JP2907452B2 - 化合物半導体用電極 - Google Patents
化合物半導体用電極Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
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-
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化合物半導体用電極に関するものである。
従来、ｎ形のGaAs、GaAlAs等の化合物半導体のオーミ
ック電極としては、望ましい形状を半導体基板上に形成
するために、多くの場合ｎ形層表面上にホトレジストパ
ターンを形成した後、AuとGeの合金を蒸着源として抵抗
加熱法で蒸着を行った後、さらに抵抗加熱法又は電子ビ
ーム蒸着法によりNiを蒸着している。すなわち、第３図
に示すように、ｐ−GaAlAs1上に形成されたｎ−GaAlAs2
上にホトレジストを用いてパターン３を形成（第３図
（ｂ））にした後、全面に電極材料Au/Ge層４、Ni層５
を蒸着し（第３図（ｃ））、更にリフトオフ法により不
要部分を取り除き、第３図（ｄ）に示すように電極パタ
ーン６を形成する。こうして電極材料を蒸着した後に、
オーミック性を得るために、400〜500℃、N2雰囲気もし
くはH2雰囲気中で加熱して合金化処理を行う。
ック電極としては、望ましい形状を半導体基板上に形成
するために、多くの場合ｎ形層表面上にホトレジストパ
ターンを形成した後、AuとGeの合金を蒸着源として抵抗
加熱法で蒸着を行った後、さらに抵抗加熱法又は電子ビ
ーム蒸着法によりNiを蒸着している。すなわち、第３図
に示すように、ｐ−GaAlAs1上に形成されたｎ−GaAlAs2
上にホトレジストを用いてパターン３を形成（第３図
（ｂ））にした後、全面に電極材料Au/Ge層４、Ni層５
を蒸着し（第３図（ｃ））、更にリフトオフ法により不
要部分を取り除き、第３図（ｄ）に示すように電極パタ
ーン６を形成する。こうして電極材料を蒸着した後に、
オーミック性を得るために、400〜500℃、N2雰囲気もし
くはH2雰囲気中で加熱して合金化処理を行う。
このような従来法によるAu−Ge/Ni電極についてSIMS
（２次イオン質量分析法）を用いて電極表面からの深さ
に対する組成プロファイルを求めたところ第４図のよう
な結果が得られた。図中、横軸は電極表面からの深さ
（任意単位）、縦軸は成分強度（任意単位）を表してい
る。
（２次イオン質量分析法）を用いて電極表面からの深さ
に対する組成プロファイルを求めたところ第４図のよう
な結果が得られた。図中、横軸は電極表面からの深さ
（任意単位）、縦軸は成分強度（任意単位）を表してい
る。
図において、AuとGaの強度が等しい深さのところがほ
ぼ電極と半導体との界面に相当するが、この位置におけ
るNi含有量は23.8重量％もある。AlGaAs表面には自然酸
化膜が存在し、酸化膜のない部分にAu−Ge溶液が凝集
し、いわゆるボールアップ現象という不規則な合金化が
進行する。NiはGaAsと強い固相反応をもつため、Niの一
部がAlGaAs界面に拡散し、GaAsを固相で分解してNiAs、
β−AuGa等の化合物を形成し、この固相反応でAlGaAs半
導体表面に存在する自然酸化膜が除去されるためボール
アップを生じない。従来法によるAu−Ge/Ni電極におい
ては、第４図から分かるようにNiがAlGaAs層へ多量に拡
散しており、これによりボールアップ防止を図ってお
り、多量にNiを蒸着する必要がある。また、Alが電極層
表面にパイルアップしており、Alは酸化されやすく、酸
化されると絶縁体となるため接触抵抗が非常に高くな
り、場合によってはオーミック性を示さなくなってしま
う。
ぼ電極と半導体との界面に相当するが、この位置におけ
るNi含有量は23.8重量％もある。AlGaAs表面には自然酸
化膜が存在し、酸化膜のない部分にAu−Ge溶液が凝集
し、いわゆるボールアップ現象という不規則な合金化が
進行する。NiはGaAsと強い固相反応をもつため、Niの一
部がAlGaAs界面に拡散し、GaAsを固相で分解してNiAs、
β−AuGa等の化合物を形成し、この固相反応でAlGaAs半
導体表面に存在する自然酸化膜が除去されるためボール
アップを生じない。従来法によるAu−Ge/Ni電極におい
ては、第４図から分かるようにNiがAlGaAs層へ多量に拡
散しており、これによりボールアップ防止を図ってお
り、多量にNiを蒸着する必要がある。また、Alが電極層
表面にパイルアップしており、Alは酸化されやすく、酸
化されると絶縁体となるため接触抵抗が非常に高くな
