DE3517414A1 - Solargenerator - Google Patents
SolargeneratorInfo
- Publication number
- DE3517414A1 DE3517414A1 DE19853517414 DE3517414A DE3517414A1 DE 3517414 A1 DE3517414 A1 DE 3517414A1 DE 19853517414 DE19853517414 DE 19853517414 DE 3517414 A DE3517414 A DE 3517414A DE 3517414 A1 DE3517414 A1 DE 3517414A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solar battery
- amorphous
- battery element
- electrode
- solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005744 Teer Meer reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
- H01L31/0443—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTJEf?
BESCHREIBUNG
Solargenerator
Solargenerator
Die Erfindung bezieht sich auf einen Solargenerator gemäß
dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 .
Aus amorphem Silizium oder dgl. aufgebaute Solarbatterien
für Solargeneratoren, die beispielsweise in Stromversorgungseinrichtungen vorhanden sind, besitzen eine relativ
kleine Rückwärts-Sperrspannung. Werden innerhalb eines Moduls, in dem mehr als zwei Batterieelemente vorhanden sind,
einige dieser Batterieelemente abgeschirmt bzw. abgeschattet,
so werden diese abgeschatteten Batterieelemente durch die elektromotorische Kraft anderer Elemente in Rückwärtsrichtung
betrieben, so daß die abgeschatteten Batterieelemente leicht zerstört werden können. Um dies zu verhindern,
wird üblicherweise eine monokristalline Siliziumdiode als Schutzdiode mit dem Substrat der Solarbatterie
verbunden bzw. verlötet.
Ein konventioneller Solargenerator ist in Fig. 1 dargestellt Er besteht aus einem leitfähigen Substrat 1, auf dem eine
Halbleiterschicht 2 eines ersten Leitfähigkeitstyps aufgebracht ist. Diese Halbleiterschicht 2 kann beispielsweise
eine amorphe Siliziumschicht vom η-Typ sein. Auf der genannten
Halbleiterschicht 2 liegt eine Eigenhalbleiterschicht 3 aus amorphem Silizium. Darüber ist eine weitere Halbleiterschicht
4 eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet," beispielsweise eine Halbleiterschicht aus amorphem Silizium
vom p-Typ. Auf der Halbleiterschicht 4 liegt ein transparenter bzw. lichtdurchlässiger leitender Film 5. Der Film
5 ist mit Metallelektroden 6 verbunden, die Stromkollektoren
darstellen. Eine Metallelektrode 7 ist als Anschlußelektrode mit einem äußeren Bereich des Substrats 1 verbunden.
Auf der Anschlußelektrode 7 liegt ein kristalliner
V» ex**··
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER
- ··.-..·■ :- ..- 35174H
Siliziumhalbleiter 8 vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Mit dem Bezugszeichen 9 ist ein kristalliner Siliziumhalbleiter
vom ersten Leitfähigkeitstyp bezeichnet. Ein Verbindungsdraht 10 dient als Anschlußdraht für das Solarbatterieelement.
Durch einen weiteren Verbindungsdraht 11 wird die aus den Halbleiterelementen 8 und 9 bestehende
Schutzdiode mit der Metallelektrode 6 des Solarbatterieelementes verbunden.
Dieses Solarbatterieelement wird wie folgt hergestellt:
Halbleiterschichten 2, 3 und 4 aus amorphem Silizium werden
nacheinander auf das leitfähige Substrat 1 übereinanderliegend aufgebracht. Anschließend wird der transparente
leitfähige Film 5 durch Aufplattierung bzw. Niederschlag
im Vakuum auf der Halbleiterschicht 4 gebildet. Danach werden ebenfalls durch Niederschlag im Vakuum die Metallelektroden
6, die als Stromkollektoren dienen, auf dem transparenten elektrisch leitenden Film 5 und die Metallelektrode
7 auf dem Substrat 1 gebildet, so daß auf diese Weise ein Solarbatterieelement erhalten wird. Mit der Metallbzw.
