JPS63222467A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は複数の発電領域を直列接続し次光起電力装置の
製造方法に関する。

幹）　従来の技術 基板の絶縁表面に複数の発電領域を設け、これら領域を
電気的に直列接続した光起電力装置は特公昭５８−２１
８２７号公報に示された如く、基板上に１つの半導体光
活性層と該光活性層を挾む複数の第１及び第２電極膜と
から成る複数の発電領域を有し１ｇｓ接する発電領域の
第１及び第２電極膜に半導体光活性層の外で互−に電気
的に接続された構造である。

斯る光起電力装置では、半導体光活性層はマスキング手
法を用いて所望のパターンに形成され、製造工程の簡略
化ｔ−図りている。

ｅウ　　発明が解決しようとする問題点然し乍ら、斯る
マスキング手法にあっては、これに用いるマスクを基板
に対して半導体光活性層Ｏ被着箇所を露出するように正
確に位置決めしなけれはならない。

また、マスクが正確に位置決めされたとしても、マスク
と基板との間に僅かながらも隙間が形成さ詐るために、
斯る隙間に半導体光活性層を形成する半導体材料が泌み
出し、半導体光活性層は実際のパターンよシも大きく形
成されてしまう。このため、半導体光活性層から外へ延
びて接続される第１及び第２電極膜部分は、上記半導体
材料の泌み出しを考慮して半導体光活性層の周縁部分か
ら大面積で延びて設けなければならない。

ところが、半導体光活性層から外へ延びて互いに接続さ
れる第１及び第２電極膜部分は、発電に全く寄与しない
部分であるため、可能な限シ小面積であるのが好ましい
が、上述のような半導体材料の泌み出しは、斯る小面積
化を妨げる。

なお、半導体光活性層のパターニングに、フォトリシグ
ラフイ手法を用いれば、パターニング精度が向上し、上
記泌み出し部分の発生はなくなるものの、工程の煩雑化
及び製造コストの上昇化の原因となる。

に）問題点を解決するための手段 本発明の製造方法は、上記問題点を解決すべく、基板絶
縁表面の複数の発電領域毎に、該発電領域の各々から上
記基板の一周縁に向かって延在する第１延長部を有する
第１１１極膜を分割配置する工程と、この第１電極腺を
含んで上記基板の絶縁表面の略全面に半導体光活性層を
形成する工程と、隣接する発電領域の上記第１電極膜の
第１延長部の上まで延在する第２延長部を有する第２電
極腺を上記半導体光活性層上の発電領域毎に分割配置す
る工程と、上記第２延長部にこの配列方向に沿ってエネ
ルギ、−ビームを照射して重なり合った上記第１延長部
と第２延長部とを溶着することにより隣接した発電領域
を電気的に直列接続する工程と全備えたことを特徴とす
る。

（ホ）作　用 本発明では、第１電極膜、基板の略全面の半導体光活性
層及び第２電極腺をこの順に設けた後、上記第２電極膜
の第２延長部に、この延長部の整列方向に沿ってエネル
ギービーム會照射することによって、第１電極膜の延長
部と第２電極膜の延長部とが溶着される。

（へ）実施例 ｇ１図乃至第４図は本発明の製造方法を工程別に示す平
面図である。

第１図の工程では、ガラス、耐熱グラスチック等から成
る透光性の絶縁基板Ｔｌ＋の一表面の長手方向に整列区
画された複数の発電領域（２ａ）〜（２ｏ）に、第１電
極１１１（３ａ）〜（３ｃ）が分割配置される。この第
１電極膜（５ａ）〜（５０）は、酸化錫（Ｓｎ０２）や
酸化インジウム錫（工Ｔｏ）等の透光性導電酸化物（Ｔ
ｏｏ）の単層あるいは積層構造から成る。更に、第１電
極膜（６ａ）〜〔５ｃ）は基板（１）の一方の周縁に向
か９て延出した第１延長部（３ａｅ　）〜（３ｏｅ　）
を有し、そして、第１電極膜（３ｂ）（３ｏ）Ｋ形成さ
れた第１延長部（３ｂｅ）（５ｏｅ）は、左隣フの第１
電極ＩｇＩ（３ａ）（３ｂ）方向に約０．３１１の幅で
向かう逆り字状に形成さｎている。

第２図の工程では、第１電極１Ｉｌｌｌ（３ａ）〜（３
０）及び＃！１ｍ長部（要部ｅ）〜（３ｏｅ）を含んで
基板＋１１の一表面の略全面に、８ｉＨ４，８１Ｆ４等
のシリコン化合物ガスを原料ガスとするプ２ズマＯｖＤ
法や光ＯＶＤ法によシ、アモルファスシリコン（ａ−８
１）、アモルファスシ゛リコンカーバイド（ａ−８１０
）、アモルファスシリコンダルマニウム（ａ−８１Ｇｅ
）等ｉｐｎ％ｐｉｎに積層した半導体光活性層（４）が
形成される。

第５図の工程では、半導体光活性層（４）上の複数の発
電領域（２ａ）〜（２０）に、第１電極膜（３ａ）〜（
３ｏ）と重なるように第２’ｌＥ極ｙＡ（５ａ）〜（５
ｏ）が分割配置さｎる。このｇｚｔ極［（５ａ）　〜Ｌ
５ｃ）は、アルミニウム（ＡＪ）、チタン銀合金（Ｔｉ
ＡＰ）、銀（ＡＰ）等の金属から成る単層または積層構
造から成る。更に、第２電極膜（５ａ）〜（５ｏ）ｔｊ
：第１電極ｆｌｉ（５ａ）〜（６ｃ）と同じく基板（１
）の一方の周縁に向かって延出した第２延長部（５ａｅ
　）〜（５ｏｅ）を有し、そして、第２電極膜（５ａ）
（５ｂ）に形成された第２延長部（５ａｅ　）（５ｂｅ
　）は、夫々右隣シの第１電極膜（３ｂ）（３Ｑ）の第
１延長部（３ｂθ）（３ｏｅ　）と略重な９合うように
５字状く形成されている。なお、斯る工程時左端の第１
電極膜〔５ａ）の第１延長部（３ａｅ　）と重なるよう
に、取出電極膜（６）も、配置される。

第４図の工程では、第２延長部（５ａｅ）〜（５０ｅ）
の上からこｎらの配列方向に、レーザビームや電子ビー
ム等のエネルギービームを照射することによって第１電
極膜（３ａ）（３ｂ）（３Ｃ）の第１延長部（３ａｅ）
（３ｂｅ）（５ｃｅ）の夫々と取出電極＠　ｆ６１及び
第２電極膜（５ａ）【５ｂ）の第２延長部（５ａｅ）（
５ｂｅ）の夫々とが溶着さｎる。斯る溶着部（７）はま
ず、ビーム照射によシ第２延長部に孔が穿たれ、この孔
を通してこの部分の半導体光活性層が蒸硝除去された後
、上記孔の周囲の第２延長部が溶融してこの孔を通うて
第１延長部まで達することによって行なわれる。使用さ
ｎるエネルギービーム源としては、Ｑスイッチ付の出力
１ＷのＹＡＧレーザが適当であ夛、スポット径ｃＬ０５
ｕ１スポット間隔（１０３関で直線上に照射される。な
お、本実施例にあっては、第２延長部（５ａｅ）（５ｂ
ｅ）及び取出電極膜（６）上に３本の溶着部（７）を設
けることによりて、第１延長部（３ｂｅ）（３ｏｅ・）
と第２延長部（５ａｅ）（５ｂｅ）との接続箇所を増し
て接続抵抗の低下を図っている。

こうして、５つの発電領域（２ａ）〜（２ｃ）は電気的
に直列接続され、これら発電領域（２ａ）〜（２ｏ）の
直列出力は、左端の第１電極＠Ｃ３ａ）の第１延長部（
３ａｅ　）に接続されている取出電極膜（６）と右端の
第２電極膜〔５ｃ〕の第２延長部（５ｏｅ　）との間か
ら取出される。

なお、本実施例では、基板（１１を透光性として受光面
側としているために、第１電極膜（５ａ）〜（３０）ｔ
−透光性としているが、第２電極１１１（５してもよい
。

（ト）　　発明の効果 本発明によれば、基板上に第１電極膜、半導体光活性層
及び第２電極膜をこの項序で積層形成した後、第２電極
膜の＃Ｉ２延長部にエネルギービームを照射することＫ
よって第１電極膜の第１延長部と第２電極膜の第２延長
部とを電気的に直列接続するようにしたので、半導体光
活性層のバターニングが全く不要となシ、第１電極膜及
び第２電極膜の各延長部を小面積とすることができる。

従って、発電に寄与しない無効面積を小さくすることが
できる。

【図面の簡単な説明】 第１図乃至第４図は本発明製造方法を工程別に示す平面
図であって、ｆｉ＋は基板、（２ａ）〜Ｃ２Ｃ）は発電
領域、（５ａ）　〜（３ｏ）はＭ１１Ｅ極膜、（３ａｅ
　）〜（３ｏｅ）は斯る第１電極膜の第１延長部、（４
）は半導体光活性層、（５ａ）〜（５ｃ）ｉ第２電極膜
、（５ａｅ　）〜（５ｃｅ　）ｔ！斯る第２１Ｃ極膜の
第２延長部である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の絶縁表面の複数の発電領域毎に、該発電領
   域の各々から上記基板の一周縁に向かって延在する第１
   延長部を有する第１電極膜を分割配置する工程と、この
   第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に半導
   体光活性層を形成する工程と、隣接する発電領域の上記
   第１電極膜の第１延長部の上まで延在する第２延長部を
   有する第２電極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎
   に分割配置する工程と、上記第２延長部にこの配列方向
   に沿ってエネルギービームを照射して重なり合った上記
   第１延長部と第２延長部とを溶着することにより隣接し
   た発電領域を電気的に直列接続する工程とを備えたこと
   を特徴とする光起電力装置の製造方法。