JPS60240171A - 太陽光発電装置 - Google Patents
太陽光発電装置Info
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- JPS60240171A JPS60240171A JP59097848A JP9784884A JPS60240171A JP S60240171 A JPS60240171 A JP S60240171A JP 59097848 A JP59097848 A JP 59097848A JP 9784884 A JP9784884 A JP 9784884A JP S60240171 A JPS60240171 A JP S60240171A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、太陽光発電装置に関し、特に非晶質けい素
糸太陽電池の電力用としての実用化に関するものである
。
糸太陽電池の電力用としての実用化に関するものである
。
一般に非晶質けい素糸太陽電池素子は逆方向耐圧が小さ
く、2枚以上の素子を組、み込んだモジュールにおいて
、一部の素子が影になる場合、他の素子の起電力がこの
影になる素子に対し逆方向にかかり、この素子の破壊が
起こる。この破壊を防ぐため、従来は保護ダイオードと
して単結晶けい素ダイオードを太陽電池基板上にハンダ
付けしていた。
く、2枚以上の素子を組、み込んだモジュールにおいて
、一部の素子が影になる場合、他の素子の起電力がこの
影になる素子に対し逆方向にかかり、この素子の破壊が
起こる。この破壊を防ぐため、従来は保護ダイオードと
して単結晶けい素ダイオードを太陽電池基板上にハンダ
付けしていた。
このような従来の装置の一例として第1図に示すものが
あった。図において、1は導電性基板、2は第1導電形
の非晶質けい素早導体、3は真性の非晶質けい素早導体
、4は第2導電形の非晶質。
あった。図において、1は導電性基板、2は第1導電形
の非晶質けい素早導体、3は真性の非晶質けい素早導体
、4は第2導電形の非晶質。
けい素早導体、5は透明導電膜、6は金属集電極、7は
基板側金属電極、8は第2導電形の結晶けい素早導体、
9は第1導電形の結晶けり)素早導体、10は太陽電池
素子接続線、11は保護ダイオード接続線である。
基板側金属電極、8は第2導電形の結晶けい素早導体、
9は第1導電形の結晶けり)素早導体、10は太陽電池
素子接続線、11は保護ダイオード接続線である。
このような構成になる装置の製造は次のようにしてなさ
れる。即ち、導電性基板1上にマスク堆積された非晶質
けい素早導体2,3.4に透明導電膜5及び金属集電極
6を蒸着して太陽電池素子を作製するとともに、上記非
晶質けい素早導体4と同じ導電形を有する結晶けい素早
導体8と、上記非晶質けい素早導体2と同一の導電形を
有する結晶けい素早導体9とからなるダイオードを、基
板側電極7上にハンダ付けし7、これを保護ダイオード
接続線11により太陽電池素子と接続している。これに
より第2図に示すような接続となり、第3図に示す電流
−電圧特性が得られることになる。
れる。即ち、導電性基板1上にマスク堆積された非晶質
けい素早導体2,3.4に透明導電膜5及び金属集電極
6を蒸着して太陽電池素子を作製するとともに、上記非
晶質けい素早導体4と同じ導電形を有する結晶けい素早
導体8と、上記非晶質けい素早導体2と同一の導電形を
有する結晶けい素早導体9とからなるダイオードを、基
板側電極7上にハンダ付けし7、これを保護ダイオード
接続線11により太陽電池素子と接続している。これに
より第2図に示すような接続となり、第3図に示す電流
−電圧特性が得られることになる。
従来の保護ダイオードは以上のように構成されているの
で、小さい結晶けい素ダイオード素子を基板上にハンダ
付けする必要があり、またこのノ\ンダ付けの際、素子
が小さいため短絡を起こし易く、組み立て時間が多くか
かり、力Aつイ言頼噌生力くイ氏いという欠点があった
。
で、小さい結晶けい素ダイオード素子を基板上にハンダ
付けする必要があり、またこのノ\ンダ付けの際、素子
が小さいため短絡を起こし易く、組み立て時間が多くか
かり、力Aつイ言頼噌生力くイ氏いという欠点があった
。
この発明はかかる従来の欠点を除去するためになされた
もので、太陽電池の製造と同時プロセスで作製されるp
−n接合を持つ非晶質けい素を保護ダイオードとして用
いることにより、小さし1部品のハンダ付けもなく、組
み立て時間を大幅に短縮でき、かつ信頼性の高い太陽光
発電装置を提供することを目的としている。
もので、太陽電池の製造と同時プロセスで作製されるp
−n接合を持つ非晶質けい素を保護ダイオードとして用
いることにより、小さし1部品のハンダ付けもなく、組
み立て時間を大幅に短縮でき、かつ信頼性の高い太陽光
発電装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第4
図において、12は透明導電膜5と分離して非晶質けい
素早導体2,3.4上に金属電極6.7と同時に蒸着さ
れた保護ダイオード用金属電極である。10は太陽電池
素子接続線、11は保護ダイオード接続線である。
図において、12は透明導電膜5と分離して非晶質けい
素早導体2,3.4上に金属電極6.7と同時に蒸着さ
れた保護ダイオード用金属電極である。10は太陽電池
素子接続線、11は保護ダイオード接続線である。
