CN116314381A - 太阳能电池板及其制作方法 - Google Patents

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CN116314381A CN202310347338.3A CN202310347338A CN116314381A CN 116314381 A CN116314381 A CN 116314381A CN 202310347338 A CN202310347338 A CN 202310347338A CN 116314381 A CN116314381 A CN 116314381A
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陈达明
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张学玲
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Trina Solar Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种太阳能电池板和太阳能电池板的制作方法,太阳能电池板包括衬底、顶扩散层、至少一个第一电极和至少一个第二电极,衬底的底部具有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区,且第一掺杂区的掺杂极性与第二掺杂区的掺杂极性相反,第一掺杂区与第一电极电连接,第二掺杂区与第二电极电连接;顶扩散层层叠设置在衬底的顶部,且顶扩散层与衬底掺杂极性相反。本发明提供的太阳能电池板可基于应用场景需求,在正面选择性地制作顶电极(栅线),将电池由全背结电池结构改变为正面接触电池结构,灵活改变电池类型,提高了电池生产及应用的灵活性。

Description

太阳能电池板及其制作方法
技术领域
本发明涉及光伏领域,具体地,涉及一种太阳能电池板及其制作方法。
背景技术
太阳能电池应用市场近年来迅速发展,应用场景广阔且具有多样性,市场对太阳能电池提出了电池技术多样化、电池产品使用便利化发展等多种需求。
全背结电池(interdigitated back contact cell,IBC)的p型区和n型区及对应的金属电极(栅线)均分布在电池背面,能够增加电池正面的光吸收量、提高电池效率。
发明内容
本发明旨在提供一种太阳能电池板及其制作方法,该太阳能电池板可灵活调整工艺改变电池类型。
为实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种太阳能电池板,包括衬底、顶扩散层、至少一个第一电极和至少一个第二电极,所述衬底的底部具有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区,且所述第一掺杂区的掺杂极性与所述第二掺杂区的掺杂极性相反,所述第一掺杂区与所述第一电极电连接,所述第二掺杂区与所述第二电极电连接;
所述顶扩散层层叠设置在所述衬底的顶部,且所述顶扩散层与所述衬底掺杂极性相反。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶扩散层背离所述衬底的一侧固定设置有顶电极,所述顶电极与所述顶扩散层电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶电极的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶电极包括层叠的第一顶电极层和第二顶电极层,其中,所述第一顶电极层与所述顶扩散层电接触,所述第二顶电极层覆盖所述第一顶电极层背离所述衬底一侧的表面,且所述第二顶电极层材质的金属活泼性低于所述第一顶电极层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一顶电极层的材质为铜,所述第二顶电极层的材质为银。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凸起,所述制绒凸起的形状为棱锥状,或者,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为棱锥状。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凸起,所述制绒凸起的形状为金字塔状,或者,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为金字塔状。
作为本发明的一种可选实施方式,所述太阳能电池板还包括第一钝化层,所述第一钝化层层叠设置在所述顶扩散层背离所述衬底一侧的表面,所述第一钝化层中形成有多个第一过孔,所述第一过孔用于容纳所述顶电极的材料,以使所述顶电极通过所述第一过孔与所述顶扩散层电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一钝化层的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一钝化层包括多个第一子钝化层,任意两个所述第一子钝化层之间材质互不相同,所述第一子钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一钝化层的厚度为60nm-150nm。
