JPS5950107B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5950107B2 JPS5950107B2 JP52073547A JP7354777A JPS5950107B2 JP S5950107 B2 JPS5950107 B2 JP S5950107B2 JP 52073547 A JP52073547 A JP 52073547A JP 7354777 A JP7354777 A JP 7354777A JP S5950107 B2 JPS5950107 B2 JP S5950107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- region
- metal layer
- semiconductor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置、特にはげに＜く、かつ一様で
低抵抗な１１１−Ｖ族化合物半導体用の電極構造に関す
る。
低抵抗な１１１−Ｖ族化合物半導体用の電極構造に関す
る。
従来１１１−Ｖ族化合物に対するオーミック電極として
は、電極用金属材を拡散により半導体結晶に合金させて
形成するものと、これとは逆に拡散をさけ、半導体側に
極く薄い障壁を形成するものとがあつた。
は、電極用金属材を拡散により半導体結晶に合金させて
形成するものと、これとは逆に拡散をさけ、半導体側に
極く薄い障壁を形成するものとがあつた。
前者は例えば、ｐ−ＧａＡｓ結晶の表面へＺｎまたはＣ
ｒを含んだＡｕを真空蒸着し、引続いて３００〜５００
℃で熱処理して、薄く拡散させ、合金化させるもので、
便宜上ここでは合金形と称す゜る。後者は、Ａｕ等の金
属材が拡散するのをＴｉやＭｏ又はＷ等の介在金属層で
防ぐものである。高濃度に不純物を含むｐ−ＧａＡｓ等
の結晶では、これら金属との界面にできるショットキ障
壁の厚さが非常に薄いため、実効的には障壁として作用
せず、低抵抗なオーム性接触として働く。ところで、上
述のような構造をなす従来の合金形の場合は、電極の剥
離は起りにくく強固であるが、界面から１〜５μｍ程度
までは、Ａｕ原子が拡散している為と、合金層が硬いこ
とに起因して’界面より浅い接合部や発光部分に応力が
加わるため、素子特性の悪化や、劣化が促進され易い欠
点があつた。
ｒを含んだＡｕを真空蒸着し、引続いて３００〜５００
℃で熱処理して、薄く拡散させ、合金化させるもので、
便宜上ここでは合金形と称す゜る。後者は、Ａｕ等の金
属材が拡散するのをＴｉやＭｏ又はＷ等の介在金属層で
防ぐものである。高濃度に不純物を含むｐ−ＧａＡｓ等
の結晶では、これら金属との界面にできるショットキ障
壁の厚さが非常に薄いため、実効的には障壁として作用
せず、低抵抗なオーム性接触として働く。ところで、上
述のような構造をなす従来の合金形の場合は、電極の剥
離は起りにくく強固であるが、界面から１〜５μｍ程度
までは、Ａｕ原子が拡散している為と、合金層が硬いこ
とに起因して’界面より浅い接合部や発光部分に応力が
加わるため、素子特性の悪化や、劣化が促進され易い欠
点があつた。
一方、Ｔｉ、ＭｏあるいはＷを介在させた構造の、いわ
ゆるショットキ形の場合は、Ａｕ原子の拡散や応力の影
響は殆んどな＜、良好な特・性を持つが、接着強度が充
分でなく、剥離が生じ易い欠点があつた。この発明は、
このような点に鑑みてなされたものであつて、素子とし
て必要な部位は、ショットキ形とし、他の領域は合金形
として接着強度を持フたせた良好な電極構造を有する半
導体装置を提供するものである。
ゆるショットキ形の場合は、Ａｕ原子の拡散や応力の影
響は殆んどな＜、良好な特・性を持つが、接着強度が充
分でなく、剥離が生じ易い欠点があつた。この発明は、
このような点に鑑みてなされたものであつて、素子とし
て必要な部位は、ショットキ形とし、他の領域は合金形
として接着強度を持フたせた良好な電極構造を有する半
導体装置を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を添付図面に基づいて詳しく
説明する。
説明する。
図面はこの発明を注入形レーザダイオードに適５用した
場合の断面構造を示すものである。
場合の断面構造を示すものである。
図において、１はｎ−℃ａＡｓ基板上へ順次ｎ−ＧａＡ
ｌＡｓ層、ｐ−℃ａＡｓ層及びｐ−℃ａＡ１Ａｓ層を液
相エピタキシヤル法で成長させ、写真製版法、選択拡散
法あるいは選択食刻法等によつて作られた注入形レーザ
ダイオードの１個の半導体基板、１１は半導体基板１中
に形成された注入発光が起る領域で、レーザ発振はこの
注入発光が因になつて起る。２は半導体基板１の注入発
光が起る領域１１に近い側に形成された電極で、２１は
この電極２を構成する例えばＡｕを主成分とする金属層
、２２は上記注入発光が起る領域１１の近傍に形成され
た例えばＴｉの金属層である。
ｌＡｓ層、ｐ−℃ａＡｓ層及びｐ−℃ａＡ１Ａｓ層を液
相エピタキシヤル法で成長させ、写真製版法、選択拡散
法あるいは選択食刻法等によつて作られた注入形レーザ
ダイオードの１個の半導体基板、１１は半導体基板１中
に形成された注入発光が起る領域で、レーザ発振はこの
注入発光が因になつて起る。２は半導体基板１の注入発
光が起る領域１１に近い側に形成された電極で、２１は
この電極２を構成する例えばＡｕを主成分とする金属層
、２２は上記注入発光が起る領域１１の近傍に形成され
た例えばＴｉの金属層である。
低接触抵抗電極とする為、４５０℃で１０分間熱処理す
るが、この際、電極２のＡｕを主成分とする金属層２１
より、Ａｕの拡散が起る。
るが、この際、電極２のＡｕを主成分とする金属層２１
より、Ａｕの拡散が起る。
このＡｕの拡散により、Ａｕ原子に汚染された領域を１
２とし斜線で示す。今注入発光が起る領域１１が半導体
基板１の表面から２μｍの深さの位置に巾１０μｍとな
る様形成されている。一方、Ａｕ原子に汚染された領域
