KR101139456B1 - 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명에 따르면, 간소화된 공정만으로 후면 전극을 형성할 수 있고, 태양광의 입사를 제한시킬 수 있는 그리드 전극 없이 상기 후면 전극이 형성됨으로써 효율이 향상되는 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, n형 웨이퍼 기판의 후면에 제1 불순물 확산영역을 형성하는 단계, 상기 제1 불순물 확산영역 주변에 상기 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부를 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 상기 제1 불순물 확산영역과 접촉하지 않도록 제2 불순물 확산영역을 형성하는 단계 및 상기 각 확산영역에 연결된 후면전극을 형성하는 단계를 포함한다.
태양전지, 백 컨택, 후면 전극, 확산, 패시베이션 층
Description
본 발명은 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 간소화된 공정만으로 후면 전극을 형성할 수 있고, 태양광의 입사를 제한시킬 수 있는 그리드 전극 없이 후면의 기판 위에 양극과 음극 전극을 동시에 구현함으로써 광 손실을 방지하고 효율이 향상되는 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 치솟는 유가 상승과 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신?재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양전지에 대한 연구개발이 활발하게 진행되어 지고 있다.
태양전지란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 이러한 태양전지는 독립적으로는 전자시계, 라디오, 무인등대, 인공위성, 로켓 등의 주전력원으로 이용되고, 상용교류전원의 계통과 연계되어 보조전력원으로도 이용되며, 최근 대체 에너지에 대한 필요성이 증가하면서 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 태양전지는 여러 형태로 개발되어 상용화되는 추세인데, 이 중 백 컨택 실리콘 태양 전지는 전면 및 후면 상에 컨택을 갖는 종래 실리콘 태양전지에 비하여 몇 가지 장점을 가지고 있다. 그 중 하나는, 감소되거나 제거된 콘택 차폐 손실(obscuration losses)로 인해 더 높은 변환 효율을 가진다는 것이다. 또한, 양 극성을 갖는 컨택들이 동일한 면 상에 위치하기 때문에 백 컨택 태양전지를 소정 회로 내부로 장착시키는 것이 용이하고, 그 비용 또한 절감할 수 있다는 장점이 있다.
이러한 장점을 가지는 일반적인 백 컨택 태양 전지는 n 타입 또는 p 타입인 기판과 높은 밀도로 도핑된 이미터(emitter)(n++ 및 p++)를 포함할 수 있으며, 광 변환효율을 높이기 위한 전면 및 후면 패시베이션 층을 포함할 수 있다.
이러한 백 컨택 실리콘 태양 전지를 만드는 방식에는, MWA(Metallization Wrap Around), MWT(Metallization Wrap Through), EWT(Emitter Wrap Through), 및 백 접합(back-junction) 구조 등을 이용하는 방식이 있다.
그러나, 이러한 방식들은 양극부 및 음극부를 포함하는 전극 형성에 있어서 복잡한 에칭 공정이 필수적이다. 또한, 전극 형성을 위해서는 태양전지의 전면에 형성되는 그리드(grid) 전극이 필수적이었는데, 이러한 그리드 전극이 형성된 면적 만큼 태양광의 입사가 제한되게 되어 그만큼 태양전지의 효율이 악화되는 문제가 있었다.
따라서, 간소화된 공정만으로도 전극 형성이 가능하며, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 백 컨택 태양전지의 제조 기술에 대한 개발이 요구된다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위해 안출한 것으로, 백 컨택 태양전지의 전극을 간소화된 공정만으로 형성시킴으로써 모듈화 공정을 편리하게 하고 생산 비용을 절감시키는 백 컨택 태양전지의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 백 컨택 태양전지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은, 백 컨택 태양전지의 전극 형성 시 그리드(grid) 전극 등의 필요를 없애 태양광의 입사량을 최대한으로 함으로써 효율을 향상시킬 수 있는 백 컨택 태양전지의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 백 컨택 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 백 컨택 태양전지에 있어서 실리콘 질화물 등으로 이루어지는 전면 패시베이션 층을 형성하는 공정을 제일 마지막에 수행함으로써, 고온 공정에 의한 패시베이션 층의 막 손상을 배제할 수 있는 백 컨택 태양전지의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 백 컨택 태양전지를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지의 제조방법은, n형 웨이퍼 기판의 후면에 제1 불순물 확산영역을 형성하는 단계, 상기 제1 불순물 확산영역 주변에 상기 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부를 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 상기 제1 불순물 확산영역과 접촉하지 않도 록 제2 불순물 확산영역을 형성하는 단계, 및 상기 각 확산영역에 연결된 후면전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 후면 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 후면에 후면 패시베이션(passivation)층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 후면 패시베이션층은, 급속 열처리법(RTP; Rapid Thermal Process) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 형성된 급속 열산화물층(RTO; Rapid Thermal Oxide) 또는 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며 본 발명의 분야의 당업자가 공지된 기술로부터 알 수 있는 패시베이션층과 그 형성방법을 포함하면 족할 것이다.
