JPH0582816A - 光起電力装置とその製造方法 - Google Patents
光起電力装置とその製造方法Info
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- JPH0582816A JPH0582816A JP3243590A JP24359091A JPH0582816A JP H0582816 A JPH0582816 A JP H0582816A JP 3243590 A JP3243590 A JP 3243590A JP 24359091 A JP24359091 A JP 24359091A JP H0582816 A JPH0582816 A JP H0582816A
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- electrode
- semiconductor layer
- groove portion
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、絶縁性基板上に形成された第１電
極膜と非晶質半導体層上に形成された第２電極膜との接
続に当たり、電気的に確実、且つ良好な接続状態を呈す
る光起電力装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光起電力装置は、絶縁性基板１と、
この基板の一主面上に離間形成された第１電極膜３と、
この第１電極膜間を含み当該第１電極膜上に形成された
非晶質半導体層５と、この非晶質半導体層上全面に形成
された第２電極膜６と、を有する光起電力装置におい
て、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状に、上記第
２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形成された第
１溝部９と、上記第１電極膜と第２電極膜とを接続する
べく当該第１溝部に充填形成された導電性部材と、上記
第２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部に対して
上記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成された第２溝
部１０と、を具備することを特徴とする。
極膜と非晶質半導体層上に形成された第２電極膜との接
続に当たり、電気的に確実、且つ良好な接続状態を呈す
る光起電力装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光起電力装置は、絶縁性基板１と、
この基板の一主面上に離間形成された第１電極膜３と、
この第１電極膜間を含み当該第１電極膜上に形成された
非晶質半導体層５と、この非晶質半導体層上全面に形成
された第２電極膜６と、を有する光起電力装置におい
て、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状に、上記第
２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形成された第
１溝部９と、上記第１電極膜と第２電極膜とを接続する
べく当該第１溝部に充填形成された導電性部材と、上記
第２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部に対して
上記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成された第２溝
部１０と、を具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の光起電力素子
を電気的に直列接続した光起電力装置並びにその製造方
法に関する。
を電気的に直列接続した光起電力装置並びにその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光起電力装置から所定の光起電力を得る
ために、従来から複数個の光起電力素子を電気的に直列
接続しており、この光起電力装置が特開昭６２−３３４
７７号公報に開示されている。
ために、従来から複数個の光起電力素子を電気的に直列
接続しており、この光起電力装置が特開昭６２−３３４
７７号公報に開示されている。
【０００３】図２は、従来の光起電力装置の断面図を示
したものである。
したものである。
【０００４】１はステンレス等の非透光性物質からなる
基板、２は基板１の一主面上に形成されたＡｌXＯY、Ｓ
ｉＮX、ＳｉＯX等、又はポリイミド等からなる絶縁膜、
３・・・はＡｌ、Ｔｉ又はＡｇ等からなる一層又はその積
層体で、絶縁膜２上に離間形成された膜厚約５０００Å
の第１電極膜、４・・・は第１電極膜３上の側縁端部に沿
って帯状に、スクリーン印刷法によって形成された銀ペ
ーストの導電性ペースト、５は離間形成された第１電極
膜３間を含みその第１電極膜３上にプラズマＣＶＤ法に
よって形成された、半導体光活性層を含む半導体接合を
備えた膜厚３０００乃至８０００Åのアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）等の非晶質半導体層、６は第１電極膜
３と同形状で非晶質半導体層５上に形成後、エネルギビ
ーム照射法又はウエットエッチング法により夫々離間形
成された、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、フッ素がドー
プされた酸化錫（ＳｎＯ2：Ｆ）、アンチモンがドープ
された酸化錫（ＳｎＯ2：Ｓｂ）又はアルミニウムがド
ープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）等の酸化金属から
なる膜厚約７００Åの透明導電膜の第２電極膜であり、
第１電極膜３、非晶質半導体層５及び第２電極膜６によ
って１つの光起電力素子を構成する。
基板、２は基板１の一主面上に形成されたＡｌXＯY、Ｓ
ｉＮX、ＳｉＯX等、又はポリイミド等からなる絶縁膜、
３・・・はＡｌ、Ｔｉ又はＡｇ等からなる一層又はその積
層体で、絶縁膜２上に離間形成された膜厚約５０００Å
の第１電極膜、４・・・は第１電極膜３上の側縁端部に沿