り、場合によってはオーミック性を示さなくなってしま
う。
また、従来の方法では、低キャリア濃度のｎ形Ga1-xA
lxAs（０≦ｘ≦１）、もしくはｎ形Ga1-xAlxAsのAlの混
晶比ｘが0.5以上の場合は接触抵抗が十分に低くなら
ず、また、接触抵抗を下げる目的でアロイ温度を高く設
定すると、ボールアップ現象が生じ、蒸着金属の表面に
凹凸が発生してワイヤボンディング時に剥離が生ずるな
どの問題があった。
lxAs（０≦ｘ≦１）、もしくはｎ形Ga1-xAlxAsのAlの混
晶比ｘが0.5以上の場合は接触抵抗が十分に低くなら
ず、また、接触抵抗を下げる目的でアロイ温度を高く設
定すると、ボールアップ現象が生じ、蒸着金属の表面に
凹凸が発生してワイヤボンディング時に剥離が生ずるな
どの問題があった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、低接触抵
抗で、かつボールアップ現象を生じないオーミック電極
を形成することを目的とする。
抗で、かつボールアップ現象を生じないオーミック電極
を形成することを目的とする。
本発明者等は、低接触抵抗であり、かつボールアップ
現象を生じないオーミック電極を形成することを目的と
して鋭意研究を重ねた結果、蒸着材料であるAu、Ge、及
びNiの蒸着順序及びそれ等の蒸着膜厚を制御することに
より上記の目的を達成できることを見出し、本発明に到
達したものである。
現象を生じないオーミック電極を形成することを目的と
して鋭意研究を重ねた結果、蒸着材料であるAu、Ge、及
びNiの蒸着順序及びそれ等の蒸着膜厚を制御することに
より上記の目的を達成できることを見出し、本発明に到
達したものである。
本発明の上記目的は、電極材料としてAu、Ge、Niを用
いたGa1-xAlxAs（０≦ｘ≦１）化合物半導体のオーミッ
ク電極において、電極と半導体界面におけるNi含有量が
20重量％以下であること、また電極表面Al成分が３重量
％以下である電極により、さらに第１図（ａ）〜（ｄ）
に示すようにｎ形層を有する化合物半導体のｎ形層表面
上へ、第１層としてAuを10〜200Å蒸着し、次に第２層
としてGeを50〜200Å、第３層としてNiを50〜200Å、さ
らに第４層として再びAuを200〜1000Å順次蒸着した後
に350〜500℃、H2又はN2等の不活性ガス雰囲気で熱処理
（合金化処理）することにより達成される。
いたGa1-xAlxAs（０≦ｘ≦１）化合物半導体のオーミッ
ク電極において、電極と半導体界面におけるNi含有量が
20重量％以下であること、また電極表面Al成分が３重量
％以下である電極により、さらに第１図（ａ）〜（ｄ）
に示すようにｎ形層を有する化合物半導体のｎ形層表面
上へ、第１層としてAuを10〜200Å蒸着し、次に第２層
としてGeを50〜200Å、第３層としてNiを50〜200Å、さ
らに第４層として再びAuを200〜1000Å順次蒸着した後
に350〜500℃、H2又はN2等の不活性ガス雰囲気で熱処理
（合金化処理）することにより達成される。
化合物半導体としては主としてGa1-xAlxAs（０≦ｘ≦
１）に適用され、特に0.5≦ｘ≦0.9とAlの混晶比が大き
い場合に有効である。
１）に適用され、特に0.5≦ｘ≦0.9とAlの混晶比が大き
い場合に有効である。
良好なオーミック電極を得るには、Au、Ge、Niの蒸着
順序が重要で第１層Au、第２層Ge、第３層Ni及び第４層
Auの順序で必ず蒸着することが望ましい。
順序が重要で第１層Au、第２層Ge、第３層Ni及び第４層
Auの順序で必ず蒸着することが望ましい。
次に、蒸着膜厚については、第１層のAu層10は、10〜
200Åの範囲が好ましく、100〜150Åの範囲がより好ま
しい。また、第２層のGe層11の膜厚は50〜200Åの範囲
が好ましく、100〜150Åの範囲がより好ましく、さらに
第３層のNi層12の膜厚は50〜200Åの範囲が好ましく、1
00〜150Åの範囲がより好ましく、かつ第４層のAu層13
の膜厚は200〜1000Åの範囲が好ましく、300〜800Åの
範囲がより好ましい。
200Åの範囲が好ましく、100〜150Åの範囲がより好ま
しい。また、第２層のGe層11の膜厚は50〜200Åの範囲
が好ましく、100〜150Åの範囲がより好ましく、さらに
第３層のNi層12の膜厚は50〜200Åの範囲が好ましく、1
00〜150Åの範囲がより好ましく、かつ第４層のAu層13
の膜厚は200〜1000Åの範囲が好ましく、300〜800Åの
範囲がより好ましい。
熱処理条件については、熱処理温度は350〜500℃が好
ましく、温度が低い場合は合金化が十分に行われず、ま