상기 급속 열처리법의 수행 온도는 700℃ 내지 1100℃ 일 수 있다.
본 발명에서 상기 후면 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 전면 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전면 패시베이션층은 실리콘 질화물층일 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니고 당업자가 공지의 기술로부터 알 수 있는 패시베이션층과 그 형성방법을 포함할 수 있다.
본 발명에서 전면 및 후면의 용어는 태양전지의 입사광을 기준할 것이며, 입사광이 들어오는 측면을 '전면', 상기 전면과 반대되는 대칭 측면을 '후면'으로 표시한다.
본 발명에서, 상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중 에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는 p형 반도체 불순물로서 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 있으며, n형 반도체 불순물로서는 인(P), 비소(As) 등이 있다.
본 발명에서 상기 제1 불순물 확산영역, 확산 방지부, 및 제2 불순물 확산영역의 형성은 스크린 인쇄법 또는 인쇄법을 통해 수행될 수 있으며, 이에 제한됨없이 공지의 기술로서 당업자가 알 수 있는 기술이면 이를 사용할 수 있을 것이다.
본 발명에서 제1 불순물 확산 영역이 스크린 인쇄법을 통해 확산 페이스트로 형성되면 그 둘레에 확산 방지부가 형성되어 고온의 과정에서 제1 불순물 반도체 영역이 계속 확산되어 퍼지는 것을 방지할 수 있다. 이렇듯 확산 방지부가 형성되어 확산 장벽을 형성하고 난 후 제1 불순물과 다른 타입의 반도체 불순물인 제2 불순물 확산 영역이 스크린 인쇄법을 통해 확산 페이스트로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1 불순물 확산영역, 확산 방지부, 및 제2 불순물 확산영역의 형성 단계는 구체적으로, 제1 불순물, 확산 방지 물질, 제2 불순물을 프린팅하여 소정의 영역에 형성하는 단계와, 그 후 건조 및 소성(firing) 하는 단계와, 불화수소(HF) 등의 물질로 크리닝(Cleaning) 하는 단계로 이루어질 수 있다.
특히 상기 각 단계에서의 소성과정은 500℃ 내지 1,000℃ 의 고온에서 수행될 수 있다.
본 발명에서 상기 각 확산영역에 형성되는 후면전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 산화아연/은(ZnO/Ag), 산화아연/알루니늄(ZnO/Al) 등의 물질을 불순물 확 산 영역에 오버랩핑하여 프린팅함으로써 형성할 수 있다.
본 발명은 기판 후면의 동일면에서 각각 양극과 음극의 전극 단자를 뽑아내어 공정을 단순화하고 효율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지는, n형 웨이퍼 기판의 후면에, 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부에 의해 서로 접촉하지 않도록 이격되고 서로 다른 영역의 불순물로 구성된 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역, 및 상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역에 연결되고 양극과 음극으로 구성되는 후면 전극을 포함한다.
본 발명에서 상기 기판의 전면 및/또는 후면에 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 서로 접촉하지 않으면서 서로의 영역에 교차 삽입되는 형태일 수 있다.
본 발명에 따르면, 백 컨택 태양전지의 제조에 있어서 에칭 과정 등을 사용하지 않고도 간소화된 공정만으로 전극을 형성할 수 있음으로써, 모듈화 공정이 편리해질 수 있고, 생산 비용이 절감될 수 있다.
또한, 본 발명은 백 컨택 방식으로 전극을 형성함으로써 그리드 전극 등으로 인해 태양광의 입사가 제한되는 면적이 없어지게 되어 태양전지의 효율이 향상되게 된다.