Anschlußelektrode 7 wird eine Diode bzw. Schutzdiode verlötet. Diese Diode enthält einen mit der Metallelektrode
7 verbundenen kristallinen Siliziumhalbleiter 8 vom selben Leitfähigkeitstyp wie die amorphe Siliziumhalbleiterschicht
4 sowie einen kristallinen Siliziumhalbleiter 9 vom selben Leitfähigkeitstyp wie die amorphe Siliziumhalbleiterschicht
2. Die aus den Halbleitern 8 und 9 gebildete Diode ist einerseits über die Metallelektrode 7 und den
Anschlußdraht 10 mit einem weiteren Solarbatterieelement verbunden, während sie andererseits bzw. der Halbleiter
9 über den Anschlußdraht 11 direkt mit einer Metallelektrode 6 (Stromkollektorelektrode) des zugeordneten Solarbatterieelementes
verbunden ist. Die entsprechende Schaltung 5 ist in Fig. 2 dargestellt, während Fig. 3 die erhaltene
SAD ORfGiPU.
TER MEER · MÜLLER · STEINMEIST-ER
Strom-Spannungscharakteristik zeigt.
Nachteilig bei der konventionellen Solarbatterie ist, daß
jeweils bei einem Solarbatterieelement die relativ kleine Siliziumdiode mit dem Substrat verlötet werden muß. Beim
Einlöten dieser kleinen Diode kann häufig ein Kurzschluß erzeugt werden. Darüber hinaus verlängert sich durch das
Einlöten der genannten Schutzdioden der Herstellungsprozeß für eine derartige Solarbatterie, während gleichzeitig
die Betriebszuverlässigkeit abnimmt.
In der offengelegten japanischen Patentschrift Nr. 57-122580
ist eine weitere Solarbatterie beschrieben, bei der jeweils ein Solarbatterieelement mit einer einem benachbarten Solarbatterieelement
zugeordneten Diode verbunden ist, derart, daß die Diode parallel und in entgegengesetzter Richtung
zum erstgenannten Solarbatterieelement liegt. Mehrere derartige Parallelschaltungen liegen elektrisch in Reihe hintereinander.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Solargen.erator
der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß er einen einfacheren Aufbau besitzt und daß insbesondere
auf das Einlöten kleinerer Elemente verzichtet werden kann, um somit die Herstellungszeit zu verkleinern und die Betriebszuverlässigkeit
zu vergrößern.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruches 1 angegeben. 0
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen
zu entnehmen.
Der Solargenerator nach der Erfindung mit wenigstens einer amorphen Solarbatterie ist so ausgebildet, daß die; Solarbatterie
wenigstens ein als Ausgangselektrode dienendes
TER MEER · MPLLER ■ STEINMEIS'TER
loitfähiges 5-iubstrat, auf dem Substrat angeordnete amorphe
Schichten zur Bildung einer Übergangsstruktur aus einer p-leitenden, eigenleitenden und einer η-leitenden Schicht
für ein Solarbatterieelement und für eine Schutzdiode, eine Elektrode für das Solarbatterieelement sowie eine
Elektrode für die Schutzdiode, die beide auf den amorphen Schichten und getrennt voneinander angeordnet sind, und
eine auf einem Substratbereich, in dem keine amorphen Schichten vorhanden sind, liegende Anschlußelektrode aufweist.
Nach einer vorteilhaften Ausbildung der Erfindung besitzt
der Solargenerator mehrere amorphe Solarbatterieelemente, wobei die Elektrode eines amorphen Solarbatterieelementes
mit der Anschlußelektrode des benachbarten amorphen Solarbatterieelementes und die Elektrode der Schutzdiode
mit der Anschlußelektrode des anderen benachbarten amorphen Solarbatterieelementes verbunden sind.
Ein amorphes Solarbatterieelement kann beispielsweise nur eine einzige Übergangsstruktur enthalten. Es kann aber auch
mehrere übereinanderliegende Übergangsstrukturen aufweisen.
Die Zeichnung stellt Ausführungsbeispiele der Erfindung dar,
Es zeigen:
Fig. 1 einen konventionellen Solargenerator mit mehreren Solarbatterieelementen, denen jeweils eine Schutzdiode
zugeordnet ist,
30
30
Fig. 2 ein Schaltdiagramm des Solargenerators nach Fig. 1,
Fig. 3 eine Strom-Spannungscharakteristik des Solargenerators nach Fig. 1,
5
5
BAD
ter meer · Müller - steinmeist^r!! „ ι -.■■■■■■
— 7 —
Fig. 4 einen Solargenerator nach der Erfindung mit mehreren Solarbatterieelementen, die jeweils nur eine
einzige Übergangsstruktur aus amorphen Siliziumschichten besitzen,
5
5
Fig. 5 ein Schaltdiagramm des Solargenerators nach Fig. 4,
Fig. 6 eine Strom-Spannungscharakteristik des Solargenerators
nach Fig. 4 und
10
10
Fig. 7 einen weiteren Solargenerator nach der Erfindung,
bei dem die Solarbatterieelemente jeweils mehrere
Übergangsstrukturen aus halbleitenden Schichten aufweisen.
15
15
Bei dem in Fig. 4 dargestellten Solargenerator nach der Erfindung sind gleiche Elemente wie in Fig. 1 mit gleichen
Bezugszeichen versehen.
Der Solargenerator nach Fig. 4 besitzt eine Metallelektrode
12 für die Schutzdiode, die ebenfalls durch die drei amorphen
Siliziumhalbleiterschichten 2, 3 und 4 gebildet ist.
Die Metallelektrode 12 liegt auf der oberen halbleitendcn Schicht 4 und ist zur selben Zeit durch Vakuumplattierung
bzw. Vakuumaufdampfung auf den amorphen Schichten 2, 3 und
4 erzeugt worden, wie die ebenfalls durch Vakuumaufdampfung
gebildeten Metallelektroden 6, 7 auf dem transparenten Film
5 bzw. auf dem Substrat 1. Ein Verbindungsdraht 10 dient zur Verbindung einer Metallelektrode 6 eines Solarbatterieelementes
mit der Metallelektrode 7 (Anschlußelektrode) eines; benachbarten Solarbatterieelementes. Zur Verbindung der
Metallelektrode 12 der Schutzdiode mit der Metallelektrode 7 eines anderen benachbarten Solarbatterieelementes dient
der Verbindungsdraht 11.
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER '
— ο —
Der amorphe Siliziumhalbleiter besitzt einen relativen hohen
Widerstand, wobei nur der Bereich unterhalb der Flächenelektrode ein wirksamer aktiver Bereich ist. Dementsprechend
können gemäß Fig. 4 die amorphen Siliziumschichten unterhalb des transparenten leitfähigen Filmes 5 (Solarbatterieelektrode)
als elektrisch vollständig getrennt von den amorphen Siliziumschichten unterhalb der Metallelektrode
12 (Elektrode für die Schutzdiode) angesehen werden.
Der Betrieb dieses Solargenerators ist derselbe wie der Betrieb desjenigen Solargenerators, bei dem zwei voneinander
getrennte Dioden auf demselben Substrat angeordnet sind, und bei dem die Elemente gemäß den Fig. 4 und 5 miteinander
verbunden sind.
Die erhaltene Strom-Spannungscharakteristik ist in Fig. dargestellt, in der der Einfluß der Schutzdiode leicht zu
erkennen ist.
Bei dem Solargenerator nach der Erfindung ist die Schutzdiode auf demselben Substrat und zur selben Zeit wie das
Solarbatterieelement gebildet worden. Schutzdiode und Solarbatterieelement liegen also in einer einzigen und aus
mehreren Schichten bestehenden Übergangsstruktur. Es ist daher nicht mehr erforderlich, zusätzlich kleine kristalline
Siliziumdioden mit dem Substrat zu verlöten, so daß der Herstellungsprozeß des Solargenerators nach der Erfindung
einfacher ist. Darüber hinaus besitzt er eine höhere Be-0 triebszuverlässigkeit.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ist pro Solarbatterieelement
nur eine einzige Übergangsstruktur vorgesehen, die aus den drei genannten amorphen Siliziumhalbleiterschichten
2, 3 und 4 besteht. Selbstverständlich ist
SAD
TER MEER · MÜLLER · STEINMEIST;ER .
es auch möglieh, mehrere dieser Übergangsstrukturen aus
amorphen Siliziumschichten pro Solarbatterieelement vorzusehen, wobei die Übergangsstrukturen übereinanderliegend
angeordnet sind. Auch in diesem Fall läßt sich eine Schutzdiode
in der zuvor beschriebenen Weise erzeugen.
In.der Fig. 7 ist ein derartiger Solargenerator mit mehreren
übereinanderliegenden Übergangsstrukturen pro Solarbatterieelement dargestellt. Jeweils ein Solarbatterieelement
besitzt dabei drei Übergangsstrukturen aus jeweils drei amorphen Siliziumschichten.
Nach Fig. 7 besitzt jeweils ein Solarbatterieelement wiederum
ein leitfähiges Substrat 1. Auf diesem leitfähigen Substrat 1 ist eine Siliziumhalbleiterschicht 2 von einem
ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet, beispielsweise eine η-leitende Schicht. Eine daraufliegende Halbleiterschicht
13 (I) besteht beispielsweise aus einer eigenleitenden
amorphen Legierung mit tetraedrischer Bindung, beispielsweise aus a-SiGe:H. Die Halbleiterschicht 14 (II) besteht
ebenfalls aus einer eigenleitenden amorphen Legierung mit tetraedrischer Bindung, beispielsweise aus a-Si:H. Dagegen
besteht die Halbleiterschicht 15 (III) aus einer eigenleitenden amorphen Legierung mit tetraedrischer Bindung,
wie z. B. a-SiN:H. Die dargestellten weiteren drei Schichten 4 bestehen jeweils aus amorphem Siliziumhalbleitermaterial vom zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise aus
p-leitendem Material. Auf der oberen Halbleiterschicht 4
ist ein transparenter bzw. lichtdurchlässiger und elektrisch leitender Film 5 angeordnet, der mehrere Metallelektroden 6
trägt, die als Stromkollektoren dienen. Außerhalb des Bereiches der Halbleiterschichten befinden sich auf dem Substrat
1 eine Metall- bzw. Anschlußelektrode 7 auf jeder Seite der genannten Halbleiterschichten. Auf der obersten HaIbleiterschicht
4 ist darüber hinaus eine Metallelektrode 12
BAD
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTiER
angeordnet, um den Bereich der Schutzdiode innerhalb der genannten Übergangsstrukturen festzulegen. Der Verbindungsdraht 10 dient als Anschlußdraht für das Solarbatterieelement,
während der Verbindungsdraht 11 als Anschlußdraht für die Schutzdiode dient.
Die Wirkungsweise des Solargenerators nach Fig. 7 entspricht im wesentlichen der Wirkungsweise des Solargenerators nach
Fig. 4, bei dem nur eine Übergangsstruktur pro Solarbatterieelement vorhanden ist, das Strom erzeugt, wenn es mit
Licht bestrahlt wird.
Der transparente und für Licht durchlässige elektrisch leitfähige Film 5 und die Metallelektroden 6, 7 und 12
können darüber hinaus nicht nur durch Vakuumaufdampfung
sondern auch mit Hilfe geeigneter Sputterverfahren, Siebdruckverfahren
oder anderer geeigneter Verfahren erzeugt werden.
BAD
Claims (5)
- TE R MEER-MÜLLER-STEINMEISTER PATENTANWÄLTE-EUROPEAN PATENT ATTORNEYSDipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl. Ing. F. E. Müller Mauerkircherstrasse 45 D-8O0O MÜNCHEN 80Dipl. Ing. H. Steinmeister Artur-Ladebeck-Strasse 51 D-4800 BIELEFELD 1F-3640-02
Mü/Ur/sm14. Mai 1985Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, JapanSolargeneratorPriorität: 15. Mai 1984, Japan, Ser. No. 59-97848 (P)PATENTANSPRÜCHE'li Solargenerator mit wenigstens einer amorphen Solarbatterie, dadurch gekennzeichnet daß die Solarbatterie wenigstens- ein als Ausgangselektrode dienendes leitfähiges Substrat (1) ,- auf dem Substrat (1) angeordnete amorphe Schichten (2, 3, 4) zur Bildung einer Übergangsstruktur aus einer p-leitenden, eigenleitenden und einer η-leitenden Schicht für ein Solarbatterieelement und für eine Schutzdiode,- eine Elektrode (5, 6) für das Solarbatterieelement sowie eine Elektrode (12) für die Schutzdiode, dieTER MEER · MÖLLER · STEINMElS"TERbeide auf den amorphen Schichten (2, 3, 4) und getrennt voneinander angeordnet sind, und - eine auf einem Substratbereich, in dem keine amorphe Schichten (2, 3, 4) vorhanden sind, liegende Anschlußelektrode (7) aufweist. - 2. Solargenerator nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet, daß er mehrere amorphe Solarbatterieelemente enthält j und daß die Elektrode (5,6) eines amorphen Solarbatterieelementes mit der Anschlußelektrode (7) des benachbarten amorphen Solarbatterieelements und die Elektrode (12) der Schutzdiode (1, 2, 3, 4, 12) mit der Anschlußelektrode (7) des anderen benachbarten Solarbatterieelementes verbunden sind.