ところで、非晶質けい素早導体では、その抵抗は相当高
く、表面側電極下部のみ有効動作領域となる。従って、
この第4図において透明導電膜5(太陽電池用電極)下
部の非晶質と保護ダイオード用金属電極12下部の非晶
質とは電気的には+2完全に分離されていると考えられ
る。
く、表面側電極下部のみ有効動作領域となる。従って、
この第4図において透明導電膜5(太陽電池用電極)下
部の非晶質と保護ダイオード用金属電極12下部の非晶
質とは電気的には+2完全に分離されていると考えられ
る。
従って動作としては、2つのダイオードが同一基板上に
分離されて形成されているものと同一となり、第4図に
示す接続を行うことにより、回路図では第5図のように
なり、ある1枚の基板上の保護ダイオードは太陽電池モ
ジュールを構成している隣り合った基板′上の太陽電池
素子を保護することになる。この時の電流−電圧特性は
第6図に示す形となり、保護ダイオードが機能して(、
sることが明白である。
分離されて形成されているものと同一となり、第4図に
示す接続を行うことにより、回路図では第5図のように
なり、ある1枚の基板上の保護ダイオードは太陽電池モ
ジュールを構成している隣り合った基板′上の太陽電池
素子を保護することになる。この時の電流−電圧特性は
第6図に示す形となり、保護ダイオードが機能して(、
sることが明白である。
このような本実施例では、保護ダイオードを太陽電池素
子と同時プロセスで同一基板上に作製するようにしたの
で、従来のように小さい結晶けむ1素ダイオード素子を
基板上に)\ンダ付けする必要もなく、組立が容易にな
るとともに、信頼性を向上することができる。
子と同時プロセスで同一基板上に作製するようにしたの
で、従来のように小さい結晶けむ1素ダイオード素子を
基板上に)\ンダ付けする必要もなく、組立が容易にな
るとともに、信頼性を向上することができる。
なお上記実施例では単層構造非晶質けい素太陽電池につ
いて示したが、多層構造非晶質けむ)素人陽電池におい
ても同様のプロセスにより保護ダイオードが形成し得る
ことは言うまでもない。
いて示したが、多層構造非晶質けむ)素人陽電池におい
ても同様のプロセスにより保護ダイオードが形成し得る
ことは言うまでもない。
また透明導電膜5及び金属電極6,7.12は蒸着によ
り形成されるとしたが、その他の堆積方法、例えばスパ
ッタリング法、スクリーン印刷法によっても形成でき上
記実施例と同様の効果を奏する。
り形成されるとしたが、その他の堆積方法、例えばスパ
ッタリング法、スクリーン印刷法によっても形成でき上
記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、太陽電池モジュール
を作製する場合に必要であった外付は保護ダイオードを
、太陽電池素子と同時プロセスで同一基板上に作製する
ようにしたので、組立てが容易になり、かつ信頼性の高
い太陽電池モジュールが得られる効果がある。
を作製する場合に必要であった外付は保護ダイオードを
、太陽電池素子と同時プロセスで同一基板上に作製する
ようにしたので、組立てが容易になり、かつ信頼性の高
い太陽電池モジュールが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の保護ダイオードを外付けした太陽電池モ
ジュールの概略構成図、第2図は第1図の装置の回路図
、第3図は第1図の装置の電流−電圧特性図、第4図は
この発明の一実施例による太陽光発電装置Ω概略構成図
、第5図は該装置の回路図、第6図は該装置の電流−電
圧特性図でる。 1・・・導電性基板、2・・・第1導電形の非晶質は素
早導体、3・・・真性の非晶質けい素早導体、4第2導
電形の非晶質けい素早導体、5・・・透明導膜(太陽電
池用電極)、6・・・金属集電極、7・・・。 板側金属電極(接続用電極)、10・・・太陽電池子接
続線、工1・・・保護ダイオード接続線、12保護ダイ
オード用金属電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − あ 第1図 い 眼 琶 寮 第2図 第3図 ■
ジュールの概略構成図、第2図は第1図の装置の回路図
、第3図は第1図の装置の電流−電圧特性図、第4図は
この発明の一実施例による太陽光発電装置Ω概略構成図
、第5図は該装置の回路図、第6図は該装置の電流−電
圧特性図でる。 1・・・導電性基板、2・・・第1導電形の非晶質は素
早導体、3・・・真性の非晶質けい素早導体、4第2導
電形の非晶質けい素早導体、5・・・透明導膜(太陽電
池用電極)、6・・・金属集電極、7・・・。 板側金属電極(接続用電極)、10・・・太陽電池子接
続線、工1・・・保護ダイオード接続線、12保護ダイ
オード用金属電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − あ 第1図 い 眼 琶 寮 第2図 第3図 ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11出力電極端子となる導電性基板と、該基板上に選
択的に形成され少なくともその太陽電池領域と保護ダイ
オード領域とにp−n接合構造を有する非晶質層と、該
非晶質層表面に相互に分離して形成された太陽電池用電
極及び保護ダイオード用電極と、上記基板上の非晶質層
の形成されていない領域に設けられた接続用電極とを備
えた非晶質太陽電池からなることを特徴とする太陽光発
