CN103178135B - 太阳能电池及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供太阳能电池，包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面，两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上，其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方，其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上，且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。

Description

太阳能电池及其制作方法
技术领域
本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，尤指一种能改善电位诱发衰减（potential induced degradation，PID）状况并提高发电效率的太阳能电池及其制作方法。
背景技术
现今人类使用的能源主要来自于石油，但由于地球的石油资源有限，因此近年来对于替代能源的需求与日俱增，而在各式替代能源中，太阳能已成为目前最具发展潜力的绿色能源。
然而，受限于高制作成本、工艺复杂与光电转换效率不佳等问题，太阳能电池的发展仍待进一步的突破。请参考图1，图1为现有太阳能电池模块的结构剖面示意图。太阳能电池模块10包括太阳能电池12被乙烯-醋酸乙烯共聚物14（Ethylene Vinyl Acetate，EVA）包覆，借由框胶18而将太阳能电池12固定于铝框16内，且在太阳能电池12表面覆盖了一片玻璃20。现有太阳能电池模块10包括金属电极22、24当作负极或正极、粗糙表面26用来降低光线反射率、以及高浓度掺杂的射极设置在上侧表面等元件。在现有结构下，当光电转换产生电流时，电子应先经由射极与电极22收集而输出，然而，由于玻璃20、EVA14与铝框16相对于太阳能电池12而言为正电位，因此，当电极22来不及收集电子时，电子很容易在具正固定氧化电荷的材料表面发生再复合而损失电流，亦即，电位诱发衰减（potential induced degradation，PID）效应。此外，粗糙表面26的设计会使得其下方的射极掺杂浓度不均匀，且高掺杂浓度的射极本身也会有高表面再复合问题。因此，现有太阳能结构有上述等等造成漏电流与发光效率受限的问题，所以如何制作出具有高光电转换效率的太阳能电池实为当前能源产业最主要的发展方向之一。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种将射极设置于内部的太阳能电池及其制作方法，以改善设置现有PID效应等漏电流问题。
本发明提供一种太阳能电池，其包括基底（base）、轻掺杂区、半导体层、第一电极及第二电极。基底具有第一表面与对于第一表面的第二表面相，其中基底具有一第一掺杂类型。轻掺杂区位于基底的第一表面上，与基底第一表面之间具有一接口，其中轻掺杂区具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型。半导体层设于轻掺杂区上方，具有第一掺杂类型。第一电极位于基底的第一表面上，并埋设于部分半导体层与轻掺杂区中，且第一电极的底部实质上切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。
其中，另包括一重掺杂区，位于该第一电极与该半导体层、该轻掺杂区与该基底之间，该重掺杂区具有该第二掺杂类型，该第一电极位于该重掺杂区上。
其中，另包括一掺杂区，设于该基底的该第二表面上，位于该第二电极与该基底之间。
其中，该掺杂区具有该第一掺杂类型。
其中，另包括一抗反射层，设于该半导体层的上方。
其中，该基底的该第一表面具有一粗糙化结构。
本发明另提供一种制作太阳能电池的方法，包括先提供一基板（substrate），其中基板具有第一表面与第二表面相对于第一表面，且基板具有第一掺杂类型。接着于基板第一表面内形成轻掺杂区，其中轻掺杂区具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型，且于轻掺杂区上形成半导体层，其具有第一掺杂类型。之后，于半导体层中形成至少一沟槽，再于基板的第一表面形成第一电极，于基板的第二表面形成第二电极，其中第一电极设于沟槽中并与轻掺杂区电性连接。
其中，该方法另包括在形成该第一电极与该第二电极之后，对该基板进行一共烧结工艺，在该共烧结工艺之后，该第一电极的底部实质上切齐于该轻掺杂区的底部。
其中，该方法另包括在该基板的该第二表面内形成一掺杂区，位于该第二电极与该基板之间，且该掺杂区具有该第一掺杂类型。
其中，该方法另包括在该基板的该第一表面内形成一重掺杂区，使该重掺杂区位于该半导体层与该轻掺杂区之中，其中该重掺杂区具有该第二掺杂类型，并且上述形成该沟槽的步骤是以激光刻槽工艺移除部份该重掺杂区而形成该沟槽。
其中，上述形成该第一电极的步骤另包括在该重掺杂区内的该沟槽中形成该第一电极，且该第一电极与该重掺杂区接触并电性连接。
其中，该半导体层与该轻掺杂区同时形成，其中上述形成该轻掺杂区的步骤借由一离子云植入工艺或一离子金属等离子工艺于该基板内的一预定深度形成该轻掺杂区而同时形成该半导体层于该轻掺杂区上。
其中，上述形成该轻掺杂区的步骤借由一扩散工艺所完成。
其中，该半导体层借由一磊晶沉积工艺而形成。
其中，该方法另包括于该半导体层上形成一抗反射层。
其中，该方法另包括在该基板的该第一表面形成一粗糙化结构。
其中，该沟槽借由一激光刻槽工艺所形成。
由于本发明太阳能电池的半导体层设置于当作射极的轻掺杂区之上，因此，可以避免现有技术中因射极太接近玻璃、EVA等正电位元件元件而造成电流发生表面再复合问题，以轻掺杂区当作射极的设计也可以避免现有高浓度掺杂的射极本身发生电流再复合问题，能有效避免PID效应，并进一步改善漏电流问题。
附图说明
图1为现有太阳能电池模块的结构剖面示意图。
图2至图5为本发明太阳能电池的制作方法的第一实施例的工艺示意图。
图6至图9为本发明太阳能电池的制作方法的第二实施例的工艺示意图。
图10至图13为本发明太阳能电池的制作方法的第三实施例的工艺示意图。
图14至图17为本发明太阳能电池的制作方法的第四实施例的工艺示意图。
图18至图20为本发明太阳能电池的制作方法的第五实施例的工艺示意图。
其中，附图标记：
10  太阳能电池模块      12  太阳能电池
14  EVA                 16  铝框
18  框胶                20  玻璃
22、24  金属电极        26  粗糙表面
100  基板                101  基底
101a 基底上表面          101b 基底下表面
102  第一表面            104  第二表面
106  轻掺杂区            108  半导体层
110  沟槽                112  界面
114  抗反射层            116  金属层
118  第一电极            118a 第一电极底部
120  第二电极            122  欧姆接触层
124  掺杂区              126  太阳能电池
128  重掺杂区            130、132  太阳能电池
134  粗糙化结构          136、138  太阳能电池
D    半导体层厚度/轻掺杂区深度
具体实施方式
请参考图2至图5，图2至图5为本发明太阳能电池的制作方法的第一实施例的工艺示意图。如图2所示，首先提供一基板100，基板100可为半导体基板或是硅基板，例如为半导体晶圆，且基板100具有第一掺杂类型。基板100具有第一表面102与第二表面104，两者相对设置。接着，在基板100的第一表面102下方形成轻掺杂区106，其形成方法举例如离子云植入（ion showerdoping）工艺或离子金属等离子（ion-metal-plasma,IMP）工艺，但不以此为限。轻掺杂区106的深度（即距离第一表面102的距离）D举例为约4至5微米，且轻掺杂区106的底部与基板100之间具有接口112。轻掺杂区106具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型，其掺杂浓度举例为1x1019-20原子/平方公分，但不以此为限。由于轻掺杂区106形成在基板100的第一表面102的下方，因此在形成轻掺杂区106时也可视为同时在轻掺杂区106上方的部分基板100形成了半导体层108，其厚度为D，而在轻掺杂区106下方的部分基板100定义为基底101，且基底101的第一表面视为与轻掺杂区106底部相接的接口112。
接着如图3所示，在基板100的第一表面102形成沟槽110。沟槽110的形成方式举例如激光刻槽（laser grooving）工艺或是微影蚀刻工艺，但不以此为限。其中，沟槽110的深度可以大约相同于半导体层108的厚度D，使沟槽110底部暴露出轻掺杂区106，或者与轻掺杂区106的上部相接。然后，选择性地在基板100的第一表面102形成抗反射层114，其形成方法举例如沉积工艺或涂布工艺。其中，抗反射层可为单层或多层结构，其材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化锌、氧化钛、铟锡氧化物(ITO)、氧化铟、氧化铋(bismuthoxide)、氧化锡(stannic oxide)、氧化锆(zirconium oxide),氧化铪(hafnium oxide)、氧化锑(antimony oxide)、氧化钆(gadolinium oxide)、其它合适的材料、或上述至少二种的混合物。
接着，请参考图4，在基板100的第一表面102与第二表面104分别形成包含导电材料的第一电极118与第二电极120，其中第一电极118与第二电极120可包含金属材料，例如银，且可以借由网版印刷工艺以将第一电极118与第二电极120分别形成在基板100的第一表面102与第二表面104，其中第一电极118形成于沟槽110中。值得注意的是，在形成第二电极120之前，可选择性地先在基板100的第二表面104形成金属层116，其中金属层116的材料举例为包含金属铝，但不以此为限。