- 3. Solargenerator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein amorphes Solarbatterieelement nur eine einzige Übergangsstruktur 0 (2, 3, 4) enthält.
- 4. Solargenerator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß ein amorphes Solarbatterieelement mehrere übereinanderliegende Übergangs-
- 5 strukturen (2,13, 4; 2,14, 4; ...) enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59097848A JPS60240171A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 太陽光発電装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3517414A1 true DE3517414A1 (de) | 1985-11-21 |
Family
ID=14203149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853517414 Withdrawn DE3517414A1 (de) | 1984-05-15 | 1985-05-14 | Solargenerator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4638109A (de) |
JP (1) | JPS60240171A (de) |
DE (1) | DE3517414A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0327023A2 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dünnschichtsolarzelle aus amorphen Silizium und Schottkykontaktdiode auf einem gemeinsamen Substrat. |
EP0369717A2 (de) * | 1988-11-16 | 1990-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Sonnenzelle und ihr Herstellungsverfahren |
US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
DE19803326C1 (de) * | 1998-01-29 | 1999-06-17 | Phototronics Solartechnik Gmbh | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
US6274804B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-08-14 | Angewandte Solarenergie - Ase Gmbh | Thin-film solar module |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4877499A (en) * | 1984-11-05 | 1989-10-31 | The Dow Chemical Company | Membrane unit for electrolytic cell |
US4886586A (en) * | 1988-09-26 | 1989-12-12 | The Dow Chemical Company | Combination electrolysis cell seal member and membrane tentering means for a filter press type electrolytic cell |
US4915803A (en) * | 1988-09-26 | 1990-04-10 | The Dow Chemical Company | Combination seal and frame cover member for a filter press type electrolytic cell |
US4940518A (en) * | 1988-09-26 | 1990-07-10 | The Dow Chemical Company | Combination seal member and membrane holder for a filter press type electrolytic cell |
US4898653A (en) * | 1988-09-26 | 1990-02-06 | The Dow Chemical Company | Combination electrolysis cell seal member and membrane tentering means |
JPH10303467A (ja) | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Rohm Co Ltd | マルチチップモジュール |
US6248948B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of producing the same |
DE69939754D1 (de) * | 1998-05-28 | 2008-11-27 | Emcore Corp | Solarzelle mit einer integrierten monolithisch gewachsenen Bypassdiode |
DE69941667D1 (de) * | 1998-05-28 | 2010-01-07 | Emcore Solar Power Inc | Solarzelle mit einer integrierten monolitisch gewachsenen Bypassdiode |
GB2341273A (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-08 | Eev Ltd | Solar cell arrangements |
GB2341721B (en) * | 1998-09-04 | 2003-08-27 | Eev Ltd | Manufacturing method for solar cell arrangements |
US6635507B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-10-21 | Hughes Electronics Corporation | Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly |
US6784358B2 (en) * | 2002-11-08 | 2004-08-31 | The Boeing Co. | Solar cell structure utilizing an amorphous silicon discrete by-pass diode |
JP4868746B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-02-01 | シャープ株式会社 | 薄膜化合物太陽電池およびその製造方法 |
US20060180198A1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and method of manufacturing solar cell string |
JP4290747B2 (ja) | 2006-06-23 | 2009-07-08 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびインターコネクタ付き光電変換素子 |
JP4819004B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2011-11-16 | シャープ株式会社 | 太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール |
JP2011165837A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Sharp Corp | 太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび太陽電池セル |
DE102014004390A1 (de) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Solaero Technologies Corp. | Solarzellenanordnung mit Bypass-Dioden |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3912539A (en) * | 1972-02-03 | 1975-10-14 | Ferranti Ltd | Solar cells |
US3956765A (en) * | 1972-11-03 | 1976-05-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Integrated semiconductor arrangement |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
JPS5715473A (en) | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Seiko Epson Corp | Thin film solar battery |
JPS57122580A (en) | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5669871A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | Sunray generating device |
US4481378A (en) * | 1982-07-30 | 1984-11-06 | Motorola, Inc. | Protected photovoltaic module |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59097848A patent/JPS60240171A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-07 US US06/731,276 patent/US4638109A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-14 DE DE19853517414 patent/DE3517414A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3912539A (en) * | 1972-02-03 | 1975-10-14 | Ferranti Ltd | Solar cells |
US3956765A (en) * | 1972-11-03 | 1976-05-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Integrated semiconductor arrangement |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
JPS5715473A (en) | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Seiko Epson Corp | Thin film solar battery |
JPS57122580A (en) | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 57-122 580 (A), engl. Abstract * |
JP 57-15 473 (A), engl. Abstract * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0327023A2 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dünnschichtsolarzelle aus amorphen Silizium und Schottkykontaktdiode auf einem gemeinsamen Substrat. |
EP0327023A3 (en) * | 1988-02-05 | 1990-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and schottky barrier diode on a common subrate |
US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
EP0369717A2 (de) * | 1988-11-16 | 1990-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Sonnenzelle und ihr Herstellungsverfahren |
EP0369717A3 (en) * | 1988-11-16 | 1990-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A solar cell and a production method thereof |
DE19803326C1 (de) * | 1998-01-29 | 1999-06-17 | Phototronics Solartechnik Gmbh | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
EP0933818A1 (de) * | 1998-01-29 | 1999-08-04 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
US6013870A (en) * | 1998-01-29 | 2000-01-11 | Angewandte Solarenergie--ASE GmbH | Thin-film solar module |
US6274804B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-08-14 | Angewandte Solarenergie - Ase Gmbh | Thin-film solar module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60240171A (ja) | 1985-11-29 |
US4638109A (en) | 1987-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3517414A1 (de) | Solargenerator | |
DE4136827C2 (de) | Solarzelle mit einer Bypassdiode | |
DE112016003768B4 (de) | Sonnenkollektor | |
DE602006000394T2 (de) | Rechteckiges Solarzellenmodul und sein Herstellungsverfahren aus hexagonal geformten Einzelsolarzellen | |
DE3826721A1 (de) | Festkoerper-solarzelle mit nebenschluss-diodensystem | |
DE3036869C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren | |
DE3636230C2 (de) | Informationsumwandlungsvorrichtung | |
DE3031907A1 (de) | Solarzelle und solarzellenverbund sowie verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3615515A1 (de) | Halbleitereinrichtung zur umwandlung von licht in elektrische energie | |
DE19921545A1 (de) | Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen | |
DE3709153A1 (de) | Mehrlagige duennfilmsolarzelle | |
DE3121350A1 (de) | "verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie" | |
DE102006057454A1 (de) | Photovoltaisches Modul | |
DE2246115A1 (de) | Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung | |
DE2363120B2 (de) | Sonnenzellenanordnung | |
DE69921607T2 (de) | Verfahren zum Entfernen von Kurzschluss-Abschnitten einer Solarzelle | |
DE2736878A1 (de) | Photoelektrisches element in einer monolithischen bildaufnahmeeinrichtung | |
DE3819671C2 (de) | ||
DE4104713A1 (de) | Mehrzelliger integrierter solarzellenmodul und verfahren fuer dessen herstellung | |
DE112016001478T5 (de) | Solarbatteriezelle und verfahren zur herstellung der solarbatteriezelle | |
DE10125036B4 (de) | Verfahren zum Schützen einer Solarzelle | |
DE3903837C2 (de) | ||
DE3526337C2 (de) | ||
DE102020128080B4 (de) | Solarzellenmodul | |
DE102020100353B3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle und rückseitenkontaktierte Solarzelle |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8130 | Withdrawal |