한편, 백 컨택 태양전지에 있어서, 실리콘 질화물 등으로 이루어지는 전면 패시베이션 층을 형성하는 공정을 제일 마지막에 수행함으로써, 고온 공정에 의한 패시베이션 층의 막 손상을 배제할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태들을 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지의 구성을 나타내는 사시도이다. 먼저, 도 1a는 태양전지의 제조 과정 중 n+ 형 불순물 확산 영역과 p+ 형 불순물 확산 영역이 형성되는 모습을 나타내며, 도 1b는 모든 공정이 완료된 후의 태양전지의 모습을 나타낸다.
도 1b에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 백 컨택 태양전지는, 기판(110) 및 기판 후면에 형성되는 후면 전극(180)을 포함한다.
종래 태양전지에서는 전극 형성을 위해 태양광이 입사하는 면에 그리드(grid) 전극을 둬야 했고, 이에 따라 그리드 전극의 면적만큼 광 입사가 제한되어 효율이 떨어지는 문제가 있었으나, 본 발명의 태양전지는 백 컨택 방식으로 전극(180)을 형성함으로써 태양광의 입사가 제한되는 면적이 없어지게 되어 태양전지 의 효율이 그만큼 향상되게 된다.
또한, 상기 전극(180)은 에칭 과정 없이 공지의 인쇄법 등을 이용하여 형성되기 때문에, 저비용으로도 태양전지를 제조할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지의 제조 과정을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 백 컨택 태양전지의 제조 과정에 대해 설명하도록 한다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 먼저 기판(110)의 후면에 p+ 형 불순물 확산 영역(130)을 형성하기 위하여 p+ 형 불순물이 도포되고(S210), 건조 및 열처리를 실시한다(S215). p+ 형 불순물(130)은 서로 일정거리 이격되어 배치되는 복수 개의 라인 형상으로 도포될 수 있다. 이러한 p+ 형 불순물(130)은 3가의 원소로 이루어지는 물질일 수 있고, 이러한 물질의 일례로서는 붕소(B)를 들 수 있다. 한편, 상기 도포는 공지의 인쇄법(printing) 등에 의해 수행될 수 있으며, 건조는 RTP(Rapid Thermal Process; 급속 열처리)에 의해 수행될 수 있다. 상기 RTP는 약 100℃ 내지 약 300℃ 인 로(furnace) 내부에서 행해질 수 있다. 이러한 건조 및 열처리에 의해 p+ 형 불순물(130)은 기판 상에 도포되어 기판 아래로 고상(solid phase) 확산이 진행되어 p+ 형 불순물 확산 영역이 형성되게 된다.
다음으로, 불화 수소(HF) 등의 물질을 이용하여 불필요하게 형성된 산화물 등을 제거하기 위한 세정을 실시한 후(S220), 확산 방지부를 이루는 물질 페이스트를 도포한다(S225).
일반적으로 p+ 형 불순물 확산 영역(130)이 기판(110)에 형성되면, p+ 형 도 펀트(dopant)가 고상 확산(solid phase diffusion)에 의해 기판(110) 내부로 확산되어 p+ 확산층이 형성되게 된다. 또한 후에 형성되는 n+ 형 불순물 확산 영역(150) 또한 고상 확산에 의해 기판(110) 내부로 확산되어 n+ 확산층을 형성하게 된다. 이러한 확산 과정에서는 기판(110) 내부로의 고상 확산뿐만 아니라 기상 확산(gas phase diffusion) 또한 함께 일어나게 된다. 즉, 상기 각 타입의 불순물 확산영역에 의한 확산이 기판(110)을 향해서만 일어나는 것이 아니라 대기를 향해서 사방으로 일어날 수 있게 된다. 이에 의해, n+ 형 불순물 확산 영역(150)에 의한 확산 시에는 전에 형성된 p+ 확산층으로의 확산도 함께 일어날 수 있게 된다.
따라서, 이러한 현상을 방지하기 위해, p+ 형 불순물(130)이 형성된 영역의 주변에는 후에 형성될 n+ 형 불순물 확산 영역(150)과의 확산 장벽으로 기능할 확산 방지부가 형성되는 것이다.
확산 방지부의 형태는 특정 형태에 한정되는 것이 아니며, p+ 형 불순물 확산 영역(130)이 도포된 주위에 형성되어 후에 도포될 n+ 형 불순물 확산 영역(150)과의 경계를 형성할 수 있으면 족하다. 또한, 확산 방지부는 TiO2 등의 물질로 이루어질 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 확산 방지부의 도포 또한 공지의 스크린 인쇄법 또는 인쇄법을 이용하여 이루어질 수 있다.