请参考图5，接着对基板100进行共烧结（co-firing）工艺，使第一电极118与第二电极120的材料与基板100上的半导体元件作用并使导电材料向基板100内扩散，因此，在共烧结工艺之后，第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106底部与基底101之间的接口112，其中第一电极118的底部118a实质上切齐于界面112的意义为第一电极118的底部118a与界面112的垂直高度差不大于轻掺杂区106厚度。因此，第一电极118与轻掺杂区106相接处并电性连接于轻掺杂区106。此外，在共烧结工艺后，第一电极118的导电材料与抗反射层114、半导体层108和轻掺杂区106作用而在第一电极118与基板100之间形成包含金属硅化物的欧姆接触层122，而金属层116也与基板100作用形成包括金属硅化物的掺杂区124，位于基板100的第二表面104附近且设于第一电极120与基板100之间，其中掺杂区124具有第一掺杂类型，其材料例如为铝硅合金。最后，可选择性地对基板100的第一表面102进行粗糙化处理，以使抗反射层114表面具有粗糙化结构（图未示），且粗糙化结构设于轻掺杂区106之上，以降低光线反射与提高光吸收率。
因此，图5所示为根据本发明太阳能电池的制作方法所制作的太阳能电池126，其中太阳能电池126包括基底101、轻掺杂区106、半导体层108、第一电极118及第二电极120。基底101具有第一掺杂类型。轻掺杂区106的底部与基底101的上表面101a之间具有接口112，而轻掺杂区106位于基底101的上表面101a上。轻掺杂区106具有相反于第一掺杂类型的第二掺杂类型，用来当作太阳能电池126的射极。半导体层108设于轻掺杂区106上方，具有第一掺杂类型。此外，太阳能电池126包括至少一沟槽110设于基底101的上表面101a上方，第一电极118设于沟槽110中且埋设于半导体层108和轻掺杂区106内，且第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106与基底101上表面101a之间的接口112。另一方面，在基底101的下表面101b上设置了第二电极120，且选择性设有金属层116和掺杂区124，其中掺杂区124与金属层116设于基底101下表面101b与第二电极120之间。
在本实施例中，基底101、半导体层108及掺杂区124都具有第一掺杂类型，而轻掺杂区106具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型。举例而言，基底101与半导体层108可具有P型掺杂，轻掺杂区106为N+型掺杂，而掺杂区124为P-型掺杂，可当作太阳能电池126的背表面电场（back side field，BSF）元件。但不以此为限。在其它实施例中，基底101与半导体层108也可具有N型掺杂，轻掺杂区106为P+型掺杂，而掺杂区124为N-型掺杂。由于本发明太阳能电池126用来当作射极的轻掺杂区106的表面具有半导体层108，因此，可以避免在光电转换所产生的电子被外部带正电元件吸引而在整面抗反射层102处发生再复合，能改善PID效应以及传统太阳能电池中因高浓度掺杂层设在基板100表面而产生的表面再复合问题以及掺杂层浓度的不均匀现象，使第一电极118能有效地收集电子而提高太阳能电池126的整体效率。
本发明的太阳能电池结构及其制作方法并不以上述实施例为限。下文将继续介绍本发明太阳能电池及其制作方法的其它实施例，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，下文中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
请参考图6至图9，图6至图9为本发明太阳能电池的制作方法的第二实施例的工艺示意图，其中图6为接续前述第一实施例的图2的工艺。如图6所示，在形成轻掺杂区106之后，于基板100的部分第一表面102形成重掺杂区128，位于半导体层108与轻掺杂区106之中，重掺杂区128具有第二掺杂类型，其掺杂浓度举例为大于1x1020原子/平方公分，且重掺杂区128的深度较佳为较深于轻掺杂区106的底部与基板100的界面112。重掺杂区128的形成方式举例如以离子云植入工艺或IMP工艺在基板100的第一表面102植入磷离子，然后再进行退火（annealing）工艺。其中，重掺杂区128的形成位置为第一电极在第一表面102的预定形成位置。然后如图7所示，可利用如激光刻槽或蚀刻工艺在第一表面102具有重掺杂区128之处移除部份重掺杂区128而形成沟槽110，其中沟槽110的底部可约略与轻掺杂区106的顶部位于同一水平面，且沟槽110的底部留下部分重掺杂区128。