た温度が高い場合はボールアップ現象が発生する。熱処
理時の雰囲気については、H2又はN2等の不活性ガスを用
いた方法、もしくはAsH3等によりＶ族元素の分圧を印加
した方法によっても同様の効果が得られる。
ましく、温度が低い場合は合金化が十分に行われず、ま
た温度が高い場合はボールアップ現象が発生する。熱処
理時の雰囲気については、H2又はN2等の不活性ガスを用
いた方法、もしくはAsH3等によりＶ族元素の分圧を印加
した方法によっても同様の効果が得られる。
低接触抵抗を有し、かつボールアップ現象を生じない
良好なオーミック電極は上記の方法により得られるが、
さらに電極材料を化合物半導体表面に付着させる方法と
しては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、もしくは
スパッタリング法等の何れの方法を用いてもよい。ま
た、半導体素子をTO−18等の装置のヘッダーへマウント
して配線を行う場合、通常AuまたはAl線をワイヤーボン
ディングするが、オーミック電極は薄くてワイヤーボン
ディング時に剥がれたりする可能性があるので、ボンデ
ィング性を向上させるために、オーミック電極上にボン
ディング用パッドの形成を行う。ボンディング用パッド
としてはAuまたはAlが好ましく、またオーミック電極と
AuまたはAlのボンディング用パッドの中間にNi、Tiもし
くはPtなどの層を形成してもよい。この場合、オーミッ
ク電極材料蒸着後、ボンディングパッド用材料を蒸着し
た後に熱処理を行ってもよい。
良好なオーミック電極は上記の方法により得られるが、
さらに電極材料を化合物半導体表面に付着させる方法と
しては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、もしくは
スパッタリング法等の何れの方法を用いてもよい。ま
た、半導体素子をTO−18等の装置のヘッダーへマウント
して配線を行う場合、通常AuまたはAl線をワイヤーボン
ディングするが、オーミック電極は薄くてワイヤーボン
ディング時に剥がれたりする可能性があるので、ボンデ
ィング性を向上させるために、オーミック電極上にボン
ディング用パッドの形成を行う。ボンディング用パッド
としてはAuまたはAlが好ましく、またオーミック電極と
AuまたはAlのボンディング用パッドの中間にNi、Tiもし
くはPtなどの層を形成してもよい。この場合、オーミッ
ク電極材料蒸着後、ボンディングパッド用材料を蒸着し
た後に熱処理を行ってもよい。
本発明により得られた電極について、SIMSにより第４
図の場合と同様に電極表面からの深さに対する組成プロ
ファイルを求めたところ第２図に示すような結果が得ら
れた。
図の場合と同様に電極表面からの深さに対する組成プロ
ファイルを求めたところ第２図に示すような結果が得ら
れた。
図から分かるようにNiは電極と半導体との界面（Auと
Gaの強度が等しい位置）にピークをもつが、第４図の場
合に比して量が少なく、測定例では10重量％であった。
このように、本発明においてはNi含有量が少なくてもボ
ールアップ現象の発生を押さえることができる。この界
面におけるNi含有量は20重量％以下であることが好まし
く、15重量％以下であることがより好ましい。また、第
４図の場合に比して、電極表面へのAlの溶出が少なく、
良好なオーミック電極が形成される。なお、電極表面の
Al含有量は３重量％以下であることが好ましい。
Gaの強度が等しい位置）にピークをもつが、第４図の場
合に比して量が少なく、測定例では10重量％であった。
このように、本発明においてはNi含有量が少なくてもボ
ールアップ現象の発生を押さえることができる。この界
面におけるNi含有量は20重量％以下であることが好まし
く、15重量％以下であることがより好ましい。また、第
４図の場合に比して、電極表面へのAlの溶出が少なく、
良好なオーミック電極が形成される。なお、電極表面の
Al含有量は３重量％以下であることが好ましい。
本発明はｎ形層を有するGa1-xAlxAs（０≦ｘ≦１）化
合物半導体のｎ形層表面上へ、第１層としてAu層を形成
し、更にGe層、Ni層及びAu層を順次形成した後、合金化
処理を行い、特に第１層のAu層、第２層のGe層、第３層
のNi層及び第４層のAu層の各膜厚を 第１層 Au 10〜200Å 第２層 Ge 50〜200Å 第３層 Ni 50〜200Å 第４層 Au 200〜1000Å とすることにより、低接触抵抗で、かつボールアップ現
象の生じない良好なオーミック電極の形成が可能にな
る。
合物半導体のｎ形層表面上へ、第１層としてAu層を形成
し、更にGe層、Ni層及びAu層を順次形成した後、合金化
処理を行い、特に第１層のAu層、第２層のGe層、第３層
のNi層及び第４層のAu層の各膜厚を 第１層 Au 10〜200Å 第２層 Ge 50〜200Å 第３層 Ni 50〜200Å 第４層 Au 200〜1000Å とすることにより、低接触抵抗で、かつボールアップ現
象の生じない良好なオーミック電極の形成が可能にな
る。
本発明を、実施例及び比較例に基づいてさらに具体的
に説明する。
に説明する。
基板としてｐ形GaAs結晶に液晶エピタキシャル成長法
により得られたｐ形Ga0.3Al0.7As、ｐ形Ga0.65Al0.35As
及びｎ形Ga0.3Al0.7Asのダブルヘテロ構造エピタキシャ
ル結晶を用いた。本実施例では第１図（ａ）に示すよう
なｐ形GaAs結晶を研磨により除去した構造のエピタキシ
ャル基板を用いた。ｎ形エピタキシャル層の混晶比:x＝
0.7、またキャリアー濃度は２×1018cm-3であった。
により得られたｐ形Ga0.3Al0.7As、ｐ形Ga0.65Al0.35As
及びｎ形Ga0.3Al0.7Asのダブルヘテロ構造エピタキシャ
ル結晶を用いた。本実施例では第１図（ａ）に示すよう
なｐ形GaAs結晶を研磨により除去した構造のエピタキシ
ャル基板を用いた。ｎ形エピタキシャル層の混晶比:x＝
0.7、またキャリアー濃度は２×1018cm-3であった。
次に、ｎ形Ga0.3Al0.7As表面上に所定の形状の電極を
形成するためにリフトオフ法を採用した。最初に、第１
図（ｂ）に示すように、全面にホトレジスト膜３を塗布
した後に、電極形成部分のみホトリソ法によりホトレジ
スト膜を除去した。次に、第１図（ｃ）に示すように電
子ビーム蒸着法により第１層としてAu層10を120Å、第
２層としてGe層11を140Å、第３層としてNi層12を140Å
及び第４層としてAu層13を700Å蒸着した。各層の蒸着
後、アセトンによりホトレジスト膜を除去するリフトオ
フ法を用いて、不要部分の電極を除去し、第１図（ｄ）
に示すような形状の電極14を形成した後に、N2雰囲気中
で420℃、10分間の熱処理を行ったところ、ボールアッ
プ現象発生のない滑らかな表面の電極が得られた。また
接触抵抗は５×10-5Ωcm2と十分に低く、良好なオーミ
ック性を示した。更にボンディング用パッドとして上記
のオーミック電極上にAuを抵抗加熱法により１μｍ蒸着
し、N2雰囲気中で350℃、５分の熱処理を行った後に、A
u線をワイヤーボンディングしたところ、剥離などの発
生も見られず良好なボンディング性が得られた。
形成するためにリフトオフ法を採用した。最初に、第１
図（ｂ）に示すように、全面にホトレジスト膜３を塗布
した後に、電極形成部分のみホトリソ法によりホトレジ
スト膜を除去した。次に、第１図（ｃ）に示すように電
子ビーム蒸着法により第１層としてAu層10を120Å、第
２層としてGe層11を140Å、第３層としてNi層12を140Å
及び第４層としてAu層13を700Å蒸着した。各層の蒸着
後、アセトンによりホトレジスト膜を除去するリフトオ
フ法を用いて、不要部分の電極を除去し、第１図（ｄ）
に示すような形状の電極14を形成した後に、N2雰囲気中
で420℃、10分間の熱処理を行ったところ、ボールアッ
プ現象発生のない滑らかな表面の電極が得られた。また
接触抵抗は５×10-5Ωcm2と十分に低く、良好なオーミ
ック性を示した。更にボンディング用パッドとして上記
のオーミック電極上にAuを抵抗加熱法により１μｍ蒸着
し、N2雰囲気中で350℃、５分の熱処理を行った後に、A
u線をワイヤーボンディングしたところ、剥離などの発
生も見られず良好なボンディング性が得られた。
実施例で用いたものと同等のエピタキシャル基板を用
いて、従来より行われているAu/Ge合金及びNiをそれぞ
れ蒸着する方法により、電極を形成した。AuGe合金の重
量組成はAu:88％、Ge:12％であった。
いて、従来より行われているAu/Ge合金及びNiをそれぞ
れ蒸着する方法により、電極を形成した。AuGe合金の重
量組成はAu:88％、Ge:12％であった。
まず、抵抗加熱法により上記組成のAu/Ge合金を2000
Å蒸着した後に、電子ビーム蒸着法によりNiを200Å蒸
着した。次に、N2雰囲気中で380℃、15分間の熱処理を
行ったところ、ボールアップの発生は無かったが接触抵
抗が２×10-3Ωcm2と大きかった。そこで熱処理温度を4
30℃に上げ15分間の熱処理を行ったところ接触抵抗は７
×10-4Ωcm2に減少したが、ボールアップ現象が生じ、
電極表面に著しい凹凸が生じた。
Å蒸着した後に、電子ビーム蒸着法によりNiを200Å蒸
着した。次に、N2雰囲気中で380℃、15分間の熱処理を
行ったところ、ボールアップの発生は無かったが接触抵
抗が２×10-3Ωcm2と大きかった。そこで熱処理温度を4
30℃に上げ15分間の熱処理を行ったところ接触抵抗は７
×10-4Ωcm2に減少したが、ボールアップ現象が生じ、
電極表面に著しい凹凸が生じた。
以上のように本発明によれば、ｎ形Ga1-xAlxAs表面上
に再現性良く、低接触抵抗であり、かつ電極表面の形状
が滑らかであり、ワイヤーボンディング時に剥離の発生
のない良好なオーミック電極を得ることが可能になり、
高輝度発光ダイオード、半導体レーザなどの光デバイ
ス、また超高速電子デバイスに用いられるGa1-xAlxAs用
の電極形成方法として多大な効果が得られる。
に再現性良く、低接触抵抗であり、かつ電極表面の形状
が滑らかであり、ワイヤーボンディング時に剥離の発生
のない良好なオーミック電極を得ることが可能になり、
高輝度発光ダイオード、半導体レーザなどの光デバイ
ス、また超高速電子デバイスに用いられるGa1-xAlxAs用
の電極形成方法として多大な効果が得られる。
第１図は本発明の化合物半導体用オーミック電極形成方
法を説明するための図、第２図は本発明により得られた
電極についてSIMSにより測定した電極表面からの深さに
対する組成プロファイルを示す図、第３図は従来の化合
物半導体用オーミック電極形成方法を説明するための
図、第４図は従来法により得られた電極についてSIMSに
より測定した電極表面からの深さに対する組成プロファ
イルを示す図である。 １……ｐ−GaAlAs層、２……ｎ−GaAlAs層、３……ホト
レジスト層、10……Au層、11……Ge層、12……Ni層、13
……Au層、14……電極。
法を説明するための図、第２図は本発明により得られた
電極についてSIMSにより測定した電極表面からの深さに
対する組成プロファイルを示す図、第３図は従来の化合
物半導体用オーミック電極形成方法を説明するための
図、第４図は従来法により得られた電極についてSIMSに
より測定した電極表面からの深さに対する組成プロファ
イルを示す図である。 １……ｐ−GaAlAs層、２……ｎ−GaAlAs層、３……ホト
レジスト層、10……Au層、11……Ge層、12……Ni層、13
……Au層、14……電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51 H01L 29/872
Claims (1)
- 【請求項１】電極材料としてAu、Ge、Niを用いたGa1-xA
lxAs（0.5≦ｘ≦0.9）化合物半導体のオーミック電極に
おいて、電極と半導体界面におけるNi含有量が20重量％
以下であり、かつ、電極表面のAl成分が３重量％以下で
あることを特徴とする化合物半導体用電極。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP1225903A JP2907452B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 化合物半導体用電極 |
| US07/573,756 US5192994A (en) | 1989-08-30 | 1990-08-28 | Au-ge-ni ohmic contact for ga-al-as compound semiconductor |
| DE69031103T DE69031103T2 (de) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | Verfahren zur Herstellung einer Ohmschen Elektrode auf einer GaAlAs Schicht |
| EP90309456A EP0419062B1 (en) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | Method of forming an Ohmic electrode on an GaAlAs layer |
| US07/966,535 US5284798A (en) | 1989-08-30 | 1992-10-26 | Method for forming an electrode for a compound semiconductor |
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|---|---|---|---|
| JP1225903A JP2907452B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 化合物半導体用電極 |
