 불순물 반도체 기판(300)을 텍스쳐링(texturing)하는데, 습식화학식각(Wet) 공정, 반응성 이온식각(RIE : Reactive Ion Etch) 공정 또는 레이저 조사 공정에 의해 텍스쳐링 될 수 있다. 상기 반응성 이온식각 방법에 의해 텍스쳐링하는 경우에는, 상기 반도체 기판(300)의 전면만 식각될 수 있다. 본 일실시예와 같은 피라미드 형태의 텍스쳐링 구조는, 태양전지로 입사되는 태양광을 난반사시켜 최대한의 광이 태양전지 내부로 흡수 될 수 있게 한다. 이를 통해, 태양전지의 효율이 높아질 수 있다.
다음으로, 상기 텍스쳐링된 반도체 기판(300)의 전면 및 후면에 에미터층을 형성한다. 본 실시예에서는 상기 텍스쳐링된 p형 불순물 반도체 기판(300) 위에 n형 에미터층을 형성한다. 상기 에미터층은 열확산법 또는 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorous Oxychloride, POCl3) 확산법에 의해 형성될 수 있다.
그 다음으로, 상기 텍스쳐링된 반도체 기판(300)의 전면에 형성된 에미터층의 상부면에 적어도 하나 이상의 반사방지막층(302)을 형성한다. 상기에서 설명한 바와 같이, 상기 반사방지막층(302)은 태양전지의 반사율을 최소화하는 기능을 할 뿐만 아니라, 패시베이션층의 기능도 수행한다.
다음으로, 상기 반도체 기판(300)의 후면에 형성된 에미터층, 즉 n+ 층을 식각하여 제거함으로써, 상기 반도체 기판(300)의 전면에만 에미터층(301)이 형성되 도록 한다.
다음으로, n+ 층이 식각된 반도체 기판(300)의 후면에 화학기상층착(PECVD)법에 의해 패시베이션층(303)을 형성한다.
다음으로, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 금속전극을 형성한다. 상기 금속전극을 형성하기 위해서는, 상기 반도체 기판의 전면에 금속전극용 페이스트를 스크린 프린팅 하여 건조한 후, 상기 반도체 기판의 후면에도 금속전극용 페이스트를 스크린 프린팅 하여 건조해야 한다. 금속전극용 페이스트는 주로 Ag 페이스트가 사용된다. 금속전극용 페이스트는 반도체 기판의 관통홈(311)의 상부와 하부에 각각 패터닝되어 인쇄되어야 하며, 이후 공정에서 열처리 소성과정을 통해 관통홈 내부에 금속전극이 채워지면서 최종적으로 금속전극을 완성하게 된다.
따라서, 일 실시형태에 따라 상부쪽의 금속전극 폭은 미세한 핑거 라인으로 형성되기 때문에 하부쪽이 금속전극 폭보다 상대적으로 좁을 수 있다. 관통홈(311)의 폭과 반도체 기판의 전면부쪽으로 노출되는 금속전극의 핑거라인 폭이 같을 수 있으며 50㎛ 내지 100㎛의 폭으로 형성될 수 있다. 이 경우 반도체 기판의 후면부 쪽으로 노출되는 금속전극의 폭은 적어도 100㎛ 이상을 초과하도록 할 수 있다.
다음으로, 에칭 페이스트(etching paste)를 이용하여 상기 패시베이션 층(303)의 일부를 제거하여 개구부(310)를 형성한다. 상기 패시베이션층(303)은 반도체 기판(300)의 후면과의 컨택(contact)이 이루어질 수 있도록 개구부(310)를 형성하는 것이다. 이와 같이, 상기 개구부(310)가 형성된 영역에서만 후면전계층이 컨택(contact)되도록 함으로써, 컨택 부분에서 발생하는 정공-전자의 재결합을 상 당히 방지하여 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다.
