JP2877328B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は複数の発電領域を直列接続した光起電力装置
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 基板の絶縁表面に複数の発電領域を設け、これら領域
を電気的に直列接続した光起電力装置は特公昭58−2182
7号公報に示された如く、基板上に１つの半導体光活性
層とこの光活性層を挟む複数の第１及び第２電極膜とか
ら成る複数の領域を有し、隣接する発電領域の第１及び
第２電極膜は半導体光活性層の外で互いに電気的に接続
された構造である。
を電気的に直列接続した光起電力装置は特公昭58−2182
7号公報に示された如く、基板上に１つの半導体光活性
層とこの光活性層を挟む複数の第１及び第２電極膜とか
ら成る複数の領域を有し、隣接する発電領域の第１及び
第２電極膜は半導体光活性層の外で互いに電気的に接続
された構造である。
斯る光起電極力装置では、半導体光活性層はマスキン
グ手法を用いて所望のパターンに形成され、製造工程の
簡略化を図っている。
グ手法を用いて所望のパターンに形成され、製造工程の
簡略化を図っている。
然し乍ら、斯るマスキング手法にあっては、これに用
いるマスクを基板に対して半導体光活性層の被着箇所を
露出するように正確に位置決めしなければならない。
いるマスクを基板に対して半導体光活性層の被着箇所を
露出するように正確に位置決めしなければならない。
また、マスクが正確に位置決めされたとしても、マス
クと基板との間に僅かながらも隙間が形成されるため
に、斯る隙間に半導体光活性層を形成する半導体材料が
泌み出し、半導体光活性層は実際のパターンよりも大き
く形成されてしまう。このため、半導体光活性層から外
へ延びて接続される第１及び第２電極膜部分は、上記半
導体材料の泌み出しを考慮して半導体光活性層の周縁部
分から大面積で延びて設けなければならない。
クと基板との間に僅かながらも隙間が形成されるため
に、斯る隙間に半導体光活性層を形成する半導体材料が
泌み出し、半導体光活性層は実際のパターンよりも大き
く形成されてしまう。このため、半導体光活性層から外
へ延びて接続される第１及び第２電極膜部分は、上記半
導体材料の泌み出しを考慮して半導体光活性層の周縁部
分から大面積で延びて設けなければならない。
ところが、半導体光活性層から外へ延びて互いに接続
される第１及び第２電極膜部分は、発電に全く寄与しな
い部分であるため、可能な限り小面積であるのが好まし
いが、上述のような半導体材料の泌み出しは、斯る小面
積化を防げる。
される第１及び第２電極膜部分は、発電に全く寄与しな
い部分であるため、可能な限り小面積であるのが好まし
いが、上述のような半導体材料の泌み出しは、斯る小面
積化を防げる。
なお、半導体光活性層のパターニングに、フォトリソ
グラフイ手法を用いれば、パターニング精度が向上し、
上記泌み出し部分の発生はなくなるものの、工程の煩雑
化及び製造コストの上昇化の原因となる。
グラフイ手法を用いれば、パターニング精度が向上し、
上記泌み出し部分の発生はなくなるものの、工程の煩雑
化及び製造コストの上昇化の原因となる。
斯る問題点を解決すべく、特開昭62−76786号公報に
よれば、基板の絶縁表面の複数の領域毎に、延長部分を
有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極膜を含ん
で上記基板の略全面に半導体光活性層を設けた後、上記
第１電極膜の延長部分を覆っている半導体光活性層部分
にエネルギービームを照射してこの部分の半導体光活性
層を除去して、次いで露出した第１電極膜の延長部分
に、隣接した発電領域の半導体光活性層上の第２電極膜
の延長部分を延在させている。
よれば、基板の絶縁表面の複数の領域毎に、延長部分を
有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極膜を含ん
で上記基板の略全面に半導体光活性層を設けた後、上記
第１電極膜の延長部分を覆っている半導体光活性層部分
にエネルギービームを照射してこの部分の半導体光活性
層を除去して、次いで露出した第１電極膜の延長部分
に、隣接した発電領域の半導体光活性層上の第２電極膜
の延長部分を延在させている。
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかし乍ら、上述の如く、半導体光活性層をエネルギ
ービームにて除去する場合、この除去工程にて生じる半
導体光活性層の除去残留物が、半導体光活性層上に残
る。従って、この残留物は半導体光活性層と第２電極膜
との間に存在することとなり、光起電力装置の出力特性
に悪影響を及ぼす。
ービームにて除去する場合、この除去工程にて生じる半
導体光活性層の除去残留物が、半導体光活性層上に残
る。従って、この残留物は半導体光活性層と第２電極膜
との間に存在することとなり、光起電力装置の出力特性
に悪影響を及ぼす。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明の製造方法は、基板の絶縁表面の複数の発電領
域毎に、第１接続部を有する第１電極膜を分割配置する
工程と、この第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の
略全面に半導体光活性層を形成する工程と、隣接する発
電領域の上記第１電極膜の第１接続部の上まで延在し、
かつ上記第１接続部より小面積であると共に櫛型の第２
接続部を有する第２電極膜を上記半導体光活性層上の発
電領域毎に分割配置する工程と、上記第１接続部と重な
り合っている上記第２接続部の少なくとも端部にエネル
ギービームを照射することにより上記第２接続部と第２
接続部とを電気的に接続する工程とを備えたことを特徴
とする。
域毎に、第１接続部を有する第１電極膜を分割配置する
工程と、この第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の
略全面に半導体光活性層を形成する工程と、隣接する発
電領域の上記第１電極膜の第１接続部の上まで延在し、
かつ上記第１接続部より小面積であると共に櫛型の第２
接続部を有する第２電極膜を上記半導体光活性層上の発
電領域毎に分割配置する工程と、上記第１接続部と重な
り合っている上記第２接続部の少なくとも端部にエネル
ギービームを照射することにより上記第２接続部と第２
接続部とを電気的に接続する工程とを備えたことを特徴
とする。
（ホ）作用 本発明では、第１電極膜、基板の略全面の半導体光活
性層及び第２電極膜をこの順序で形成した後、第２電極
膜の第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを
照射することによって、第１電極膜と第２電極膜を、電
気的に接続する。
性層及び第２電極膜をこの順序で形成した後、第２電極
膜の第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを
照射することによって、第１電極膜と第２電極膜を、電
気的に接続する。
（ヘ）実施例 第１図乃至第３図は第１の構造の光起電力装置におけ
る本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
る本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
第１図の工程では、ガラス、耐熱プラスチック等から
成る透光性の絶縁基板（１）の一表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（2a）〜（2c）に、第１電極
膜（3a）〜（3c）が分割配置される。この第１電極膜
（3a）〜（3c）は、酸化錫（SnO2）や酸化インジウム錫
（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）の単層あるいは積
層構造から成る。更に、第１電極膜（3a）〜（3c）は基
板（１）の一方の周縁に向かって延出した第１接続部
（3ae）〜（3ce）を有し、そして、第１電極膜（3b）
（3c）に形成された第１接続部（3be）（3ce）は、左隣
りの第１電極膜（3a）（3b）方向に約0.3mmの幅で向か
う逆Ｌ字状に形成されている。
成る透光性の絶縁基板（１）の一表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（2a）〜（2c）に、第１電極
膜（3a）〜（3c）が分割配置される。この第１電極膜
（3a）〜（3c）は、酸化錫（SnO2）や酸化インジウム錫
（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）の単層あるいは積
層構造から成る。更に、第１電極膜（3a）〜（3c）は基
板（１）の一方の周縁に向かって延出した第１接続部
（3ae）〜（3ce）を有し、そして、第１電極膜（3b）
（3c）に形成された第１接続部（3be）（3ce）は、左隣
りの第１電極膜（3a）（3b）方向に約0.3mmの幅で向か
う逆Ｌ字状に形成されている。
第２図の工程では、第１電極膜（3a）〜（3c）及び第
１接続部（3ae）〜（3ce）を含んで基板（１）の一表面
の略全面に、SiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを原料
ガスとするプラズマ法や光CVD法により、アモルフアス
シリコン（ａ−Si）、アモルフアスシリコンカーバイド
（ａ−SiC）、アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ
−SiGe）等をpn、pinに積層した半導体光活性層（４）
が形成される。
１接続部（3ae）〜（3ce）を含んで基板（１）の一表面
の略全面に、SiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを原料
ガスとするプラズマ法や光CVD法により、アモルフアス
シリコン（ａ−Si）、アモルフアスシリコンカーバイド
（ａ−SiC）、アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ
−SiGe）等をpn、pinに積層した半導体光活性層（４）
が形成される。
第３図の工程では、半導体光活性層（４）上の複数の
発電領域（2a）〜（2c）に、第１電極膜（3a）〜（3c）
と重なるように第２電極膜（5a）〜（5c）が分割配置さ
れる。第２電極膜（5a）〜（5c）は、スクリーン印刷に
よりパターニングされた後に150℃程度で乾燥させるこ
とにより形成された導電性ペーストまたは蒸着法やメッ
キ法等によりパターニング形成された金属膜から成る。
導電性ペーストとしては、フィラーが、Ag、Ni、Cu等
で、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル等
のものが用いられ、金属膜としては、Al、Ti、Ni、TiAg
等が用いられる。また、第２電極膜（5a）〜（5c）は第
１電極膜（3a）〜（3c）と同じく基板（１）の一方の周
縁に向かって延出した第２接続部（5ae）〜（5ce）を有
し、そして、第２電極膜（5a）（5b）に形成された第２
接続部（5ae）〜（5be）は、夫々右隣りの第１電極膜
（3b）（3c）の第１接続部（3be）（3ce）の内側でこれ
と重なり合うように、第１接続部（3be）（3ce）より小
面積であると共に、櫛型に形成されている。また、左端
の第１電極膜（3a）の第１接続部（3ae）と重なるよう
に、取出電極膜（６）が配置されるが、この取出電極膜
（６）も第１接続部（3ae）より小面積で櫛型に形成さ
れている。最後に、第２延長部（5ae）〜（5ce）の上か
らこれらの配列方向（第３図に示す矢印方向）に、レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（3a）〜（3c）の第１接続部
（3ae）〜（3ce）の夫々と取出電極膜（６）及び第２電
極膜（5a）（5b）の第２接続部（5ae）〜（5be）の夫々
とが溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射により取
出電極膜（６）及び第２接続部（5ae）（5be）の端部
（第３図において、矢印と交わっている部分）において
取出電極膜（６）及び第２接続部（5ae）（5be）の全て
が溶融すると共にこの部分の半導体活性層（４）が蒸発
除去され、従って、溶融された取出電極膜（６）及び第
２接続部（5ae）（5be）が第１接続部（3ae）〜（3ce）
にまで達することによって行われる。使用されるエネル
ギービーム源としては、Ｑスイッチ付のNd:YAGレーザが
適当である。
発電領域（2a）〜（2c）に、第１電極膜（3a）〜（3c）
と重なるように第２電極膜（5a）〜（5c）が分割配置さ
れる。第２電極膜（5a）〜（5c）は、スクリーン印刷に
よりパターニングされた後に150℃程度で乾燥させるこ
とにより形成された導電性ペーストまたは蒸着法やメッ
キ法等によりパターニング形成された金属膜から成る。
導電性ペーストとしては、フィラーが、Ag、Ni、Cu等
で、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル等
のものが用いられ、金属膜としては、Al、Ti、Ni、TiAg
等が用いられる。また、第２電極膜（5a）〜（5c）は第
１電極膜（3a）〜（3c）と同じく基板（１）の一方の周
縁に向かって延出した第２接続部（5ae）〜（5ce）を有
し、そして、第２電極膜（5a）（5b）に形成された第２
接続部（5ae）〜（5be）は、夫々右隣りの第１電極膜
（3b）（3c）の第１接続部（3be）（3ce）の内側でこれ
と重なり合うように、第１接続部（3be）（3ce）より小
面積であると共に、櫛型に形成されている。また、左端
の第１電極膜（3a）の第１接続部（3ae）と重なるよう
に、取出電極膜（６）が配置されるが、この取出電極膜
（６）も第１接続部（3ae）より小面積で櫛型に形成さ
れている。最後に、第２延長部（5ae）〜（5ce）の上か
らこれらの配列方向（第３図に示す矢印方向）に、レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（3a）〜（3c）の第１接続部
（3ae）〜（3ce）の夫々と取出電極膜（６）及び第２電
極膜（5a）（5b）の第２接続部（5ae）〜（5be）の夫々
とが溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射により取
出電極膜（６）及び第２接続部（5ae）（5be）の端部
（第３図において、矢印と交わっている部分）において
取出電極膜（６）及び第２接続部（5ae）（5be）の全て
が溶融すると共にこの部分の半導体活性層（４）が蒸発
除去され、従って、溶融された取出電極膜（６）及び第
２接続部（5ae）（5be）が第１接続部（3ae）〜（3ce）
にまで達することによって行われる。使用されるエネル
ギービーム源としては、Ｑスイッチ付のNd:YAGレーザが
適当である。
こうして、３つの発電領域（2a）〜（2c）は電気的に
直列接続され、これら発電領域（2a）〜（2c）の直列出
力は、左端の第１電極膜（3a）の第１延長部（3ae）に
接続されている取出電極膜（６）と右端の第２電極膜
（5c）の第２延長部（5ce）との間から取出される。
直列接続され、これら発電領域（2a）〜（2c）の直列出
力は、左端の第１電極膜（3a）の第１延長部（3ae）に
接続されている取出電極膜（６）と右端の第２電極膜
（5c）の第２延長部（5ce）との間から取出される。
第４図は本実施例及び従来例（既述の特公昭58−2182
7号公報に示された構造のもの）のＩ−Ｖ特性を示し、
また、下表は夫々の出力特性を示す。なお、第４図にお
いて、本実施例を実線にて、従来例を破線にて示してい
る。いづれにおいても、本実施例のものは、優れた出力
特性を有することが分る。
7号公報に示された構造のもの）のＩ−Ｖ特性を示し、
また、下表は夫々の出力特性を示す。なお、第４図にお
いて、本実施例を実線にて、従来例を破線にて示してい
る。いづれにおいても、本実施例のものは、優れた出力
特性を有することが分る。
一方、第５図乃至第７図は第２の構造の光起電力装置
における本発明の製造方法を工程別に示す平面図であ
る。
における本発明の製造方法を工程別に示す平面図であ
る。
第５図の工程では、ガラス、耐熱プラスチック等から
成る透光性の絶縁基板（11）の一表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（12a）〜（12c）に、矩形状
の第１電極膜（13a）〜（13c）が分割配列される。この
第１電極膜（13a）〜（13c）は、酸化錫（SnO2）や酸化
インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）の単
層あるいは積層構造から成る。
成る透光性の絶縁基板（11）の一表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（12a）〜（12c）に、矩形状
の第１電極膜（13a）〜（13c）が分割配列される。この
第１電極膜（13a）〜（13c）は、酸化錫（SnO2）や酸化
インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）の単
層あるいは積層構造から成る。
なお、第１電極膜（13a）〜（13c）の一端部分は、第
１接続部（13ae）〜（13ce）として動作する部分であ
る。
１接続部（13ae）〜（13ce）として動作する部分であ
る。
第６図の工程では、第１電極膜（13a）〜（13c）及び
第１接続部（13ae）〜（13ce）を含んで基板（11）の一
表面の略全面に、SiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを
原料ガスとするプラズマ法や光CVD法により、アモルフ
アスシリコン（ａ−Si）、アモルフアスシリコンカーバ
イド（ａ−SiC）、アモルフアスシリコンゲルマニウム
（ａ−SiGe）等をpn、pinに積層した半導体光活性層
（４）が形成される。
第１接続部（13ae）〜（13ce）を含んで基板（11）の一
表面の略全面に、SiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを
原料ガスとするプラズマ法や光CVD法により、アモルフ
アスシリコン（ａ−Si）、アモルフアスシリコンカーバ
イド（ａ−SiC）、アモルフアスシリコンゲルマニウム
（ａ−SiGe）等をpn、pinに積層した半導体光活性層
（４）が形成される。
第７図の工程では、半導体光活性層（14）上の複数の
発電領域（12a）〜（12c）に、第１電極膜（13a）〜（1
3c）と重なるように第２電極膜（15a）〜（15c）が分割
配置される。第２電極膜（15a）〜（15c）は、スクリー
ン印刷によりパターニングされた後に150℃程度で乾燥
させることにより形成された導電性ペーストまたは蒸着
法やメッキ法等によりパターニング形成された金属膜か
ら成る。
発電領域（12a）〜（12c）に、第１電極膜（13a）〜（1
3c）と重なるように第２電極膜（15a）〜（15c）が分割
配置される。第２電極膜（15a）〜（15c）は、スクリー
ン印刷によりパターニングされた後に150℃程度で乾燥
させることにより形成された導電性ペーストまたは蒸着
法やメッキ法等によりパターニング形成された金属膜か
ら成る。
導電性ペーストとしては、フイラーがAg、Ni、Cu等
が、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル等
のものが用いられ、金属膜としては、Al、Ti、Ni、TiAg
等が用いられる。また、第２電極膜（15a）〜（15c）の
一端部分は、第２接続部（15ae）〜（15ce）として動作
し、そして、第２電極膜（15a）（15b）に形成された第
２接続部（15ae）（15be）は、夫々右隣りの第１電極膜
（13b）（13c）の第１接続部（13be）（13ce）の内側で
これと重なり合うように延在し、かつ第１接続部（13b
e）（13ce）より小面積であると共に、櫛型に形成され
ている。また、左端の第１電極膜（13a）の第１接続部
（13ae）と重なるように、取出電極膜（16）が配置され
るが、この取出電極膜（16）も第１接続部（13ae）より
小面積で櫛型に形成されている。
が、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル等
のものが用いられ、金属膜としては、Al、Ti、Ni、TiAg
等が用いられる。また、第２電極膜（15a）〜（15c）の
一端部分は、第２接続部（15ae）〜（15ce）として動作
し、そして、第２電極膜（15a）（15b）に形成された第
２接続部（15ae）（15be）は、夫々右隣りの第１電極膜
（13b）（13c）の第１接続部（13be）（13ce）の内側で
これと重なり合うように延在し、かつ第１接続部（13b
e）（13ce）より小面積であると共に、櫛型に形成され
ている。また、左端の第１電極膜（13a）の第１接続部
（13ae）と重なるように、取出電極膜（16）が配置され
るが、この取出電極膜（16）も第１接続部（13ae）より
小面積で櫛型に形成されている。
最後に、第２延長部（15ae）〜（15be）の上からこれ
らの延びる方向（第７図に示す矢印方向）に、夫々レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（13a）〜（13c）の第１接続部
（13ae）〜（13ce）の夫々と取出電極膜（16）及び第２
電極膜（15a）（15b）の第２接続部（15ae）（15be）の
夫々とが溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射によ
り取出電極膜（16）及び第２接続部（15ae）（15be）の
端部（第７図において、矢印と交わっている部分）にお
いて取出電極膜（16）及び第２接続部（15ae）（15be）
の全てが溶融すると共にこの部分の半導体光活性層（1
4）が蒸発除去され、従って、溶融された取出電極膜（1
6）及び第２接続部（15ae）（15be）が第１接続部（13a
e）〜（13ce）にまで達することによって行われる。使
用されるエネルギービーム源としては、Ｑスイッチ付の
Nd:YAGレーザが適当である。
らの延びる方向（第７図に示す矢印方向）に、夫々レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（13a）〜（13c）の第１接続部
（13ae）〜（13ce）の夫々と取出電極膜（16）及び第２
電極膜（15a）（15b）の第２接続部（15ae）（15be）の
夫々とが溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射によ
り取出電極膜（16）及び第２接続部（15ae）（15be）の
端部（第７図において、矢印と交わっている部分）にお
いて取出電極膜（16）及び第２接続部（15ae）（15be）
の全てが溶融すると共にこの部分の半導体光活性層（1
4）が蒸発除去され、従って、溶融された取出電極膜（1
6）及び第２接続部（15ae）（15be）が第１接続部（13a
e）〜（13ce）にまで達することによって行われる。使
用されるエネルギービーム源としては、Ｑスイッチ付の
Nd:YAGレーザが適当である。
こうして、３つの発電領域（12a）〜（12c）は電気的
に直列接続され、これら発電領域（12a）〜（12c）の直
列出力は、左端の第１電極膜（13a）の第１延長部（13a
e）に接続されている取出電極膜（16）と右端の第２電
極膜（15c）の第２延長部（15ce）との間から取出され
る。
に直列接続され、これら発電領域（12a）〜（12c）の直
列出力は、左端の第１電極膜（13a）の第１延長部（13a
e）に接続されている取出電極膜（16）と右端の第２電
極膜（15c）の第２延長部（15ce）との間から取出され
る。
（ト）発明の効果 本発明によれば、基板上に第１電極膜、半導体光活性
層及び第２電極膜をこの順序で積層形成した後、第２電
極膜の第２接続部にエネルギービームを照射することに
よって第１電極膜の第１接続部と第２電極膜の第２接続
部とを電気的に直列接続するようにしたので、半導体光
活性層と第２電極膜との間に不所望な残留物を介在する
ことなく、第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続す
ることができ、優れた出力特性を得ることができる。
層及び第２電極膜をこの順序で積層形成した後、第２電
極膜の第２接続部にエネルギービームを照射することに
よって第１電極膜の第１接続部と第２電極膜の第２接続
部とを電気的に直列接続するようにしたので、半導体光
活性層と第２電極膜との間に不所望な残留物を介在する
ことなく、第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続す
ることができ、優れた出力特性を得ることができる。
加えて、第２接続部の少なくとも端部にエネルギービ
ームを照射することにより、櫛型第２接続部の端部の全
てが溶融すると共にこの部分の半導体光活性層が蒸発除
去され、従って、溶融された第２接続部が第１接続部に
まで達し、確実に電気接続を行うことができる。そし
て、櫛型の第２接続部は、多数の端部を備えているの
で、これら端部において、より確実に電気接続できる。
ームを照射することにより、櫛型第２接続部の端部の全
てが溶融すると共にこの部分の半導体光活性層が蒸発除
去され、従って、溶融された第２接続部が第１接続部に
まで達し、確実に電気接続を行うことができる。そし
て、櫛型の第２接続部は、多数の端部を備えているの
で、これら端部において、より確実に電気接続できる。
第１図乃至第３図は第１の構造の光起電力装置における
本発明の製造方法を工程別に示す平面図、第４図はＩ−
Ｖ特性を示す特性図、第５図乃至第７図は第２の構造の
光起電力装置における本発明の製造方法を工程別に示す
平面図である。 （１）（11）…基板、（3a）〜（3c）（13a）〜（13c）
…第１電極膜、（3ae）〜（3ce）（13ae）〜（13ce）…
第１接続部、（４）（14）…半導体光活性層、（5a）〜
（5c）（15a）（15c）…第２電極膜、（5ae）〜（5be）
（15ae）〜（15be）…第２接続部。
本発明の製造方法を工程別に示す平面図、第４図はＩ−
Ｖ特性を示す特性図、第５図乃至第７図は第２の構造の
光起電力装置における本発明の製造方法を工程別に示す
平面図である。 （１）（11）…基板、（3a）〜（3c）（13a）〜（13c）
…第１電極膜、（3ae）〜（3ce）（13ae）〜（13ce）…
第１接続部、（４）（14）…半導体光活性層、（5a）〜
（5c）（15a）（15c）…第２電極膜、（5ae）〜（5be）
（15ae）〜（15be）…第２接続部。
Claims (2)
- 【請求項１】基板の絶縁表面の複数の発電領域毎に、第
１接続部を有する第１電極膜を分割配置する工程と、こ
の第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に半
導体光活性層を形成する工程と、隣接する発電領域の上
記第１電極膜の第１接続部の上まで延在し、かつ上記第
１接続部より小面積であると共に櫛型の第２接続部を有
する第２電極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎に
分割配置する工程と、上記第１接続部と重なり合ってい
る上記第２接続部の少なくとも端部にエネルギービーム
を照射することにより上記第１接続部と第２接続部とを
電気的に接続する工程とを備えたことを特徴とする光起
電力装置の製造方法。 - 【請求項２】上記エネルギービームは、上記第２接続部
に直線的に照射されることを特徴とする第１項記載の光
起電力装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023103A JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
| US07/434,341 US5041391A (en) | 1988-11-18 | 1989-11-08 | Method of manufacturing a photovoltaic device |
| FR8915120A FR2639475B1 (fr) | 1988-11-18 | 1989-11-17 | Procede de fabrication d'un dispositif photovoltaique |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-292875 | 1988-11-18 | ||
| JP29287588 | 1988-11-18 | ||
| JP1023103A JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224278A JPH02224278A (ja) | 1990-09-06 |
| JP2877328B2 true JP2877328B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=26360405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023103A Expired - Lifetime JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041391A (ja) |
| JP (1) | JP2877328B2 (ja) |
| FR (1) | FR2639475B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624869A (en) * | 1994-04-13 | 1997-04-29 | International Business Machines Corporation | Method of forming a film for a multilayer Semiconductor device for improving thermal stability of cobalt silicide using platinum or nitrogen |
| DE19803326C1 (de) * | 1998-01-29 | 1999-06-17 | Phototronics Solartechnik Gmbh | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
| US6274804B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-08-14 | Angewandte Solarenergie - Ase Gmbh | Thin-film solar module |
| US20050247340A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-11-10 | Zeira Eitan C | All printed solar cell array |
| KR101146734B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4428110A (en) * | 1981-09-29 | 1984-01-31 | Rca Corporation | Method of making an array of series connected solar cells on a single substrate |
| US4724011A (en) * | 1983-05-16 | 1988-02-09 | Atlantic Richfield Company | Solar cell interconnection by discrete conductive regions |
| US4517403A (en) * | 1983-05-16 | 1985-05-14 | Atlantic Richfield Company | Series connected solar cells and method of formation |
| GB8330578D0 (en) * | 1983-11-16 | 1983-12-21 | Rca Corp | Inter-connected photovoltaic devices |
| JPS60206077A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質半導体太陽電池の製造方法 |
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS6289368A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池装置の製造法 |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP1023103A patent/JP2877328B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-08 US US07/434,341 patent/US5041391A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-17 FR FR8915120A patent/FR2639475B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2639475B1 (fr) | 1996-05-31 |
| JPH02224278A (ja) | 1990-09-06 |
| FR2639475A1 (fr) | 1990-05-25 |
| US5041391A (en) | 1991-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090122 Year of fee payment: 10 |
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