電装置。 (2)上記非晶質太陽電池は複数個設けられており、上
記出力電極端子としての導電性基板は隣接する他の非晶
質太陽電池の保護ダイオード用電極に接続され、上記太
陽電池用電極は上記隣接する他の非晶質太陽電池の接続
用電極に接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の太陽光発電装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59097848A JPS60240171A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 太陽光発電装置 |
US06/731,276 US4638109A (en) | 1984-05-15 | 1985-05-07 | Sun light electricity generator |
DE19853517414 DE3517414A1 (de) | 1984-05-15 | 1985-05-14 | Solargenerator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59097848A JPS60240171A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 太陽光発電装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60240171A true JPS60240171A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14203149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59097848A Pending JPS60240171A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 太陽光発電装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4638109A (ja) |
JP (1) | JPS60240171A (ja) |
DE (1) | DE3517414A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
WO1998049728A1 (fr) * | 1997-04-28 | 1998-11-05 | Rohm Co., Ltd. | Boitier multipuce |
JP2000091616A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-31 | Eev Ltd | 太陽電池配列の製造方法 |
JP2006228900A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sharp Corp | 薄膜化合物太陽電池およびその製造方法 |
JP2009044049A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール |
JP4568392B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2010-10-27 | イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド | 太陽電池配列 |
WO2011099318A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび太陽電池セル |
US8884153B2 (en) | 2006-06-23 | 2014-11-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and interconnector-equipped photoelectric conversion element |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
MY104396A (en) * | 1988-02-05 | 1994-03-31 | Minnesota Mining & Mfg | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and schottky barrier diode on a common substrate. |
US4915803A (en) * | 1988-09-26 | 1990-04-10 | The Dow Chemical Company | Combination seal and frame cover member for a filter press type electrolytic cell |
US4940518A (en) * | 1988-09-26 | 1990-07-10 | The Dow Chemical Company | Combination seal member and membrane holder for a filter press type electrolytic cell |
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