다음으로, 상기 형성된 개구부(310)가 형성된 패시베이션 층의 상부면에 스크린 프린팅된 금속전극용 페이스트 영역 이외의 영역에 후면전극 페이스트를 스크린 프린팅 하여 건조한다. 후면전극용 페이스트는 Al 페이스트나 AgAl 페이스트가 사용된다.
다음으로, 소성공정을 거치면, 후면에 후면전극이 소성되어 로컬 후면전계층(304)이 형성됨과 동시에, 반도체 기판의 전면과 후면에 프린팅된 금속전극용 페이스트가 소성되어, 관통홈(311) 내에서 연결되어 반도체 기판의 전면과 후면을 관통하는 금속전극(305)이 형성된다. 상기 소성공정의 열처리 온도는 700℃ 내지 1200℃의 고온일 수 있다.
도 4에서는 이러한 메탈 랩 쓰루 형태의 구조를 가진 태양전지의 상면도를 도시하였다. 기존의 실리콘 태양전지(도 4a 참조)의 전면에 버스바(Bus bar) 전극이 형성된 것을 대신해서, 본 발명의 태양전지(도 4b 참조)의 전면에 메탈 핑거라인(metal finger line)만 남게 되어 섀도잉(shadowing)으로 인한 태양전지의 효율이 감소되는 것을 상당히 방지할 수 있다.
다음으로, 레이저를 이용한 에지 아이소레이션(Edge isolation)을 수행하고, 전극간 아이소레이션(isolation)을 수행하면, 본 발명의 태양전지가 완성된다.
이하에서는 또 다른 실시 예에 따른, 본 발명의 태양전지의 제조방법에 대하여 살펴본다.
본 실시예에 따른 본 발명의 태양전지는 반도체 기판의 전면과 후면을 관통 하는 관통홈을 형성하는 단계, 입사광의 반사도를 줄이기 위하여 상기 반도체 기판의 전면을 텍스쳐링을 하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면의 상부면에 에미터층을 형성하는 단계, 내부 반사도(internal reflection)을 줄이기 위하여 상기 반도체 기판의 후면을 평탄화 시키는 단계, 상기 반도체 기판의 후면의 상부면에 컨택 개구부가 없는 패시베이션층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 금속전극을 형성하는 단계, 상기 패시베이션층에 부분적 컨택을 위한 후면전극을 패터닝하는 단계, 상기 금속전극과 후면전극을 소성하고 후면전극과 반도체기판이 접촉하는 영역에 부분적으로 로컬 후면전계층(Localized Back Surface Field, BSF)을 형성하는 단계, 및 레이저를 이용한 에지 아이소레이션(Edge isolation)을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
우선, p형 불순물 반도체 기판(300)을 준비한 다음, 레이저 드릴링(laser drilling)에 의해 상기 반도체 기판(300)의 전면과 후면을 관통하는 관통홈(311)을 형성한다. 다음으로, 상기 p형 불순물 반도체 기판(300)을 텍스쳐링(texturing)하고, 상기 텍스쳐링된 반도체 기판(300)의 전면과 반도체기판(300)의 후면에 n+형 에미터층을 형성한다.
그 다음으로, 상기 텍스쳐링된 반도체 기판(300)의 전면에 형성된 에미터층의 상부면에 적어도 하나 이상의 반사방지막층(302)을 형성한 후, 상기 반도체 기판(300)의 후면에 형성된 n+ 에미터층을 식각하여 제거함으로써, 상기 반도체 기판(300)의 전면에만 에미터층(301)이 형성되도록 한다. 다음으로, n+ 층이 식각된 반도체 기판(300)의 후면에 화학기상층착(PECVD)법에 의해 패시베이션층(303)을 형 성한다.
다음으로, 금속전극용 페이스트를 스크린 프린팅하는 것은 상술된 태양전지의 실시예와 동일하다.
