DE3036869C2 - Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren

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Katsuhiro Musashimurayama Shimohigashi
Hideo Tokio/Tokyo Sunami
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bzw. 8 vorausgesetzten Art und ein Schaltkreisaktivierverfahren dafür.
Eine solche Halbleiterschaltung ist aus »IEEE Journal of Solid-State Circuits«, VoLSC-IO, No. 4, Aug. 1975, S. 219—228 bekannt, wo die Verwendung von laser-gebildeten Verbindungen zur Ermöglichung von Halbleiterplättchenreparatur und gegenseitiger Verbindung gutfunktionierender Teile offenbart ist Der gezeigte Aufbau ist ein MOS-Aufbau, der eine n+Si-Diffusionslinie in einem Halbleitersubstrat, eine auf der n+Si-Diffusionslinie abgeschiedene SiOrlsolierschicht und eine
ίο auf der SiCVIsolierschicht abgeschiedene Al-Linie enthält Die Strahlung eines fokussierten Laseriinpulses von der Al-Linienseite bewirkt die öffnung von Al, die Beseitigung von S1O2 und die Bewegung geschmolzenen Siliziums zum Kontakt Al nach oben, wodurch eine elektrische Bahn zwischen der Al-Linie und der n+Si-Diffusionslinie geschaffen wird. Offenbar erfordert dieser Prozeß einen Laserimpulsstrahl hoher Energie, und daher besteht die Gefahr, daß geschmolzenes Al oder Si einen daran angrenzenden Teil der SiO2-Schicht be-
2G schädigt
Die gleiche Technik ist auch in »Appüeii Physics Latters«, Febr. 1975, S. 124-126 erläutert
Die Fi g. IA und IB der Zeichnung veranschaulichen ein Herkömmliches Schaltkreisaktivierverfahren, bei dem eine polykristalline Siliziumschicht oder eine Aluminiumschicht 1, die von einem Siliziumsubstrat 3 durch eine darauf gebildete SKVSchicht elektrisch isoliert ist, mit einem Laserstrahl 4 bestrahlt wird, um die Schicht 1 aufzuschneiden. Als ein Beispiel dieses Verfahrens berichteten R. P. Cenker et aL 1979, in »ISSCC Digest of Technical Papers« ihre Versuchsergebnisse, bei denen die Zwischenverbindung bezüglich der Dekodierer eines MOS-Speichers so geändert wird, daß ein mit einer fehlerhaften Speicherzelle verbundener Dekodierer ab-
j5 getrennt und die fehlerhafte Zelle durch eine mit einem Ersatzdekodierer verbundene fehlerfreie Speicherzelle ersetzt wird.
Jedoch hat das obige Verfahren, bei dem ein Element aufgeschnitten bzw. abgetrennt wird, die folgenden Nac:;teiie.
1. Es wird ein Laserstrahl hoher Energie benötigt, so daß das geschmolzene polykristalline Silizium oder Aluminium einen Teil der daran angrenzenden SiO2-Schicht schädigt oder der Laserstrah! zur Beeinträchtigung des Substrats neigt. Demgemäß muß ein Halbleiterplättchen viel Platz zur Schaltkreisauslegung haben, was zu einem großflächigen Plättchen führt
2. Die Verwendung nur der Durchtrennnungsarbeitsweise zur Schaltkreisaktivierung ist manchmal uii · ter dem Gesichtspunkt einer wirksamen Ausnutzung der Plättchenflächenausdehnung nachteilig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiterschaltung der eingangs vorausgesetzten Art zu entwickeln, in der eine Schaltkreissubstitution, d. h. der Ersa;z des defekten regulären Schaltkreises durch den Ersatzschaltkreis durch die Einstrahlung von Laser- oder Elektronenstrahlenergie schadlos und platzsparend möglich ist, und ein Schaltkreisaktivierverfahren für diese Integrierte Halbleiterschaltung anzugeben.
Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, wendet die
1,5 Erfindung grundsätzlich eine Kurzschlußarbeitsweise an. Eine gewünschte Funktion läßt sich durch Anwendung lediglich der Kurzschlußarbeitsweise erzielen. Jedoch kann der Freiheitsgrad für die Schaltkreisverbin-
dungsänderung verbessert werden, wenn die herkömmliche Durchtrennungsarbeitsweise zusammen mit der Kurzschlußarbeitsweise mittels des gleichen Systems angewendet wird. Im einzelnen ermöglicht ein für die erfindungsgemäß angewandte Kurzschlußarbeitsweise verwendetes Aktivierelement eine Schaltkreisaktivierung durch seine Umwandlung von einem Element unvollständiger Verbindung zu einem Element vollständiger Verbindung, d. h. seine Umwandlung von einem nichtleitenden Verbindungselement in ein leitendes Verbindungselement oder ein leitfähig machbares Verbindungselement (d. h. ein Element, das leitend werden kann).
Die genannte Aufgabe wird hinsichtlich der Halbleiterschaltung durch die kennzeichnenden Merkmale der Patentansprüche 1 bzw. 8 und hinsichtlich des Aktivierverfahrens durch das kennzeichnende Merkmal des Patentanspruchs 15 gelöst.
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen 2 bis 7 und 9 bis 14 bzw. in den Patentansprüchen 16 bis 22 gekennzeichnet.
Das neue Aktivierhalbleiterelement mit dem beanspruchten Aufbau eignet sich zum Umwandeln von seinem nichtleitenden in einen leitenden oder leitfähig machbaren Zustand durch eine örtliche Laser- oder Elektronenstrahlbestrahlung. Diese Umwandlung wird hauptsächlich einfach durch die Dotierstoffdiffusion von zwei entgegengesetzten Niedrigwiderstandsteilen (oder beabstandeten Diffusionsbereichen) in einem Zwischen-Hochwiderstandsteil (oder Zwischen-Oberflächenbereichsteil) ermöglicht In einem alternativen Ausführungsbeispiel ist die Dotierstoffdiffusion von einer zusätzlich vorgesehenen, dotierten Isolierschicht verfügbar. Das umgewandelte Bauelement dient als Kurzschließelement, pn-Übergangselement oder Transistor.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Äusführungsbcispiele näher erläutert; darin zeigen
Fig. IA und IB Perpsektivansichten zur Erläuterung eines herkömmlichen Durchtrennens der Verbindung durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl;
F i g. 2A und 2B Perspektivansichten zur Darstellung eines Beispiels eines Widerstandstyp-Schaltkreisaktivierelements, das durch Bestrahlung mit einem Laserstrahlpunkt in den Kurzschlußzustand gebracht wird;
F i g. 2C und 2D Perspektivansichten zur Darstellung eines anderen Beispiels eines Widerstandstyp-Schaltkreisaktivierelements, das durch Bestrahlung mit einem Laserstrahlpunkt in den Kurzschlußzustand gebracht wird;
F i g. 3A ein Diagramm zur Darstellung der Strom-Spannungs-Charakteristik des in den F i g. 2A und 2B gezeigten Elements;
Fig.3B ein Diagramm zur Darstellung der Strom-Spannungs-Charakteristik des in den Fig.2C und 2D dargestellten Elements;
Fig.4 ein SchaJtkreisdiagramm zur Veranschaulichung eines Dekodiererschaltkreises, der Schaltkreisaktivierelemente gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält;
F i g. 5 einen Schnitt durch ein Element mit versetztem Steuerelektrodenaufbau;
F i g. 6 einen Schnitt durch einen MOS-Transistor mit versetzter Steuerelektrode;
Fig.7 und δ Schnittdarstellungen zur Verarschaulichung, daß ein Element mit versetzter Steuerelektrodenstruktur durch die Bestrahlung mit einem Laserstrahlpunkt in einen MOS-Transistor mit versetzter Steuerelektrode durch die Bestrahlung mit einem Laserstrahlpunkt verändert wird, um als Schaltkreisaktivierelerr.ent verwendet zu werden;
Fig.9 ein Schaltungsschema zur Darstellung einer Dekodiererschaltung, die Schaltkreisaktivierelemente nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält; und
Fig. 10, 11, 12 und 13 Schnittdarstellungen weiterer Ausführungsbeispiele eines Schaltkreisaktivierelements.
Die Erfindung soll nun im einzelnen anhand mehrerer Ausführungsbeispiele erläutert werden.
In F i g. 2A ist ein Schaltkreisaktivierelement gezeigt, bei dem zwei polykristalline η +-Siliziumschichten 5 und 7 von einem Si-Substrat 9 durch eine darauf abgeschiedene SiOrSchicht 8 isoliert und einander gegenüber unter Einfügung einer eigenleitenden Schicht (i-Schicht)
6 angeordnet sind. Die i-Schicht 6 ist aus einer dotierten oder undotierten polykristallinen Siiiziumscnicht gebiidet, die einen sehr hohen Widerstand (z. B. einen Flächenwiderstand von mehr als 100 kD/D) hat. Wenn dieses Schaltkreisaktivierelement mit einem Laser- oder Elektronenstrahl 10 bestrahlt wird, um eine ausreichende Energiemenge zuzuführen, um Dotierstoffe von den η ■'•-Schichten 5 und 7 in die i-Schicht 6 einzudiffundieren, wird die hochohmige Schicht 6 in eine niederohmige n-Schicht 11 umgewandelt, wie in F i g. 2B gezeigt ist. So weisen die vor der Bestrahlung mit dem Strahl 10 (während das Schaltkreisaktivierelement den nichtaktiven Zustand einnimmt) in einem nichtleitenden Zustand gehaltenen n+-Schichten 5 und 7 in den leitenden Zustand nach der Bestrahlung mit dem Strahl 10 gebracht, so daß das Schaltkreisaktivierelement aktiviert wird.
Der Leitungstyp jeder der niederohmigen Schichten 5 und 7 ist in Fig. 2A und 2B als n+-Typ dargestellt, kann jedoch auch ρ+-Typ sein.
Die Ergebnisse eines bezüglich des ir. F i g. 2A dargestellten Schaltkreisaktivierelements sollen nun erläutert werden Es wurde ein n+-i-n+-Polysilizium-Schichtaufbau verwendet, in dem der Abstand zwischen den η+-Schichten 5,7 etwa 3 μΐη ist, jede Schicht eine Breite von 3μπι hat und die η+-Schicht mit Phosphor oder Arsen in einer Konzentration von mehr als oder gleich lO'Vcm3 dotiert ist. Das Schaltkreisaktivierelement hatte einen Widerstand von mehr als 10'°Ω vor der Bestrahlung mit dem Laserstrahl und konnte daher als Isolator betrachtet werden. Das Element wurde 20 ns mit dem Laserstrahlpunkt mit einem Durchmesser von
7 μπι und einer Energie von 5 · 107 W/cm2 bestrahlt, um den Widerstand des Elements auf ein auf 500 Ω verringertes Niveau zu bringen, wie in F i g. 3A gezeigt ist In Fig.3A bezeichnet die Bezugsziffer 301 die Strom-Spannungs-Charakteristik des Elements (das einen Widerstand von mehr als 10ι0Ω gezeigt hatte) vor der Laserbestrahlung, und die Bezugsziffer 302 bezeichnet die Strom-Spannungscharakteristik des Elements nach der Laserbestrahlung (was einem Widerstand von 500 Ω entspricht). Man versteht, daß der Widerstand des Schaltkreisaktivierelements vor der Laserbestrahlung mehr als lO^ial so groß wie nach der Laserbestrahlung ist und das Element kann nach der Laserbestrahlung als ein Leiter angesehen werden. Die dem Element durch den Laserstrahl zugeführte Energie ist weniger als ein Hundertstel der zum Durchtrennen einer Al-Schicht eras forderlichen Energie und weniger als V·« der zum Durchtrennen einer polykristallinen Siliziumschicht erforderlichen Energie. Das Si-Substrat oder die SK>2-Schicht darunter und eine SiOr oder (nicht darge-
stellte) SiN-Schicht auf der polykristallinen Siliziumschicht wurden durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl nicht beeinträchtigt.
Eine Abänderung des in Fig.2A gezeigten Schaltkreisaktivierelements ist in F i g. 2C dargestellt. Gemäß F i g. 2C liegt ein Schaltkreisaktivierelement vor, bei dem zv,v; polykristalline η+-Siliziumschichten 5 und 7, die auf einer SiCb-Schicht 8 gebildet sind, die auf einem Si-Substrat 9 abgeschieden ist, einander durch eine n--Schicht 6' (die durch die in Fig.2Λ gezeigte i-Schicht ersetzt werden kann) gegenüberliegen, die aus einer polykristallinen Sliziumschicht mit einem hohen Widerstand (z. B. einem Flächenwiderstand von mehr als 10 kn/Q) gebildet ist, doch ist der n+-n--n + -Aufbau mit einer einen Dotierstoff, z. B. Phosphor, enthaltenden Isolierschicht 8' überzogen. Wenn dieses Element mit einem Laser- oder Elektronenstrahl 10 zur Einwirkung «;««»». nnrrainhenrlan PnpralAmAnop hpctrnhlt U/irH lim
den n-Dotierstoff aus der Isolierschicht 8' in die η--Schicht 6' einzudif fundieren, wird die hochohmige Schicht 6' in die niederohmige n-Schicht 11' umgewandelt, wie F i g. 2D zeigt.
Fig.3B zeigt die mit dem in Fig.2C gezeigten Aufbau erhaltenen Versuchsergebnisse. In F i g. 3B bezeichnet die Bezugsziffer 303 die Strom-Spannungs-Charakteristik vor der Laserbestrahlung (was einem Widerstand von ΙΟΙίΩ entspricht), und die Bezugsziffer 304 bezeichnet diejenige nach der Laserbestrahlung (die einem Widerstand von 500 Ω entspricht). Der Widerstand des Sc\altkreisaktivierelements vor der Laserbestrahlung ist also 20mal so groß wie der nach der Laserbestrahlung. Bei diesem Versuch wurde ein polykristalliner n+-n--n+-Siliziumschichtaufbau verwendet, bei dem der Abstand zwischen den n+-Schichten etwa 4 μπι ist, jede Schicht eine Breite von 3 μπι hat und die η+ -Schicht mit Phosphor oder Arsen in einer Konzentration von mehr als oder gleich 10l8/cm3 dotiert ist Die Isolierschicht 8' wurde aus einer 1 bis 4 MoL-% Phosphor enthaltenden Phosphorsilikatglas
(PSG)-Schicht gebildet. Das Element wurde etwa 30 ns mit dem Laserstrahlpunkt eines Durchmessers von 5 μπι und einer Energie von etwa 108 W/cm2 bestrahlt
. Die den n-Dotierstoff enthaltende Isolierschicht 8' braucht nicht die gesamte Oberfläche des n+-n--n+-Aufbaus zu bedecken, sondern es kann auch nur die n--Schicht 6' mit der Isolierschicht 8' überzogen sein. Auch kann die Isolierschicht 8' unter dem η+-η--η+-Aufbau oder an dessen Seitenflächen vorgesehen sein. Außerdem kann eine dünne Isolierschicht (z. B. eine 10 bis 50 μπι dicke SiO2-Schicht) zwischen der Isolierschicht 8' und der hochohmigen Schicht 6' eingefügt sein.
Obwohl in Fig.2C nicht dargestellt wird die η+-Schicht 5 oder 7 direkt oder durch eine Metallisierung, wie z. B. AL mit einem im Substrat 9 gebildeten Halbleiterbauelement oder mit einer auf der-SiOrSchicht 8 vorgesehenen Verbindungsstelle verbunden. Das gleiche gilt für das in F i g. 2A dargestellte Ausführungsbeispiel.
Wie man aus den vorstehend erläuterten Versuchen entnimmt haben die in den F i g. 2A und 2C dargestellten Schaltkreisaktivierelemente folgenden Vorteile.
1. Der Widerstand des Elements wird durch die Laserbestrahlung in der Größenordnung von beispielsweise mehr als ΙΟ6 verringert, und daher läßt sich ein Isolator oder ein hochohmiges Element in ein Leiterelement oder ein niederohmiges Element
umwandeln.
Es kann eine unaufwendige Niedcrleistungslaserquelle verwendet werden, da nur eine relativ geringe Energiemenge benötigt wird.
Die darunterliegende Schicht oder das Substrat und die isolierende Passivierschicht werden durch die Laserbestrahlung nicht beeinträchtigt.
Es soll nun eine integrierte Halbleiterschaltung erläutert werden, bei der ein Schaltkreisaktivierverfahren gemäß der Erfindung anwendbar ist. Fig.4 zeigt einen Speicherdekodierer, in dem fehlerhafte Bits durch ausgewählte Ersatzbits ersetzt werden können, indem man solche Widerstandselemente, wie sie in F i g. 2A gezeigt sind, als Schaltkreisaktivierelement verwendet. In Fig.4 bezeichnen die Bezugsziffern 101 bis 121 P-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode (MOS-Transistoren), 122 bis 148 N-Kanal-MOS-Transistoren und 149 bis 171 polykristalline Silizium (Poly-Si)-Schichten von n+-i-n+-Aufbau, die an den mit ^-Markierungen angedeuteten Stellen mit Laserstrahlen bestrahlt werden. Das Symbol Kx bezeichnet einen Zuführungsspannungs-Eingangsanschluß. In dem dargestellten Speicherdekodierer wird eine aus einer Mehrzahl von Wortleitungen 185, 186, 187, 188 usw. entsprechend der Hoch/Tief-Niveauinformation von Adreßsignalen a<> bis as und ab bis ä·, auf Adreßleitungen 173 bis 184 gewählt, so daß die gewählte Wortleitung auf ein Hochpotentialniveau gebracht wird. Da bei diesem Dekodierer 6 Adreßsignale ao bis as verwendet werden, kann eine gewünschte Wortleitung unter 2s (= 64) Wortleitungen ausgesucht werden. Zur Vereinfachung der Darstellung sind jedoch nur vier Wortleitungen 185 bis 188 in F i g. 4 gezeigt Die Leitungen 189 und 190 sind mit Ersatzspeicherzellen verbundene Ersatzwortleitungen. Die Ersatzwortleitungen 189 bis 190 werden auf einem Niedrigpotentialniveau gehalten, wenn es keine fehlerhafte Speicherzelle gibt. Wenn man eine fehlerhafte Zelle unter den mit der Wortleitung 187 oder 188 verbundenen Speicherzellen findet werden die mit X angedeuteten η+-i-n+-Strukturen mit Laserstrahlen bestrahlt. Dadurch wird die Polysilizium-Schicht 150 kurzgeschlossen, so daß jeder der Steuerelektroden der Transistoren 141 und 143 die Zuführungsspannung Vrc zugeführt wird. Als Ergebnis werden die Wortleitungen 187 und 188 niemals aktiviert (d.h. werden auf dem Niedrigpotentialniveau gehalten). Andererseits wird jede der Polysiliziumschichten 151,152,154,156,160,162, 164, 166, 169 und 170 kurzgeschlossen, so daß ein Ersatzdekodierer aktiviert wird und den gleichen Schaltkreis,aufbau wie ein regulärer Dekodierer zeigt der aus den Transistoren 106 bis 110,127 bis 131,118,119 und 141 bis 144 aufgebaut ist Dann werden die Wortleitungen 187 und 188 durch die Wortleitungen 189 und 190 ersetzt Ein in Fig.4 gezeigter Widerstand 172 wird verwendet um die Wortleitungen 189 und 190 auf dem Niedrigpotentialniveau zu halten, wenn der Ersatzdekodierer 401 nicht verwendet wird. Der Widerstandswert des Widerstandes 172 kann größer als der Widerstandswert der in Reihe geschalteten Transistoren 132 bis 136 sein.
