KR20130109308A - 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상기 결정질 실리콘 태양전지 제조방법으로 전면 이미터 층(220) 및 후면전계 층(230)을 형성함에서 플라스마 도핑을 이용하고, 이후 열처리 공정에서 열처리와 동시에 전면과 후면에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 것을 특징으로 한다. 또한, 전면과 후면의 SiO2 막(240, 245) 위에 각각 SiNx(250, 255) 막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 플라스마 도핑을 이용하여 손쉽게 이미터 층(220) 및 후면전계 층(230)을 얇게 형성할 수 있고, 불순물의 도핑 농도 조절이 가능하여 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있으며, 공정시간의 단축으로 생산성 향상을 기대할 수 있다. 또한, 소성(Firing) 공정 시 측면 확산이 없어 전극 분리(Edge Isolation) 공정이 필요 없으므로 공정의 간소화로 원가 절감의 효과를 기대할 수 있다. 열처리(Annealing) 공정에서 열처리와 동시에 전면과 후면에 SiO2 막(240, 245)을 성장시켜 이미터 층(220) 및 후면전계 층(230)과 SiNx 막(250, 255) 사이의 계면의 결함을 줄일 수 있어 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있다.
본 발명에 의해 플라스마 도핑을 이용하여 손쉽게 이미터 층(220) 및 후면전계 층(230)을 얇게 형성할 수 있고, 불순물의 도핑 농도 조절이 가능하여 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있으며, 공정시간의 단축으로 생산성 향상을 기대할 수 있다. 또한, 소성(Firing) 공정 시 측면 확산이 없어 전극 분리(Edge Isolation) 공정이 필요 없으므로 공정의 간소화로 원가 절감의 효과를 기대할 수 있다. 열처리(Annealing) 공정에서 열처리와 동시에 전면과 후면에 SiO2 막(240, 245)을 성장시켜 이미터 층(220) 및 후면전계 층(230)과 SiNx 막(250, 255) 사이의 계면의 결함을 줄일 수 있어 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 결정질 실리콘 태양전지를 제조할 때 전면과 후면에 플라스마 도핑 후 열처리 공정에서 열처리와 동시에 SiO2 막을 성장시키는 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 성장시킨 SiO2 막 위에 각각 SiNx막을 증착시켜 SiO2/SiNx 구조의 막을 갖는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
최근 석유, 석탄, 천연가스 등과 같은 기존 화석 연료의 고갈과 환경오염, 지구 온난화에 따라 이들 자원을 대체할 에너지에 관심이 높아지고 있다. 그중에서도 태양전지(Solar Cell)는 에너지 자원이 영구적이고 환경오염이 없어 관심을 받고 있다.
태양전지(Solar Cell)는 반도체 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기 에너지로 변환시키는 소자를 말한다.
도 1은 종래의 태양전지의 일반적인 구조를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 태양전지는 p형 반도체(110), n형 반도체(120), 하부 접합전극(140), 상부 접합전극(130)을 구비한다.
p형 반도체(110)와 n형 반도체(120)는 서로 다이오드와 같은 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-)전하를 띤 전자(electron)와 (+)전하를 띤 정공(hole)이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다.
이를 광기전력효과(photovoltaic effect)라 하는데, 이 원리에 의해 태양전지를 구성하는 p형(110) 및 n형 반도체(120) 중 전자(electron)는 n형 반도체(120) 쪽으로, 정공(hole)은 p형(110) 쪽으로 각각 끌어 당겨져 각각 n형 반도체(120) 및 p형(110)과 접합된 상부 접합전극(130) 및 하부 접합전극(140)으로 이동하게 되고, 이들 상부, 하부 접합전극(130, 140)들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있게 된다.
한편 종래의 태양전지용 웨이퍼는 실리콘 단결정 봉인 잉곳(ingot)을 잘라 세정 후 그대로 출하되므로 표면에 많은 손상(damage) 및 결함(defect)이 존재하고, 태양전지 제조 시 결함제거공정을 수행해도 완벽하게 결함을 제거하는 데는 한계가 있었다.
또한, 웨이퍼 표면에는 구조상 원자간 결합이 깨지면서 댕글링 본드(dangling bond)와 같은 결함이 발생하였다.
이로 인해 종래의 태양전지는 빛의 조사(radiation)로 발생하는 소수캐리어들을 포획하여 재결합시키는 과정이 가속됨으로 전하 운반자인 소수캐리어의 수명(lifetime) 단축으로 태양전지의 변환 효율이 점차 감소하는 문제점이 있었다.