다음으로, 상기 패시베이션 층의 상부면에 스크린 프린팅된 금속전극용 페이스트 영역 이외의 영역에 Al 페이스트 혹은 AgAl 페이스트와 같은 후면전극 페이스트를 스크린 프린팅 하여 건조한다. 그 후, 상기 후면전극 페이스트의 일부 영역에 레이저를 조사한다. 그 결과, 상기 후면전극 페이스트 영역의 일부가 상기 반도체 기판의 후면과 연결되는 컨택 개구부(310)가 형성된다.
다음으로, 소성공정을 거치면, 반도체 기판의 전면과 후면에 형성된 금속전극용 페이스트가 소성되어, 관통홈(311) 내에서 연결되어 금속전극(305)이 완성되고, 반도체 기판의 후면에 패턴화된 후면전극과 로컬 BSF(Localized Back Surface Field)층(304)이 형성된다.
다음으로, 레이저를 이용한 에지 아이소레이션(Edge isolation)을 수행하고, 전극간 아이소레이션(isolation)을 수행하면, 본 발명의 태양전지가 완성된다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업 자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 종래 결정질 실리콘 태양전지의 단면도이다.
도 2는 종래의 백 컨택 태양전지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지의 단면도이다.
도 4a는 기존의 실리콘 태양전지의 상면도를 나타내며, 도 4b는 본 발명의 태양전지의 상면도를 나타낸다.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
110 : p형 실리콘 반도체 기판 120 : n+ 층
130 : 반사방지막층 140 : 후면전극
150 : 후면 전계층 160 : 전면전극
210 : 종래의 백 컨택 태양전지 212 : 실리콘 반도체 기판
214 : 패시베이션층 216 : n++ 도핑된 반도체층
218 : p++ 도핑된 반도체층 220 : 금속전극
300 : p형 불순물 반도체 기판 301 : 에미터층
302 : 반사방지막층 303 : 패시베이션층
304 : 후면전계층 305 : 금속전극
310 : 개구부 311 : 관통홈

Claims (22)

  1. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판의 후면과 이격하도록 상기 반도체 기판의 전면에 형성되며 상기 반도체 기판의 후면에는 형성되지 않는 에미터층;
    상기 반도체 기판의 후면에 형성된 패시베이션층;
    상기 패시베이션층의 개구부를 통하여 상기 반도체 기판의 후면과 접촉하는 후면전극;
    상기 후면전극과 상기 반도체 기판이 접촉하는 영역에 형성되는 적어도 하나 이상의 후면전계층(Back Surface Field, BSF); 및
    상기 에미터층 상에 형성된 핑거부, 상기 에미터층, 상기 반도체 기판, 상기 패시베이션층을 관통하는 관통 홈 내에 위치하는 관통부, 및 상기 후면전계층과 이격되어 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 버스바로 이루어진 금속전극
    을 포함하고,
    상기 버스바는 상기 반도체 기판의 후면에서 상기 패시베이션층 위에 위치하여 상기 반도체 기판의 후면과 이격되고,
    상기 에미터층은, 상기 반도체 기판의 전면에서 상기 관통 홈 내에 위치하는 상기 관통부에 인접한 영역으로서 고농도의 반도체 불순물로 도핑된 제1 영역과, 상기 제1 영역 이외의 영역에서 상기 반도체 기판의 전면에 위치하며 상기 제1 영역보다 저농도의 반도체 불순물로 도핑된 제2 영역으로 이루어진 선택적 에미터층이고,
    상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 p형 반도체 기판이고, 상기 에미터층은 n형 반도체 불순물 도핑층이고, 상기 후면전계층은 상기 반도체 기판에 도핑된 p형 반도체 불순물의 농도보다 더 고농도로 도핑된 p+형 반도체 불순물 도핑층인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속전극의 핑거부의 폭은 상기 관통부의 폭 또는 상기 버스바의 폭보 다 좁은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 금속전극의 버스바의 폭은 상기 관통부의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 에미터층, 상기 반도체 기판, 상기 패시베이션층을 관통하는 금속전극은 폭이 50㎛ 내지 100㎛인 관통홈의 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 에미터층은, 상기 에미터층을 관통하는 상기 금속전극으로 갈수록 반도체 불순물의 도핑농도가 증가하는 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 후면전계층은 상기 패시베이션층의 개구부를 통하여 반도체 기판과 접촉하는 부분에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 에미터층의 상부면에 형성된 적어도 하나 이상의 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 전면 또는 상기 반도체 기판의 전면 및 후면은 텍스쳐링 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  12. 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서,
