JP3232965B2 - 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置 - Google Patents

可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置

Info

Publication number
JP3232965B2
JP3232965B2 JP21149695A JP21149695A JP3232965B2 JP 3232965 B2 JP3232965 B2 JP 3232965B2 JP 21149695 A JP21149695 A JP 21149695A JP 21149695 A JP21149695 A JP 21149695A JP 3232965 B2 JP3232965 B2 JP 3232965B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
flexible
conversion device
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP21149695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0964388A (ja
Inventor
真之 反田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP21149695A priority Critical patent/JP3232965B2/ja
Priority to TW085109829A priority patent/TW318285B/zh
Priority to KR1019960034327A priority patent/KR100434805B1/ko
Priority to US08/697,145 priority patent/US5865904A/en
Publication of JPH0964388A publication Critical patent/JPH0964388A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3232965B2 publication Critical patent/JP3232965B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S30/00Structural details of PV modules other than those related to light conversion
    • H02S30/20Collapsible or foldable PV modules
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • H02S40/36Electrical components characterised by special electrical interconnection means between two or more PV modules, e.g. electrical module-to-module connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性基板上に形成さ
れた複数の単位光電変換素子を直列あるいは並列に接続
してなる可撓性光電変換装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】原料ガスのグロー放電分解などにより形
成されるアモルファスシリコンのようなアモルファス半
導体膜は、気相成長であるため大面積化が容易である。
従って低コスト光電変換装置の光電変換膜として期待さ
れている。また、高分子フィルムや金属フィルムを基板
として用いることは、薄型、軽量化できること、長尺基
板上に連続的に成膜できることなどの利点を有する。こ
のような可撓性基板を用いるアモルファスシリコン光電
変換装置から効率よく電力を引き出すために、例えば特
開平6−342924号公報に開示された図2のような
構造が知られている。この構造は、高分子フィルムを用
いる可撓性基板1の表面上に積層した光電変換膜とその
両面の第一、第二電極層とを行列状に分離して形成した
複数列の単位光電変換素子を有する。基板1の裏面に
は、図2の平面図に示すように、基板1に明けられた貫
通孔を通して表面上の隣接する二つの素子の一方の素子
の透明な第一電極層と他方の素子の基板側の第二電極層
とに接続される第三電極層2を有する。この第三電極
層、換言すれば接続電極層2は、基板1の表面に周辺の
余白部を残して成膜した金属電極層を行列状に分離して
形成したものである。基板1の表面上の単位光電変換素
子の列を直列接続するために、表面上の接続電極層2の
列20の端部にある第一電極層と接続された接続電極層
を、隣りの列20の端部に第二電極層と接続された接続
電極層と接続する。この接続は、両接続電極層2を連結
した列間接続部分21を形成することによって行われ
る。そして、一方の最外側の接続電極列20の端部にあ
る透明第一電極の正電極31から正端子41が、他方の
最外側の接続電極列の端部にある第二電極の負電極32
から負端子42が取り出されている。図2に示した光電
変換装置の複数個を図3のように配線5を用いて並列接