作为本发明的一种可选实施方式,所述太阳能电池板还包括减反射层,所述减反射层层叠设置在所述第一钝化层背离所述衬底一侧的表面,所述减反射层中形成有多个避让过孔,且多个所述避让过孔的位置与多个所述第一过孔的位置一一对应,所述避让过孔用于容纳所述顶电极的材料,以使所述顶电极通过所述第一过孔以及所述避让过孔与所述顶扩散层电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述太阳能电池板还包括第二钝化层,所述第二钝化层层叠设置在所述衬底的底部,且所述第二钝化层中形成有多个第二过孔,多个所述第二过孔的位置与所述第一掺杂区的位置以及所述第二掺杂区的位置一一对应,所述第一电极通过对应的所述第二过孔与对应的所述第一掺杂区电连接,所述第二电极通过对应的所述第二过孔与对应的所述第二掺杂区电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二钝化层的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二钝化层包括多个第二子钝化层,任意两个所述第二子钝化层之间材质互不相同,所述第二子钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二钝化层的厚度为50nm-120nm。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一电极的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一电极包括层叠的第一子层和第二子层,其中,所述第一子层与所述第一掺杂区电接触,所述第二子层覆盖所述第一子层背离所述衬底一侧的表面,且所述第二子层材质的金属活泼性低于所述第一子层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一子层的材质为铜,所述第二子层的材质为银。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二电极的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二电极包括层叠的第三子层和第四子层,其中,所述第三子层与所述第二掺杂区电接触,所述第四子层覆盖所述第三子层背离所述衬底一侧的表面,且所述第四子层材质的金属活泼性低于所述第三子层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第三子层的材质为铜,所述第四子层的材质为银。
作为本发明的第二个方面,提供一种太阳能电池板的制作方法,包括:
制作基板,所述基板包括衬底和顶扩散层,所述顶扩散层层叠设置在所述衬底的顶部,且所述顶扩散层与所述衬底掺杂极性相反,所述衬底的底部具有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区,且所述第一掺杂区的掺杂极性与所述第二掺杂区的掺杂极性相反;
在所述基板的底部形成至少一个第一电极和至少一个第二电极,所述第一电极与所述第一掺杂区电连接,所述第二电极与第二掺杂区所述电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述方法还包括:
在所述顶扩散层背离所述衬底的一侧制作与所述顶扩散层电连接的顶电极。
作为本发明的一种可选实施方式,所述制作基板,具体包括:
对所述衬底的顶面和底面进行掺杂,使所述衬底的顶部形成所述顶扩散层,并使所述衬底的底部形成掺杂极性与所述衬底不同的底扩散层;
去除部分区域的所述底扩散层材料形成填充槽,并在所述填充槽中制作与掺杂极性与所述衬底相同的填充块,使所述底扩散层与所述填充块中的一者形成所述第一掺杂区,另一者形成所述第二掺杂区。
作为本发明的一种可选实施方式,所述对所述衬底的顶面和底面进行掺杂,包括:
利用第五主族元素或第三主族元素对所述衬底的顶面和底面进行掺杂。
作为本发明的一种可选实施方式,所述对所述衬底的顶面和底面进行掺杂,还包括:
去除所述衬底两侧的磷硅玻璃层(PSG)或硼硅玻璃层(BSG)。
作为本发明的一种可选实施方式,所述去除部分区域的所述底扩散层材料形成填充槽,包括:
通过掩膜法或激光蚀刻法去除部分区域的所述底扩散层材料形成所述填充槽。
作为本发明的一种可选实施方式,所述制作基板还包括在对所述衬底的顶面和底面进行掺杂前,对所述衬底的顶面制绒,形成多个制绒凸起,所述制绒凸起的形状为棱锥状,或者形成多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为棱锥状。
作为本发明的一种可选实施方式,所述制绒凸起的形状为金字塔状,或者,所述制绒凹槽的形状为金字塔状。
在本发明提供的太阳能电池板和太阳能电池板的制作方法中,衬底的底部具有第一掺杂区和第二掺杂区,且两掺杂区分别与第一电极以及第二电极电连接,从而形成全背结电池的背面结构,而太阳能电池板的正面具有顶扩散层,顶扩散层的掺杂极性与衬底的掺杂极性相反,顶扩散层与衬底可在太阳能电池板的正面组成pn结结构,从而可在太阳能电池板的正面可选择地设置顶电极,以得到正面接触电池结构,本发明提供的太阳能电池板可基于应用场景需求,在正面选择性地制作顶电极(栅线),将电池由全背结电池结构改变为正面接触电池结构,灵活改变电池类型,提高了电池生产及应用的灵活性。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明实施例提供的太阳能电池板的结构示意图。
