JPH02224278A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH02224278A JPH02224278A JP1023103A JP2310389A JPH02224278A JP H02224278 A JPH02224278 A JP H02224278A JP 1023103 A JP1023103 A JP 1023103A JP 2310389 A JP2310389 A JP 2310389A JP H02224278 A JPH02224278 A JP H02224278A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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-
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は複数の発電領域を直列接続した光起電力装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
基板の絶縁表面に複数の発電領域を設け、これら領域を
電気的に直列接続した光起電力装置は特公昭５８−２１
８２７号公報に示された如く、基板上に１つの半導体光
活性層とこの光活性層を挟む複数の第１及び第２電極膜
とから成る複数の領域を有し、隣接する発電領域の第１
及び第２１１Ｌ極膜は半導体光活性層の外で互いに電気
的に接続された構造である。
電気的に直列接続した光起電力装置は特公昭５８−２１
８２７号公報に示された如く、基板上に１つの半導体光
活性層とこの光活性層を挟む複数の第１及び第２電極膜
とから成る複数の領域を有し、隣接する発電領域の第１
及び第２１１Ｌ極膜は半導体光活性層の外で互いに電気
的に接続された構造である。
斯る光起電力装置では、半導体光活性層はマスキング手
法を用いて所望のパターンに形成され、製造工程の簡略
化を図っている。
法を用いて所望のパターンに形成され、製造工程の簡略
化を図っている。
然し乍ら、斯るマスキング手法にあっては、これに用い
るマスクを基板に対して半導体光活性層の被着箇所を露
出するように正確に位置決めしなければならない。
るマスクを基板に対して半導体光活性層の被着箇所を露
出するように正確に位置決めしなければならない。
また、マスクが正確に位置決めされたとじても、マスク
と基板との間に僅かながらも隙間が形成されるために、
斯る隙間に半導体光活性層を形成する半導体材料が泌み
出し、半導体光活性層は実際のパターンよ＃２も大きく
形成されてしまう。
と基板との間に僅かながらも隙間が形成されるために、
斯る隙間に半導体光活性層を形成する半導体材料が泌み
出し、半導体光活性層は実際のパターンよ＃２も大きく
形成されてしまう。
このため、半導体光活性層から外へ延びて接続される第
１及び第２電極膜部分は、上記半導体材料の泌み出しを
考慮して半導体光活性層の周縁部分から大面積で延びて
設けなければならない。
１及び第２電極膜部分は、上記半導体材料の泌み出しを
考慮して半導体光活性層の周縁部分から大面積で延びて
設けなければならない。
ところが、半導体光活性層から外へ延びて互いに接続さ
れる第１及び第２１電極膜部分は、発電に全く寄与しな
い部分であるため、可能な限り小面積であるのが好まし
いが、上述のような半導体材料の泌み出しは、斯る小面
積化を防げる。
れる第１及び第２１電極膜部分は、発電に全く寄与しな
い部分であるため、可能な限り小面積であるのが好まし
いが、上述のような半導体材料の泌み出しは、斯る小面
積化を防げる。
なお、半導体光活性層のパターニングに、フォトリソグ
ラフィ手法を用いれば、パターニング精度が向上し、上
記泌み出し部分の発生はなくなるものの、工程の煩雑化
及び製造コストの上昇化の原因となる。
ラフィ手法を用いれば、パターニング精度が向上し、上
記泌み出し部分の発生はなくなるものの、工程の煩雑化
及び製造コストの上昇化の原因となる。
斯る問題点を解決すべく、特開昭６２−７６７８６号公
報によれば、基板の絶縁表面の複数の領域毎に、延長部
分を有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極膜を
含んで上記基板の略全面に半導体光活性層を設けた後、
上記第１ｔｆｆｉ膜の延長部分を覆っている半導体光活
性層部分にエネルギービームを照射してこの部分の半導
体光活性層を除去して、次いで露出した第１電極膜の延
長部分に、隣接した発電領域の半導体光活性層上の第２
電極膜の延長部分を延在させている。
報によれば、基板の絶縁表面の複数の領域毎に、延長部
分を有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極膜を
含んで上記基板の略全面に半導体光活性層を設けた後、
上記第１ｔｆｆｉ膜の延長部分を覆っている半導体光活
性層部分にエネルギービームを照射してこの部分の半導
体光活性層を除去して、次いで露出した第１電極膜の延
長部分に、隣接した発電領域の半導体光活性層上の第２