확산 방지부의 페이스트가 도포된 후에는 건조 및 열처리를 실시하여(S230), 기판(110)에 확산 장벽층이 형성될 수 있도록 한다. 상기 열처리는 약 500℃ 내지 약 1000℃의 온도에서 수행될 수 있다.
다음으로, 확산 방지부가 도포되었던 영역을 사이에 두고, p+ 형 불순물 페이스트(130)가 도포되었던 영역의 반대편 영역에 n+ 형 불순물 페이스트(150)를 도포한다(S235). 확산 방지부 페이스트가 p+ 형 불순물 확산 영역(130)와 n+ 형 불순물 확산 영역(150)의 경계를 형성하기 때문에, p+ 형 불순물 확산 영역(130)과 n+ 형 불순물 확산 영역(150)은 서로 맞물린 빗 형태로 형성될 수 있다.
n+ 형 불순물 확산 영역(150)은 5가 원소로 이루어지는 물질일 수 있고, 이러한 물질의 일례로서는 인(P)을 들 수 있다.
그 후, n+ 형 불순물 확산 영역(150)을 확산시켜 n+ 형 확산층을 형성하고, 전면 플로트 에미터(front float emitter)를 형성시킨다(S250).
여기서는, p+ 형 불순물 확산 영역(130) 도포 후, 확산 방지부를 형성하고, p+ 형 불순물 확산 영역(150)을 도포하는 방식을 예로 들었으나, n+ 형 불순물 확산 영역(150)을 먼저 형성하고, 확산 방지부를 도포,형성한 후, p+ 형 불순물 확산 영역(130)을 형성하는 순서에 의해서도 태양전지 제조가 가능함은 물론이다.
다음으로, 건조 및 열처리를 하고(S255), 플루오르화 확산 과정에서 불필요하게 생성된 산화물 등을 불화 수소(HF) 를 이용하여 제거한다(S260).
그 후, n+ 확산층 및 p+ 확산층이 형성된 기판(110)에 후면 패시베이션(passivaion) 층(170)을 형성시킨다(S265). 후면 패시베이션 층(170)은 급속 열처리(RTP)를 위한 로(furnace) 내부에서 수행되는 급속 열 산화(RTO; Rapid Thermal Oxidation) 방식으로 형성되는 열 산화물일 수 있다. 상기 로(furnace) 내 부 온도는 약 700℃ 내지 약 1100℃일 수 있다. 또한, 후면 패시베이션 층(170)은 실리콘 산화물(SiO2)을 타겟(target) 물질로 하는 스퍼터링법(suttering)에 의해 형성될 수도 있다. 후면 패시베이션 층(170)의 형성 두께는 수십 나노미터 내지 수백 나노미터로 할 수 있으며, 바람직하게는 약 20nm 내지 50nm 정도로 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로서 후면 패시베이션 층은 급속 열처리법(RTP; Rapid Thermal Process) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 형성된 급속 열산화물층(RTO; Rapid Thermal Oxide) 또는 비정질 실리콘층으로 형성될 수 있다.
후면 패시베이션 층(170)을 형성한 후에는, 태양전지의 후면 전극(180)이 형성된다(S270). 후면 전극은 n+ 형 확산층 및 p+ 형 확산층이 형성된 영역을 따라 형성될 수 있으며, n+ 형 확산층 및 p+ 형 확산층을 따라 형성된 전극은 각각 양극부 및 음극부 전극으로서 기능하게 된다. 전극(180)으로는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등의 전도성 물질을 사용할 수 있으며, 형성 방법으로는 공지의 인쇄법을 사용할 수 있다.
후면 전극(180)을 인쇄한 후에는 건조 및 열처리하여(S275), 전극(180)을 경화시킨다.
그 후, 마지막으로 전면 패시베이션 층(190)을 기판(110)의 전면에 형성시킴으로써(S280), 태양전지의 제조가 완료된다. 전면 패시베이션 층(190)은 실리콘 질화물(SiNx) 등의 물질을 사용하여 형성시킬 수 있으며, 공지의 코팅법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 이용되는 기판은 다양한 공지의 기판일 수 있으면 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 n형 실리콘 웨이퍼 기판일 수 있다.
본 발명에서는, 전극 형성을 위해 에칭 과정 등을 사용하지 않음으로써 공정이 간소화될 수 있고, 모듈화 공정이 편리해질 수 있다. 또한, 이에 따라 생산 비용이 절감될 수 있다.
또한, 종래 태양전지에서는 전극 형성을 위해 태양광이 입사하는 면에 그리드(grid) 전극을 둬야 했고, 이에 따라 그리드 전극의 면적만큼 광 입사가 제한되어 효율이 떨어지는 문제가 있었으나, 본 발명은 백 컨택 방식으로 전극을 형성함으로써 태양광의 입사가 제한되는 면적이 없어지게 되어 태양전지의 효율이 그만큼 향상되게 된다.
한편, 실리콘 질화물 등으로 이루어지는 전면 패시베이션 층을 형성하는 공정을 제일 마지막에 수행함으로써, 고온 공정에 의한 패시베이션 층의 막 손상을 배제할 수 있는 효과가 있다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이 나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 백 컨택 태양전지의 제조 과정을 나타내는 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 130: p+ 형 불순물 확산영역
150: n+ 형 불순물 확산영역 170: 후면 패시베이션 층
180: 후면 전극 190: 전면 패시베이션 층
Claims (12)
- n형 웨이퍼 기판의 후면에 제1 불순물 확산영역을 형성하는 단계;상기 제1 불순물 확산영역 주변에 상기 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부를 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 상기 제1 불순물 확산영역과 접촉하지 않도록 제2 불순물 확산영역을 형성하는 단계; 및상기 각 확산영역에 연결된 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 백 컨택 태양전지의 전극 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 후면에 후면 패시베이션(passivation)층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은, 급속 열처리법(RTP; Rapid Thermal Process) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 형성된 급속 열산화물층(RTO; Rapid Thermal Oxide) 또는 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 급속 열처리법의 수행 온도는 700℃ 내지 1100℃ 인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 전면 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 전면 패시베이션층은 실리콘 질화물층인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역, 확산 방지부, 및 제2 불순물 확산영역의 형성은 스크린 인쇄법 또는 인쇄법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법.
- n형 웨이퍼 기판의 후면에, 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부에 의해 서로 접촉하지 않도록 이격되고 서로 다른 영역의 불순물로 구성된 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역;상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역에 연결되고 양극과 음극으로 구성되는 후면 전극을 포함하는 백 컨택 태양전지.
- 제9항에 있어서,상기 기판의 전면 또는 후면에 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지.
- 제9항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지.
- 제9항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 서로 접촉하지 않으면서 서로의 영역에 교차 삽입되는 형태인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080001764A KR101139456B1 (ko) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법 |
| PCT/KR2008/004116 WO2009088138A1 (en) | 2008-01-07 | 2008-07-11 | Solar cell and fabrication method thereof |
| US12/740,327 US20110017258A1 (en) | 2008-01-07 | 2008-07-11 | Solar cell and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080001764A KR101139456B1 (ko) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090076036A KR20090076036A (ko) | 2009-07-13 |
| KR101139456B1 true KR101139456B1 (ko) | 2012-04-30 |
Family
ID=40853236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080001764A KR101139456B1 (ko) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110017258A1 (ko) |
| KR (1) | KR101139456B1 (ko) |
| WO (1) | WO2009088138A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053867B2 (en) | 2008-08-20 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants |
| US7951696B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-05-31 | Honeywell International Inc. | Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes |
| US8518170B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks |
| US8324089B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-12-04 | Honeywell International Inc. | Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions |
| US8735234B2 (en) * | 2010-02-18 | 2014-05-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned ion implantation for IBC solar cells |
| CN102376790A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 太聚能源股份有限公司 | 光伏装置 |
| US20130023111A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-24 | Purtell Robert J | Low temperature methods and apparatus for microwave crystal regrowth |
| US8629294B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-01-14 | Honeywell International Inc. | Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants |
| US8975170B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-03-10 | Honeywell International Inc. | Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions |
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| CN102544129A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-04 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 太阳能电池 |
| KR101345506B1 (ko) * | 2012-02-01 | 2013-12-27 | 현대중공업 주식회사 | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN103426940B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-08-10 | 连云港神舟新能源有限公司 | 一种交错背接触ibc太阳能电池片电极结构 |
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| US20050172996A1 (en) | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
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2008
- 2008-01-07 KR KR1020080001764A patent/KR101139456B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-11 WO PCT/KR2008/004116 patent/WO2009088138A1/en active Application Filing
- 2008-07-11 US US12/740,327 patent/US20110017258A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110017258A1 (en) | 2011-01-27 |
| KR20090076036A (ko) | 2009-07-13 |
| WO2009088138A1 (en) | 2009-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160324 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170324 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180323 Year of fee payment: 7 |