って帯状に、スクリーン印刷法によって形成された銀ペ
ーストの導電性ペースト、５は離間形成された第１電極
膜３間を含みその第１電極膜３上にプラズマＣＶＤ法に
よって形成された、半導体光活性層を含む半導体接合を
備えた膜厚３０００乃至８０００Åのアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）等の非晶質半導体層、６は第１電極膜
３と同形状で非晶質半導体層５上に形成後、エネルギビ
ーム照射法又はウエットエッチング法により夫々離間形
成された、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、フッ素がドー
プされた酸化錫（ＳｎＯ2：Ｆ）、アンチモンがドープ
された酸化錫（ＳｎＯ2：Ｓｂ）又はアルミニウムがド
ープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）等の酸化金属から
なる膜厚約７００Åの透明導電膜の第２電極膜であり、
第１電極膜３、非晶質半導体層５及び第２電極膜６によ
って１つの光起電力素子を構成する。
【０００５】７は導電性ペースト４上方の第２電極膜６
上からレーザビーム、電子ビーム等のエネルギビームを
帯状に照射することによって、第２電極膜６の一部が高
温で溶解して導電性ペースト４まで達することで、第１
電極膜３と第２電極膜６とを電気的に直列接続する接続
部、８は接続部７の第２電極膜６上を保護すべく塗布さ
れた導電性ペーストである。
上からレーザビーム、電子ビーム等のエネルギビームを
帯状に照射することによって、第２電極膜６の一部が高
温で溶解して導電性ペースト４まで達することで、第１
電極膜３と第２電極膜６とを電気的に直列接続する接続
部、８は接続部７の第２電極膜６上を保護すべく塗布さ
れた導電性ペーストである。
【０００６】上述の光起電力装置のように、基板１がス
テンレス等の非透光性物質であり、第２電極膜６が酸化
金属等の透明導電膜によって構成されている場合、第２
電極膜６と第１電極膜３との接続に当たり、エネルギビ
ームを帯状に照射しても、第２電極膜６が純粋の金属に
比較して、熱によって溶解する性質を余り呈さず、第２
電極膜６と導電性ペースト４との接続が不十分となり、
接続部７による接続抵抗の増加によって光起電力装置の
変換特性の低下を招来させていた。
テンレス等の非透光性物質であり、第２電極膜６が酸化
金属等の透明導電膜によって構成されている場合、第２
電極膜６と第１電極膜３との接続に当たり、エネルギビ
ームを帯状に照射しても、第２電極膜６が純粋の金属に
比較して、熱によって溶解する性質を余り呈さず、第２
電極膜６と導電性ペースト４との接続が不十分となり、
接続部７による接続抵抗の増加によって光起電力装置の
変換特性の低下を招来させていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の欠点
に鑑み成されたもので、エネルギビーム照射による第１
電極膜３と第２電極膜６との接続に当たり、電気的に確
実、且つ良好な接続状態を呈する光起電力装置を提供す
ることを目的とする。
に鑑み成されたもので、エネルギビーム照射による第１
電極膜３と第２電極膜６との接続に当たり、電気的に確
実、且つ良好な接続状態を呈する光起電力装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置
は、絶縁性基板と、この基板の一主面上に離間形成され
た第１電極膜と、この第１電極膜間を含み当該第１電極
膜上に形成された非晶質半導体層と、この非晶質半導体
層上全面に形成された第２電極膜と、を有する光起電力
装置において、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状
に、上記第２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形
成された第１溝部と、上記第１電極膜と第２電極膜とを
接続するべく当該第１溝部に充填形成された導電性部材
と、上記第２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部
に対して上記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成され
た第２溝部と、を具備することを特徴とする。
は、絶縁性基板と、この基板の一主面上に離間形成され
た第１電極膜と、この第１電極膜間を含み当該第１電極
膜上に形成された非晶質半導体層と、この非晶質半導体
層上全面に形成された第２電極膜と、を有する光起電力
装置において、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状
に、上記第２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形
成された第１溝部と、上記第１電極膜と第２電極膜とを
接続するべく当該第１溝部に充填形成された導電性部材
と、上記第２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部
に対して上記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成され
た第２溝部と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
【作用】絶縁性基板の一主面上に離間形成された第１電
極膜、非晶質半導体層及び第２電極膜を具備する光起電
力装置において、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯
状に、上記第２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って
第１溝部を形成し、また第２電極膜を分割形成するべ
く、第１溝部に対して第１電極膜の側縁端部の反対側に
第２溝部を形成した後、第１溝部に導電性部材を充填形
成し、第１電極膜と第２電極膜とを電気的に確実、且つ
良好に直列接続する。
極膜、非晶質半導体層及び第２電極膜を具備する光起電