请参考图8，接着在基板100的第一表面102选择性地形成抗反射层114，其中抗反射层114覆盖了第一表面102以及沟槽110的内表面，也即覆盖所暴露的重掺杂区128表面。抗反射层114的材料包含如第一实施例所叙述的材料，不在此重复叙述。然后，请参考图9，如第一实施例图4至图5的工艺，可选择性地在基板100的第二表面104形成金属层116，接着在沟槽110中形成第一电极118与在基板100的第二表面104形成第二电极120。经共烧结工艺在金属层116与基板100的界面处形成掺杂区124，且使沟槽110中的第一电极118金属材料向下扩散，共烧结工艺后的第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106底部和基板100之间的接口112，且第一电极118与重掺杂区128相接触并电性连接，而重掺杂区128位于第一电极118与半导体层108、轻掺杂区106及基底101之间，如此便完成了本发明第二实施例的太阳能电池130的制作。与前一实施例不同的是，太阳能电池13的第一电极118的底部被重掺杂区128所包围，且第一电极118与重掺杂区128互相电连接。在此设计下，能使光电转换所产生的电子更有效地经由重掺杂区128而被第一电极118收集，以提供电流的输出。
类似于第一实施例，在本实施例中，基底101、半导体层108及掺杂区124都具有第一掺杂类型，而轻掺杂区106与重掺杂区128具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型。举例而言，基底101与半导体层108可具有P型掺杂，轻掺杂区106为N+型掺杂，重掺杂区128为N++型掺杂，而掺杂区124为P-型掺杂，但不以此为限。在其它实施例中，基底101与半导体层108也可具有N型掺杂，轻掺杂区106为P+型掺杂，重掺杂区128为P++型掺杂，而掺杂区124为N-型掺杂。
请参考图10至图13为本发明太阳能电池的制作方法的第三实施例的工艺示意图。如图10所示，首先提供基板100，其具有相对设置的第一表面102与第二表面104，且基板100具有第一掺杂类型，例如P型掺杂。然后在基板100的第一表面102上形成轻掺杂区106，其形成方法举例如利用扩散工艺将离子扩散进入基板100的第一表面102，以在基板100的第一表面102内（即基板100的表层）形成轻掺杂区106，轻掺杂区106的底部与基板100之间具有接口112，且在轻掺杂区106下方的基板100视为基底101，基底101的上表面101a与轻掺杂区106之间的接口即为接口112。轻掺杂区106具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型，例如为N+型掺杂。然后，如图11所示，在轻掺杂区106之上形成半导体层108，其形成方法举例如利用磊晶工艺而形成包含结晶硅材料的半导体层108，且半导体层108较佳具有第一掺杂类型，例如为P型掺杂。此外，半导体层108的厚度举例为约4至5微米，即可视为轻掺杂区106的深度D。
接着请参考图12，利用例如激光刻槽或是蚀刻等工艺在半导体层108中形成沟槽110，再选择性地于半导体层108与沟槽110表面形成抗反射层114，覆盖半导体层108与沟槽110的表面。然后如图13所示，利用如前述实施例的方法，在沟槽110中形成第一电极118，在基板100的第二表面104形成第二电极120，且在第一电极118与半导体层108、掺杂区106之间设有欧姆接触层122。此外，在基板100的第二表面104可选择性形成金属层116，并在共烧结工艺后形成掺杂区124，设于金属层116与基底101之间，其中掺杂区124具有第二掺杂类型。同样地，在本实施例中，第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106底部和基板100之间的接口112。如此，便完成了本发明第三实施例的太阳能电池132的制作。因此，本实施例与前述实施例的不同处在于轻掺杂区106为先形成于基板100的表面，然后，再于轻掺杂区106的上方形成半导体层108。
因此，图13所示为根据本发明太阳能电池制作方法的第三实施例所制作的太阳能电池132，其中太阳能电池132包括基底101、轻掺杂区106、半导体层108、第一电极118及第二电极120。基底101具有第一掺杂类型。轻掺杂区106的底部与基底101的上表面101a之间具有接口112，而轻掺杂区106位于基底101的上表面101a上。轻掺杂区106具有相反于第一掺杂类型的第二掺杂类型，用来当作太阳能电池126的射极。半导体层108设于轻掺杂区106上方，具有第一掺杂类型。此外，太阳能电池132包括至少一沟槽110设于基底101的上表面101a上方，第一电极118设于沟槽110中且埋设于半导体层108和轻掺杂区106内，且第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106与基底101上表面101a之间的接口112。另一方面，在基底101的下表面101b上设置了第二电极120，且选择性设有金属层116和掺杂区124，其中掺杂区124与金属层116设于基底101下表面101b与第二电极120之间。
请参考图14至图17，图14至图17为本发明太阳能电池的制作方法的第四实施例的工艺示意图。本实施例与前述实施例的不同之处为先在基底的表面制作粗糙化结构，再制作太阳能电池的其它元件。如图14所示，首先提供包括半导体材料的基板100，其中基板100具有第一掺杂类型。对基板100的第一表面102进行粗糙化处理，以形成粗糙化（texture）结构134。然后利用如离子植入或IMP工艺在基板100的第一表面102之下形成轻掺杂区106，其中轻掺杂区106在基板100中的深度D举例约4至5微米。基板100位于轻掺杂区106以下的部分可视为基底101，而基板100位于轻掺杂区106之上的部分可视为半导体层108，因此，半导体层108的厚度即为轻掺杂区106的深度D。此外，轻掺杂区106具有第二掺杂类型，相反于第一掺杂类型。然后如图15所示，于基板100的第一表面102形成沟槽110，使沟槽110的底部约略与轻掺杂区106的顶部相接。然后，在基板100的第一表面102形成抗反射层114，覆盖基板100的第一表面102以及沟槽110的表面。
接着，请参考图16，在基板100的第一表面102与第二表面104分别形成第一电极118与第二电极120，第一电极118与第二电极120较佳包含金属材料，例如银，且可以借由网版印刷工艺以将第一电极118与第二电极120分别形成在沟槽110之内以及基板100的第二表面104。值得注意的是，在形成第二电极120之前，可选择性先在基板100的第二表面104形成金属层116，其中金属层116的材料举例为铝，但不以此为限。
请参考图17，接着对基板100进行共烧结工艺，使第一电极118与第二电极120的金属材料与基板100上的半导体元件作用并使金属材料向基板100内扩散，因此在共烧结工艺之后，第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106底部与基板100之间的接口112，其中第一电极底部118a实质上切齐于界面112的意义为第一电极底部118a与界面的垂直高度差不大于轻掺杂区106厚度。此外，在共烧结工艺后，第一电极118的金属材料与抗反射层114、半导体层108和轻掺杂区106作用而在第一电极118与基板100之间形成包含金属硅化物的欧姆接触层122，而金属层116也与基板100作用形成包括金属硅化物的掺杂区124，位于基板100的第二表面104附近且设于第一电极120与基板100之间，其中掺杂区124具有第一掺杂类型，例如P型掺杂。如此，便完成了本发明第四实施例的太阳能电池136的制作。
请参考图18至图20，图18至图20为本发明太阳能电池的制作方法的第五实施例的工艺示意图，其中图18接续于第四实施例的图14后的工艺。本实施例与第四实施例的不同处在于在制作沟槽之前先于基板中制作重掺杂区。如图18所示，在形成轻掺杂区106之后，先于基板100的部分第一表面102形成至少一重掺杂区128，重掺杂区128具有相同于轻掺杂区106的第二掺杂类型，例如为N++型掺杂，其掺杂浓度举例为大于1x1020原子/平方公分，且重掺杂区128的深度较佳较深于轻掺杂区106的底部与基板100的界面112。重掺杂区128的形成方式举例如以离子云植入工艺或IMP工艺在基板100的第一表面102植入磷离子，然后，再进行退火（annealing）工艺。其中，重掺杂区128的形成位置为第一电极在基板100的第一表面102的预定形成位置。
然后如图19所示，可利用如激光刻槽或蚀刻工艺在基板100的第一表面102具有重掺杂区128之处移除部份重掺杂区128而形成沟槽110，其中沟槽110的底部可约略与轻掺杂区106的顶部位于同一水平面，且沟槽110的底部留下部分重掺杂区128。接着请参考图20，在基板100的第一表面102选择性地形成抗反射层114，其中抗反射层114覆盖第一表面102以及沟槽110的内表面，也即覆盖了被暴露的重掺杂区128表面。抗反射层114的材料包含如第一实施例所叙述的材料，不在此赘述。然后，如第四实施例图16至图17的工艺，选择性地在基板100的第二表面104形成金属层116，然后在沟槽110中形成第一电极118与在基板100的第二表面104形成第二电极120。经共烧结工艺在金属层116与基板100的界面处形成掺杂区124，且使沟槽110中的第一电极118的金属材料向下扩散与基板100上的其它元件作用，共烧结工艺后的第一电极118的底部118a实质上切齐于轻掺杂区106底部和基板100之间的接口112，如此便完成了本发明第五实施例的太阳能电池138的制作。
本发明太阳能电池中用来当作射极的轻掺杂区设于半导体层之下，而不是设在整体结构的表面或直接接触抗反射层，因此，会有较低的表面再复合电流，改善PID效应所导致的问题，且轻掺杂区并不是沿着粗糙化结构设置，因此，射极具有较均匀的掺杂浓度。由上述可知，本发明的太阳能电池及其制作方法能提供具有较高光电转换效率的太阳能电池结构。
本发明的目的及优点，通过下列实施例中伴随图式与元件符号的详细叙述后，将更为显著。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (16)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
一基底，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面相对于该第二表面，其中该基底具有一第一掺杂类型；
一轻掺杂区，位于该基底的该第一表面上，该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间具有一界面，其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型；
一半导体层，设于该轻掺杂区上方，其中该半导体层具有该第一掺杂类型；
一第一电极，位于该基底的该第一表面上，埋设于部分该半导体层与该轻掺杂区中，且该第一电极的底部切齐于该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间的该界面；以及
一第二电极，设于该基底的该第二表面，
其中，该第一电极的底部与界面的垂直高度差不大于轻掺杂区厚度，该第一电极与该轻掺杂区相接触并电性连接于该轻掺杂区。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一重掺杂区，位于该第一电极与该半导体层、该轻掺杂区与该基底之间，该重掺杂区具有该第二掺杂类型，该第一电极位于该重掺杂区上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一掺杂区，设于该基底的该第二表面上，位于该第二电极与该基底之间。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该掺杂区具有该第一掺杂类型。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一抗反射层，设于该半导体层的上方。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基底的该第一表面具有一粗糙化结构。
7.一种制作太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
提供一基底，其具有一第一表面与一第二表面，且该第一表面相对于该第二表面，其中该基底具有一第一掺杂类型；
于该基底的该第一表面内形成一轻掺杂区，其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型，并使该轻掺杂区上形成一半导体层，其具有该第一掺杂类型；
于该半导体层中形成至少一沟槽；
于该基底的该第一表面形成一第一电极，以及于该基底的该第二表面形成一第二电极，该第一电极设于该沟槽中并与该轻掺杂区电性连接，以及
形成该第一电极与该第二电极之后，对该基底进行一共烧结工艺，在共烧结工艺之后，该第一电极的底部切齐于该轻掺杂区底部与该基底之间的界面，该第一电极的底部与该界面的垂直高度差不大于轻掺杂区厚度。
8.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基底的该第二表面内形成一掺杂区，位于该第二电极与该基底之间，且该掺杂区具有该第一掺杂类型。
9.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基底的该第一表面内形成一重掺杂区，使该重掺杂区位于该半导体层与该轻掺杂区之中，其中该重掺杂区具有该第二掺杂类型，并且上述形成该沟槽的步骤是以激光刻槽工艺移除部份该重掺杂区而形成该沟槽。
10.根据权利要求9所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，上述形成该第一电极的步骤另包括在该重掺杂区内的该沟槽中形成该第一电极，且该第一电极与该重掺杂区接触并电性连接。
11.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该半导体层与该轻掺杂区同时形成，其中上述形成该轻掺杂区的步骤借由一离子云植入工艺或一离子金属等离子工艺于该基底内的一预定深度形成该轻掺杂区而同时形成该半导体层于该轻掺杂区上。
12.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，上述形成该轻掺杂区的步骤借由一扩散工艺所完成。
13.根据权利要求12所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该半导体层借由一磊晶沉积工艺而形成。
14.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括于该半导体层上形成一抗反射层。
15.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基底的该第一表面形成一粗糙化结构。
16.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该沟槽借由一激光刻槽工艺所形成。
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