続する。これにより、適当な面積で適当な光電変換性能
を有する可撓性光電変換装置を得ることができる。可撓
性光電変換装置からの端子の取り出し方,これらを並列
に接続する方法については、本出願人の出願に係る特願
平5−164933号、特願平5−240768号、特
願平6−51477号および特願平6−221175号
の各明細書に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図2、図3に示す可撓
性光電変換装置には、次のような問題があった。 (1)基板表面上の単位光電変換素子の列を直列接続す
るために接続電極列20間を接続する列間接続部21
は、例えば厚さ1000ÅのAg薄膜などの電極層より
なる。このため、この接続部の抵抗が無視できない。ま
た、列間接続部21は、光電変換に利用できるのは半分
程度であり、半分は無効面積となる。
【0004】(2)光電変換膜および各電極層の分離加
工は、レーザパターニングで行うのが一般的である。図
のように縦横ではあるが縦方向が途中で途切れているパ
ターニングするには、ある程度の位置精度が必要であ
る。しかし、変形しやすい可撓性基板上で精度の高い加
工を行うのは困難な上、位置制御をするために加工時間
が長くなる。
【0005】(3)取り出し端子41、42は導電性テ
ープをはんだあるいは、導電性接着剤によって接合した
り、導電性粘着テープを用いることが多い。その場合、
はんだ、接着剤あるいは粘着テープがはみ出しやすい。 (4)並列接続のために、取り出し端子41、42の接
合のほかに、配線5の接続を行わなければならない。こ
のために、2種類の導体を扱わなければならず、工程が
複雑となり、コスト増や歩留まり低下の要因となる。
【0006】(5)配線5が上方から見えるため、見栄
えがしない。 本発明の目的は、上記の問題を解決し、単位光電変換素
子の接続のための抵抗の増大や、光電変換面積の減少が
ない可撓性光電変換装置の製造方法を提供することにあ
る。また、分離加工が容易であり、端子の取り出しおよ
び並列接続の容易な可撓性光電変換装置の製造方法およ
び可撓性光電変換装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、一つの可撓性基板上の一線上に形成し
た複数の単位光電変換素子を直列接続してなる素子列の
複数個を、各列の端部素子の電極間を接続することによ
って直列接続する可撓性光電変換装置の製造方法におい
て、各素子列の長手方向における端部素子の電極間を可
撓性接続材を用いて接続することとする。一つの可撓性
基板上に光電変換層をその両面に接する第一および第二
電極層と共に形成したのち、各層を複数の直列接続され
た単位光電変換素子列に分離し、そのあと素子列の両端
で交互に隣接する第一、第二電極間を可撓性接続材で接
続することが有効である。また、一つの可撓性基板の一
面上に光電変換層をその両面に接する第一および第二電
極層と共に形成し、他面上に第三電極層を形成し、第一
および第二電極層をそれぞれ第三電極層に接続したの
ち、基板一面上の各層を複数列のそれぞれ直列接続され
た単位光電変換素子に分離し、基板他面上の第三電極層
を一つの単位光電変換素子の第一電極と同一列で隣接す
る単位光電変換素子の第二電極との双方に接続された接
続電極ならびに第一および第二電極の一方のみに接続さ
れた端部電極に分離し、そのあと素子列の両端で交互に
第一および第二電極に接続された端部電極間を可撓性接
続材によって接続することも有効である。可撓性基板に
高分子フィルムを用いることがよく、可撓性接続材に金
属あるいは合金よりなる導電性テープを用いることがよ
い。
【0008】上記の方法で製造された可撓性光電変換装
置において、可撓性接続材が基板上に支持されたことが
望ましい。その際、隣接する二つの素子列にはさまれた
線の両端において基板の端部が、素子列間の接続を行う
一端では凸形、他端では凹形に形成され、その場合、凸
形と凹形が、一平面上で間隙を介してかみ合わせること
ができる輪郭を有することが良い。凸形および凹形が、
基板をその上の各層および接続材と共に加工して形成さ
れたことが良い。最外側の素子列の端部素子の電極に接
続された端子が、端部素子の電極間の接続に用いるもの
と同一の可撓性接続材よりなることが良い。端子が基板
上に支持されたことが良い。端子に接続される配線が基
板上に支持されたことも良い。第三電極層が形成される
場合、第三電極層が絶縁体で覆われ、その際少なくとも
最外側の素子列の端部素子の電極に接続された端子の先
端が露出し、端子の露出部分に絶縁体の反第三電極層側
の面に支持される配線が接続されたことが良い。そし
て、露出した端子に表面が絶縁体の表面と実質的に同一
平面上にある導体が重ねられてその表面に配線が接続さ
れたことも良い。
【0009】
【作用】可撓性基板上に形成された単位光電変換素子の
直列接続列の列間接続を、薄い電極層を連結することに
よらないで可撓性接続材を用いることにより、低い抵抗
で接続される。接続のための光電変換有効面積の減少も
少なく、可撓性が損なわれることもない。素子列間の接
続は、可撓性基板の一面上に形成した単位光電変換素子
列の端部において光電変換層の一側にある第一電極と他
側にある第二電極との間の接続によって行うことができ
る。あるいは可撓性の他面上に形成され、一方の列の素
子列の端部にある素子の第一電極に接続される第三電極
と、他方の列の素子列の端部にある素子の第二電極に接
