JP3205613U - ヘテロ接合太陽電池構造 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
21 真性水素化アモルファスシリコン(i−a−Si:H)膜
22 第2導電型(p型)水素化アモルファスシリコン(p−a−Si:H)膜
25 電極パターン
25a バスバー電極
25b 指状電極
28 誘電反射防止層
29 溝
31 真性水素化アモルファスシリコン(i−a−Si:H)膜
32 第1導電型(n型)水素化アモルファスシリコン(n−a−Si:H)膜
35 電極パターン
35a バスバー電極
38 誘電反射防止層
39 溝
S1 正面(受光面)
S2 裏面
Claims (15)
- ヘテロ接合太陽電池構造であって、
第1導電型ドープ半導体基板と、
前記第1導電型ドープ半導体基板の正面上に設けられた真性水素化アモルファスシリコン膜と、
前記真性水素化アモルファスシリコン膜上に設けられた第2導電型水素化アモルファスシリコン膜と
前記第2導電型水素化アモルファスシリコン膜上に直接設置された電極パターンと、
前記電極パターン及び前記第2導電型水素化アモルファスシリコン膜を被覆する反射防止層とを含む、ヘテロ接合太陽電池構造。 - 前記電極パターンは前記第2導電型水素化アモルファスシリコン膜と直接接触する、請求項1に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記電極パターンは少なくとも一つのバスバー電極及び少なくとも一つの指状電極を含む、請求項1に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記反射防止層は前記指状電極を完全に被覆する、請求項3に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記反射防止層はさらに、前記バスバー電極の上表面のみを露出させる溝が設けられている、請求項3に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記反射防止層は誘電反射防止層である、請求項1に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記誘電反射防止層は窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒酸化ケイ素又はこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型である、請求項1に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- ヘテロ接合太陽電池構造であって、
第1導電型ドープ半導体基板と、
前記第1導電型ドープ半導体基板の正面上に設けられた第1真性水素化アモルファスシリコン膜と、
前記第1真性水素化アモルファスシリコン膜上に設けられた第2導電型水素化アモルファスシリコン膜と、
前記第2導電型水素化アモルファスシリコン膜上に直接設置された第1電極パターンと、
前記第1電極パターン及び前記第2導電型水素化アモルファスシリコン膜を被覆する第一反射防止層と、
前記第1導電型ドープ半導体基板の裏面上に設けられた第2真性水素化アモルファスシリコン膜と、
前記第2真性水素化アモルファスシリコン膜上に設けられた第1導電型水素化アモルファスシリコン膜と、
前記第1導電型水素化アモルファスシリコン膜上に直接設置された第2電極パターンと、
前記第2電極パターン及び前記第1導電型水素化アモルファスシリコン膜を被覆する第二反射防止層とを含む、ヘテロ接合太陽電池構造。 - 前記第一反射防止層において、前記第1電極パターンの一部を露出させる第1溝が設けられている、請求項9に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記第二反射防止層において、前記第2電極パターンの一部を露出させる第二溝が設けられている、請求項9に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記第一反射防止層及び前記第二反射防止層はいずれも誘電反射防止層である、請求項9に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記誘電反射防止層は窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒酸化ケイ素又はその組み合わせを含む、請求項12に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型である、請求項9に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
- 前記正面が受光面である、請求項9に記載のヘテロ接合太陽電池構造。
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