In der obigen Weise kann der Ersatz fehlerhafter Bits durch Ersatzbits ohne weiteres durchgeführt werden.
In den vorstehenden Ausführungsbeispielen wurde die Polysüiziumschicht für das Schaltkreisaktiviereiement verwendet Jedoch versteht es sich, daß das Schaltkreisaktivierelement auch aus einer monokristallinen Siliziumschicht oder aus einer aus anderen Materialien
als Silizium hergestellten Halbleiterschicht gebildet werden kann.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, können unter Verwendung der in den F i g. 2A und 2C gezeigten Widerstandstyp-Schaltkreisaktivierelemente Schaltkreisaktivierungen durchgeführt werden.
Dabei win1 eine bestimmte Schaltkreisverbindung hergestellt, indem man ein Widerstandstyp-Schaltkreisaktivierelement aus seinem hochohmigen Bereich in einen niederohrmigen Zustand bringt, indem man darauf die Strahlung eines Laserstrahlpunktes einwirken läßt, wodurch ein gewünschter Schaltkreis vollendet wird. Im besonderen kann dabei ein Ersatzschaltkreis mit einem regulären Schaltkreis verbunden werden oder auch ein fehlerhafter Teil eines regulären Schaltkreises eliminiert werden, wobei ein Ersatzschaltkreis mit dem regulären Schaltkreis zwecks Ersatzes des fehlerhaften Teils durch den Ersatzschaltkreis verbunden wird.
Es sollen nun Beispiele von Schaltkreisaktivierelementen anderer Art beschrieben werden.
Für Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode (MOS-Transistoren) wurde ein Aufbau mit versetzter Steuerelektrode vorgeschlagen, um eine parasitäre Kapazität zu verringern, die aufgrund einer Überlappungsanordnung eine Steuerelektrode und eines Senke- oder Quellebereichs entsteht. Der Aufbau mit versetzter Steuerelektrode ist im Querschnitt in F i g. 9 dargestellt.
In F i g. 5 bezeichnen die Bezugsziffer 51 ein Halbleitersubstrat aus z. B. p-Si, die Bezugsziffer 52 eine Steuerelektrodenisolierschicht, die Bezugsziffer 53 eine aus einer polykristallinen Siliziumschicht od. dgl. gebildete Steuerelektrode, die Bezugsziffer 54 eine Isolierschicht zur Isolation zwischen Schaltkreisbauelementen, und die Bezugsziffern 551 und 552 aus n+-Schichten gebildete Quelle- und Senkebereiche. Wie dargestellt, überlappt die Steuerelektrode 53 keine der Quelle- und Senkebereiche 551 und 552. F i g. 6 zeigt ein Beispiel von MOS-Transistoren mit versetzter Steuerelektrode unter Verwendung des in F i g. 5 dargestellten Aufbaus. In F i g. 6 bezeichnen die Bezugsziffer 62 eine Steuerelektroden-Isolierschicht, die Bezugsziffer 63 eine Steuerelektrode, die Bezugsziffer 651 einen Quellebereich, die Bezugsziffer 652 einen Senkebereich, und die Bezugsziffern 561,562,661 und 661 in der Oberfläche des Halbleitersubstrats 51 gebildete, schwach dotierte, flache n-Schichten. Die n-Schichten 561,562,661 und 662 werden durch einen Ionenimplantierprozeß unter Verwendung der Steuerelektroden 53 und 63 (deren jede aus einer polykristallinen Siliziumschicht besteht) als Maske gebildet Arsen oder Phosphor kann als der n-Dotierstoff mit der Dosierung von 10" bis 1014cm-2 und der Implantiertiefe von 0,1 bis 0,5 μπι verwendet werden. Der Widerstand des p-Si-Substrats 51 wird innerhalb eines Bereichs von 2 bis 20 Ω · cm gewählt, und die Quelle- und Senkebereiche 551, 552, 651 und 652 haben eine Dotierstoffkonzentration von mehr als 1020 cm-3.
Der MOS-Transistor mit versetzter Steuerelektrode kann mittels des im Vorstehenden beispielsweise angegebenen Ionenimplantierprozesses gebildet werden. Wenn das in F i g. 5 gezeigte Element mit versetztem Steuerelektrodenaufbau örtlich erhitzt oder mit einem solchen Energiestrahl wie Laser- oder Elektronenstrahl bestrahlt wird, können die Quelle- und Senkebereiche 551 und 552 ausgedehnt (oder wachsen gelasseu) werden. Gemäß Fi g. 7, die so gebildete MOS-Transistoren zeigt, werden die Quelle- und Senkebereiche 551, 552, 651 uno 652 durch die Bestrahlung mit Energiestrahlen 581 und 582 ur.'sr Bildung entsprechend vergrößerter Bereiche 571,572,671 und 672 ausgedehnt.
So versteht man, daß eine gewünschte Schaltkreisaktivierung einer integrierten Schaltung möglich ist, indem man das in F i g. 5 dargestellte Element mit dem versetzten Steuerelektrodenaufbau als ein Bestandteilsbauelement der integrierten Schaltung verwendet. Im einzelnen sind, wenn ein Hauptteil oder regulärer Schaltkreisteil einer integrierten Halbleiterschaltung aus solchen
ίο wie in Fig.6 dargestellten MOS-Transistoren hergestellt ist und Bauelemente des versetzten Steuerelektrodenaufbaus, wie sie in F i g. 5 gezeigt sind, ebenfalls in der gleichen integrierten Halbleiterschaltung vorgesehen werden, die folgenden Schaltkreisaktivierungen möglich.
Dabei wird das Bauelement versetzten Steuerelektrodenaufbaus durch die Strahlung eines Energiestrahls aktiviert (d. h. die Quelle- und Senkebereiche werden zu einem Kanal unter der Steuerelektrode so ausgedehnt, daß die Leitung zwischen der Quelle und der Senke durch das Anlegen eines Steuersignals ermöglicht wird), wodurch eine vorbestimmte Schaltkreisverbindung geschaffen wird, um einen gewünschten Schaltkreis zu vervollständigen. Im besonderen kann dabei ein Ersatz-Schaltkreis mit dem regulären Schaltkreis mitteis der Aktivierung des Elements versetzten Steuerelektrodenaufbaus verbunden werden oder auch ein Ersatzschaltkreis mit dem regulären Schaltkreis mittels der Aktivierung des Elements versetzten Steuerelektrodenaufbaus verbunden werden, während ein fehlerhafter Teil des regulären Schaltkreises eliminiert wird, so daß der fehlerhafte Teil durch den Ersatzschaltkreis ersetzt wird.
Es versteht sich, daß die Schaltkreisaktivierung irgendeines gewünschten Schaltkreises in der Weise möglich ist, daß sämtliche oder der größere Teil der MOS-Transistoren in einer integrierten Schaltung mit den in F i g. 5 gezeigten Elementen versetzten Stcüerelektrodenaufbaus hergestellt werden und diese Elemente nacheinander durch die Bestrahlung mit Energiestrahlen zur Bildung eines gewünschten Schaltkreises aktiviert werden.
F i g. 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel, in dem ein Bauelement versetzten Steuerelektrodenaufbaus als ein Schaltkreisaktivierelement verwendet wird. In der Oberfläche eines p-Siliziumsubstrats 51 (mit einem Widerstand von 10 Ω · cm) sind ein MOS-Transistor 601 versetzten Steuerelektrodentyps als Teil eines regulären Schaltkreises und ein Element versetzten Steuerelektrodenaufbaus 501 vorgesehen, das als Schaltkreisaktivierelement dient Der MOS-Transistor 601 enthält eine Steuerelektroden-Isolierschicht 62 (z. B. eine SiOrSchicht mit einer Dicke von 50 nm), eine Steuerelektrode 63 (die aus einer polykristallinen n-Siliziumschicht gebildet ist und einen Flächenwiderstand von 20 bis 40 Ω/D, eine Steuerelektrodenlänge von 3 μηι und eine Steuerelektrodenbreite von 15 μπι hat) und Quelle- und Senkebereiche 651 und 652 (die aus einer n+-Diffusionsschicht bestehen, die durch Wärmediffusion oder ein lonenimplantierverfahren gebildet sind und eine Dotierstoffkonzentration von 1021 cm-3 aufweisen). Außerdem hat das Schaltkreisaktivierelement 501 eine Steuerelektroden-Isoüerschicht 52 (die aus der gleichen Schicht wie die Steuerelektroden-Isolierschicht 62 gebildet ist), eine Steuerelektrode 53 (die aus dem gleichen Materia! und von der gleichen Abmessung wie die Steuerelektrode 63 ist) und Quelle- und Senkebereiche 551 und 552 auf (die in der gleichen Weise wie d'e Bereiche 651 und 652 gebildet sind). Die Bezugsziffer 54 bezeich-
net eine Isolierschicht (die aus einer SiO2-Schicht besteht, die di'.xh einen selektiven Oxidationsprozeß gebildet ist und eine Dicke von 1 μΐη hat) zur Schaffung einer isolation zwischen den Bauelementen. Das Schaltkreisaktivierelement 501 wird unter normalen Bedingungen in einem nichtleitenden Zustand gehalten und arbeitet daher nicht als MOS-Transistor. Wenn dem Element 501 durch die Bestrahlung mit einem Laseroder Elektronenstrahl 581 eine ausreichende Energiemenge zugeführt wird, dehnen sich die Bereiche 551 und 552 so aus, daß sie die erweiterten Bereiche 571 und 572 bilden. Dann kann das Bauelement 501 als ein MOS-Transistor arbeiten. Versuche zeigten, daß, falls der Abstand zwischen der Steuerelektrode 53 und jedem der Bereiche 551 und 552 gleich 2 μηι ist und die Bereiche 551 und 552 eine Tiefe von 0,5 μηι haben, das Element 501 tfie gleiche Transistorwirkung oder -charakteristik
wie der MOS-Transistor €01 zeiger, kann, wenn der grö- wendet
256 versetzten Steuerelektrodenaufbaus besteht) die gleiche Schaltkreiskonfiguration wie der oben erwähnte reguläre Dekodierer. Weiter wird es, wenn der Widerstand des Transistors 208 viel größer als der des EIements 256 gemacht wird, möglich, die Wortieitung 220 durch die Wortleitung 221 zu ersetzen. Andererseits wird die Ausgangsleitung 214 der aus den MOS-Transistoren 201 bis 203 und 207 bestehenden fehlerhaften Dekodierers durch die Bestrahlung mit Laserstrahlen od. dgl. aufgetrennt, und das Bauelement 257 wird durch die Laserbestrahlung zum leitenden Zustand aktiviert, um den Eingang des Inverters 210 auf dem niedrigen Potentialniveau zu halten. Wie oben beschrieben, kann ein fehlerhaftes Bit in einem integrierten Schaltungsspeicher beseitigt oder durch ein Ersatzbit ersetzt we-den, indem man eine integrierte Schaltung und ein Schaltkreisaktivierverfahren gemäß der Erfindung ver-
ßere Teil der Oberfläche des Bauelements 501 mit einem Laserstrahl einer Energie von 107 W/cni2 oder weniger bestrahlt wird. Vor der Bestrahlung mit dem Laserstrahl kann das Bauelement 501 nicht als MOS-Transistor wirken, auch wenn der Steuerelektrode 53 eine hohe Spannung zugeführt wird. Demgemäß können dort, wo eine hohe Spannung vorher an die Steuerelektrode 53 angelegt wurde, die voneinander isolierten Bereiche 551 und 552 als durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl kurzgeschlossen betrachtet werden.
Fig.9 zeigt eine Dekodiererschakung mit dem in F i g. 8 dargestellten Schaltkreisaktivierelement und insbesondere einen aktivierbaren Dekodierer, bei dem ein falsches Bit durch ein Ersatzbit ersetzt werden kann. In F i g. 9 bezeichnet das Bezugszeichen V1x einen Zuführungsspannungs-Eingangsanschluß, und die Bezugsziffern 201 bis bis 206 bezeichnen N-Kanalverstärkungs-MOS-Transistoren. die Bezugsziffer 207 bezeichnet einen N-Kanai-Verarmungs-MOS-Transistor, die Bezugsziffern 210 bis 213 bezeichnen Inverter, und die Bezugsziffern 251 bis 257 bezeichnen Elemente mit versetztem Steuerelektrodenaufbau. Die Inverter 210 und 211 bilden einen Steuerschaltkreis zum Steuern einer Wortleitung 220, und die Inverter 212 und 213 bilden einen Steuerschaltkreis zum Steuern einer Wortleitung 221. Ein Anschluß jedes der Elemente 251 bis 255 ist mit einer der Adressierleitungen 230 bis 234 verbunden. Der andere Anschluß des Elements 251 und der des Elements 252 sind miteinander und mit der Steuerelektrode des MOS-Transistors 204 verbunden, und der andere Anschluß des Elements 253 und der des Elements 254 sind untereinander und mit der Steuerelektrode des MOS-Transistors 205 verbunden. Ähnlich sind der andere Anschluß des Elements 255 und der eines (nicht dargestellten) Elements untereinander und mit der Steuerelektrode des MOS-Transistors 206 verbunden. Die Wortleitung 221 ist eine Ersatzwortleitung, die mit Ersatzspeicherzellen verbunden und durch einen N-Kanalverarmungs-MOS-Trar.sistor 208 auf dem niedrigen Potentialniveau gehalten wird, wenn in einer Speicherzellenmatrix kein fehlerhaftes Bit ist Wenn sich unter den mit der Wortleitung 220 verbundenen Speicherzellen eine fehlerhafte Zelle findet, werden die Bauelemente 252,253,255 und 256 mit versetztem Steuerelektrodenaufbau durch die Bestrahlung mit Laserstrahlen entsprechend den mit einem regulären Dekodierer, der aus den MOS-Transistoren 201 bis 203 und 207 besteht, verbundenen Adressierleitungen 230,232 und 233 aktiviert
Dann hat ein Ersatzdekodierer (der aus den MOS-Transistoren 204 bis 206 und 208 und dem Bauelement F i g. 10 zeigt ein anderes Beispiel des Schaltkreisaktivierelements mit dem versetzten Steuerelektrodentyp. In Fig. 10 bezeichnet die Bezugsziffer 801 einen MOS-Transistor zur Bildung eines regulären Schaltkreises, und die Bezugsziffer 701 bezeichnet ein Bauelement versetzten Steuerelektrodenaufbaus zum Schaltkreis-25-aktivieren. Da der MOS-Transistor 801 ein gewöhnlicher MOS-Transistor mit einer Steuerelektrode 83, einer Steuerelektroden-Isolierschicht 82 und Quelle- und Senkebereichen 851 und 852 ist, braucht er nicht den versetzten Steuerelektrodenaufbau zu haben. Bezüglich des Schaltkreisaktivierelements 701 gilt dagegen, daß einer der Quelle- und Senkebereiche 751 und 752 (im gezeigten Beispiel die Diffusionsschicht 751) von der Steuerelektrode 73 versetzt ist Wenn das Bauelement 701 mit einem Laserstrahl 70 bestrahlt wird, dehnt sich der Bereich 751 so aus, daß er einen weiteren Bereich 77 bildet Als Ergebnis wird das Bauelement 701 aktiviert um als MOS-Transistor gleich dem Transistor 801 zu dienen.
Falls eine höhere Spannung (z. B. V1x) als eine Schwellenspannung an die Steuerelektrode 73 angelegt wird, wird das Bauelement 701 von einem nichtleitenden Zustand durch die Laserstrahlbestrahlung in einen leitenden Zustand umgewandelt Alternativ kann eine üignalspannung an die Steuerelektrode 73 angelegt werden. In Fig. 10 bezeichnet die Bezugsziffer 51 ein Halbleitersubstrat die Bezugsziffer 54 bezeichnet eine Isolierschicht zur Bewirkung der Isolation zwischen den Schaltkreiselementen, und die Bezugsziffer 72 bezeichnet eine Steuerelektroden-Isolierschicht
so F i g. 11 zeigt ein anderes Beispiel des Schaltkreisaktivierelements des MOS-Transistortyps. Gemäß F i g. 11 sind sowohl ein Schaltkreisaktivierelement 901 als auch ein Bauelement 901 zur Bildung eines regulären Schaltkreises auf einem Halbleitersubstrat 51 als gewöhnüeher MOS-Transistor gebildet Und zwar enthält das Bauelement 801 eine Steuerelektrode 83, eine Steuerelektroden-Isolierschicht 82 und Quelle- und Senkebereiche 851 und 852. In gleicher Weise enthält das Bauelement 901 eine Steuerelektrode 93, eine Steuerelektroden-Isolierschicht 92 und Quelle- und Senkebereiche 951 und 952. Falls das Schaltkreisaktivierelement 901 vom Verstärkungstyp ist, werden die Quelle- und Senkebereiche 951 und 952 voneinander durch Verbinden der Steuerelektrode 93 mit Erde isoliert Wenn nur das es Schaltkreisaktivierelement 901 auf nahezu seiner gesamten Oberfläche mit einem Laserstrahl 90 bestrahlt wird, dehnen sich die Quelle- und Senkebereiche 951 und 952 unter Bildung vergrößerter Bereiche 971 und
972 derart aus, daß die Quelle- und Senkebereiche kurzgeschlossen sind. Das in F i g. 11 dargestellte Schaltkreisaktivierelement ist denen in den F i g. 8 und 10 dargestellten insofern überlegen, als eine gewünschte integrierte Schaltung unter Verwendung der verringerten Zahl von Photomasken hergestellt werden kann.
Der Aktivierungsprozeß des in Fig. 11 gezeigten Schaltkreisaktivierelements ist auch auf die in den Fig.8 und 10 gezeigten Schaltkreisaktivierelemente anwendbar. Im einzelnen werden für das in F i g. 5 dargestellte Bauelement versetzten. Steuereiektrodenaufbaus die Quelle- und Senkebereiche 551 und 552 durch die LaserbestrahJung ausgedehnt, um in gegenseitigen Kontakt gebracht zu werden. Der so zwischen den Bereichen 551 und 552 gebildete Kurzschluß kann zur Schaltkreisaktivierung verwendet werden.
Obwohl verschiedene Schaltkreisaktivierelemente im einzelnen erläutert wurden, ist zu bemerken, daß eine gewünschte Schaltkreisaktivierung auch durch geeignete Kombination der in den F i g. 8,10 und 11 gezeigten Schahkrdsaktivierelemente erfolgen kann.
Die vorstehende Beschreibung wurde bezüglich des Falls gegeben, wo N-Kanal-MOS-Transistoren juf einem p-Halbleitersubstrat integriert werden. Jedoch ist die Erfindung auch anwendbar auf den Fall (i), wo P-Kanal-MOS-Transistoren auf einem n-Halbleitersubstrat integriert sind, auf den Fall (ii), wo ein CMOS-Schaltkreis mit P-Kanal-MOS-Transistoren auf einem n-Halbleitersubstrat integriert und N-Kanal-MOS-Transistoren in p-Vertiefungen gebildet sind, und den Fall (iii), wo ein CMOS-Schaltkreis auf einem p-Halbleitersubstrat gebildet ist Außerdem ist die Erfindung, obwohl der aus N-Kanal-MOS-Transistoren hergestellte Dekodierer erläutert wurde, auch auf den Fall anwendbar, wo der Dekodierer aus einem CMOS-Schaltkreis gebildet ist
Die Fig. 12 und 13 zeigen Abänderungen des MOS-Transistortyp-Schaitkreisaktivierelements. Die in F i g. 12 und 13 dargestellten Schaltkreisaktivierelemente des Diftusionsschichttyps werden durch Entfernen der Steuerelektrode 93 und der Steuerelektroden-Isolierschicht 92 von dem in F i g. 11 dargestellten Schaltkreisaktivierelement 901 des MOS-Transistortyps erhalten.
In einem in Fig. 12 dargestellten Schaltkreisaktivierelement 901 werden unter Abstand vorgesehene Diffusionsbereiche 951 und 952 durch die Bestrahlung mit einem Laserstrahl 90 kurzgeschlossen.
In einem in Fig. 13 gezeigten Schaltkreisaktivierelement 901 werden unter Abstand voneinander vorgesehene Diffusionsbereiche 951 und 952 (z. B. vom η+-Typ) durch einen Bereich 97 kurzgeschlossen, der durch Dotierstoffdiffusion aufgrund der Bestrahlung mit einem Laserstrahl 91 von einer mit einem n-Dotierstoff dotierten Isolierschicht 99 (z. B. einer Phosphorsilikatglasschicht) gebildet wird.
Alle oben erwähnten Schaltkreisaktivierelemente wurden durch die Bestrahlung mit Laserstrahlen zur Umwandlung in leitende und leitfähig machbare Bauelemente, d. h. die Bildung einer Verbindung (F i g. 2A, 2C, 11,12 und 13) oder für die Bildung einer Schaltkreisverbindung unter Verwendung von leitenden oder leitfähig machbaren Bauelementen (Fig.7, 8 und 10) aktiviert. Jedoch kann die Aktivierung der Schaltkreisaktivierelemente auch durch ein Ionenimplantierverfahren in der Weise bewirkt werden, daß die Laserstrahlen 10, 18, 581,582,70,90 und 91 durch Ionenstrahlen ersetzt werden.
Wenn loncnstrahlen verwendet werden, wird in den
in F i g. 2A und 2C gezeigten Bauelementen der hochohmige Bereich in einen niederohmigen Bereich umgewandelt Die in F i g. 7,8 und 10 gezeigten Schaltkreisaktivierelemente werden in den in Fig.6 gezeigten Auf- bau umgewandelt Bei dem in F i g. 11 gezeigten Schaltkreisaktivierelement wird ein leitender Kanal eines (dem des Substrats 51 entgegengesetzten) Leitungstyps in einem Oberflächeabereich des Substrats unterhalb der Steuerelektrode derart gebildet daß der Verstär kungstyp-MOS-Transistor 901 in einen Verarmungstyp- MOS-Transistor umgewandelt wird. In den in Fi g. 12 und 13 dargestellten Aktivierelementen werden die Bereiche 951 und 952 untereinander durch einen in einem Oberflächenbereich des Substrats 51 gebildeten ionen implantierten Bereich verbunden.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, liefert die Erfindung einen hohen Freiheitsgrad und eine hohe Verläßlichkeit für die Schaltkreisaktivierung einer integrierten Halbleiterschaltung. Demgemäß ist es
μ möglich, den Ersatz eines fehlerhaften Bits durch ein Ersatzspeicherbit durchzuführen, indem man normale Plättchen ohne zusätzliche Siliziumprozeßschritte herstellt und ein Schaltkreisaktivierverfahren gemäß dei Erfindung auf die hergestellten Plättchen oder Platter anwendet
Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims (22)

Patentansprüche:
1. Integrierte Halbleiterschaltung mit einem regulären Schaltkreis, einem Ersatzschaltkreis und wenigstens einem Schaltkreis-Aktivierelement in einem Halbleitersubstrat, welches Aktivierelement zwischen dem regulären Schaltkreis und dem Ersatzschaltkreis oder im Ersatzschaltkreis vorgesehen ist und, wenn wenigstens ein Teil des regulären Schaltkreises fehlerhaft ist, von seinem ursprünglichen nichtleitenden Zustand in einen leitenden oder leitfähig machbaren Zustand umwandelbar ist, so daß der fehlerhafte Teil des regulären Schaltkreises mittels der Umwandlung des Schaltkreis-Aktivierelements durch den Ersatzschaltkreis ersetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltkreis-Aktivierelement ein Halbleiterbauelement aufweist, das zwei gegenüberliegende niederohmige BereicheJ5,7), die seitlich auf einer auf dem Halbleitersubstrat (S; ί9) angeordneten Isolierschicht (S; 12) vorgesehen sind, und einen zwischen den niederohmigen Bereichen (5, 7) eingefügten hochohmigen Zwischenbereich (6) enthält und die Umwandlung des Aktivier-Halbleiterbauelements in den leitenden oder leitfähig machbaren Zustand durch Verringern des Widerstandes des hochohmigen Zwischenbereichs (6) mittels einer örtlichen Bestrahlung des Aktivier-Halbleiterbauelements mit Laser- oder Elektronenstrahlenergie durchführbar ist (F i g. 2A, 2C).
2. Ansprich 1, dadurch gekennzeichnet, daß die niederohmigen Bereiche (5,7^ des Aktivier-Halbleiterbauelements mit Dotierstoffen des gleichen Leitungstyps stark dotiert sind (F i ?. 2A, 2C).
3. Integrierte Halbleiterschaltung nach An-
dpi UwIl X, UUUUI WIl £wn.wiiiiuWmWass*w», w-miw wjiw iiivuwi vii migen Bereiche des Aktivier-Halbleiterbauelements mit Dotierstoffen verschiedener Leitungstypen stark dotiert sind.
4. Integrierte Halbeiterschaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der hochohmige Bereich (6) des Aktivier-Halbleiterbauelemerts aus einem eigenleitenden Halbleitermaterial besteht
5. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der hochohmige Bereich des Aktivier-Halbleiterbauelements mit einem Dotierstoff des gleichen Leitungstyps wie einer der niederohmigen Bereiche schwach dotiert ist
6. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivier-Halbleiterbauelement eine Isolierschicht (8') aufweist, die in enger Nähe wenigstens eines Teils des hochohmigen Bereichs (6') vorgesehen und mit einem Dotierstoff des gleichen Leitungstyps wie einer der niederohmigen Bereiche (5,7) dotiert ist.
7. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine undotierte Isolierschicht zwischen dem hochohmigen Bereich (6') und der dotierten Isolierschicht (8') eingefügt ist.
8. Integrierte Halbleiterschaltung mit einem regulären Schaltkreis, einem Ersatzschaltkreis und wenigstens einem Schaltkreis-Aktivierelement in einem Halbleitersubstrat, welches Aktivierelement zwischen dem regulären Schaltkreis und dem Ersatzschaltkreis oder im Ersatzschaltkreis vorgesehen ist und, wenn wenigstens ein Teil des regulären Schaltkreises fehlerhaft ist, von seinem ursprünglichen nichtleitenden Zustand in einen leitenden oder leitfähig machbaren Zustand umwandelbar ist, so daß der fehlerhafte Teil des regulären Schaltkreises mittels der Umwandlung des Schaltkreis-Aktivierelements durch den Ersatzschaltkreis ersetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltkreis-Aktivierelement ein Halbleiterbauelement aufweist, das zwei beabstandete Diffusionsbereiche (551,552; 751, 752; 951,952) eines ersten Leitungstyps aufweist, die in einem Oberflächenbereich des Halbleiteirsubstrats (51) eines zweiten Leitungstyps mit einem Zwischenoberflächenbereichsteil dazwischen vorgesehen sind, und die Umwandlung des Aktivier-Halbleiterbauelements in den leitenden oder leitfähig machbaren Zustand durch eine örtliche Bestrahlung des Aktivier-Halbleiterbauelements mit Laser- oder Elektronenstrahlenergie durchführbar ist (F i g. 8,10, 11,12,13).
9. integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivier-Halbleiterbauelement einen Isolierschicht-Transistoraufbau mit einer Steuerelektrode (53; 73; 93) hat, die über einer Isolierschicht (52; 72; 92) auf dem Zwischenoberfiächenbereichsteil vorgesehen ist, und die beabstandeten Diffusionsbereiche (551,552; 751, 752; 951, 952) als Quelle- bzw. Senkeberdche vorgesehen sind.
10. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet daß wenigstens einer (551; 751) der Quelle- und Senkebereichi: gegenüber der Steuerelektrode (53; 73) versetzt ist (Fig. 8,10).
11. Integrierte Halbleiteschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode (93) jeden der Quelle- und Senkeben;iche (951,952)überlappt (F i g. 1J).
12. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivier-Halbleiterbauelement eine Isolierschicht (99) aufweist die auf dem Zwischenoberflächenbereichsteil vorgesehen und mit einem Dotierstoff des ersten Leitungstyps dotiert ist (F i g. 13).
13. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der reguläre Schaltkreis reguläre Dekodierer enthält, während der Ersatzschaltkreis Ersatzdekodierer enthält, und daß einer der regulären Dekodierer durch einen der Ersatzdekodierer ersetzbar ist.
14. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zweites Schaltkreis-Aktivier-Halbleiterbauelement (257) mit dem gleichen Aufbau wie das zwischen dem regulären Schaltkreis und dem Ersatzschaltkreis oder im Ersatzschaltkreis vorgesehene Aktivier-Halbleiterbauelement (151—171; 251—256) außerdem im regulären Schaltkreis vorgesehen und zur Umwandlung von seinem ursprünglichen nichtleitenden Zustand in einen leitenden oder leitfähig machbaren Zustand mittels einer ortlichen Bestrahlung des zweiten Aktivier-Halbleiterbauelements mit Laser- oder Elektronenstrahlenergie zwecks Änderung und/oder Schaffung der Schaltungsanordnung des regulären Schaltkreises geeignet ist (F i g. 4,5,9).
15. Schaltkreisaktivierverfahren für die integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche I bis
14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren einen Schritt der Bestrahlung des Aktivprogrammier-Halbleiterbaugelements mit einer örtlichen Laseroder Elektronenstrahlenergie vorsieht
16. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, nach dem auf Anspruch 2 rückbezogenen Anspruch 4 oder nach dem auf dan Anspruch 2 rückbezogenen Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion von Dotierstoffen aus den niederohmigen Bereichen in den hochohmigen Bereich bewirkt, so daß eine im wesentlichen leitfähige Bahn zwischen den niederohmigen Bereichen gebildet wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 6 unter Rückbeziehung auf den auf Anspruch 2 rückbezogenen Anspruch 4 oder 5 oder nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion eines Dotiersioffes von der dotierten Isolierschicht in den hochohmigen Bereich bewirf so daß eine im wesentlichen leitende Bahn zwischen den niederohmigen Bereichen gebildet wird.
18. Verfahren nach Anspruch 16 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion von Dotierstoffen aus den Diffusionsbereichen in den Zwischenoberflächenbereichsteil derart bewirkt, daß die Diffusionsbereiche kurzgeschlossen werden.
19. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion eines Dotierstoffes aus dem Quellenbereich und/oder Senkenbereich in einen Teil des Zwischenoberflächenbereichsteils, der sich zwischen der Steuerelektrode und dem Quellenbereich und/oder dem Senkenbereich erstreckt, bewirkt, so daß das Aktivier-Haibieiterbauelement als Transistor leitfähig wird.
20. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion von Dotierstoffen aus den Quelle- und Senkebereichen in den Zwischenoberfläciicnbereichsteil bewirkt, so daß die Quelle- und Senkebereiche kurzgeschlossen werden.
21. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestrahlungsschritt die Diffusion eines Dotierstoffes aus der dotierten Isolierschicht in den Zwischenoberflächenbereichsteil derart bewirkt, daß die Diffusionsbereiche kurzgeschlossen werden.
22. Verfahren nach Anspruch 15 für die integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zusätzlich einen Schritt der Bestrahlung des zweiten Aktivier-Halbleiterbauelements mit einer örtlichen Laser- oder Elektronenstrahlenergie vorsieht
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