力装置において、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯
状に、上記第２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って
第１溝部を形成し、また第２電極膜を分割形成するべ
く、第１溝部に対して第１電極膜の側縁端部の反対側に
第２溝部を形成した後、第１溝部に導電性部材を充填形
成し、第１電極膜と第２電極膜とを電気的に確実、且つ
良好に直列接続する。
【００１０】
【実施例】本発明の光起電力装置の断面図を図１に示
し、従来と同一構成に関しては同一番号を付す。
し、従来と同一構成に関しては同一番号を付す。
【００１１】図１（ａ）において、まずステンレス等の
非透光性物質からなる基板１の一主面上に絶縁膜２を形
成する。この絶縁膜２上に第１電極膜３を離間形成した
後、その第１電極膜３の側縁端部に沿って帯状に銀等か
らなる導電性ペースト４を形成する。更に、当該導電性
ペースト４を含み第１電極膜３上全面に、非晶質半導体
層５及び透光性物質からなる第２電極膜６を順に積層形
成する。
非透光性物質からなる基板１の一主面上に絶縁膜２を形
成する。この絶縁膜２上に第１電極膜３を離間形成した
後、その第１電極膜３の側縁端部に沿って帯状に銀等か
らなる導電性ペースト４を形成する。更に、当該導電性
ペースト４を含み第１電極膜３上全面に、非晶質半導体
層５及び透光性物質からなる第２電極膜６を順に積層形
成する。
【００１２】この後、ウエットエッチング法又はレーザ
照射法等のエネルギビームによって、図１（ａ）に示す
ように、第１電極膜３上の側縁端部に沿って帯状に、導
電性ペースト４に達する第１溝部９を形成すると共に、
同様な方法で第１溝部９に対して第１電極膜３の側縁端
部の反対側に、第２電極膜６を分割形成するべく第２溝
部１０を形成する。このとき、第１、第２溝部９、１０
の形成はエネルギビームを照射することによって行なう
方が、ウエットエッチング法を用いる場合と比較してレ
ジストの塗布並びに除去等の処理を施す必要が全くな
く、手間を要することがないので、好ましい。
照射法等のエネルギビームによって、図１（ａ）に示す
ように、第１電極膜３上の側縁端部に沿って帯状に、導
電性ペースト４に達する第１溝部９を形成すると共に、
同様な方法で第１溝部９に対して第１電極膜３の側縁端
部の反対側に、第２電極膜６を分割形成するべく第２溝
部１０を形成する。このとき、第１、第２溝部９、１０
の形成はエネルギビームを照射することによって行なう
方が、ウエットエッチング法を用いる場合と比較してレ
ジストの塗布並びに除去等の処理を施す必要が全くな
く、手間を要することがないので、好ましい。
【００１３】最後に、予め形成された第１溝部９に、図
１（ｂ）に示すように銀ペーストの導電性ペースト１１
をスクリーン印刷法等で形成することによって、第１電
極膜３と第２電極膜６とを電気的に確実、且つ良好に直
列接続する。
１（ｂ）に示すように銀ペーストの導電性ペースト１１
をスクリーン印刷法等で形成することによって、第１電
極膜３と第２電極膜６とを電気的に確実、且つ良好に直
列接続する。
【００１４】以上のように、基板１がステンレス等のよ
うな非透光性物質から、また第２電極膜６が透光性物質
から構成されていても、基板１上に、絶縁膜２、第１電
極膜３、非晶質半導体層５及び第２電極膜６を順に積層
形成した後、その第２電極膜６上から第１電極膜３上に
形成された導電性ペースト４まで達するように第１溝部
９を形成し、この溝部に導電性ペースト１１を充填形成
することによって第１電極膜３と第２電極膜６とを確
実、且つ良好に直列接続することができる。
うな非透光性物質から、また第２電極膜６が透光性物質
から構成されていても、基板１上に、絶縁膜２、第１電
極膜３、非晶質半導体層５及び第２電極膜６を順に積層
形成した後、その第２電極膜６上から第１電極膜３上に
形成された導電性ペースト４まで達するように第１溝部
９を形成し、この溝部に導電性ペースト１１を充填形成
することによって第１電極膜３と第２電極膜６とを確
実、且つ良好に直列接続することができる。
【００１５】なお、本実施例では、基板１として非透光
性物質を、また第２電極膜６として透光性物質を用いた
光起電力装置を示したが、これには限られず基板１とし
て透光性物質を、また第２電極膜６として非透光性物質
を用いた光起電力装置に本発明を適用してもよい。
性物質を、また第２電極膜６として透光性物質を用いた
光起電力装置を示したが、これには限られず基板１とし
て透光性物質を、また第２電極膜６として非透光性物質
を用いた光起電力装置に本発明を適用してもよい。
【００１６】一方、エネルギビーム照射は第２電極膜６
側から行われているが、基板１が透光性の場合にあって
は、エネルギビームの焦点を非晶質半導体層５に合わせ
て基板１側から照射し、非晶質半導体層５及び第２電極
膜６を除去することによってその個所に第１溝部９を形
成してもよい。
側から行われているが、基板１が透光性の場合にあって
は、エネルギビームの焦点を非晶質半導体層５に合わせ
て基板１側から照射し、非晶質半導体層５及び第２電極
膜６を除去することによってその個所に第１溝部９を形
成してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明の光起電力装置によれば、絶縁性
基板と、この基板の一主面上に離間形成された第１電極
膜と、この第１電極膜間を含み当該第１電極膜上に形成
された非晶質半導体層と、この非晶質半導体層上全面に
形成された第２電極膜と、を有する光起電力装置におい
て、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状に、上記第
２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形成された第
１溝部と、上記第１電極膜と第２電極膜とを接続するべ
く当該第１溝部に充填形成された導電性部材と、上記第
２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部に対して上
記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成された第２溝部
と、を具備するので、第２電極膜の材質に係わらず、第
１溝部に充填形成された導電性部材によって第１電極膜
と第２電極膜とは確実、且つ良好に接続することができ
る。
基板と、この基板の一主面上に離間形成された第１電極
膜と、この第１電極膜間を含み当該第１電極膜上に形成
された非晶質半導体層と、この非晶質半導体層上全面に
形成された第２電極膜と、を有する光起電力装置におい
て、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状に、上記第
２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って形成された第
１溝部と、上記第１電極膜と第２電極膜とを接続するべ
く当該第１溝部に充填形成された導電性部材と、上記第
２電極膜を分割形成するべく、上記第１溝部に対して上
記第１電極膜の側縁端部の反対側に形成された第２溝部
と、を具備するので、第２電極膜の材質に係わらず、第
１溝部に充填形成された導電性部材によって第１電極膜
と第２電極膜とは確実、且つ良好に接続することができ
る。
【図１】本発明の光起電力装置の断面図
【図２】従来の光起電力装置の断面図
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、この基板の一主面上に離
間形成された第１電極膜と、この第１電極膜間を含み当
該第１電極膜上に形成された非晶質半導体層と、この非
晶質半導体層上全面に形成された第２電極膜と、を有す
る光起電力装置において、上記第１電極膜の側縁端部に
沿って帯状に、上記第２電極膜及び上記非晶質半導体層
に亘って形成された第１溝部と、上記第１電極膜と第２
電極膜とを接続するべく当該第１溝部に充填形成された
導電性部材と、上記第２電極膜を分割形成するべく、上
記第１溝部に対して上記第１電極膜の側縁端部の反対側
に形成された第２溝部と、を具備することを特徴とする
光起電力装置。 - 【請求項２】 絶縁性基板の一主面上に第１電極膜を離
間形成する第１工程と、上記第１電極膜間を含み当該第
１電極膜上に非晶質半導体層を形成する第２工程と、当
該非晶質半導体層上全面に第２電極膜を形成する第３工
程と、上記第１電極膜の側縁端部に沿って帯状に、上記
第２電極膜及び上記非晶質半導体層に亘って第１溝部を
形成する第４工程と、上記第２電極膜を分割形成するべ
く、上記第１溝部に対して上記第１電極膜の側縁端部の
反対側に第２溝部を形成する第５工程と、上記第１電極
膜と第２電極膜とを接続するべく上記第１溝部に導電性
部材を充填形成する第６工程と、からなることを特徴と
する光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243590A JPH0582816A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光起電力装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243590A JPH0582816A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光起電力装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582816A true JPH0582816A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17106082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243590A Pending JPH0582816A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 光起電力装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582816A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114191A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| US8835253B2 (en) | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Photoelectric conversion device fabrication method and photoelectric conversion device |
| JP2016178172A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 光電変換素子とその製造方法 |
| EP3944341A4 (en) * | 2019-03-19 | 2022-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243590A patent/JPH0582816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114191A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| US8835253B2 (en) | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Photoelectric conversion device fabrication method and photoelectric conversion device |
| JP2016178172A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 光電変換素子とその製造方法 |
| EP3944341A4 (en) * | 2019-03-19 | 2022-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
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