DE2363120B2

DE2363120B2 - Sonnenzellenanordnung

Info

Publication number: DE2363120B2
Application number: DE19732363120
Authority: DE
Inventors: George Los Angeles; Brooks Gilbert R. Granada Hills; Eakins Thomas C Palos Verdes Peninsula; Calif. Wolff (V.St.A.)
Original assignee: Hughes Aircraft Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1973-01-02
Filing date: 1973-12-19
Publication date: 1976-01-22
Also published as: FR2212649B1; JPS49102284A; FR2212649A1; GB1398457A; DE2363120A1; US3952324A; IT1000341B

Description

von den Sonnenzellen derart auf dem Träger befestigt sind, daß ihre unteren Flächen an den Träger angrenzen. Mit jeder der Sonnenzellengruppen ist jeweils mindestens eine dieser Dioden in Reihe geschaltet, um zu verhindern, daß im Falle eines sich in den Sonnenzellengruppen bildenden Kurzschlüsse"« die Sonnenzellenplatte vollständig ausfällt, und daß ein größerer Leistungsabfall stattfindet, wenn die Sonnenj:ellenplatte teilweise abgeschattet wird.

Eine Sperrdiode, wie sie bei der erfindungsgemäßen Sonnenzellenanordnung verwendet wird, ka">n eine verhältnismäßig dünne Halbleiterscheibe umfassen, die parallel zueinander verlaufende und verhältnismäßig große, obere und untere Flächen aufweist und mindestens zwei verschieden dotierte Bereiche umfaßt, zwisehen denen ein Halbleiterübergang besteht. Der erste dieser Bereiche erstreckt sich bis zu einem vorbestimmten Abstand von der oberen Fläche aws nach innen und ist längs des Randes der oberen Fläche und im Inneren der Halbleiterscheibe durch den zweiten dieser Bereiche begrenzt, so daß ein flächenhafter Aufbau des Halbleiterübergangs erzielt ist. Auf der oberen Fläche ist ein erster Kontakt oder eine erste Elektrode angeordnet, die nur mit dem ersten Bereich in ohmschem Kontakt steht, während auf der unteren Fläche der Scheibe eine zweite Elektrode angeordnet ist, die mit dem zweiten Bereich in ohmschem Kontakt steht. Die Sperrdiode umfaßt auch eine Abdeckung der oberen Fläche, die ein Eintreten von Sonnenlicht in die Halbleiterscheibe und dessen Einfluß auf den Halbleiterübergang verhindert.

Ferner kann zum Verhindern von Leckströmen, die über den Halbleiterübergang an der oberen Fläche der Halbleiterscheibe hinwegfließen, auf diese obere Fläche eine Isolierschicht vorgesehen sein, die: am Rand des ersten Bereichs mit den beiden Bereichen in Kontakt steht.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine Draufsicht auf eine teilweise aufgebrochene Sperrdiode einer Sonnenzellenanordnung nach der Erfindung,

Fig.2 einen Schnitt durch die Sperrdiode nach F i g. 1 längs der Linien 2-2,

F i g. 3 eine Draufsicht auf eine teilweise aufgebrochene Sperrdiode nach einer anderen Ausfürirungsform der Erfindung

F i g. 4 einen Schnitt durch die Diode nach F i g. 3 längs der Linie 4-4,

Fig.5 eine Seitenansicht eines Abschnittes einer Sonnenzellenanordnung nach der Erfindung, auf deren Träger neben einer Anzahl Sonnenzelten eine Sperrdiode angeordnet ist,

F i g. 6 eine schematische Darstellung verschiedener typischer elektrischer Verbindungsmöglichlceiten zur Bildung verschiedener Sonnenzellengruppen, deren jede mit einer oder mehreren Sperrdioden verbunden ist,

F i g. 7 eine graphische Darstellung des Erholungs-Vorgangs einer Sperrdiode nach einer plötzlichen Spannungsumkehrung, und

Fig.8 eine Seitenansicht eines Abschnittes einer Sperrdiode nach einer weiteren Ausführungsform für eine Sonnenzellenanordnung nach der Erfindung.

Die F i g. 1 und 2 der Zeichnung zeigen eine Isolations- oder Sperrdiode, die zum Gebrauch in Verbindung mit Sonnenzellenplatten, wie sie bei üblichen flexiblen, aufrollbaren oder starren, flachen oder zylindrischen Anordnungen von Sonnenzellenplatten verwendet werden, bestimmt und auf einer solchen direkt befestigt ist. Die dargestellte Sperrdiode 11 umfaßt eine relativ dünne Halbleiterscheibe !3 mit parallelen und verhältnismäßig großen oberen und unteren Flächen IS und 17 und mit mindestens zwei verschieden dotierten Bereichen 19 und 21, die einen dazwischenliegenden Halbleiterübergang 23 bilden, der durch eine gestrichelte Linie dargestellt ist. Der orste Bereich 19 erstreckt sich von der oberen Fläche 15 aus um eine vorbestimmte Strecke nach innen und ist längs des Randes der oberen Fläche 15 und im Inneren der Halbleiterscheibe durch den zweiten Bereich 21 begrenzt. Auf der oberen Fläche 15 ist eine erste elektrisch leitende Elektrode 25 angeordnet, die nur mit dem ersten Bereich !9 in ohmschem Kontakt steht, und auf der unteren Fläche 17 ist eine zweite Elektrode 27 angeordnet, die nur mit dem zweiten Bereich 21 leitend verbunden ist. Auf die obere Fläche 15 und die erste Elektrode 25 ist zur Abschirmung der Sonnenstrahlung eine beispielsweise aus aluminiertem Kunststoff bestehende Schutzschicht 29 aufgebracht, so daß die Sonnenstrahlung den Halbleiterübergang nicht beeinflussen kann. Die Schutzschicht 29 besteht vorzugsweise aus Polytetrafluoräthylen, das ein vollständig fluoriertes Copolymer von Hexafluorpropylen und Tetrafluoräthylen ist. Sie ist mit einer Durchlaßöffnung 31 versehen; sie bildet auch einen Schutz gegen auftreffende, aus einzelnen Teilchen bestehende Raumstrahlung und weist vorteilhafte Eigenschaften hinsichtlich der Temperaturregelung auf, nämlich ein niedriges Absorptionsvermögen («) für das Sonnenlicht und ein hohes thermisches Emissionsvermögen (ε).

Die Halbleiterscheibe 13 kann aus jedem halbleitenden Material, beispielsweise Silizium, bestehen und aus einem zur Erzeugung des dargestellten, flächigen Halbleiterübergangs vordotierten Kristallblock hergestellt sein, der entweder n- oder p-leitend ist. Die Elektroden 25 und 27 können aus abgeschiedenem Silber-Titan (AgTi)oder aus Aluminium bestehen, das besonders gut leitend, leicht schweißbar und betriebssicher ist und eine gute Beständigkeit gegen Umgebungseinflüsse aufweist.

Die Sperrdiode !1 hat einen dünnen flachen Aufbau, damit ihre Abmessungen der üblichen Größe und Form typischer Sonnenzellen entsprechen. Das Aussehen der Sperrdiode 11 unterscheidet sich daher wesentlich von demjenigen der bisher in Verbindung mit Sonnenzellenplatten verwendeten Sperrdioden, die rohrförmig und wesentlich dicker waren als eine Sonnenzelle und deren Gestalt, wie oben erwähnt, einer Befestigung an dünnen, faltbaren oder aufrollbaren Anordnungen von Sonnenzellenplatten hinderlich war. Demgegenüber kann die Sperrdiode 11 unmittelbar an Sonnenzellengruppen angrenzend befestigt und zu verschiedenen Gruppen solcher Zellen in Serie geschaltet werden, so daß getrennte, lange und isolierte Sammelschienen nicht langer erforderlich sind. Beispielsweise kann die Halbleiterscheibe 13 nur 0,2 mm dick und nur 1 cm lang und 2 cm breit sein.

Die Größe und Form der Sperrdiode 11 ist auch deshalb wichtig, weil sie die Möglichkeit bietet, die Sperrdiode bei der automatischen maschinellen oder manuellen Herstellung von Sonnenzellengruppen wie eine Sonnenzelle zu behandeln. Die große Fläche des Halbleiterübergangs unterstützt die Wärmeabfuhr, was von Bedeutung ist, weil die Dioden in einer leichten flexi-

blen Anordnung thermisch nur schwach gekoppelt sind und die in ihnen erzeugte Wärme nahezu vollständig durch Abstrahlung abgeführt werden muß.

Die Sperrdiode 11 kann auf dem Träger einer Sonnenzellcnplattc in jeder üblichen Weise befestigt werden, jedoch muß das Material der Elektrode berücksichtigt werden. Aus diesem Grunde werden Silber-Titan-Elektroden oder -Kontakte oft in Verbindung mit verlöteten Sonnenzellengruppen verwendet, wahrend Aluminium als weiteres in Frage kommendes Elektrodenmaterial bei verschweißten Sonnenzellengruppen verwendet werden kann. Da jedoch das Aluminium als »p«-Dotiermaterial wirkt, sollte ein stark dotiertes η⁺-Material als Ausgangssubstrat verwendet werden, um den Effekt möglichst klein zu halten, daß auf der Rückseite, der »n«-Seite, unerwünschte Schottky-Sperrschichten entstehen.

Die F i g. 1 und 2 zeigen auch, daß zwischen der oberen Fläche 15 und der Schutzschicht 29 eine weitere Schutzschicht 33, die beispielsweise aus thermisch diffundiertem Glas besteht, so angeordnet ist. daß sie an der längs des Randes der Halbleiterscheibe verlaufenden Grenze 35 des ersten Bereichs 19 in Kontakt mit den beiden dotierten Bereichen 19 und 21 steht und an der oberen Fläche der Halbleiterscheibe Leckströme über den Halbleiterübergang 23 verhindert. Die Schutzschicht 33 kann sich an den seitlichen Flächen der Halbleiterscheibe 13 nach unten erstrecken oder abgeätzt sein, wie es der dargestellten Ausführungsform entspricht.

Die Größe und die Anordnung des ersten dotierten Bereichs sowie der oberen oder ersten Elektrode 25 können bei Bedarf dem jeweiligen Anwendungszweck angepaßt werden, wie es beispielsweise in den F i g. 3 und 4 dargestellt ist. Hierbei verläuft der Halbleiter Übergang 23' in geringerem Abstand vom Rand der Halbleiterscheibe 13' und die erste Elektrode 25' weist eine wesentlich kleinere Fläche auf und ist am einen Ende der Halbleiterscheibe neben der Glasschutzschicht 33' angeordnet. Diese Ausbildung gleicht mehr der Elektrodenanordnung typischer Sonnenzellen und erleichtert die Verbindung mit den Sonnenzellen. Bei dieser Ausführungsform ist eine versilberte oder aluminierte Schutzschicht 29' aus geschmolzenem Quarz auf die Diode 11' aufgebracht, die dieselbe Funktion erfüllt wie die Schutzschicht 29 bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform.

Eine vereinfachte Darstellung einer solchen Verbindung einer Diode mit einer Sonnenzelle ist in F i g. 5 dargestellt, die zwei mittels eines Z-förmigen metallischen Leiters 55 in Reihe geschaltete Sonnenzellen 51 und 53 und eine Sperrdiode Il' zeigt, die mit der Sonnenzelle 53 mittels eines weiteren Z-förmigen Leiters 57 in Serie geschaltet ist. Die Sonnenzellen und die Diode sind in der dargestellten Weise mit Hilfe üblicher Verfahren auf dem Träger 59 einer Sonnenzellenplatte befestigt, und die untere oder zweite Elektrode 27' ist mit Hilfe einer isolierten Sammelschiene 61 elektrisch mit dem Verbraucherstromkreis eines Raumfahrzeuges verbunden.

Wie oben ausgeführt, sind die Sperrdioden der Sonnenzellenplatte mit Sonnenzellengruppen in Reihe geschaltet, um zu verhindern, daß im Falle eines in einer einzigen Gruppe auftretenden Kurzschlusses ein vollständiger Ausfall der Sonnenzellenplatte oder im Falle einer teilweisen Abschattung der Platte ein größerer Leistungsabfall eintritt. Die F i g. 6 zeigt in schematischer Darstellung einige von vielen möglichen Anordnungen von Sonnenzellengruppen, deren jede eine oder mehrere auf der Platte befestigte Sperrdioden 11 aufweist, die zwischen einer Sonnenzellengruppc und ihrem Verbraucherstromkreis in Reihe geschaltet sind. In F i g. 6 ist eine erste Sonnenzellengruppe 71 mit Sonnenzellen dargestellt, die in drei parallelen Reihen 73,4 bis 73C angeordnet sind, deren jede eine beliebige gewünschte Anzahl in Reihe geschalteter Sonnenzellen 75 umfaßt. Das eine Ende 77 der Gruppe 71 ist direkt

■o mit einer ersten Sammelschiene 79 verbunden, während ihr anderes Ende 81 über zwei auf der Platte befestigte Sperrdioden IM und liß mit einer gemeinsamen zweiten Sammelschiene 83 verbunden ist. Die Zahl der benötigten Dioden läßt sich durch einfache Überle-

<5 gungen ermitteln, die der Fachmann auf Grund seiner Kenntnisse anstellen kann.

Eine weitere typische Sonnenzellengruppe 85 mit nur einer einzigen Reihe von Zellen 75 ist ebenfalls in Fi g. 6 dargestellt. Das unlere Ende 87 dieser Gruppe ist direkt mit der gemeinsamen Sammelschiene 83 und ihr oberes Ende 89 über eine Diode 11C mit einer ihr zugeordneten dritten Sammelschiene 91 verbunden. Ferner ist in F i g. 6 eine typische Abwandlung einer Anordnung mit einer einzigen Reihe von Zellen 75 dargestellt. Hierbei sind Reihen 93 und 95 in Serie geschalteter Sonnenzellen in einem gemeinsamen Knoten mit einer vierten Sammelschiene 99 verbunden. Die obere Reihe 93 ist mit dem Knoten 97 direkt verbunden und mit einer auf der Sonnenzellenplatte befestigten Diode 11D versehen, die zu einer weiteren Sammelschiene 101 führt. Die untere Reihe 95 umfaßt ebenfalls eine in Serie geschaltete Isolations- oder Sperrdiode 11 fund ist zwischen die gemeinsame Sammelschiene 83 und den Knoten 97 geschaltet.

Die beschriebenen, auf Sonnenzellenplatten befestigten Sperrdioden weisen in Durchlaßrichtung einen typischen Spannungsabfall von 1 V bei 3 A und 25°C auf und eine Sperrspannung von 200 V bei beträchtlich weniger als 1 mA. Bei bestimmten Anwendungen ist die Erholzeit von Bedeutung, und es zeigt das in F i g. 7 dargestellte Diagramm einen typischen Erholvorgang, dessen charakteristische Zeit rrr nur etwa 2 μβ beträgt. In Fig.8 ist ein Abschnitt einer weiteren Ausführungsform der Sperrdiode dargestellt. Bei dieser Ausführungsform umfaßt die Sperrdiode eine verhältnismäßig dünne Halbleiterscheibe 43 mit parallel zueinander verlaufenden oberen und unteren ebenen Flächen 45 bzw. 47. Die Halbleiterscheibe 43 ist mit oberen und unteren Elektroden 49 und 50 aus leitendem Materia!

versehen, die ähnlichen Zwecken dienen wie die vergleichbaren Elemente der zuvor beschriebenen Ausführungsformen. Die Halbleiterscheibe 43 weist fernei einen ersten dotierten Bereich 63 auf, der sich von dei oberen Fläche 45 aus eine vorbestimmte Strecke naef innen erstreckt und an seinem Rand durch die Seiten flächen 65 der Halbleiterscheibe und innerhalb dersel ben durch einen zweiten Bereich 67 begrenzt ist, dei eine andere Dotierung aufweist, so daß zwischen die sen Bereichen ein Halbleiterübergang 69 gebildet isl Obwohl es in der F i g. 8 nicht dargestellt ist, kann mit tels irgendeines gängigen Verfahrens eine isolierend! Schutzschicht auf die Seitenflächen 65 der Halbleiter scheibe 43 aufgebracht werden, die den Rand des Halb leiterüberganges 69 überdeckt und das Auftreten voi

⁶S Leckströmen zwischen den beiden verschieden dotier ten Bereichen 63 und 67 verhindern hilft. Wie bei alle anderen Ausführungsformen der Erfindung ist die Die de auf ihrer oberen Fläche 45 mit einer Schutzschild-

70 gegen das Sonnenlicht versehen, die aufgeklebt oder auf andere Weise an der Diode befestigt ist.

Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß es die Urnge bungseinfiüssc denen die Sonnenzellen ausgesetzt sind, erfordern, daß die Sperrdioden Eigenschaften aufweisen, die denen der Sonnenzellen sehr ähnlich sind. Dies bedeutet im wesentlichen, daß die Dioden in weiten Temperaturbereichen (-18O⁰C bis +150⁰C) zuverlässig arbeiten müssen, daß sie mit einer Sonnenzellengruppe verbindbar sein müssen und daß sie gegebenenfalls auf eine., dünnen, flexiblen Träger aufbringbar sein müssen, ohne daß dadurch Schwächungen des Aufbaus eintreten. Die Sperrdioden in der Sonnenzcllenanordnung nach der Erfindung weisen diese wesentlichen Eigenschaften auf.

Die neuartige Ausbildung der Sperrdioden vereinfacht die Konstruktion von Sonnenzellenplatten, vermindert beträchtlich deren Gewicht, weil sie keinerlei Einrichtungen zur Unterstützung der Wärmeabstrahlung von den Dioden erfordert, und ermöglicht es, die Sonnenzellcngruppen unter Einschluß der vorgesehenen Sperrdioden in demselben Lot- oder Schweißarbeitsgang herzustellen. Die Erfindung ermöglicht es

ίο ferner, die Sonnenzellengruppen im Verlauf eines jeden Produktionsschrittes einschließlich der Endkontrolle einer fertigen Sonnenzellenplatte einzeln zu prüfen, und verbessert die Zuverlässigkeit von Sonnenzellenplatten, was sich auf die Kosten sehr günstig auswirkt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

509584/390

Claims

Patentansprüche:

1. Sonnenzellenanordnung mit auf einem plattenförmigen Träger befestigten flachen Sonnenzellen, die zur Bildung von Sonnenzeiiengruppen elektrisch miteinander verbunden sind, und mit Sperrdioden, die mit den Sonnenzeiiengruppen in Reihe geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrdioden (11) eine der Form der Sonnenzellen (51, 53) entsprechende flache Form aufweisen und in einer im wesentlichen koplanaren Anordnung Seite an Seite mit den Sonnenzelten auf dem plattenförmigen Träger (59) befestigt sind.

2. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Sperrdiode (11) eine dünne Halbleiterscheibe (13; 43) mit zwei übereinanderliegenden, verschieden dotierten Bereichen (19 und 21; 63 und 67) umfaßt, die einen zwischen ihnen angeordneten Halbleiterübergang (23; 69) bilden, und daß zwei flache Elektroden (25 und 27; 49 und 50) vorgesehen sind, die mit je einem der dotierten Bereiche (19 bzw. 21; 63 bzw. 67) in ohmschem Kontakt stehen.

3. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der eine dotierte Bereich (19) längs seines Umfangs von dem anderen, an den Träger angrenzenden dotierten Bereich (21) begrenzt wird, der sich bis zu der der einfallenden Strahlung zugewandten Oberfläche (15) der Halbleiterscheibe (13) erstreckt.

4. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem einen dotierten Bereich (19) und dem diesen umgebenden Teil des anderen, an den Träger angrenzenden dotierten Bereich (21) eine Schutzschicht (33) angeordnet ist, die an der der einfallenden Strahlung zugewandten Oberfläche der Halbleiterscheibe (13) über den Halbleiterübergang fließende Leckströme verhindert.

5. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (33) als Streifen thermisch diffundiertes Glas ausgebildet ist.

6. Sonnenzellenanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die der einfallenden Strahlung zugewandte Oberfläche der Sperrdiode (11; 43) eine die Diode gegen Sonnenstrahlung abschirmende Schutzschicht (29; 70) aufgebracht ist.

7. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gegen Sonnenstrahlung abschirmende Schutzschicht (29) im Bereich der Elektrode (25) eine Durchlaßöffnung (31) aufweist.

8. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gegen Sonnenstrahlung abschirmende Schutzschicht (29) eine aufgeklebte, aluminierte Polytetrafluoräthylenschicht ist.

9. Sonnenzellenanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gegen Sonnenstrahlung abschirmende Schutzschicht (29) eine aluminierte oder versilberte Schicht aus geschmolzenem Quarz ist.

Die Erfindung betrifft eine Sonnenzellenanordnung mit auf einem plattenförmigen Träger befestigten flachen Sonnenzeilen, die zur Bildung von Sonnenzeiiengruppen elektrisch miteinander verbunden sind, und mit Sperrdioden, die mit den Sönnenzellengruppen in Reihs geschaltet sind.

Solche Sonnenzellenanordnungen, die mit zunehmendem Leistungsbedarf, insbesondere für Raumfahrzeuge, für immer größere Leistung und daher mit im-

mer größeren Abmessungen hergestellt werden, sind aus der Zeitschrift »Funkschau«, 1970, Heft 9, S. 291 bis 293 bekannt. Die Sperrdioden haben bei solchen Anordnungen den Zweck, beim Ausfall einzelner Sonnenzellen einen Rückstrom zu verhindern. Die Anwendung üblicher Dioden, die entsprechend der erzeugten Leistung erhebliche Abmessungen aufweisen und mit Wärmesenken zum Abführen der Verlustleistung versehen werden müssen, wird immer schwieriger, je größer die Sonnenzellenanordnungen werden. Auch die Anzahl

ίο der zur Verbindung der einzelnen Sonnenzellen mit den Sperrdioden benötigten Sammelschienen wird immer größer, wogegen insbesondere bei Sonnenzellenanordnungen für Raumfahrzeuge der zur Unterbringung der Dioden, Wärmesenken und Sammelleitungen

iS zur Verfügung stehende Platz immer geringer wird.

Demgemäß liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Sonnenzellenanordnung der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, die in größtmöglichem Umfang die Verwendung von Sperrdioden zum Schutz der Sonnenzellen ermöglicht, ohne daß zusätzliche Wärmesenken für die Dioden vorgesehen werden müssen und bei der der Bedarf an langen isolierten Sammelschienen auf ein Minimum beschränkt werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Sperrdioden eine der Form der Sonnenzellen entsprechende flache Form aufweisen und in einer im wesentlichen koplanaren Anordnung Seite an Seite mit den Sonnenzellen auf dem plattenförmigen Träger befestigt sind.

Der besondere Vorteil der erfindungsgemäßen Sonnenzellenanordnung besteht in ihrem einfachen Aufbau, der es auch ermöglicht, daß zusätzliche Einrichtungen zur Abstrahlung der von den Dioden erzeugten Wärme entfallen können. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß Sonnenzeiiengruppen zusammen mit Sperrdioden in ein und demselben Lötoder Schweißarbeitsgang hergestellt werden können. Durch die Erfindung wird ferner eine Sonnenzellenanordnung geschaffen, bei der die Sonnenzeiiengruppen im Verlauf aller Produktionsschritte einschließlich der Endmontage der Sonnenzellenanordnung einzeln geprüft werden können. Auch können bei der erfindungsgemäßen Sonnenzellenanordnung die Sperrdioden dieselbe Größe und Form aufweisen wie die unmittelbai benachbarten Sonnenzellen.

Die Sonnenzellenanordnung besteht aus Sonnenzel· lenplatten mit einem plattenförmigen Träger. Auf die sem Träger ist eine Anzahl von verhältnismäßig dün nen Sonnenzellen, die jeweils eine relativ große oben und untere Fläche aufweisen, einander benachbart un< in verhältnismäßig geringem Abstand so befestigt, dal ihre unteren Flächen an den Träger angrenzen. Dii Sonnenzellen sind elektrisch miteinander zu Gruppei verbunden, deren elektrische Anordnung die ge wünschten Spannungs- und Stromverhältnisse ergib¹ Es sind relativ dünne Sperrdioden vorgesehen, die ein der Form der Sonnenzellen entsprechende flache Forr aufweisen und in verhältnismäßig geringem Abstan