１２の深さは、通常上記温度では３μｍ程度となる。そ
こでＴｉの金属層２２の巾としては、このＡｕ原子の汚
染が及ばないに必要かつ充分な巾とする必要がある。こ
の実施例の場合には、Ａｕの拡散深さ３μｍ×２＋注入
発光が起る領域１１の巾１０μｍ即ち１６μｍを最低限
必要とするところ、例えば２０Ｉｔｍとしている。この
Ｔｉの金属層２２を介さずに直接半導体基板１と接して
いる金属層２１の幅は半導体基板１の巾を例えば３００
μｍとすれば、ほぼ２８０μｍと充分に広く剥離する恐
れはない。なお、上述の実施例では、注入発光が起る領
域を半導体基板の中央部に設定した場合について説明し
たが、半導体基板の一方に片寄つたり、あるいは、完全
に半導体基板の一方に片寄つて金属層が設けられる場合
も同様であることは言うまでもない。
２とし斜線で示す。今注入発光が起る領域１１が半導体
基板１の表面から２μｍの深さの位置に巾１０μｍとな
る様形成されている。一方、Ａｕ原子に汚染された領域
１２の深さは、通常上記温度では３μｍ程度となる。そ
こでＴｉの金属層２２の巾としては、このＡｕ原子の汚
染が及ばないに必要かつ充分な巾とする必要がある。こ
の実施例の場合には、Ａｕの拡散深さ３μｍ×２＋注入
発光が起る領域１１の巾１０μｍ即ち１６μｍを最低限
必要とするところ、例えば２０Ｉｔｍとしている。この
Ｔｉの金属層２２を介さずに直接半導体基板１と接して
いる金属層２１の幅は半導体基板１の巾を例えば３００
μｍとすれば、ほぼ２８０μｍと充分に広く剥離する恐
れはない。なお、上述の実施例では、注入発光が起る領
域を半導体基板の中央部に設定した場合について説明し
たが、半導体基板の一方に片寄つたり、あるいは、完全
に半導体基板の一方に片寄つて金属層が設けられる場合
も同様であることは言うまでもない。
また、電極材としては、ＴｉとＡｕを用いたが、Ｔｉを
ＭＯ．ＷあるいはＮｉ等に置換え、ＡｕをＡｇに置換え
ても同様の効果が得られる。更に純粋なＡｕ，Ａｇ，Ｔ
ｉ，ＭＯ，ＷあるいはＮｉである必要はなく、少量のＺ
ｎ等の添加物を含んでも良い〜 また、上述の実施例では、半導体装置として注入形レー
ザダイオードの場合について説明したが、発光ダイオー
ドでも良いことは明らかである。
ＭＯ．ＷあるいはＮｉ等に置換え、ＡｕをＡｇに置換え
ても同様の効果が得られる。更に純粋なＡｕ，Ａｇ，Ｔ
ｉ，ＭＯ，ＷあるいはＮｉである必要はなく、少量のＺ
ｎ等の添加物を含んでも良い〜 また、上述の実施例では、半導体装置として注入形レー
ザダイオードの場合について説明したが、発光ダイオー
ドでも良いことは明らかである。
更に、発光素子に限定されることなく、ＦＥＴトランジ
スタ等であつても良い。半導体基板の材料もＧａＡｓ及
びＧａＡｌＡｓとしたが、これに限らずＧａＡｓｐやＩ
ｎｐ等の他の１１１−Ｖ族化合物半導体を用いた素子に
対しても同様の効果が得られる。以上の説明から明らか
なように、この発明によれば、ＧａＡｓ又はＩｎｐを構
成要素として含む１１１一Ｖ族化合物半導体で構成され
る半導体基板上の所望の領域にＴｉ，ＮｉまたはＷの少
なくとも１つを用いた第１の金属層を介在させ、他の領
域は直接前記半導体基板と接するようにＡｎ又はＡｇを
用いた第２の金属層を設けることによつて、特性の劣化
がなく、しかも電極の接着強度のすぐれた半導体装置を
得ることができる。
スタ等であつても良い。半導体基板の材料もＧａＡｓ及
びＧａＡｌＡｓとしたが、これに限らずＧａＡｓｐやＩ
ｎｐ等の他の１１１−Ｖ族化合物半導体を用いた素子に
対しても同様の効果が得られる。以上の説明から明らか
なように、この発明によれば、ＧａＡｓ又はＩｎｐを構
成要素として含む１１１一Ｖ族化合物半導体で構成され
る半導体基板上の所望の領域にＴｉ，ＮｉまたはＷの少
なくとも１つを用いた第１の金属層を介在させ、他の領
域は直接前記半導体基板と接するようにＡｎ又はＡｇを
用いた第２の金属層を設けることによつて、特性の劣化
がなく、しかも電極の接着強度のすぐれた半導体装置を
得ることができる。
添付図面はこの発明の一実施例を示す断面図である。
図中、１は半導体基板、２は電極、１１は注入発光の起
る領域、１２はＡｕが拡散して、Ａｕ原子に汚染された
領域、２１は金属層、２２は金属領域である。
る領域、１２はＡｕが拡散して、Ａｕ原子に汚染された
領域、２１は金属層、２２は金属領域である。
Claims (1)
- １ ＧａＡｓ又はＩｎＰを構成要素として含むIII−Ｖ
族化合物半導体で構成される半導体基板上の所望の領域
にＴｉ、ＮｉまたはＷの少なくとも１つを用いた第１の
金属層を介在させ、他の領域は直接前記半導体基板を接
するようにＡｎ又はＡｇを用いた第２の金属層を設けこ
の領域を前記半導体基板と薄く合金化させたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52073547A JPS5950107B2 (ja) | 1977-06-20 | 1977-06-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52073547A JPS5950107B2 (ja) | 1977-06-20 | 1977-06-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS547865A JPS547865A (en) | 1979-01-20 |
