KR20120023987A - 태양전지 - Google Patents
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Abstract
태양전지는 기판; 상기 기판의 한쪽 면에 위치하는 에미터부; 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 반사방지막; 상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부; 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제2 전극이 위치하지 않는 상기 후면 전계부의 후면(back surface)에 위치하는 제2 반사방지막을 포함하며, 상기 제1 반사방지막은 실리콘 질화막 및 상기 에미터부와 실리콘 질화막 사이에 위치하는 산화 알루미늄막을 포함한다.
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전은 무공해 에너지를 얻는 수단으로서 널리 이용되고 있다. 그리고 태양전지의 광전 변환 효율의 향상에 수반하여, 개인 주택에서도 다수의 태양전지 모듈을 이용하는 태양광 발전 시스템이 설치되고 있다.
통상의 태양전지는 기판 및 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부를 포함하며, 기판의 한쪽 면을 통해 입사된 빛을 이용하여 전류를 발생시킨다.
이때, 기판으로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 빛 투과도를 증가시켜 태양전지의 광전 변환 효율을 증가시키기 위해, 기판의 수광면에는 반사방지막이 위치한다.
한편, 통상의 태양전지는 빛이 기판의 한쪽 면을 통해서만 입사되므로 전류 변환 효율이 낮다.
따라서, 근래에는 기판의 양쪽 면을 통해 빛이 입사되도록 한 양면 수광형 태양전지가 개발되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고효율 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 측면에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판의 한쪽 면에 위치하는 에미터부; 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 반사방지막; 상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부; 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제2 전극이 위치하지 않는 상기 후면 전계부의 후면(back surface)에 위치하는 제2 반사방지막을 포함하며, 상기 제1 반사방지막은 실리콘 질화막 및 상기 에미터부와 실리콘 질화막 사이에 위치하는 산화 알루미늄막을 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 산화 알루미늄막과 에미터부 사이에는 실리콘 산화막이 더 위치할 수 있으며, 실리콘 산화막은 1㎚ 내지 2㎚의 두께로 형성될 수 있다.
상기 에미터부가 위치하는 기판의 표면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 표면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성될 수 있다.
그리고 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극은 납(Pb) 성분을 함유하는 은(Ag)과 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)로 형성될 수 있고, 제2 전극은 납(Pb) 성분을 함유하는 은(Ag)으로 형성될 수 있다.
그리고 후면 전계부는 제2 텍스처링 표면 전체에 위치할 수 있으며, 제1 전극과 제2 전극은 서로 동일한 폭으로 형성될 수 있다.
기판은 1Ωㆍ㎠ 내지 10Ωㆍ㎠의 비저항을 가지며, 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어질 수 있고, 에미터부는 30Ω/sq 내지 120Ω/sq의 면저항을 갖도록 형성될 수 있으며, 후면 전계부는 50Ω/sq 내지 150Ω/sq의 면저항을 갖도록 형성될 수 있다.
제1 반사방지막에서의 빛 반사도를 최소로 줄이기 위해, 산화 알루미늄막은 1.55 내지 1.7의 굴절률을 갖고, 50㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 그리고 실리콘 질화막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성될 수 있다.
기판의 후면에 위치하는 제2 반사방지막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 300㎚의 두께로 형성된 실리콘 질화막으로 이루어질 수 있다.
이러한 특징에 따르면, 기판의 전면(front surface) 및 후면(back surface)이 모두 텍스처링 표면으로 형성되고, 또한 패시베이션 기능을 하는 반사방지막이 각각 배치되어 있으므로, 기판의 전면으로 입사된 후 기판을 투과한 빛을 기판의 후면으로 다시 입사시켜 전류를 발생시키는 데 사용할 수 있다.
따라서, 기판의 전면(front surface)으로 입사되는 빛만 이용하여 전류를 발생시키는 구조의 태양전지에 비해 효율을 증가시킬 수 있다.
그리고, 제1 반사방지막에서의 빛 반사도가 최소화되므로 입사된 빛을 효율적으로 사용할 수 있어 태양전지의 효율을 더욱 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1에 도시한 태양전지의 제조 방법을 나타내는 공정 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 주요부 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1에 도시한 태양전지의 제조 방법을 나타내는 공정 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 주요부 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것도 포함한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 개략적인 단면도이고, 도 2 내지 도 6은 도 1에 도시한 태양전지의 제조 방법을 나타내는 공정 순서도이다. 그리고 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 주요부 단면도이다.
태양전지는 기판(110), 기판(110)의 한쪽 면, 예를 들면 전면(front surface)에 위치하는 에미터부(120), 에미터부(120)의 위에 위치하는 제1 반사방지막(130), 제1 반사방지막(130)이 위치하지 않는 영역의 에미터부(120) 위에 위치한 제1 전극(front electrode)(140), 기판(110)의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전계(back surface field, BSF)부(150), 후면 전계부(150)의 후면에 위치하는 제2 반사방지막(160), 제2 반사방지막(160)이 위치하지 않는 영역의 후면 전계부(150)의 후면에 위치하는 제2 전극(back electrode)(170)를 포함한다.
기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘 웨이퍼로 이루어진다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘일 수 있다.
기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가지므로, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유한다. 이때, 기판(110)은 1Ωㆍ㎠ 내지 10Ωㆍ㎠의 비저항을 갖는 것이 바람직하다.
하지만, 이와는 달리, 기판(110)은 p형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.
이러한 기판(110)은 표면이 텍스처링(texturing)된 텍스처링 표면(texturing surface)을 갖는다. 보다 구체적으로, 기판(110)은 에미터부(120)가 위치하는 전면(front surface)과 후면 전계부(150)가 위치하는 후면(back surface)이 제1 텍스처링 표면(111) 및 제2 텍스처링 표면(113)으로 각각 형성된다.
기판(110) 전면(front surface)의 제1 텍스처링 표면(111)에 위치하는 에미터부(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖는 불순물부로서, 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다.
이러한 p-n 접합으로 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다.
따라서, 기판(110)이 n형이고 에미터부(120)가 p형일 경우, 분리된 전자는 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)에서는 전자가 다수 캐리어가 되며, 에미터부(120)에서는 정공이 다수 캐리어가 된다.
에미터부(120)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성할 수 있다.
이때, 에미터부(120)는 30Ω/sq 내지 120Ω/sq의 면저항을 갖는 것이 바람직하다.
이와는 달리, 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 정공은 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
에미터부(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성할 수 있다.
기판(110) 전면(front surface)의 에미터부(120) 위에 형성된 제1 반사방지막(130)은 실리콘 질화막(SiNx:H)(131)과, 에미터부(120)와 실리콘 질화막(131) 사이에 위치하는 산화 알루미늄막(AlOx)(133)의 이중막으로 형성된다. 제1 반사방지막(130)은 기판(110)의 전면(front surface)을 통해 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지의 효율을 높인다.
이때, 제1 반사방지막(130)에서의 빛 반사도를 최소화 하기 위해, 산화 알루미늄막(133)은 1.55 내지 1.7의 굴절률을 가지며, 50㎚ 이하의 두께(T1)로 형성된다. 그리고 실리콘 질화막(131)은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께(T2)로 형성된다.
본 발명인의 실험에 의하면, 제1 반사방지막(130)이 산화 알루미늄막(133) 및 실리콘 질화막(131)의 이중막으로 구성될 때, 각 막(131, 133)의 굴절률 및 두께가 상기 범위에 속하는 경우 제1 반사방지막(130)에서의 빛 반사도가 가장 낮은 것을 알 수 있었다.
한편, 도 7에 도시한 바와 같이, 산화 알루미늄막(133)과 에미터부(120) 사이에는 1㎚ 내지 2㎚의 두께(T3)로 형성된 실리콘 산화막(135)이 더 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 반사방지막(130)은 실리콘 산화막(135), 산화 알루미늄막(133) 및 실리콘 질화막(131)의 삼중막으로 구성된다.
복수의 제1 전극(140)은 기판(110) 전면(front surface)의 에미터부(120) 위에 위치하며, 에미터부(120)와 전기적 및 물리적으로 연결된다. 이때, 복수의 제1 전극(140)은 거의 평행하게 정해진 방향으로 뻗어 있다.
이러한 복수의 제1 전극(140)은 에미터부(120)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 정공을 수집한다.
복수의 제1 전극(140)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 형성된다. 본 실시예에서, 제1 전극(140)은 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 혼합된 혼합물(Ag:Al)로 형성된다.
기판(110)의 후면에는 복수의 제2 전극(170)이 제1 전극(140)과 동일한 구조로 형성된다. 이러한 구성의 제2 전극(170)은 기판(110)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 전자를 수집하여 외부 장치로 출력한다.
제2 전극(170)은 알루미늄(A), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 전극(170)은 은(Ag)으로 형성된다.
한편, 본 실시예에서, 제1 전극(140)의 폭(W1)과 제2 전극(170)의 폭(W2)은 서로 동일하게 형성된다(W1=W2).
제2 전극(170)이 전기적 및 물리적으로 연결되는 후면 전계부(150)는 기판(110)의 후면 전체에 위치하며, 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+ 영역으로 형성된다. 본 실시예에서, 후면 전계부(150)는 50Ω/sq 내지 150Ω/sq의 면저항을 갖는다.