附图标记说明:
100:衬底 110:第一掺杂区
120:第二掺杂区 200:顶扩散层
210:制绒凸起 310:第一电极
320:第二电极 400:顶电极
500:第一钝化层 600:减反射层
700:第二钝化层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
为解决上述技术问题,作为本发明的一个方面,提供一种太阳能电池板,如图1所示,太阳能电池板包括衬底100、顶扩散层200、至少一个第一电极310和至少一个第二电极320,所述衬底100的底部具有至少一个第一掺杂区110和至少一个第二掺杂区120,且所述第一掺杂区110的掺杂极性与所述第二掺杂区120的掺杂极性相反,所述第一掺杂区110与所述第一电极310电连接,所述第二掺杂区120与所述第二电极320电连接;
所述顶扩散层200层叠设置在所述衬底100的顶部,且所述顶扩散层200与所述衬底100掺杂极性相反(例如,衬底100为n型掺杂,则顶扩散层200为p型掺杂)。
作为本发明的一种可选实施方式,如图1所示,所述顶扩散层200背离所述衬底100的一侧固定设置有顶电极400,所述顶电极400与所述顶扩散层200电连接。
在本发明提供的太阳能电池板中,衬底100的底部具有第一掺杂区和第二掺杂区120,且两掺杂区分别与第一电极310以及第二电极320电连接,从而形成全背结电池(IBC)的背面(即图中结构下方表面)结构,而太阳能电池板的正面(即图中结构上方表面)具有顶扩散层200,顶扩散层200的掺杂极性与衬底100的掺杂极性相反,顶扩散层200与衬底100可在太阳能电池板的正面组成pn结结构,从而可在太阳能电池板的正面可选择地设置顶电极400,以得到正面接触电池(Front contacted cell,FBC)结构,本发明提供的太阳能电池板可基于应用场景需求,在正面选择性地制作顶电极400(栅线),将电池由全背结电池结构改变为正面接触电池结构,灵活改变电池类型,提高了电池生产及应用的灵活性。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶电极400的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,顶电极400可以为一种金属包覆在另一种金属外的结构,具体地,所述顶电极400包括层叠的第一顶电极层和第二顶电极层,其中,所述第一顶电极层与所述顶扩散层200电接触,所述第二顶电极层覆盖所述第一顶电极层背离所述衬底100一侧的表面,且所述第二顶电极层材质的金属活泼性低于所述第一顶电极层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,顶电极400可以为银包铜电极(栅线),即,所述第一顶电极层的材质为铜,所述第二顶电极层的材质为银。
为提高太阳能电池板正面的美观性,并提高太阳能电池板的吸光率以及短路电流,作为本发明的一种优选实施方式,所述顶扩散层200的顶面上形成有多个制绒凸起210,所述制绒凸起210的形状为棱锥状(如图1所示),或者,所述顶扩散层200的顶面上形成有多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为棱锥状(图中未示出)。
作为本发明的一种可选实施方式,所述顶扩散层200的顶面上形成有多个制绒凸起210,所述制绒凸起210的形状为金字塔状(如图1所示),或者,所述顶扩散层200的顶面上形成有多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为金字塔状(图中未示出)。
在本发明的其他可选实施方式中,所述顶扩散层200的顶面上也可以形成其他陷光结构。
在本发明实施例中,太阳能电池板的正面形成有制绒凸起210或制绒凹槽等陷光结构,从而在提高太阳能电池板正面的美观性及太阳能电池板的吸光率的同时,还增大了太阳能电池板正面的短路电流,保证了太阳能电池板的安全性。
作为本发明的一种可选实施方式,如图1所示,所述太阳能电池板还包括第一钝化层500,所述第一钝化层500层叠设置在所述顶扩散层200背离所述衬底100一侧的表面,所述第一钝化层500中形成有多个第一过孔,所述第一过孔用于容纳所述顶电极400的材料,以使所述顶电极400通过所述第一过孔与所述顶扩散层200电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一钝化层500的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,第一钝化层500可以为多层膜结构,具体地,所述第一钝化层500包括多个第一子钝化层,任意两个所述第一子钝化层之间材质互不相同,所述第一子钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一钝化层500的厚度为60nm-150nm。
为进一步提高太阳能电池板的吸光率,并增大太阳能电池板的短路电流,作为本发明的一种优选实施方式,所述太阳能电池板还包括减反射层600,所述减反射层600层叠设置在所述第一钝化层500背离所述衬底100一侧的表面,所述减反射层600中形成有多个避让过孔,且多个所述避让过孔的位置与多个所述第一过孔的位置一一对应,所述避让过孔用于容纳所述顶电极400的材料,以使所述顶电极400通过所述第一过孔以及所述避让过孔与所述顶扩散层200电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,如图1所示,所述太阳能电池板还包括第二钝化层700,所述第二钝化层700层叠设置在所述衬底100的底部,且所述第二钝化层700中形成有多个第二过孔,多个所述第二过孔的位置与所述第一掺杂区110的位置以及所述第二掺杂区120的位置一一对应,所述第一电极310通过对应的所述第二过孔与对应的所述第一掺杂区110电连接,所述第二电极320通过对应的所述第二过孔与对应的所述第二掺杂区120电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二钝化层700的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,第二钝化层700可以为多层膜结构,具体地,所述第二钝化层700包括多个第二子钝化层,任意两个所述第二子钝化层之间材质互不相同,所述第二子钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二钝化层700的厚度为50nm-120nm。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第一电极310的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,第一电极310可以为一种金属包覆在另一种金属外的结构,具体地,所述第一电极310包括层叠的第一子层和第二子层,其中,所述第一子层与所述第一掺杂区110电接触,所述第二子层覆盖所述第一子层背离所述衬底100一侧的表面,且所述第二子层材质的金属活泼性低于所述第一子层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,第一电极310可以为银包铜电极(栅线),即,所述第一子层的材质为铜,所述第二子层的材质为银。
作为本发明的一种可选实施方式,所述第二电极320的材质包括银、铝、铜中的至少一者。
作为本发明的一种可选实施方式,第二电极320可以为一种金属包覆在另一种金属外的结构,具体地,所述第二电极320包括层叠的第三子层和第四子层,其中,所述第三子层与所述第二掺杂区120电接触,所述第四子层覆盖所述第三子层背离所述衬底100一侧的表面,且所述第四子层材质的金属活泼性低于所述第三子层材质的金属活泼性。
作为本发明的一种可选实施方式,第二电极320可以为银包铜电极(栅线),即,所述第三子层的材质为铜,所述第四子层的材质为银。
作为本发明的第二个方面,提供一种太阳能电池板的制作方法,包括:
制作基板,所述基板包括衬底100和顶扩散层200,所述顶扩散层200层叠设置在所述衬底100的顶部,且所述顶扩散层200与所述衬底100掺杂极性相反,所述衬底100的底部具有至少一个第一掺杂区110和至少一个第二掺杂区120,且所述第一掺杂区110的掺杂极性与所述第二掺杂区120的掺杂极性相反;
在所述基板的底部形成至少一个第一电极310和至少一个第二电极320,所述第一电极310与所述第一掺杂区110电连接,所述第二电极320与第二掺杂区120所述电连接。
作为本发明的一种可选实施方式,所述方法还包括:
在所述顶扩散层200背离所述衬底100的一侧制作与所述顶扩散层200电连接的顶电极400。
在本发明提供的太阳能电池板的制作方法制得的太阳能电池板中,衬底100的底部具有第一掺杂区和第二掺杂区120,且两掺杂区分别与第一电极310以及第二电极320电连接,从而形成全背结电池(IBC)的背面(即图中结构下方表面)结构,而太阳能电池板的正面(即图中结构上方表面)具有顶扩散层200,顶扩散层200的掺杂极性与衬底100的掺杂极性相反,顶扩散层200与衬底100可在太阳能电池板的正面组成pn结结构,从而可在太阳能电池板的正面可选择地设置顶电极400,以得到正面接触电池(Front contacted cell,FBC)结构,本发明提供的太阳能电池板可基于应用场景需求,在正面选择性地制作顶电极400(栅线),将电池由全背结电池结构改变为正面接触电池结构,灵活改变电池类型,提高了电池生产及应用的灵活性。
作为本发明的一种可选实施方式,所述制作基板,具体包括:
对所述衬底100的顶面和底面进行掺杂,使所述衬底100的顶部形成所述顶扩散层200,并使所述衬底100的底部形成掺杂极性与所述衬底100不同的底扩散层;
去除部分区域的所述底扩散层材料形成填充槽,并在所述填充槽中制作与掺杂极性与所述衬底100相同的填充块,使所述底扩散层与所述填充块中的一者形成所述第一掺杂区110,另一者形成所述第二掺杂区120。
作为本发明的一种可选实施方式,所述对所述衬底100的顶面和底面进行掺杂,包括:
利用第五主族元素或第三主族元素对所述衬底100的顶面和底面进行掺杂。
为保证提高太阳能电池板的性能,作为本发明的一种优选实施方式,所述对所述衬底100的顶面和底面进行掺杂,还包括:
去除所述衬底100两侧的磷硅玻璃层(PSG)或硼硅玻璃层(BSG)。
为保证提高太阳能电池板的性能,作为本发明的一种优选实施方式,该方法还包括在去除所述衬底100两侧的磷硅玻璃层或硼硅玻璃层后,对基板进行清洗,以去除基板表面残留的颗粒物或药剂。
作为本发明的一种可选实施方式,所述去除部分区域的所述底扩散层材料形成填充槽,包括:
通过掩膜法或激光蚀刻法去除部分区域的所述底扩散层材料形成所述填充槽。
为提高太阳能电池板正面的美观性,并提高太阳能电池板的吸光率以及短路电流,作为本发明的一种优选实施方式,所述制作基板还包括在对所述衬底100的顶面和底面进行掺杂前,对所述衬底100的顶面制绒,形成多个制绒凸起210,所述制绒凸起210的形状为棱锥状,或者形成多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为棱锥状。
作为本发明的一种可选实施方式,所述制绒凸起210的形状为金字塔状,或者,所述制绒凹槽的形状为金字塔状。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种太阳能电池板,其特征在于,包括衬底、顶扩散层、至少一个第一电极和至少一个第二电极,所述衬底的底部具有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区,且所述第一掺杂区的掺杂极性与所述第二掺杂区的掺杂极性相反,所述第一掺杂区与所述第一电极电连接,所述第二掺杂区与所述第二电极电连接;
所述顶扩散层层叠设置在所述衬底的顶部,且所述顶扩散层与所述衬底掺杂极性相反。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,所述顶扩散层背离所述衬底的一侧固定设置有顶电极,所述顶电极与所述顶扩散层电连接。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池板,其特征在于,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凸起,所述制绒凸起的形状为棱锥状,或者,所述顶扩散层的顶面上形成有多个制绒凹槽,所述制绒凹槽的形状为棱锥状。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池板,其特征在于,所述太阳能电池板还包括第一钝化层,所述第一钝化层层叠设置在所述顶扩散层背离所述衬底一侧的表面,所述第一钝化层中形成有多个第一过孔,所述第一过孔用于容纳所述顶电极的材料,以使所述顶电极通过所述第一过孔与所述顶扩散层电连接。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池板,其特征在于,所述第一钝化层的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池板,其特征在于,所述太阳能电池板还包括减反射层,所述减反射层层叠设置在所述第一钝化层背离所述衬底一侧的表面,所述减反射层中形成有多个避让过孔,且多个所述避让过孔的位置与多个所述第一过孔的位置一一对应,所述避让过孔用于容纳所述顶电极的材料,以使所述顶电极通过所述第一过孔以及所述避让过孔与所述顶扩散层电连接。
7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池板,其特征在于,所述太阳能电池板还包括第二钝化层,所述第二钝化层层叠设置在所述衬底的底部,且所述第二钝化层中形成有多个第二过孔,多个所述第二过孔的位置与所述第一掺杂区的位置以及所述第二掺杂区的位置一一对应,所述第一电极通过对应的所述第二过孔与对应的所述第一掺杂区电连接,所述第二电极通过对应的所述第二过孔与对应的所述第二掺杂区电连接。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池板,其特征在于,所述第二钝化层的材质包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
9.一种太阳能电池板的制作方法,其特征在于,包括:
制作基板,所述基板包括衬底和顶扩散层,所述顶扩散层层叠设置在所述衬底的顶部,且所述顶扩散层与所述衬底掺杂极性相反,所述衬底的底部具有至少一个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区,且所述第一掺杂区的掺杂极性与所述第二掺杂区的掺杂极性相反;
在所述基板的底部形成至少一个第一电极和至少一个第二电极,所述第一电极与所述第一掺杂区电连接,所述第二电极与第二掺杂区所述电连接。
10.根据权利要求7所述的太阳能电池板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述顶扩散层背离所述衬底的一侧制作与所述顶扩散层电连接的顶电极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117497626A (zh) * 2023-12-14 2024-02-02 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法
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