| JPS5950107B2 true JPS5950107B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=13521358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52073547A Expired JPS5950107B2 (ja) | 1977-06-20 | 1977-06-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950107B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164404U (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205444A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 植物蛋白食品の加工法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272570A (en) * | 1975-12-15 | 1977-06-17 | Fujitsu Ltd | Formation of electrode of semiconductor deviced |
| JPS5382165A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-20 | Ibm | Method of forming schottky barrier element enclosed with selffmatched guard ring |
-
1977
- 1977-06-20 JP JP52073547A patent/JPS5950107B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272570A (en) * | 1975-12-15 | 1977-06-17 | Fujitsu Ltd | Formation of electrode of semiconductor deviced |
| JPS5382165A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-20 | Ibm | Method of forming schottky barrier element enclosed with selffmatched guard ring |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164404U (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS547865A (en) | 1979-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100548860B1 (ko) | n형질화물반도체의전극및상기전극을갖는반도체소자및그제조방법 | |
| US4186410A (en) | Nonalloyed ohmic contacts to n-type Group III(a)-V(a) semiconductors | |
| US4188710A (en) | Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors using epitaxial germanium films | |
| JP2786952B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| CN101981713B (zh) | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | |
| KR100351195B1 (ko) | 화합물반도체의오믹콘택트제조방법 | |
| JP4494567B2 (ja) | ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法 | |
| JP2907452B2 (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| KR100496369B1 (ko) | 오믹전극및반도체소자 | |
| CN102598320A (zh) | 氮化物类半导体元件及其制造方法 | |
| JPS5950107B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN102696122A (zh) | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | |
| US4034394A (en) | Schottky semiconductor device | |
| US3913215A (en) | Process for the production of a semiconductor component | |
| CN102859724A (zh) | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | |
| CN102687292A (zh) | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | |
| JPS5845832B2 (ja) | キンゾク−ハンドウタイセイリユウセイセツゴウノ セイホウ | |
| JPH02196421A (ja) | 炭化ケイ素半導体素子の電極形成方法 | |
| JPS61187364A (ja) | オ−ム性電極 | |
| JPH06326051A (ja) | オーミック電極及びその形成方法 | |
| JPS5842631B2 (ja) | 接合ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP2977378B2 (ja) | オーミック電極 | |
| JPS58100455A (ja) | 化合物半導体のオ−ミツク電極およびその製造方法 | |
| JP3560561B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH07273316A (ja) | 半導体装置 |