한편 종래의 결정질 실리콘 태양전지 제조과정에서 이미터(emitter) 형성 단계(ST13)는 주로 열확산(thermal diffusion) 방법을 이용하였다.
열확산 방법을 이용하게 되면 고온의 공정으로 부산물인 PSG(phosphosilicate glass)나 BSG(borosilicate glass)가 형성되고, 이를 제거해주는 단계(ST14)가 필요하다.
또한, 웨이퍼 표면의 요철 구조로 이미터 층이 불균일하게 형성되고, 불순물 도핑이 전면, 후면, 측면에 모두 되므로 전극을 분리해주는 단계(ST18)가 필요하다.이로 인해 종래의 태양전지는 이미터 층이 불균일하게 형성됨으로 전면전극 접촉 시 직렬저항 및 누설전류를 신경 써야 하는 문제점이 있었다.
도 2는 종래 결정질 실리콘 태양전지 제조과정의 공정순서도이다.
도 2를 살펴보면, 기판 준비 및 표면손상제거(SDR) 단계(ST110), 텍스쳐링(Texturing) 단계(ST120), 이미터 형성 단계(ST130), PSG 또는 BSG 제거 단계(ST140), 전면 반사방지막 증착(SiNx) 단계(ST150), 전면 및 후면 전극형성(Mtallization) 단계(ST160), 소성(Firing) 단계(ST170), 전극분리(Edge Isolation) 단계(ST180), 특성평가(Voc, Isc, FF, Efficiency 등) 단계(ST190)의 순서로 종래 결정질 실리콘 태양전지는 제조 되었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 결정질 실리콘 태양전지의 전면 및 후면에 SiO2/SiNx 구조의 막을 형성하여 댕글링 본드와 같은 결함을 부동화시킴으로써 계면의 패시베이션 효과를 높임으로 소수캐리어의 수명을 증가시켜 태양전지의 변환효율을 향상하는데 목적이 있다.
또한, 열처리와 동시에 SiO2 막을 성장시킴으로써 공정시간을 단축하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서, 제1 도전형의 실리콘 기판(210)을 준비 및 표면손상제거(SDR) 단계(ST210), 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210) 표면을 텍스쳐링하는 단계(ST220), 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하는 단계(ST230), 상기 제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 제2 도전형의 이미터 층(220), 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240), 상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250), 상기 후면 SiO2 막(245)과 후면 SiNx 막을 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나도록 레이저로 구멍(hole)을 내는 단계(ST260), 상기 전면 SiNx 막(250)과 후면 SiNx 막(255)에 전극을 형성하는 단계(ST270), 형성된 전면전극(260)과 후면전극(270)을 소성하는 단계(ST280)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명은 이미터 및 후면전계 형성 공정을 플라스마 도핑으로 하므로 pn접합 깊이, 도핑 농도를 손쉽고 정밀하게 제어할 수 있다.
또한, PSG나 BSG가 생성되지 않기 때문에 PSG 또는 BSG 제거 단계(ST14)를 생략할 수 있어 공정시간 단축에 따른 생산성 향상을 기대할 수 있다.
또한, 불순물이 전면, 후면에만 도핑 되므로 전극 분리(edge isolation)하는 단계(ST18)를 생략할 수 있어 공정시간 단축에 따른 생산성 향상을 기대할 수 있다.
또한, 열처리 및 SiO2 막을 성장시키는 단계(ST240)를 동시에 처리하므로 공정시간을 단축할 수 있다.
또한, SiO2/SiNx 구조의 막을 형성하여 댕글링 본드와 같은 결함을 부동화시킴으로써 계면의 패시베이션 효과를 높임으로 소수캐리어의 수명을 증가시켜 태양전지의 변환효율을 향상할 수 있다.
도 1은 종래 태양전지의 일반적인 구조이다.
도 2는 종래 결정질 실리콘 태양전지 제조과정의 공정순서도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 실리콘 태양전지 제조방법의 공정순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 실리콘 태양전지의 제조과정의 공정단면도이다.
도 2는 종래 결정질 실리콘 태양전지 제조과정의 공정순서도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 실리콘 태양전지 제조방법의 공정순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 실리콘 태양전지의 제조과정의 공정단면도이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 실리콘 태양전지 제조방법의 공정순서를 도시한 것이고, p형의 실리콘 기판을 기준으로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 결정질 실리콘 태양전지 제조방법은 제1 도전형의 실리콘 기판(210)을 준비하고, 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 표면에 존재하는 결함을 제거하는(SDR, saw damage removal)하는 제1 공정(ST210)을 가진다.
제1 도전형의 실리콘 기판(210)은 p형 및 n형 타입 모두를 사용할 수 있지만, 소수캐리어에 해당하는 전자의 수명(lifetime)과 이동도(mobility)가 큰 것을 고려하여 p형 실리콘 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 표면손상제거(SDR, saw damage removal)는 습식 및 건식방법을 모두 사용할 수 있지만, 제조 원가와 생산성을 고려하여 NaOH, KOH 등의 용액으로 습식방법을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 제1 공정(ST210) 후 제1 도전형의 실리콘 기판(210) 표면을 텍스쳐링(texturing)하는 제2 공정(ST220)을 가진다.
텍스쳐링 공정(ST220)은 제1 도전형의 실리콘 기판(210) 표면에 불규칙한 요철 구조를 만드는 것으로 빛이 외부로 반사됨으로써 태양전지의 효율을 저하하는 현상을 방지하는 역할을 한다.
텍스쳐링 공정(ST220)은 알칼리성이나 산성을 띄는 용액을 이용하는 습식 및 플라스마를 이용한 방법 모두 사용할 수 있지만, 제조 원가와 생산성을 고려하여 NaOH, KOH, IPA, HNO3, HF 등의 용액으로 습식방법을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 제2 공정(ST220) 후 제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하기 위해 플라스마 도핑을 하는 제3 공정(ST230)을 가진다.
상기 제3 공정(ST230)은 제2 도전형의 이미터 층(220)을 형성하기 위해 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 전면에 인(P) 이온을 플라스마 도핑하고, 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하기 위해 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 후면에 붕소(B) 이온(ion)을 도핑(doping)한다.
플라스마 도핑은 PH3 등의 인(P)이 함유된 가스나 BF3, B2H6 등의 붕소(B)가 함유된 가스를 소스로 이용한다.
상기 제3 공정(ST230) 후 제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)하고, 동시에 제2 도전형의 이미터 층(220), 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 제4 공정(ST240)을 가진다.
상기 제4 공정(ST240)은 전통적인 열로(thermal furnace)나 RTP(rapid thermal annealing) 등의 장비를 사용할 수 있다.
SiO2 막의 성장은 습식 및 건식방법 모두 가능하며, H2O, O2 등의 소스를 이용한다.
SiO2 막은 실리콘 기판과 SiNx 막 사이 계면의 댕글링 본드와 같은 결함을 부동화시킴으로써 소수캐리어의 수명을 증가시켜 태양전지의 변환효율을 향상 시키는 역할을 한다.
상기 제4 공정(ST240)은 열처리와 동시에 SiO2 막을 성장시킴으로써 공정시간을 단축할 수 있다.
상기 제4 공정(ST240) 후 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 제5 공정(ST250)을 가진다.
SiNx 막의 증착은 저압 화학기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) 또는 플라스마 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 등을 실시하여 형성할 수 있다.
상기 제5 공정(ST250)에서 증착된 전면 SiNx 막(250)은 반사방지막(anti-reflection coating)의 역할과 표면 패시베이션의 역할, 수분, 먼지 등의 외부환경으로 부터 소자를 보호하는 역할을 한다.
상기 제5 공정(ST250)에서 증착된 후면 SiNx 막(255)은 표면 패시베이션의 역할과 수분, 먼지 등의 외부환경으로 부터 소자를 보호하는 역할을 한다.
반사방지막(anti-reflection coating)은 실리콘 기판을 통하여 입사된 빛이 이미터 층(220)에 흡수되지 못하고 바로 외부로 반사됨으로써 태양전지의 효율을 저하하는 현상을 방지하는 역할을 한다.
반사방지막(anti-reflection coating) 물질은 태양전지의 표면에서 전지 표면과 반응을 하지 말아야 하고, 전지 표면을 보호할 수 있는 SiO2 등의 실리콘 산화물(SiOx), Si3N4 등의 실리콘 질화물(SiNx) 또는 TiO2 등의 물질을 사용할 수 있다.
상기 제5 공정(ST250) 후 후면에 SiO2/SiNx 구조의 막을 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나도록 레이저(laser)를 이용해 구멍(hole)을 내는 제6 공정(ST260)을 가진다.
상기 제6 공정(ST260)은 SiO2/SiNx 구조 막의 특성에 따라 레이저의 파장(wavelength), 펄스(pulse), 주파수(frequence), 파워(power) 등을 조절하여 수행한다.
상기 제6 공정(ST260)은 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 크기에 따라 구멍(hole)의 개수 및 간격 등을 조절하여 수행한다.
상기 제6 공정(ST260) 후 전면 SiNx 막(250)과 후면 SiNx 막(255)에 스크린 프린팅 기법을 사용하여 전극을 형성하는 제7 공정(ST270)을 가진다.
스크린 프린팅 기법은 패턴이 설계된 메쉬(mesh) 위에 은(Ag), 알루미늄(Al) 등의 페이스트(paste) 소스를 놓고 실리콘 기판에 인쇄한 후 페이스트를 건조시킨다.
상기 제7 공정(ST270)의 전면전극(260)은 은(Ag) 페이스트(paste)를 사용하고, 후면전극(270)은 알루미늄(Al) 페이스트(paste)를 사용한다.
상기 제7 공정(ST270) 후 형성된 전면전극(260)과 후면전극(270)을 고온에서 소성(firing)하여 제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 접촉하는 제8 공정(ST280)을 가진다.
상기 제8 공정(ST280)은 전통적인 열로(thermal furnace)나 RTP(rapid thermal annealing), 벨트형 인라인(in-line)등의 다양한 방법을 사용할 수 있다.
소성(firing)은 SiO2/SiNx 구조 막의 특성과 전극 물질의 특성을 고려하여 시간, 온도 등을 조절하여 수행한다.
완성된 태양전지는 개방전압(Voc), 단락전류(Isc), 곡선인자(FF), 변환효율(Efficiency) 등의 특성을 평가한다.
한편, 이상에서 p형 실리콘 기판으로 태양전지를 제조하는 공정을 설명하였으나, 반대의 경우인 n형 실리콘 기판으로도 태양전지를 제조하는데 본 발명이 거의 그대로 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
210; 실리콘 기판 220; 이미터
230; 후면전계 240; 전면 SiO2막
245; 후면 SiO2막 250: 전면 SiNx막
255; 후면 SiNx막 260; 전면전극
270: 후면전극
230; 후면전계 240; 전면 SiO2막
245; 후면 SiO2막 250: 전면 SiNx막
255; 후면 SiNx막 260; 전면전극
270: 후면전극
Claims (19)
- 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,
제1 도전형의 실리콘 기판(210)을 준비 및 표면손상제거(SDR) 단계(ST210);
상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210) 표면을 텍스쳐링하는 단계(ST220);
상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하는 단계(ST230);
상기 제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 제2 도전형의 이미터 층(220), 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240);
상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250);
상기 후면 SiO2 막(245)과 후면 SiNx 막을 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나도록 레이저로 구멍(hole)을 내는 단계(ST260);
상기 전면 SiNx 막(250)과 후면 SiNx 막(255)에 전극을 형성하는 단계(ST270);
형성된 전면전극(260)과 후면전극(270)을 소성하는 단계(ST280)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법 - 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,
제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하는 단계(ST230);
상기 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 상기 제2 도전형의 이미터 층(220), 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240);
상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법 - 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,
제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 상기 제2 도전형의 이미터 층(220), 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법 - 플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,
상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법 - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 도전형의 이미터 층(220)은 P, As 및 Sb 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 n형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 도전형의 이미터 층(220)은 B, Ga 및 In 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 p형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)은 B, Ga 및 In 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 도핑 농도보다 높은 p+형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)은 P, As 및 Sb 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 도핑 농도보다 높은 n+형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 SiO2 막은 전통적인 열로(thermal furnace) 또는 RTP(rapid thermal annealing)을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 SiO2 막의 성장은 H2O와 O2 중 어느 하나를 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 SiO2 막의 성장은 H2O와 O2를 혼합한 것을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 SiNx 막은 저압 화학기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) 또는 플라스마 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 사용하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 태양전지의 전면에 상기 SiO2 막(240)과 상기 SiNx 막(250)을 증착하여 SiO2/SiNx 구조의 막을 갖는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 태양전지의 후면에 상기 SiO2 막(245)과 상기 SiNx 막(255)을 증착하여 SiO2/SiNx 구조의 막을 갖는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항에 있어서,
상기 후면 SiO2 막(245)과 상기 후면 SiNx 막을 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나게 구멍(hole)을 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제13항에 있어서,
상기 후면 SiO2 막(245)과 상기 후면 SiNx 막을 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나게 구멍(hole)을 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제1항에 있어서,
상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제13항에 있어서,
상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법 - 제14항에 있어서,
상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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| KR1020120030920A KR20130109308A (ko) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20240010127A (ko) | 2022-07-15 | 2024-01-23 | 성균관대학교산학협력단 | 자연산으로 도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2012
- 2012-03-27 KR KR1020120030920A patent/KR20130109308A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20240010127A (ko) | 2022-07-15 | 2024-01-23 | 성균관대학교산학협력단 | 자연산으로 도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법 |
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