후면 전계부(150)는 기판(110)과의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽을 형성함으로써 기판(110) 후면쪽으로의 정공 이동을 방해한다. 따라서 기판(110)의 표면 근처에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소된다.
제2 전극(170)이 위치하지 않는 상기 후면 전계부(150)의 후면에는 제2 반사방지막(160)이 위치한다. 본 실시예에서, 제2 반사방지막(160)은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖는 실리콘 질화막(SiNx:H)로 형성되고, 50㎚ 내지 300㎚의 두께(T4)로 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양전지는 양면 수광형 태양전지로 사용될 수 있으며, 그 동작은 다음과 같다.
태양전지로 조사된 빛이 에미터부(120) 및/또는 후면 전계부(150)를 통해 기판(110)으로 입사되면, 기판(110)으로 입사된 빛 에너지에 의해 전자-정공 쌍이 발생한다.
이때, 기판(110)의 표면이 제1 및 제2 텍스처링 표면(111, 113)으로 형성되므로 기판(110)의 전면(front surface) 및 후면(back surface)에서의 빛 반사도가 감소하고, 제1 및 제2 텍스처링 표면(111, 113)에서 입사와 반사 동작이 행해져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 되므로, 빛의 흡수율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.
이에 더하여, 제1 반사방지막(130) 및/또는 제2 반사방지막(160)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다.
이들 전자-정공 쌍은 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n접합에 의해 서로 분리되며, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 기판(110)쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
이처럼, 기판(110)쪽으로 이동한 전자는 후면 전계부(150)를 통해 제2 전극(170)으로 이동하고, 에미터부(120)쪽으로 이동한 정공은 제1 전극(140)으로 이동한다. 따라서, 어느 한 태양전지의 제1 전극(140)과 인접한 태양전지의 제2 전극(170)을 인터커넥터 등의 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
이러한 구성의 태양전지는 광 투과성 전면 기판 및 광 투과성 후면 기판 사이에서 보호막에 의해 밀봉된 상태로 사용된다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 상기한 구성의 태양전지를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
일반적으로, 실리콘 웨이퍼로 이루어진 기판(110)은 실리콘 블록(block)이나 잉곳(ingot)을 블레이드(blade) 또는 멀티 와이어 소우(multi wire saw)로 슬라이스(slice)하여 제조된다.
실리콘 웨이퍼가 준비되면, 5가 원소의 불순물, 예컨대 인(P)을 실리콘 웨이퍼에 도핑하여 1Ωㆍ㎠ 내지 10Ωㆍ㎠의 비저항을 갖는 기판(110)을 제조한다.
한편, 실리콘 블록이나 잉곳을 슬라이스 할 때 실리콘 웨이퍼에는 기계적 손상층(mechanical damage layer)이 형성된다.
따라서 기계적 손상층으로 인한 태양전지의 특성 저하를 방지하기 위해, 상기 기계적 손상층을 제거하기 위한 습식 식각 공정을 실시한다. 이때, 습식 식각 공정에는 알칼리(alkaline) 또는 산(acid) 식각액(etchant)을 사용한다.
기계적 손상층을 제거한 후, 습식 식각 공정 또는 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 이용하여 기판(110)의 양쪽 표면을 제1 텍스처링 표면(111) 및 제2 텍스처링 표면(113)으로 각각 형성한다.
다음으로, 기판(110)의 한쪽 면, 예를 들어 제1 텍스처링 표면(111)에 3가 원소의 불순물을 도핑하여 30Ω/sq 내지 120Ω/sq의 면저항을 갖는 에미터부(120)를 형성하고, 기판(110)의 다른 쪽 면, 예를 들어 제2 텍스처링 표면(113)에 5가 원소의 불순물을 도핑하여 50Ω/sq 내지 150Ω/sq의 면저항을 갖는 후면 전계부(150)를 형성한다.
이어서, 자연 산화막 제거를 위하여 기판(110)을 불산(HF)으로 식각하고, 에미터부(120) 위에 산화 알루미늄막(133)을 형성한다.
산화 알루미늄막(133)은 반사방지 기능 외에 패시베이션 막으로도 기능하는 것으로, 플라즈마 증착(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
이때, 산화 알루미늄막(133)은 1.55 내지 1.7의 굴절률과 50㎚ 이하의 두께(T1)를 갖도록 형성한다.
한편, 산화 알루미늄막(133)을 형성하면, 산화 알루미늄막(133)과 에미터부(120)의 계면에는 1㎚ 내지 2㎚의 두께(T3)로 실리콘 산화막(SiOx)(135)이 형성될 수 있다.