電極膜の延長部分を延在させている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかし乍ら、上述の如く、半導体光活性層をエネルギー
ビームにて除去する場合、この除去工程にて生じる半導
体光活性層の除去残留物が、半導体光活性層上に残る。
ビームにて除去する場合、この除去工程にて生じる半導
体光活性層の除去残留物が、半導体光活性層上に残る。
従って、この残留物は半導体光活性層と第２１４極膜と
の間に存在することとなり、光起電力装置の出力特性に
開く影響を及ぼす。
の間に存在することとなり、光起電力装置の出力特性に
開く影響を及ぼす。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の製造方法は、基板の絶縁表面の複数の発電領域
毎に、第１接続部を有する第１電極膜を分割配置する工
程と、この第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略
全面に半導体光活性層を形成する工程と、隣接する発電
領域の上記第１電極膜の第１接続部の上まで延在し、か
つ上記第１接続部より小面積である第２接続部を有する
第２電極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎に分割
配置する工程と、上記第１接続部と重なり合っている上
記第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを照
射することにより上記第２接続部と第２接続部とを電気
的に接続する工程とを備えたことを特徴とする。
毎に、第１接続部を有する第１電極膜を分割配置する工
程と、この第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略
全面に半導体光活性層を形成する工程と、隣接する発電
領域の上記第１電極膜の第１接続部の上まで延在し、か
つ上記第１接続部より小面積である第２接続部を有する
第２電極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎に分割
配置する工程と、上記第１接続部と重なり合っている上
記第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを照
射することにより上記第２接続部と第２接続部とを電気
的に接続する工程とを備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
本発明では、第１電極膜、基板の略全面の半導体光活性
層及び第２電極膜をこの順序で形成した後、第２電極膜
の第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを照
射することによって、第１電極膜と第２電極膜を、電気
的に接続する。
層及び第２電極膜をこの順序で形成した後、第２電極膜
の第２接続部の少なくとも端部にエネルギービームを照
射することによって、第１電極膜と第２電極膜を、電気
的に接続する。
（へ）実施例
第１図乃至第３図は第１の構造の光起電力装置における
本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
第１図の工程では、ガラス、耐熱プラスチック等から成
る透光性の絶縁基板（１）の−表面の長子方向に整列区
画された複数の発電領域（２ａ）〜（２ｃ）に、第１電
極膜（３ａ）〜（３ｃ）が分割配置される。この第１電
極膜（３ａ） −（３ｃ）は、酸化錫（Ｓｎｏｗ）や酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透光性導電酸化物（ＴＣ
Ｏ）の単層あるいは積層構造から成る。更に、第１電極
膜（３ａ）・−（３ｃ）は基板（１）の−方の周縁に向
かって延出した第１接続部（３ａｅ）〜（３ｃｅ）を有
し、そして、第１電極膜（３ｂ） （３ｃ ）に形成さ
れた第１接続部（３ｂｅ）（３ｃｅ）は、左隣９の第１
電極膜（３ａ）（３ｂ）方向に約０．３ｆｆｌｆｆｌの
幅で向かう逆り字状に形成されている。
る透光性の絶縁基板（１）の−表面の長子方向に整列区
画された複数の発電領域（２ａ）〜（２ｃ）に、第１電
極膜（３ａ）〜（３ｃ）が分割配置される。この第１電
極膜（３ａ） −（３ｃ）は、酸化錫（Ｓｎｏｗ）や酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透光性導電酸化物（ＴＣ
Ｏ）の単層あるいは積層構造から成る。更に、第１電極
膜（３ａ）・−（３ｃ）は基板（１）の−方の周縁に向
かって延出した第１接続部（３ａｅ）〜（３ｃｅ）を有
し、そして、第１電極膜（３ｂ） （３ｃ ）に形成さ
れた第１接続部（３ｂｅ）（３ｃｅ）は、左隣９の第１
電極膜（３ａ）（３ｂ）方向に約０．３ｆｆｌｆｆｌの
幅で向かう逆り字状に形成されている。
第２図の工程では、第１電極膜（３ａ）〜（３ｃ）及び
第１接続部（３ａｅ） 〜（３ｃｅ）を含んで基板（１
）の−表面の略全面に、Ｓ ｉＨ４、ＳｉＦ、等のシリ
コン化合物ガスを原料ガスとするプラズマ法や光ＣＶＤ
法によ１２、アモルファスシリコン（ａ−５１）、アモ
ルファスシリコンオーバ１．イド（ａ−３ｉＣ）、アモ
ルファスシリコンゲルマニウム（ａ−Ｓ ｉ Ｇｅ）等
をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導体光活性層（４）が形成
される。
第１接続部（３ａｅ） 〜（３ｃｅ）を含んで基板（１
）の−表面の略全面に、Ｓ ｉＨ４、ＳｉＦ、等のシリ
コン化合物ガスを原料ガスとするプラズマ法や光ＣＶＤ
法によ１２、アモルファスシリコン（ａ−５１）、アモ
ルファスシリコンオーバ１．イド（ａ−３ｉＣ）、アモ
ルファスシリコンゲルマニウム（ａ−Ｓ ｉ Ｇｅ）等
をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導体光活性層（４）が形成
される。
第３図の工程では、半導体光活性層（４）上の複数の発
電領域（２ａ） −（２ｃ）に、第１電極膜（３ａ）
〜（３Ｃ）と重なるように第２電極膜（５ａ）〜（５Ｃ
）が分割配置される。第２電極膜（５ａ）〜（５Ｃ）は
、スクリーン印刷によりパターニングされた後に１５０
℃程度で乾燥させることにより形成された導電性ペース
トまたは蒸着法やメツキ法等によりパターニング形成さ
れた金属膜から成る。導電性ペーストとしては、フィラ
ーが、Ａｇ５Ｎｉ、Ｃｕ等で、バインダがフェノール、
エポキシ、ポリエステル等のものが用いられ、金属膜と
しては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ ｉ、 Ｔ ｉＡ ｇ等が用い
られる。また、第２１電極膜（５ａ）−（５ｃ）は第１
電極膜（３ａ）−（３ｃ）と同じく基板（１）の一方の
周縁に向かって延出した第２接続部（５ａｃ）−（５ｃ
ｅ）を有し、そして、第２電極膜（５ａ）（５ｂ）に形
成された第２接続部（５ａｃ ） −（５ｂｅ ）は、
夫々右隣りの第１電極膜（３ｂ）（３ｃ）の第１接続部
（３ｂｅ）（３ｃｅ）の内側でこれと重なり合うように
、第１接続部（３ｂｅ）（３ｃｅ）より小面積であると
共に、櫛型に形成されている。また、左端の第１電極膜
（３ａ）の第１接続部（３ａｅ）と重なるように、取出
電極膜（６）が配置されるが、この取出電極膜（６）も
第１接続部（３ａｅ）より小面積で櫛型に形成されてい
る。最後に、第２延長部（５ａｃ）〜（５ｃｅ）の上か
らこれらの配列方向（第３図に示す矢印方向）に、レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（３ａ）〜（３ｃ）の第１接続
部（３ａｅ）〜（３ｃｅ）の夫々と取出電極膜（６）及
び第２１電極膜（５ａ）（５ｂ）の第２接続部（５ａｅ
）−（５ｂｅ）の夫々とが溶着される。斯る溶着は、ま
ずビーム照射により取出電極膜（６）及び第２接続部（
５ａｅ）（５ｂｅ）の端部（第３図において、矢印と交
わっている部分）において取出電極膜（６）及び第２接
続部（５ａｅ）（５ｂｅ）の全てが溶融すると共にこの
部分の半導体光活性層（４）が蒸発除去され、従って、
溶融された取出電極膜（６）及び第２接続部（５ａｅ）
（５ｂｅ）が第１接続部（３ａｅ ） −（３ｃｅ ）
にまで達することによって行われる。使用されるエネル
ギービーム源としては、Ｑスイッチ付のＮｄ：ＹＡＧレ
ーザが適当である。
電領域（２ａ） −（２ｃ）に、第１電極膜（３ａ）
〜（３Ｃ）と重なるように第２電極膜（５ａ）〜（５Ｃ
）が分割配置される。第２電極膜（５ａ）〜（５Ｃ）は
、スクリーン印刷によりパターニングされた後に１５０
℃程度で乾燥させることにより形成された導電性ペース
トまたは蒸着法やメツキ法等によりパターニング形成さ
れた金属膜から成る。導電性ペーストとしては、フィラ
ーが、Ａｇ５Ｎｉ、Ｃｕ等で、バインダがフェノール、
エポキシ、ポリエステル等のものが用いられ、金属膜と
しては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ ｉ、 Ｔ ｉＡ ｇ等が用い
られる。また、第２１電極膜（５ａ）−（５ｃ）は第１
電極膜（３ａ）−（３ｃ）と同じく基板（１）の一方の
周縁に向かって延出した第２接続部（５ａｃ）−（５ｃ
ｅ）を有し、そして、第２電極膜（５ａ）（５ｂ）に形
成された第２接続部（５ａｃ ） −（５ｂｅ ）は、
夫々右隣りの第１電極膜（３ｂ）（３ｃ）の第１接続部
（３ｂｅ）（３ｃｅ）の内側でこれと重なり合うように
、第１接続部（３ｂｅ）（３ｃｅ）より小面積であると
共に、櫛型に形成されている。また、左端の第１電極膜
（３ａ）の第１接続部（３ａｅ）と重なるように、取出
電極膜（６）が配置されるが、この取出電極膜（６）も
第１接続部（３ａｅ）より小面積で櫛型に形成されてい
る。最後に、第２延長部（５ａｃ）〜（５ｃｅ）の上か
らこれらの配列方向（第３図に示す矢印方向）に、レー
ザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する
ことによって第１電極膜（３ａ）〜（３ｃ）の第１接続
部（３ａｅ）〜（３ｃｅ）の夫々と取出電極膜（６）及
び第２１電極膜（５ａ）（５ｂ）の第２接続部（５ａｅ
）−（５ｂｅ）の夫々とが溶着される。斯る溶着は、ま
ずビーム照射により取出電極膜（６）及び第２接続部（
５ａｅ）（５ｂｅ）の端部（第３図において、矢印と交
わっている部分）において取出電極膜（６）及び第２接
続部（５ａｅ）（５ｂｅ）の全てが溶融すると共にこの
部分の半導体光活性層（４）が蒸発除去され、従って、
溶融された取出電極膜（６）及び第２接続部（５ａｅ）
（５ｂｅ）が第１接続部（３ａｅ ） −（３ｃｅ ）
にまで達することによって行われる。使用されるエネル
ギービーム源としては、Ｑスイッチ付のＮｄ：ＹＡＧレ
ーザが適当である。
こうして、３つの発電領域（２ａ）〜（２Ｃ）は電気的
に直列接続され、これら発電領域（２ａ）〜（２Ｃ）の
直列出力は、左端の第１電極膜（３ａ）の第１延長部（
３ａｅ）に接続されている取出電極膜（６）と右端の第
２電極膜（５ｃ）の第２延長部（５ｃｅ）との間から取
出される。
に直列接続され、これら発電領域（２ａ）〜（２Ｃ）の
直列出力は、左端の第１電極膜（３ａ）の第１延長部（
３ａｅ）に接続されている取出電極膜（６）と右端の第
２電極膜（５ｃ）の第２延長部（５ｃｅ）との間から取
出される。
第４図は本実施例及び従来例（既述の特公昭５８−２１
８２７号公報に示された構造のもの）の１−Ｖ特性を示
し、また、下表は夫々の出力特性を示す。なお、第４図
において、本実施例を実線にて、従来例を破線にて示し
ている。いづれにおいても、本実施例のものは、優れた
出力特性を有することが分る。
８２７号公報に示された構造のもの）の１−Ｖ特性を示
し、また、下表は夫々の出力特性を示す。なお、第４図
において、本実施例を実線にて、従来例を破線にて示し
ている。いづれにおいても、本実施例のものは、優れた
出力特性を有することが分る。
一方、第５図乃至第７図は第２の構造の光起電力装置に
おける本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
おける本発明の製造方法を工程別に示す平面図である。
第５図の工程では、ガラス、耐熱プラスチック等から成
る透光性の絶縁基板（１１）の−表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（１２ａ）〜（１２Ｃ）に、
矩形状の第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）が分割配置
される。この第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）は、酸
化錫（ＳｎＯ，） や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等
の透光性導電酸化物（ＴＣＯ）の単層あるいは積層構造
から成る。
る透光性の絶縁基板（１１）の−表面の長手方向に整列
区画された複数の発電領域（１２ａ）〜（１２Ｃ）に、
矩形状の第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）が分割配置
される。この第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）は、酸
化錫（ＳｎＯ，） や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等
の透光性導電酸化物（ＴＣＯ）の単層あるいは積層構造
から成る。
なお、第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）の一端部分は
、第１接続部（１３ａｅ）〜（１３ｃｅ）として動作す
る部分である。
、第１接続部（１３ａｅ）〜（１３ｃｅ）として動作す
る部分である。
第６図の工程では、第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ）
及び第１接続部（１３ａｅ）−（１３ｃｅ）を含んで基
板（１１）の−表面の略全面に、ＳｉＨ，、ＳｉＦ、等
のシリコン化合物ガスを原料ガスとするプラズマ法や光
ＣＶＤ法により、アモルファスシリコン（ａ −Ｓｉ）
、アモルファスシリコンカーバイド（ａ −５ｉＣ）、
アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−５ｉＧｅ）等
をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導体光活性層（４）が形成
される。
及び第１接続部（１３ａｅ）−（１３ｃｅ）を含んで基
板（１１）の−表面の略全面に、ＳｉＨ，、ＳｉＦ、等
のシリコン化合物ガスを原料ガスとするプラズマ法や光
ＣＶＤ法により、アモルファスシリコン（ａ −Ｓｉ）
、アモルファスシリコンカーバイド（ａ −５ｉＣ）、
アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−５ｉＧｅ）等
をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導体光活性層（４）が形成
される。
第７図の工程では、半導体光活性層（１４）上の複数の
発電領域（１２ａ）〜（１２ｃ）に、第１電極膜（１３
ａ）−（１３ｃ）と重なるように第２電極膜（１５ａ）
−（１５ｃ）が分割配置される。第２電極膜（１５ａ
）〜（１５ｃ）は、スクリーン印刷によりパターニング
された後に１５０℃程度で乾燥させることにより形成さ
れた導電性ペーストまたは蒸着法やメツキ法等によりパ
ターニング形成された金属膜から成る。
発電領域（１２ａ）〜（１２ｃ）に、第１電極膜（１３
ａ）−（１３ｃ）と重なるように第２電極膜（１５ａ）
−（１５ｃ）が分割配置される。第２電極膜（１５ａ
）〜（１５ｃ）は、スクリーン印刷によりパターニング
された後に１５０℃程度で乾燥させることにより形成さ
れた導電性ペーストまたは蒸着法やメツキ法等によりパ
ターニング形成された金属膜から成る。
導電性ペーストとしては、フィラーがＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ
等で、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル
等のものが用いられ、金属膜としては、Ａ２、Ｔｉ、Ｎ
ｉ、ＴｉＡｇ等が用いられる。また、第２電極膜（１５
ａ）〜（１５ｃ）の一端部分は、第２接続部（１５ａｅ
） −（１５ｃｅ）として動作し、そして、第２電極膜
（１５ａ）（１５ｂ）に形成された第２接続部（１５ａ
ｅ）（１５ｂｅ）は、夫々右隣りの第１電極膜（１３ｂ
）（１３ｃ）の第１接続部（１３ｂｅ）（１３ｃｅ）の
内側でこれと重なり合うように延在し、かつ第１接続部
（１３ｂｅ）（１３ｃｅ）より小面積であると共に、櫛
型に形成されている。また、左端の第１電極膜（１３ａ
）の第１接続部（１３ａｅ）と重なるように、取出電極
膜（１６）が配置されるが、この取出電極膜（１６）も
第１接続部（１３ａｅ）より小面積で櫛型に形成されて
いる。
等で、バインダがフェノール、エポキシ、ポリエステル
等のものが用いられ、金属膜としては、Ａ２、Ｔｉ、Ｎ
ｉ、ＴｉＡｇ等が用いられる。また、第２電極膜（１５
ａ）〜（１５ｃ）の一端部分は、第２接続部（１５ａｅ
） −（１５ｃｅ）として動作し、そして、第２電極膜
（１５ａ）（１５ｂ）に形成された第２接続部（１５ａ
ｅ）（１５ｂｅ）は、夫々右隣りの第１電極膜（１３ｂ
）（１３ｃ）の第１接続部（１３ｂｅ）（１３ｃｅ）の
内側でこれと重なり合うように延在し、かつ第１接続部
（１３ｂｅ）（１３ｃｅ）より小面積であると共に、櫛
型に形成されている。また、左端の第１電極膜（１３ａ
）の第１接続部（１３ａｅ）と重なるように、取出電極
膜（１６）が配置されるが、この取出電極膜（１６）も
第１接続部（１３ａｅ）より小面積で櫛型に形成されて
いる。
最後に、第２延長部（１５ａｃ） −（１５ｃｅ）の上
からこれらの延びる方向（第７図に示す矢印方向）に、
夫々レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを
照射することによって第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ
）の第１接続部（１３ａｅ） 〜（１３ｃｅ）の夫々と
取出１ｔｓｉ膜（１６）及び第２電極膜（１５ａ）（１
５ｂ）ノ第２接続部（１５ａｅ）（１５ｂｅ）の夫々と
が溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射により取出
電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ）（１５ｂｅ
）の端部（第７図において、矢印と交わっている部分）
において取出電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ
）（１５ｂｅ）の全てが溶融すると共にこの部分の半導
体光活性層（１４）が蒸発除去され、従って、溶融され
た取出電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ）（１
５ｂｅ）が第１接続部（１３ａｅ）−（１３ｃｅ）にま
で達することによって行われる。使用されるエネルギー
ビーム源としては、Ｑスイッチ付のＮｄ：ＹＡＧレーザ
が適当である。
からこれらの延びる方向（第７図に示す矢印方向）に、
夫々レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを
照射することによって第１電極膜（１３ａ）〜（１３ｃ
）の第１接続部（１３ａｅ） 〜（１３ｃｅ）の夫々と
取出１ｔｓｉ膜（１６）及び第２電極膜（１５ａ）（１
５ｂ）ノ第２接続部（１５ａｅ）（１５ｂｅ）の夫々と
が溶着される。斯る溶着は、まずビーム照射により取出
電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ）（１５ｂｅ
）の端部（第７図において、矢印と交わっている部分）
において取出電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ
）（１５ｂｅ）の全てが溶融すると共にこの部分の半導
体光活性層（１４）が蒸発除去され、従って、溶融され
た取出電極膜（１６）及び第２接続部（１５ａｅ）（１
５ｂｅ）が第１接続部（１３ａｅ）−（１３ｃｅ）にま
で達することによって行われる。使用されるエネルギー
ビーム源としては、Ｑスイッチ付のＮｄ：ＹＡＧレーザ
が適当である。
こうして、３つの発電領域（１２ａ）〜（１２ｃ）は電
気的に直列接続され、これら発電領域（１２ａ）〜（１
２ｃ）の直列出力は、左端の第１電極膜（１３ａ）の第
１延長部（１３ａｅ）に接続されている取出電極膜（１
６）と右端の第２電極膜（１５Ｃ）の第２延長部（１５
ｃｅ）との間から取出される。
気的に直列接続され、これら発電領域（１２ａ）〜（１
２ｃ）の直列出力は、左端の第１電極膜（１３ａ）の第
１延長部（１３ａｅ）に接続されている取出電極膜（１
６）と右端の第２電極膜（１５Ｃ）の第２延長部（１５
ｃｅ）との間から取出される。
（ト）発明の効果
本発明によれば、基板上に第１電極膜、半導体光活性層
及び第２電極膜をこの順序で積層形成した後、第２電極
膜の第２接続部にエネルギービームを照射することによ
って第１電極膜の第１接続部と第２電極膜の第２接続部
とを電気的に直列接緘するようにしたので、半導体光活
性層と第２電極膜との間に不所望な残留物を介在するこ
となく、第１電極膜と第２１電極膜とを電気的に接続す
ることができ、優れた出力特性を得ることができる。
及び第２電極膜をこの順序で積層形成した後、第２電極
膜の第２接続部にエネルギービームを照射することによ
って第１電極膜の第１接続部と第２電極膜の第２接続部
とを電気的に直列接緘するようにしたので、半導体光活
性層と第２電極膜との間に不所望な残留物を介在するこ
となく、第１電極膜と第２１電極膜とを電気的に接続す
ることができ、優れた出力特性を得ることができる。
第１図乃至第３図は第１の構造の光起電力装置における
本発明の製造方法を工程別に示す平面図、第４図はＩ−
Ｖ特性を示す特性図、第５図乃至第７図は第２の構造の
光起電力装置における本発明の製造方法を工程別に示す
平面図である。
本発明の製造方法を工程別に示す平面図、第４図はＩ−
Ｖ特性を示す特性図、第５図乃至第７図は第２の構造の
光起電力装置における本発明の製造方法を工程別に示す
平面図である。
（１）（１１）・・・基板、（３ａ） −（３ｃ）（１
３ａ）〜（１３ｃ）−・・第１電極膜、（３ａｅ）〜（
３ｃｅ）（１３ａｅ）〜（１３ｃｅ）・・・第１接続部
、（４）（１４）・・・半導体光活性層、（５ａ）−（
５ｃ）（１５ａ）（１５ｃ）＝ 第２電極膜、（５ａｃ
）−（５ｃｅ）（１５ａｅ） −（１５ｃｅ ）・・・
第２接続部。
３ａ）〜（１３ｃ）−・・第１電極膜、（３ａｅ）〜（
３ｃｅ）（１３ａｅ）〜（１３ｃｅ）・・・第１接続部
、（４）（１４）・・・半導体光活性層、（５ａ）−（
５ｃ）（１５ａ）（１５ｃ）＝ 第２電極膜、（５ａｃ
）−（５ｃｅ）（１５ａｅ） −（１５ｃｅ ）・・・
第２接続部。
Claims (2)
- （１）基板の絶縁表面の複数の発電領域毎に、第１接続
部を有する第１電極膜を分割配置する工程と、この第１
電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に半導体光
活性層を形成する工程と、隣接する発電領域の上記第１
電極膜の第１接続部の上まで延在し、かつ上記第１接続
部より小面積である第２接続部を有する第２電極膜を上
記半導体光活性層上の発電領域毎に分割配置する工程と
、上記第１接続部と重なり合っている上記第２接続部の
少なくとも端部にエネルギービームを照射することによ
り上記第１接続部と第２接続部とを電気的に接続する工
程とを備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法
。 - （２）上記第２接続部は櫛型に形成されていることを特
徴とする第１項記載の光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023103A JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
| US07/434,341 US5041391A (en) | 1988-11-18 | 1989-11-08 | Method of manufacturing a photovoltaic device |
| FR8915120A FR2639475B1 (fr) | 1988-11-18 | 1989-11-17 | Procede de fabrication d'un dispositif photovoltaique |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29287588 | 1988-11-18 | ||
| JP63-292875 | 1988-11-18 | ||
| JP1023103A JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224278A true JPH02224278A (ja) | 1990-09-06 |
| JP2877328B2 JP2877328B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=26360405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023103A Expired - Lifetime JP2877328B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-02-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041391A (ja) |
| JP (1) | JP2877328B2 (ja) |
| FR (1) | FR2639475B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624869A (en) * | 1994-04-13 | 1997-04-29 | International Business Machines Corporation | Method of forming a film for a multilayer Semiconductor device for improving thermal stability of cobalt silicide using platinum or nitrogen |
| DE19803326C1 (de) * | 1998-01-29 | 1999-06-17 | Phototronics Solartechnik Gmbh | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
| US6274804B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-08-14 | Angewandte Solarenergie - Ase Gmbh | Thin-film solar module |
| US20050247340A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-11-10 | Zeira Eitan C | All printed solar cell array |
| KR101146734B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289368A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池装置の製造法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4428110A (en) * | 1981-09-29 | 1984-01-31 | Rca Corporation | Method of making an array of series connected solar cells on a single substrate |
| US4724011A (en) * | 1983-05-16 | 1988-02-09 | Atlantic Richfield Company | Solar cell interconnection by discrete conductive regions |
| US4517403A (en) * | 1983-05-16 | 1985-05-14 | Atlantic Richfield Company | Series connected solar cells and method of formation |
| GB8330578D0 (en) * | 1983-11-16 | 1983-12-21 | Rca Corp | Inter-connected photovoltaic devices |
| JPS60206077A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質半導体太陽電池の製造方法 |
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP1023103A patent/JP2877328B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-08 US US07/434,341 patent/US5041391A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-17 FR FR8915120A patent/FR2639475B1/fr not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289368A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池装置の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5041391A (en) | 1991-08-20 |
| FR2639475B1 (fr) | 1996-05-31 |
| FR2639475A1 (fr) | 1990-05-25 |
| JP2877328B2 (ja) | 1999-03-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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