    반도체 기판의 전면과 후면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통 홈을 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 에미터층을 형성하는 단계;
    상기 에미터층이 상기 반도체 기판의 후면과 이격하여 상기 반도체 기판의 전면에만 위치하도록 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 상기 에미터층을 제거하는 단계;
    상기 반도체 기판의 후면에 적어도 하나 이상의 개구부를 가지거나 혹은 개구부를 가지지 않는 패시베이션층을 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판의 전면으로부터 후면까지 상기 관통 홈을 경유하여 연결된 금속전극을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 기판과 부분적으로 접촉하고, 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 금속전극은, 상기 에미터층 상에 형성된 핑거부, 상기 에미터층, 상기 반도체 기판, 상기 패시베이션층을 관통하는 상기 관통 홈 내에 위치하는 관통부, 및 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 버스바로 이루어지고,
    상기 금속전극은 상기 반도체 기판의 후면에서 상기 패시베이션층 위에 위치하여 상기 반도체 기판의 후면과 이격되고,
    상기 에미터층은, 상기 반도체 기판의 전면에서 상기 관통 홈 내에 위치하는 관통부에 인접한 영역으로서 고농도의 반도체 불순물로 도핑된 제1 영역과, 상기 제1 영역 이외의 영역에서 상기 반도체 기판의 전면에 위치하며 상기 제1 영역보다 저농도의 반도체 불순물로 도핑된 제2 영역으로 이루어진 선택적 에미터층이고,
    상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 후면전극과 반도체 기판의 접촉면에서 부분적으로 후면전계층이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 관통 홈을 형성하는 단계 전 또는 후에, 상기 반도체 기판의 전면 또는 상기 반도체 기판의 전면 및 후면을 텍스쳐링하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 텍스쳐링은 습식화학에칭법, 건식화학에칭법, 전기화학에칭법, 기계적에칭법 중 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 관통 홈은 레이저 드릴링(Laser Drilling)법, 건식 식각법, 습식 식각법, 기계적 드릴링법 및 워터 젯 머시닝법 중 어느 하나의 방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 금속전극을 형성하는 단계 및 상기 후면전극을 형성하는 단계는 동시(同時)에 또는 이시(異時)에 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 금속전극은 반도체 기판의 관통 홈에 은(Ag) 페이스트를 도포하고 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 후면전극은 알루미늄(Al) 페이스트 또는 알루미늄 은(AgAl) 페이스트를 도포하고 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 에미터층을 형성하는 단계는,
    상기 관통 홈이 내포되는 상기 반도체 기판 전면의 소정 영역을 제외한 나머지 영역에 실리콘 산화막을 패터닝하는 단계; 및
    상기 반도체 기판의 도전형과 반대되는 도전형의 반도체 불순물의 열확산으로, 상기 실리콘 산화막이 패터닝되지 않은 부분에 상기 제1 영역을 형성하고 패터닝된 실리콘 산화막을 부분적으로 통과하여 상기 제1 영역보다 낮은 반도체 불순물의 도핑 농도를 가지는 상기 제2 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  21. 제 12항에 있어서,
    상기 에미터층의 상부에 적어도 하나 이상의 반사방지막층을 형성하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  22. 제 12항에 있어서,
    상기 개구부를 가지는 패시베이션층은,
    화학기상증착법(CVD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 프린팅법, 스프레이법 중 어느 하나의 방법으로 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiOxNy) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 막을 형성하는 단계; 및
    상기 막의 일부분을 화학적 식각법 또는 기계적 식각법으로 제거하여 상기 개구부를 적어도 하나 이상 생성하는 단계로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
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