산화 알루미늄막(133)을 형성한 다음, 산화 알루미늄막(133)과 후면 전계부(150) 위에 실리콘 질화막(131, 160)을 형성한다.
실리콘 질화막은 산화 알루미늄막(133)과 마찬가지로 플라즈마 증착(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
이때, 산화 알루미늄막(133) 위에 위치하는 실리콘 질화막(131)은 1.9 내지 2.3의 굴절률과 50㎚ 내지 100㎚의 두께(T2)를 갖도록 형성하며, 후면 전계부(150)의 후면에 위치하는 실리콘 질화막(160)은 1.9 내지 2.3의 굴절률과 50㎚ 내지 300㎚의 두께(T4)를 갖도록 형성 한다.
이러한 방법에 따르면, 에미터부(120)의 전면(front surface)에 위치하는 산화 알루미늄막(133) 및 실리콘 질화막(131)은 제1 반사방지막(130)을 형성하고, 후면 전계부(150)의 후면(back surface)에 위치하는 실리콘 질화막은 제2 반사방지막(160)을 형성한다.
이후, 기판(110)의 전면(front surface)에는 은(Ag)과 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)과 글라스 프릿(glass frit)이 혼합된 제1 도전 페이스트(141)를 제1 전극 패턴으로 인쇄하고, 기판(110)의 후면(back surface)에는 은(Ag)과 글라스 프릿이 혼합된 제2 도전 페이스트(171)를 제2 전극 패턴으로 인쇄한 후, 소성 공정을 실시한다.
소성 공정을 실시하면, 글라스 프릿에 함유된 납(Pb) 성분으로 인해 펀치 스루(punch-through) 작용이 발생되므로, 에미터부(120)와 전기적 및 물리적으로 연결된 제1 전극(140)이 형성되고, 또한 후면 전계부(150)와 전기적 및 물리적으로 연결된 제2 전극(170)이 형성된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 111: 제1 텍스처링 표면
113: 제2 텍스처링 표면 120: 에미터부
130: 제1 반사방지막 131: 실리콘 질화막
133: 산화 알루미늄막 135: 실리콘 산화막
140: 제1 전극 150: 후면 전계부
160: 제2 반사방지막 170: 제2 전극
113: 제2 텍스처링 표면 120: 에미터부
130: 제1 반사방지막 131: 실리콘 질화막
133: 산화 알루미늄막 135: 실리콘 산화막
140: 제1 전극 150: 후면 전계부
160: 제2 반사방지막 170: 제2 전극
Claims (14)
- 기판;
상기 기판의 한쪽 면에 위치하는 에미터부;
상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 반사방지막;
상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부;
상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및
상기 제2 전극이 위치하지 않는 상기 후면 전계부의 후면(back surface)에 위치하는 제2 반사방지막
을 포함하며,
상기 제1 반사방지막은 실리콘 질화막 및 상기 에미터부와 실리콘 질화막 사이에 위치하는 산화 알루미늄막을 포함하는 태양전지. - 제1항에서,
상기 산화 알루미늄막과 상기 에미터부 사이에 실리콘 산화막이 위치하는 태양전지. - 제2항에서,
상기 실리콘 산화막은 1㎚ 내지 2㎚의 두께로 형성되는 태양전지. - 제1항에서,
상기 에미터부가 위치하는 기판의 표면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 표면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성되는 태양전지. - 제1항에서,
상기 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성되는 태양전지. - 제5항에서,
상기 제1 전극은 은(Ag) 및 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)로 형성되며, 상기 제2 전극은 은(Ag)으로 형성되는 태양전지. - 제1항에서,
상기 후면 전계부는 상기 기판의 다른 쪽 면 전체에 위치하는 태양전지. - 제1항에서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 서로 동일한 폭으로 형성되는 태양전지. - 제1항에서,
상기 기판은 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어지며, 1Ωㆍ㎠ 내지 10Ωㆍ㎠의 비저항을 갖는 태양전지. - 제1항에서,
상기 에미터부는 30Ω/sq 내지 120Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지. - 제1항에서,
상기 후면 전계부는 50Ω/sq 내지 150Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
상기 산화 알루미늄막은 1.55 내지 1.7의 굴절률을 갖고, 50㎚ 이하의 두께로 형성되는 태양전지. - 제12항에서,
상기 실리콘 질화막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성되는 태양전지. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
상기 제2 반사방지막은 1.9 내지 2.3의 굴절률을 갖고, 50㎚ 내지 300㎚의 두께로 형성된 실리콘 질화막으로 이루어지는 태양전지.
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