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|---|---|
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| WO2002031865A1 (en) | 2000-10-13 | 2002-04-18 | Emcore Corporation | Method of making an electrode |
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| JPS5736749B2 (ja) * | 1973-09-26 | 1982-08-05 | ||
| DE2359640C2 (de) * | 1973-11-30 | 1983-09-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrischer Anschlußkontakt an einen Halbleiterkörper und Verwendung |
| JPS5394873A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of ohmic contact electrode |
| JPS5530834A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Nec Corp | Method of forming ohmic contact in semiconductor pellet |
| WO1983003713A1 (en) * | 1982-04-12 | 1983-10-27 | Motorola Inc | OHMIC CONTACT FOR N-TYPE GaAs |
| US4853346A (en) * | 1987-12-31 | 1989-08-01 | International Business Machines Corporation | Ohmic contacts for semiconductor devices and method for forming ohmic contacts |
| US4927782A (en) * | 1989-06-27 | 1990-05-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making self-aligned GaAs/AlGaAs FET's |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1225903A patent/JP2907452B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-28 US US07/573,756 patent/US5192994A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-29 DE DE69031103T patent/DE69031103T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-29 EP EP90309456A patent/EP0419062B1/en not_active Expired - Lifetime
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1992
- 1992-10-26 US US07/966,535 patent/US5284798A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0419062A3 (en) | 1993-08-25 |
| DE69031103T2 (de) | 1998-01-22 |
| JPH0387066A (ja) | 1991-04-11 |
| DE69031103D1 (de) | 1997-08-28 |
| US5192994A (en) | 1993-03-09 |
| US5284798A (en) | 1994-02-08 |
| EP0419062A2 (en) | 1991-03-27 |
| EP0419062B1 (en) | 1997-07-23 |
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|---|---|---|---|
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