続される第三電極との間の接続によって行うこともでき
る。可撓性光電変換装置の素子列にはさまれた線の両端
で基板をその上の各層および接続材と共に列間接続を行
う一端で凸形にし、他端でそれとかみ合わせることので
きる輪郭を持つ凹形にする。列間接続を行うために必要
な面積は凸形部において得られ、列間接続を行われない
部分は凹形にすることにより面積が有効に利用できる。
さらに複数の装置のかみ合わせ配列によって、最低限の
占有面積上に並列接続の装置を実装することができる。
凸形、凹形は、基板上の各層の形成後加工することによ
り簡単に得られる。最外側の単位光電変換素子列の端部
素子の電極に接続される端子にもこの可撓性接続材と同
じものを用いることは、接続工程を同一工程で行うこと
を可能にする。可撓性導体を端子を含めて基板上に支持
することは装置の構造の安定化に有効であり、さらに端
子に接続される配線も基板上に支持することにより並列
接続された装置の構造も安定化する。配線も基板上に支
持させれば、基板の形状を長方形にでき、基板の加工が
簡単になる。素子間に接続に第三電極を用いる場合、二
つの可撓性光電変換装置の間の接続を行う配線を基板上
に支持すると配線が光入射側から見えず、見栄えがす
る。あるいは、第三電極層を絶縁体で覆い、その上に装
置間接続を行う配線を支持しても配線を光入射側から見
えないようにすることができる。その際、端子の上に絶
縁体面との間の段差をなくす導体を重ねることは、配線
の設置を容易にする。
【0010】
【実施例】以下、図2、3を含めて共通な部分に同一の
符号を付した図を引用して本発明の実施例について説明
する。 実施例1:図1は本発明の第一の実施例の可撓性光電変
換装置を示し、同図(a)は反光入射側から見た平面
図、同図(b)は(a)のA−A線断面図である。この
可撓性光電変換装置では、図2と図3と同様にレーザパ
ターニングによる分割で形成された隣接する単位光電変
換素子の直列接続用の接続電極列20の端部にある第一
電極層に接続された接続電極層2と、第二電極層に接続
された接続電極層2とを可撓性接続材6を用いて接続し
ている。この可撓性接続材6は、最外側接続電極層列2
0の端部電極31、32から取り出される端子41、4
2と同一材料を用いる。可撓性接続材6としては、可撓
性で少なくとも接続面が導電性を有しているものならば
何でもよい。すなわち、導電性テープをはんだ付けある
いは導電性接着剤により単位光電変換素子の電極面に固
定する。導電性テープには、コストの面からCu、Al
あるいはこれらの合金のテープを用い、可撓性をもたせ
るためには薄い方がよく、厚さ0.2mm以下のもので
ある。本実施例ではCuテープを用い、導電性接着剤7
を用いて接着した。導電性接着剤7は、図1(b)に示
すように、接続電極層2の間のパターニングライン22
に入りこむことにより、固定強度が向上する。導電性テ
ープを用いるかわりに、絶縁性の高分子テープ、セラミ
ックテープ、紙テープ、布テープに導電性接着剤を塗布
したものを用いることもできる。また導電性粘着テープ
を用いてもよい。高分子テープの材料としては、ポリイ
ミド、ポリアミド、アラミド、ポリエチレン、ポリエチ
レンテレフタレート、などがある。このうち、可撓性基
板1と同じ材料であるポリイミド、アミミドの場合はも
ちろん、基板材料と異なっていても膨脹係数などの物性
値の近い材料を用いると、耐環境性に優れる。接続材6
の幅は、接続に十分でかつ面積効率を考慮した幅であれ
ばよく、1mm以上15mm以下が適当である。接続材
6の固定方法としては、接続材を載せた後で上からテー
プを貼ったりエチレンビニルアセテートなどの適当な材
料でラミネートするといった方法でもよい。
【0011】このような接続材6を接続電極列20の接
続部分に用いると、この部分の抵抗は確実に10-3Ω程
度以下となる。これは光電変換素子自体が持つ直列抵抗
の0.1〜数Ωに比べて十分小さく、この部分での抵抗
の問題は完全に解決する。接続のために用いられる電極
層20の面積も大きい必要はない。この場合接続材6の
下で電極がつながっている必要はないため、図4のよう
な接続電極層2の分離加工が可能となる。このパターニ
ングライン22は、端から端まで一直線であり、このよ
うな分離加工は、図2、図3の従来例に比べて簡単で必
要精度も緩い。また、取り出し端子41、42に列間接
続材6と同一材料を用いて同一工程で形成しておけば、
並列接続のための銅テープなどの配線5との接続工程が
単純化される。しかし、端子41、42を省略し、配線
5を端部の両極性電極31、32に直接接続することも
できる。基板表面上の光電変換素子構造は、本実施例で
は、端子41、42の下部11で基板1が残されてい
る。従って、端子41、42および列間接続材6に例え
ば導電性粘着テープを用いることがあっても、粘着テー
プが下の他の場所に付着する心配がない。また、基板1
をこのように突出した部分11を有する形に切る工程
を、端子41、42の接合の工程の後にすれば、端子4
1、42が基板1からはみ出すおそれもない。
【0012】このような可撓性光電変換装置の複数個を
ルーフィングの上に装着することにより、例えば特開平
7−45822公報に開示された太陽光発電用屋根とし
て用いることができる。 実施例2:図1(a)と同様の反光入射側から見た平面
図の図5に示すこの実施例では、並列接続のための配線
5の下にも基板1が存在している。従って光入射側から
見た場合、配線5はほとんど見えないので見栄えがす
る。そして、基板1は突出部11がない長方形であるか
ら、直交するカットを2回入れるだけで切り出すことが
できる。 実施例3:同様に反光入射側から見た平面図の図6に示
すこの実施例では、直列接続に必要な部分のみ基板1、
その上の接続電極2、可撓性接続材6を残留させて凸部
12を形成する。凸部12の幅をそれをはさむ凹部13
の開口幅より小さくしておく。これにより、各可撓性光
電変換装置を図のようにかみ合わせて配置することがで
きる。この結果、並列接続される可撓性光電変換装置の
端部間にはさまれた入射光に対しての無効面積が図1の
場合の約半分になる。かみ合わせ配置のためには凸部1
2の幅および凹部13の開口幅を両端で変えてもよい。
このような凹凸形状を形成するには、図7(a)に示す
ように、まず接続材6を全面的に固着したのち、凹部1
3の部分の基板1、接続電極層2および接続材6をカッ
タで切りとって凸部12を残す。この方法は、切断した
接続材6を固着する必要がないので、工程が簡単にな
る。
【0013】凸部12において凹部13の形状は図8
(a)、(b)、(c)のように直線、曲線あるいは、
直線と曲線の組み合わせなど様々にとることができ、デ
ザインの自由度が大きくなる。図8(b)、(c)に示
すように、凹部13が開口部に向かって広がる形状の場
合には、凹部13の輪郭を凸部の輪郭と同一にしても凸
部12と凹部13の接続材16の間に絶縁距離をとって
二つの可撓性光電変換装置を狭い間隔で近接させること
ができる。従って無効面積が最低限に抑えられる。 実施例4:同様に反光入射側から見た平面図の図9に示
すこの実施例では、図1に示した可撓性光電変換装置と
同様に接続電極列20を端部で可撓性接続材6を用いて
接続したのち、図上部のように最外側の接続電極列20
の外側あるいは図下部のように接続電極層2の全面を絶
縁材8で覆う。ただし、端子41、42は露出させてお
く。そのあとで絶縁材8の上を通る配線5を用いて可撓
性光電変換装置の並列接続を行う。その場合絶縁材8の
面と端子41、42の面との間に段差が生じて接続不良
が起こるおそれがあるときには、予の端子の上に導体4
3を固着させて段差を減らす。絶縁材8としてはエチレ
ンビニルアセテートのようなラミネート材あるいは高分
子フィルム、セラミックフィルム、ポリテトラフルオロ
エチレンフィルム、紙、布などを用いる。このうち高分
子フィルムとしてはポリイミド、ポリアミド、アラミ
ド、ポリエチレンあるいはポリエチレンテレフタレート
などのフィルムがある。端子と配線間に介在させる導体
43としては、実施例1において可撓性接続材6用に挙
げた部材を用いることができる。この構造では、実施例
2と同様に並列接続用の配線5が光入射側からほとんど
見えなくなる。また、光電変換素子の裏側を配線に用い
ることができ、配線によって生ずる無効面積を減らすこ
とができる。以上、特開平6−342924号に記載さ
れた基板裏面接続電極を用いた可撓性光電変換装置にお
ける実施例について述べたが、基板の光電変換層が形成
される側の面上で光電変換素子列の端部間で第一電極層
と第二電極層を接続する場合にも実施できることは明ら
かである。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、可撓性基板上の単位光
電変換素子の直列接続列間の接続を可撓性接続材を用い
て行うことにより、電極層の連結によって行う場合に比
して抵抗が確実に低減される。抵抗低減のための光電変
換への無効面積増加の必要もない。また、電極層を連結
するために分離加工線を途中で止める必要がなくなるた
め、加工精度に対する要求が緩和され、加工速度を向上
させることもできる。可撓性接続材に端子さらには配線
に用いる導体と同一のものを用いることができるため、
接続工程を簡略化する。これらにより、可撓性光電変換
装置の可撓性を損なうことなしに、特性の向上、製造コ
ストの大幅な削減が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】並列接続された本発明の一実施例の可撓性光電
変換装置を示し、(a)は反光入射側から見た平面図、
(b)は(a)のA−A線断面図
【図2】従来の可撓性光電変換装置の反光入射側から見
た平面図
【図3】並列接続された従来の可撓性光電変換装置の反
光入射側から見た平面図
【図4】図1の可撓性光電変換装置の基板裏面の平面図
【図5】並列接続された本発明の別の実施例の可撓性光
電変換装置の反光入射側から見た平面図
【図6】並列接続された本発明のさらに別の実施例の可
撓性光電変換装置の反光入射側から見た平面図
【図7】図6の可撓性光電変換装置の製造工程の一部を
(a)、(b)の順に示す平面図
【図8】図6、図7に示した可撓性光電変換装置の両端
の種々の形状を(a)、(b)、(c)に示す平面図
【図9】並列接続された本発明の異なる実施例の可撓性
光電変換装置の反光入射側から見た平面図
【符号の説明】
1 可撓性基板 12 凸部 13 凹部 2 接続電極層 20 接続電極列 22 パターニングライン 31 正電極 32 負電極 41 正端子 42 負端子 5 配線 6 可撓性接続材 7 導電性接着剤 8 絶縁材
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−99336(JP,A) 特開 平6−342924(JP,A) 特開 平3−239376(JP,A) 特開 昭62−49674(JP,A) 実開 昭58−133946(JP,U) 実開 昭51−37870(JP,U) 実開 平1−169051(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/04 - 31/078

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一つの可撓性基板上の一線上に形成した複
    数の単位光電変換素子を直列接続してなる素子列の複数
    個を各列の端部素子の電極間を接続することによって直
    列接続する可撓性光電変換装置の製造方法において、
    素子列の長手方向における端部素子の電極間を可撓性接
    を用いて接続することを特徴とする可撓性光電変換
    装置の製造方法。
  2. 【請求項2】一つの可撓性基板上に光電変換層をその両
    面に接する第一および第二電極層と共に形成したのち、
    各層を複数の直列接続された単位光電変換素子列に分離
    し、そのあと素子列両端で交互に隣接する第一、第二電
    極間を可撓性接続材で接続する請求項1記載の可撓性光
    電変換装置の製造方法。
  3. 【請求項3】一つの可撓性基板の一面上に光電変換層を
    その両面に接する第一、第二電極層と共に形成し、他面
    上に第三電極層を形成し、第一電極層および第二電極層
    をそれぞれ第三電極層に接続したのち基板一面上の各層
    を複数列のそれぞれ直列接続された単位光電変換素子に
    分離し、基板他面上の第三電極層を一つの単位光電変換
    素子の第一電極と同一列で隣接する単位光電変換素子の
    第二電極との双方に接続された接続電極ならびに第一お
    よび第二電極の一方のみに接続された端部電極に分離
    し、そのあと素子列両端で交互に第一および第二電極に
    接続された隣接する端部電極間を可撓性接続材によって
    接続する請求項1記載の可撓性光電変換装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】可撓性基板に高分子フィルムを用いる請求
    項1ないし3のいずれかに記載の可撓性光電変換装置の
    製造方法。
  5. 【請求項5】可撓性接続材に金属あるいは合金よりなる
    導電性テープを用いる求項1ないし4のいずれかに記載
    の可撓性光電変換装置の製造方法。
  6. 【請求項6】可撓性接続材が基板上に支持された請求項
    1ないし5のいずれかに記載の方法で製造された可撓性
    光電変換装置。
  7. 【請求項7】隣接する二つの素子列にはさまれた線の両
    端において基板の端部が、素子列間の接続を行う一端で
    は凸形、他端では凹形に形成され,その場合凸形と凹形
    が、一平面上で間隙を介してかみ合わせることのできる
    輪郭を有する請求項6記載の可撓性光電変換装置。
  8. 【請求項8】凸形および凹形が、基板をその上の各層お
    よび接続材と共に加工して形成された請求項7記載の可
    撓性光電変換装置。
  9. 【請求項9】最外側の素子列の端部素子の電極に接続さ
    れた端子が端部素子の電極間の接続に用いるものと同一
    の可撓性接続材よりなる請求項1ないし5のいずれかに
    記載の方法で製造された可撓性光電変換装置。
  10. 【請求項10】端子が基板上に支持された請求項9記載
    の可撓性光電変換装置。
  11. 【請求項11】端子に接続する配線が基板上に支持され
    た請求項10記載の可撓性光電変換装置。
  12. 【請求項12】第三電極層が絶縁体で覆われ、その際、
    少なくとも最外側の素子列の端部素子の電極に接続され
    た端子の先端が露出し、端子の露出部分に反第三電極層
    側の面に支持される配線が接続された請求項3に記載の
    方法で製造された可撓性光電変換装置。
  13. 【請求項13】露出した端子に導体が重ねられ、その導
    体の絶縁体の表面と実質的に同一平面上にある表面に配
    線が接続された請求項12記載の可撓性光電変換装置。
JP21149695A 1995-08-21 1995-08-21 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置 Expired - Fee Related JP3232965B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21149695A JP3232965B2 (ja) 1995-08-21 1995-08-21 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置
TW085109829A TW318285B (ja) 1995-08-21 1996-08-13
KR1019960034327A KR100434805B1 (ko) 1995-08-21 1996-08-20 가요성광전변환장치및그제조방법
US08/697,145 US5865904A (en) 1995-08-21 1996-08-20 Flexible photoelectric conversion module and method for its manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21149695A JP3232965B2 (ja) 1995-08-21 1995-08-21 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0964388A JPH0964388A (ja) 1997-03-07
JP3232965B2 true JP3232965B2 (ja) 2001-11-26

Family

ID=16606916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21149695A Expired - Fee Related JP3232965B2 (ja) 1995-08-21 1995-08-21 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5865904A (ja)
JP (1) JP3232965B2 (ja)
KR (1) KR100434805B1 (ja)
TW (1) TW318285B (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080314433A1 (en) * 1995-05-15 2008-12-25 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US6459032B1 (en) 1995-05-15 2002-10-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7732243B2 (en) * 1995-05-15 2010-06-08 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8076568B2 (en) 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7635810B2 (en) * 1999-03-30 2009-12-22 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US20090293941A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Daniel Luch Photovoltaic power farm structure and installation
US8138413B2 (en) * 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20090107538A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7507903B2 (en) * 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20080011350A1 (en) * 1999-03-30 2008-01-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and other optoelectric devices
US7898053B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898054B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20110067754A1 (en) * 2000-02-04 2011-03-24 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
JP2001237444A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光電変換装置の配線接続方法
JP2002076419A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュールの設置方法
JP4082651B2 (ja) * 2001-10-17 2008-04-30 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
CN100429793C (zh) * 2005-03-01 2008-10-29 李毅 非晶硅太阳能电池夹胶玻璃组件
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20080011289A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 National Science And Technology Development Agency Photovoltaic thermal (PVT) collector
US20080041434A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Nanosolar, Inc. Methods and devices for large-scale solar installations
US20100132768A1 (en) * 2007-05-14 2010-06-03 Mitsubishi Electric Corporation Solar Cell Module
KR101286126B1 (ko) * 2008-05-13 2013-07-15 주식회사 동진쎄미켐 염료감응 태양전지 모듈
US8247243B2 (en) * 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
KR101072073B1 (ko) * 2009-06-30 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
JP5992359B2 (ja) * 2013-04-15 2016-09-14 東芝三菱電機産業システム株式会社 太陽電池の製造方法
CN104752555B (zh) * 2013-12-30 2017-04-12 龙焱能源科技(杭州)有限公司 异形薄膜光伏组件的制作方法
US20160111573A1 (en) * 2014-10-21 2016-04-21 Tenksolar, Inc. Highly densified pv module
US10715078B2 (en) * 2017-03-22 2020-07-14 Sungeun K. Jeon Compact, self-deploying structures and methods for deploying foldable, structural origami arrays of photovoltaic modules, solar sails, and antenna structures

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617420A (en) * 1985-06-28 1986-10-14 The Standard Oil Company Flexible, interconnected array of amorphous semiconductor photovoltaic cells
JPH0744286B2 (ja) * 1986-03-04 1995-05-15 三菱電機株式会社 非晶質光発電素子モジュールの製造方法
JPH0697474A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JP2755281B2 (ja) * 1992-12-28 1998-05-20 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP3239657B2 (ja) * 1994-12-28 2001-12-17 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW318285B (ja) 1997-10-21
US5865904A (en) 1999-02-02
KR100434805B1 (ko) 2004-08-18
JPH0964388A (ja) 1997-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3232965B2 (ja) 可撓性光電変換装置の製造方法および可撓性光電変換装置
US9368651B2 (en) Buss bar strip
EP0482511B1 (en) Integrated photovoltaic device
US4609770A (en) Thin-film solar cell array
US5133810A (en) Flexible photovoltaic device and manufacturing method thereof
JPS60240171A (ja) 太陽光発電装置
JP2001332753A (ja) 軽量の太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2019506004A (ja) 太陽光発電モジュール用接続セル
US4131755A (en) Interconnection for photovoltaic device array
JP4101606B2 (ja) 薄膜太陽電池モジュール
JP2933003B2 (ja) 太陽電池素子の実装構造
JP2010258158A (ja) 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2004031646A (ja) 太陽電池モジュール
JP2567294Y2 (ja) 太陽電池モジュール
JP3605998B2 (ja) 太陽電池モジュールとその製造方法
US20210313479A1 (en) High Power Density Solar Module and Methods of Fabrication
JP3111813B2 (ja) 可撓性太陽電池モジュールの製造方法
JP3133269B2 (ja) 太陽電池パネル
JPS6230507B2 (ja)
JP2620884B2 (ja) 非晶質半導体光起電力素子
JPH0469425B2 (ja)
JPH0469426B2 (ja)
JP3237471B2 (ja) 薄膜光電変換装置
JPH0322574A (ja) 太陽電池セル
JPH08167727A (ja) 薄膜光電変換素子およびその電気的接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070921

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees