DE2754397A1 - Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes

Info

Publication number
DE2754397A1
DE2754397A1 DE19772754397 DE2754397A DE2754397A1 DE 2754397 A1 DE2754397 A1 DE 2754397A1 DE 19772754397 DE19772754397 DE 19772754397 DE 2754397 A DE2754397 A DE 2754397A DE 2754397 A1 DE2754397 A1 DE 2754397A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
substrate
ring zone
metal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19772754397
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Paul Peressini
Timothy Martin Reith
Michael James Sullivan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2754397A1 publication Critical patent/DE2754397A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H01L21/2652—Through-implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
gg-bd Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Kontaktes
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Kontaktes auf einem Silicium-Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps in Verbindung mit einer in das Substrat eingebrachten, den Kontakt umgebenden Schutzringzone des entgegengesetzten zweiten Leitungstyps.
Schottky-Sperrschicht-Kontakte sind bereits in vielfältiger Form beschrieben worden und haben auch bereits verbreitete Anwendung in der integrierten Halbleiterteohnik gefunden.
Das wesentliche Merkmal dieser Kontakte besteht darin, daß an der Grenzschicht zwischen einem schwach dotierten Halbleitermaterial und einer darauf aufgebrachten Metallschicht eine Sperrschicht entsteht, die eine gleichrichtende Wirkung hat. Ein Schottky-Sperrschicht-Kontakt läßt also in seiner Wirkung mit einem pn-übergang zu vergleichen. Der Kontakt weist eine Anzahl von Eigenschaften auf, die seine Anwendung in monolithisch integrierten Anordnungen wünschensweert machen. Wird der Kontakt in Durchlaßrichtung betrieben, so fließt aufgrund der Injektion von Majoritätsträgern ein Strom vom Halbleiter in das Metall, während der Minoritätsträgerstrom vernachlässigbar ist. Dies ist die Ursache dafür, daß Schottky-Sperrschicht-Kontakte praktisch frei von langen Erholungszeiten und Ladungsspeicherkapazitäten sind. Die Kontakte weisen eine steilere Strom-Spannungs-Kennlinie in Durchlaßrichtung und eine niedrigere Einschaltspannung als pn-übergänge auf. Außerdem haben sie im allgemeinen niedrigere
FI 9?6 °36 80 98 26/060
275A397
- 5 Serienwiderstände und Durchbruchsspannungen.
In einer Weiterbildung sind sie mit einer sogenannten Schutzringzone umgeben, wie sie beispielsweise im US Patent Nr. 3 924 320 beschrieben ist. Durch diese Schutzringzone erzielt man Schottky-Sperrschicht-Kontakte mit schärferen und leichter reproduzierbaren Durchbruchcharakteristiken in Sperr-Richtung. Die Verwendung einer derartigen Schutzringzone erweist sich auch als vorteilhaft für die Durchlaßspannungseinstellung bei Elementen, wie sie im "Journal of Electrochemical Society", Vol. 122, Nr. 10, Oktober 1975 , , Seiten 1337 bis 1347 unter dem Titel "Microstructural and Electrical Properties of Thin PtSi Films and the Relationsship to Deposition Parameters", beschrieben sind.
Das Problem bei der Anwendung von Schutzringzonen in der integrierten Halbleitertechnik liegt in ihrer Verwirklichung. Die Verwendung scheitert häufig an der Tatsache, daß sie zusätzliche Halbleiteroberfläche verbrauchen. Dieses Problem tritt mit zeigender Integrationsdichte ständig weiter in den Vordergrund.
In der Vergangenheit wurden bereits mehrere Metalle genannt, die geeignet sind Metall-Silicid-Schottky-Kontakte zu bilden. Im oben genannten Artikel in "Journal of Electrochemical Society" ist beispielsweise die Verwendung von Platin-Silicid beschrieben. Im US Patent 3 451 912 ist entsprechend die Verwendung von Wolfram-Silicid, Chrom-Silicid und Molybdän-Silicid angegebenen. Weiterhin ist im US Patent 3 900 344 die Verwendung eines Aluminium-Platinkontakts angegeben.
Wie bereits erwähnt, gehört die Verwendung von Schutzringzonen in Verbindung mit Schottky-Sperrschicht-Kontakten be-
FI 976036 809826/0608
275A397
reits zum Stande der Technik, wobei allerdings hinsichtlich der erreichbaren Integrationsdichte Nachteile festzustellen sind. Insbesondere ist im bereits erwähnten US Patent 3 924 320 ein Metall-Silicid-Schottky-Kontakt beschrieben, der die vorgesehene Schutzringzone überlappt. Auch diese Struktur hat den Nachteil, daß die gegenüber Schottky-Kontakten ohne Schutzringzone einen beträchtlichen Mehraufwand an Siliciumoberflache aufweist. Die erforderlichen Überlappungstoleranzen und andere in der hochintegrierten HaIbleitertechnology zu berücksichtigenden Abmessungen sind für entsprechende Nachteile verantwortlich.
Es ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Kontaktes auf einem Silicium-Halbleitersubstrat in Verbindung mit einer Schutzringzone anzugeben, bei dem für die Schutzringzone nur ein minimaler Platzaufwand erforderlich ist.
Die Lösung dieser Aufgabe ist in den Ansprüchen niedergelegt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Fig. 1 bis 6 näher erläutert, in denen in Schnittansichten der Struktur nach jeweils einzelnen Prozeßschritten das erfindungsgemäße Verfahren an einem Ausführungsbeispiel gezeigt ist.
Als Ausgangsmaterial dient, wie in Fig. 1 dargestellt, ein Substrat 10 aus Silicium, das N~ dotiert ist und einen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von 1,0 Ohm-cm aufweist. Das Substrat 10 kann auch aus einem P-dotierten Siliciumwafer bestehen, auf den eine N~-dotierte Epitaxiejschicht aufgebracht ist. Die Dicke dieser Epitaxieschicht jliegt vorzugsweise in einer Größenordnung von 2 bis 5 um.
PI 976 O36 809826/0608
An dieser Stelle ist darauf hinzuweisen, daß der erfindungsgemäß hergestellte Schottky-Sperrschicht-Kontakt gewöhnlich zusammen mit einer Vielzahl von anderen aktiven und passiven Halbleiterbauelementen integriert hergestellt wird. Aus Vereinfachungsgründen sind in der Zeichnung diese weiteren Elemente nicht berücksichtigt. Schottky-Sperrschicht-Kontakte werden beispielsweise vorteilhaft in Verbindung mit bipolaren Transistoren eingesetzt, die unterschiedlichste Schaltungen verwirklichen, wobei insbesondere Dioden-Transitor-Logikschaltungen und Tranistor-Tranistor-Logikschaltungen beispielsweise zu nennen sind.
Der Schottky-Kontakt kann in einem Gebiet t 12 des N -dotierten Siliciumsubstrats gebildet werden, wobei dieses Gebiet von anderen Gebieten des Substrats 10 durch konventionelle Sperrschichtisolation oder dielektrische Isolation elektrisch isoliert wird. Im hier betrachteten Ausführungsbeispiel zeigt die Fig. 1, daß das isolierte Gebiet 12 durch abgesenkte Siliciumdioxidzonen 14 definiert ist. Derartige Isolationszonen lassen sich in konventioneller Weise herstellen, so daß an dieser Stelle nicht näher darauf einzugehen ist.
Im Zuge der Herstellung des Schottky-Kontaktes wird zunächst auf die Oberfläche des Substrats 14 eine als Maske zu verwendende Isolationsschicht 16 aus Siliciumdioxid thermisch aufgewachsen. Selbstverständlich können auch andere Materialien und angepaßte Verfahren zum Aufbringen der Isolationsschicht verwendet werden. Beispielsweise sind für die Isolationsschicht 16 außer Siliciumdioxid auch Aluminiumoxid, Siliciumnitrid und Kombinationen von diesen und anderen Materialien verwendbar. Geeignete Aufbringverfahren bilden chemisches Aufdampfen, Kathodenzerstäubung oder thermische Verfahren.
FI976036 809826/0608
In der Isolationsschicht 16 wird in einem konventionellen photolithographischen Prozeß ein Fenster 18 selektiv freigeätzt, so daß dessen Bereich die Oberfläche des Substrats 12 freigelegt wird. Anschließend wird an eine dünne Metallschicht 20 aufgebracht, die im Bereich des Fensters 18 einen Metall-Silicid-Schottky-Kontakt bildet. Das Aufbringen der Metallschicht 20 kann in konventioneller Weise beispielsweise durch Aufdampfen oder durch Kathodenzerstäubung erfolgen. Die resultierende Struktur (Fig. 2) wird anschließend in einer inerten Atmosphäre gesintert, wobei Temperatur und Zeitdauer in Abhängigkeit von dem jeweiligen Metall-Silicid gewählt werden, das den Schottky-Kontakt bildet. Beim Sinterprozeß verbindet sich das Metall der Metallschicht 20 mit dem im Bereich des Fensters 18 freigelegten Silicium, während die restlichen Bereiche der Metallschicht 20, die über der Isolationsschicht 16 angeordnet sind, unbeeinflußt bleiben. Fig. 3 zeigt die Struktur, bei der nunmehr das Metall-Silicid 22 einen Teil des Schottky-Kontaktes bildet. Gleichzeitig ist der Fig. 3 zu entnehmen, daß während des Sinterprozeßes eine volumenmäßige Schrumpfung des Metall-Silicid eintritt. Diese Schrumpfung hat zur Folge, daß zwischen dem gebildeten Schottky-Kontakt und der diesen umgebenden Isolationsschicht 16 eine Ringzone 24 der Substratoberfläche freigelegt wird. Die restlichen Bereiche der Metallschicht 20 werden beispielsweise in einem geeigneten selektiven Ätzprozeß entfernt, bei dem nur das Metall aber nicht das den Schottky-Kontakt bildende Metall-Silicid entfernt wird. Auf diese Weise erhält man die in Fig. 4 dargestellte Struktur.
jDiese Struktur wird nunmehr in eine Ionenimplantationskammer gebracht, wo sie mit Ionen 26 bombardiert wird. Dabei bildet 3 ich beim betrachteten Ausführungsbeispiel eine P+-dotierte Schutzringzone 28, die den eigentlichen Schottky-Kontakt 22 umgibt. Diese Schutzringzone 28 ist verantwortlich für die
FI 976 O36 809826/0608
genauere Spannungssteuerung und den abruptereen, leichter reproduzierbaren Verlauf der Durchbruchsspannung in Sperr-Richtung. Wesentlich ist, daß diese Vorteile ohne irgendwelche Verschwendung an Siliciumoberflache erzielt werden. Da es sich im betrachteten Ausführungsbeispiel um ein N dotiertes Siliciumsubstrat handelt, werden vorzugsweise Borionen implantiert, um die P -Schutzringzone 28 zu erzeugen. Bevorzugte Prozeßparameter sind dabei eine Implantations-
λα ο
dosis von etwa 10 Borionen/cm . Außerdem ist eine Implantationsenergie von etwa 50 bis 100 keV geeignet. Bei einem Ausführungsbeispiel mit einem P-dotierten Substrat wäre eine N -dotierte Schutzringzone 28 zu bilden, indem beispielsweise Arsen- oder Phosphorionen zu implantieren wären.
Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Implantation mit erhöhter Energie, beispielsweise in der Größenordnung zwischen 100 und 200 keV erfolgt, so daß die Ionen auch den eigentlichen Schottky-Kontakt 22 durchdringen und damit eine sehr schmale implantierte Zone 30 unterhalb des Schottky-Kontaktes 22 zu erzeugen. Die dünne, entgegengesetzt zum Substrat 12 dotierte Zone 30 erlaubt eine Einstellung der Durchlaßcharakteristik des Schottky-Kontaktes ohne das Sperrverhalten zu beeinflußen. Dieses Konzept ist bekannt und beschrieben in "Solid-State Electronics", 1976, Vol. 19, Seiten 537-543, unter dem Titel "Control of Schottky Barrier Height Using Highly Doped Surface Layers". Bei dem in diesem Artikel beschriebenen Verfahren wird die flache, entgegengesetzt zum Substrat dotierte Oberflächenzone bereits vor der Herstellung des eigentlichen Schottky-Kontaktes eingebracht. Die beim er- ' findungsgemäßen Verfahren angewendete Version der nachträglichen Erzeugung dieser Oberflächenzone hat den Vorteil, daß diese Zone gleichzeitig mit der automatisch ausgerichteten
FI976036 8098^6/0608
Schutzringzone gebildet wird. Die auf diese Weise verwirklichte Struktur ist in Fig. 5 dargestellt. Zur Herstellung von Leitungszügen zwischen dem Schottky-Kontakt und anderen mit integrierten aktiven und passiven Elementen, verwendet man beispielsweise Aluminium. Um zu verhindern, daß zwischen dem Metall-Silicid des Schottky-Kontaktes und dem für die Leitungszüge verwendeten Aluminium eine Wechselwirkung entsteht, wird auf die Struktur gemäß Fig. 5 zunächst eine diffusionshemmende Schicht 31 aufgedampft oder durch Kathodenzerstäubung aufgebracht. Als Material für diese diffusionshemmende Schicht 31 kann eines der schwerschmeIzenden Metalle, wie beispielsweise Titan, Wolfram oder Chrom verwendet werden.
Die gesamte Oberfläche der Struktur einschließlich der diffusionshemmenden Schicht 31 wird nun mit Aluminium oder einem anderen geeigneten Metall bedampft. Die aufgedampfte Schicht aus Aluminium hat eine Dicke von mehreren 10OO R. In einem weiteren Photolithographieprozeß werden schließlich die gewünschten Leitungszüge 32 selektiv geätzt und die fertige Struktur ist in Fig. 6 dargestellt.
Für das beim erfindungsmäßen Verfahren verwendete Metall-Silicid eignen sich verschiedene Metalle und Metallverbindungen. Bevorzugtes Material ist Platin. Die beim Sintern aufzuwendende Temperatur für Platin liegt bei einer Dauer des Sinterprozeßes von 30 Minuten zwischen 500 und 600 0C. Wesentlich bei der Auswahl geeignete Metalle ist, daß sie Schottky-Sperrschicht-Kontakte bilden und außerdem beim Sinterprozeß einer ausreichenden Schrumpfung unterliegen, die für die Bildung des Kreisrings 24 maßgebend ist. Eine notwendige und ausreichende Bedingung für das Schrumpfen besteht darin, daß das Molekularvoolumen des Metalles und «fies Siliciums größer ist als das Molekül ar volumen des ge-
FI 976 O36
bildeten Silicids. Je größer die Differenz ist, desdo größer ist die Schrumpfung. Der Schrumpfungseffekt ist eine notwendige Voraussetzung für das erfindungsgemäße Verfahren. Ein ähnliches Schrumpfungsverhalten wie Platin zeigen beispielsweise Kobalt, Eisen, Mangan und Palladium.
FI 976 O36 809826/0608
Al
Leerseite

Claims (15)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschichtkontaktes auf einem Silicium-Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps in Verbindung mit einer in das Substrat eingebrachten, den Kontakt umgebenden Schutzringzone des entgegengesetzten zweiten Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich eines Fensters (18) in einer auf das Substrat (12) aufgebrachten Isolationsschicht (16) eine den Kontakt (22) bildende Metallschicht (20) aufgebracht und zur Bildung von Metall-Silicid einer Wärmebehandlung unterzogen wird, wobei durch Schrumpfung des Metall-Silicids eine den Kontakt (22) umgebende Ringzone (24) der Substratoberfläche freigelegt wird, und daß unter Verwendung des Kontaktes (22) und der Isolationsschicht (16) als Implantationsmaske die Schutzringzone (28) den zweiten Leitungstyps implantiert wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat vom N-Leitungstyp und die Schutzringzone vom P-Leitungstyp ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) vom P-Leitungstyp und die Schutzringzone (28) vom N-Leitungstyp ist.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
    bei der Implantation der Schutzringzone (28) die Dosis
    14 2
    größer als etwa 10 Ionen/cm bei einer Energie zwischen etwa 50 und 100 keV ist.
    FI 976 °36 809826/0608
    275A397
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzringzone (28) durch Implantation von Bor erzeugt wird.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur in der Größenordnung von 500 C bis
    600 0C erfolgt und die Dauer mehr als etwa 30 Minuten
    beträgt.
  7. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    6, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand an der Oberfläche des Substrats im Bereich von
    etwa 0,1 bis 10 0hm-cm liegt.
  8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 2, 4, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenkonzentration der Schutzringzone etwa zwischen
    1018 bis 1019 Atomen/cm3 gewählt ist.
  9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß über der Schutzring-
    \ zone (28) bzw. dem Kontakt (22) eine diffusionshemmende Schicht (31) angeordnet wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
    . der Kontakt (22) aus Platin-Silicid und die diffusionshemmende Schicht (31) aus Chrom besteht.
  11. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur elektrischen Weiter verbindung des Kontaktes (22) Leiterzüge (32) aus Aluminium aufgebracht werden.
    FI976036 809826/0608
    275A397
  12. 12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die den Kontakt (22) bildende Metallschicht (20) in einer Dicke von etwa 400 bis 600 8 aufgebracht wird.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (20) aus Platin besteht.
  14. 14. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    13, dadurch gekennzeichnet, daß das nicht in Metall-Silicid umgewandelte Metall der Metallschicht (20) entfernt wird.
  15. 15. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    14, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie zum Implantieren der Schutzringzone (28) so hoch gewählt wird, daß die Ionen durch das Metall-Silicid hindurchgelangen und unter dem Kontakt (22) eine flache, in ntgegengesetzt zum Substrat dotierte Oberflächenzone bilden.
    FI 976 036 RnQO?R/nfi08
DE19772754397 1976-12-27 1977-12-07 Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes Withdrawn DE2754397A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/754,218 US4063964A (en) 1976-12-27 1976-12-27 Method for forming a self-aligned schottky barrier device guardring

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2754397A1 true DE2754397A1 (de) 1978-06-29

Family

ID=25033902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772754397 Withdrawn DE2754397A1 (de) 1976-12-27 1977-12-07 Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4063964A (de)
JP (1) JPS5382165A (de)
DE (1) DE2754397A1 (de)
FR (1) FR2375723A1 (de)
GB (1) GB1538370A (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2631873C2 (de) * 1976-07-15 1986-07-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Schottky-Kontakt auf einem zu einem anderen Bereich justierten Gatebereich und mit kleinem Serienwiderstand
JPS5950107B2 (ja) * 1977-06-20 1984-12-06 三菱電機株式会社 半導体装置
US4119446A (en) * 1977-08-11 1978-10-10 Motorola Inc. Method for forming a guarded Schottky barrier diode by ion-implantation
US4206540A (en) * 1978-06-02 1980-06-10 International Rectifier Corporation Schottky device and method of manufacture using palladium and platinum intermetallic alloys and titanium barrier
US4261095A (en) * 1978-12-11 1981-04-14 International Business Machines Corporation Self aligned schottky guard ring
FR2460040A1 (fr) * 1979-06-22 1981-01-16 Thomson Csf Procede pour realiser une diode schottky a tenue en tension amelioree
JPS57181172A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Toshiba Corp Schottky barrier diode and manufacture thereof
US4691435A (en) * 1981-05-13 1987-09-08 International Business Machines Corporation Method for making Schottky diode having limited area self-aligned guard ring
DE3124572A1 (de) * 1981-06-23 1982-12-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von schottky-dioden
US4531055A (en) * 1983-01-05 1985-07-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Self-guarding Schottky barrier infrared detector array
JPS59145582A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Futaba Corp 鉄けい化物熱電変換素子
US4638345A (en) * 1983-06-01 1987-01-20 Rca Corporation IR imaging array and method of making same
US4874714A (en) * 1988-06-02 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Method of making laterally oriented Schottky diode
US5859465A (en) * 1996-10-15 1999-01-12 International Rectifier Corporation High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring
US6145565A (en) * 1997-05-22 2000-11-14 Fromson; Howard A. Laser imageable printing plate and substrate therefor
FR2764117B1 (fr) * 1997-05-30 1999-08-13 Sgs Thomson Microelectronics Contact sur une region de type p
DE19939484A1 (de) * 1998-09-01 2000-03-09 Int Rectifier Corp Schottky-Diode
US6184564B1 (en) * 1998-12-28 2001-02-06 International Rectifier Corp. Schottky diode with adjusted barrier height and process for its manufacture
US6121122A (en) * 1999-05-17 2000-09-19 International Business Machines Corporation Method of contacting a silicide-based schottky diode
DE10330838B4 (de) 2003-07-08 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit Schutzring
US7229866B2 (en) * 2004-03-15 2007-06-12 Velox Semiconductor Corporation Non-activated guard ring for semiconductor devices
US7952139B2 (en) * 2005-02-11 2011-05-31 Alpha & Omega Semiconductor Ltd. Enhancing Schottky breakdown voltage (BV) without affecting an integrated MOSFET-Schottky device layout
WO2008051861A1 (en) * 2006-10-20 2008-05-02 Wm. Wrigley Jr. Company Apparatus and method of making center-filled confectionery product
US8722117B2 (en) * 2008-06-04 2014-05-13 Wm. Wrigley Jr. Company Method and apparatus for thermal sealing a filled confectionery product
US9093521B2 (en) * 2008-06-30 2015-07-28 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Enhancing Schottky breakdown voltage (BV) without affecting an integrated MOSFET-Schottky device layout
TWI384625B (zh) * 2008-06-30 2013-02-01 Alpha & Omega Semiconductor 提高蕭特基崩潰電壓且不影響金氧半導體-蕭特基整合裝置之裝置佈局及方法
JP5546759B2 (ja) * 2008-08-05 2014-07-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3550260A (en) * 1968-12-26 1970-12-29 Motorola Inc Method for making a hot carrier pn-diode
US3669730A (en) * 1970-04-24 1972-06-13 Bell Telephone Labor Inc Modifying barrier layer devices

Also Published As

Publication number Publication date
GB1538370A (en) 1979-01-17
JPS5649461B2 (de) 1981-11-21
JPS5382165A (en) 1978-07-20
FR2375723A1 (fr) 1978-07-21
FR2375723B1 (de) 1980-08-22
US4063964A (en) 1977-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2754397A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes
DE3036869C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren
DE2841467C2 (de) Programmierbarer Festwertspeicher
DE2711562C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3486432T2 (de) Programmierbare ROM-Struktur und Verfahren zum Herstellen einer solchen Struktur
EP0239652B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor
DE3127826C2 (de) Halbleiterspeicher
DE2429705C3 (de) Schottky-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3927033C2 (de) Halbleiterbauelement mit Antifuse-Elektrodenanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1955221A1 (de) Integrierte Halbleiter-Schaltkreise
DE2060333C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Gateelektrode
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE4013643A1 (de) Bipolartransistor mit isolierter steuerelektrode und verfahren zu seiner herstellung
DE2056220A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektn sehen Anordnung, und Anordnung hergestellt nach dem Verfahren
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE2612667A1 (de) Verfahren zur herstellung dielektrisch isolierter halbleiterbereiche
EP0123309A2 (de) Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen
DE2805442A1 (de) Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes
DE3230077A1 (de) Integrierte bipolar- und mos-transistoren enthaltende halbleiterschaltung auf einem chip und verfahren zu ihrer herstellung
DE2757762A1 (de) Monolithische kombination zweier komplementaerer bipolartransistoren
DE1764847B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE3109074C2 (de)
DE2831035A1 (de) Verfahren zur herstellung eines waermeempfindlichen halbleiter-schaltelements
DE2616576A1 (de) Halbleiterdiode
DE3888462T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer gegen Überspannungen selbst-geschützten Halbleiteranordnung.

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee