JPS63102274A - 光起電力装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は太陽電池等として用いる光起電力装置に関する
ものである。

〔従来技術〕

一般にこの種の光起電力装置は所定の光起電力を得るた
め、複数の光起電力素子を直列接続した態様で絶縁性透
光基板上等に形成されるが、光起電力素子を相互に直列
接続する手段として従来第３図に示す如きものが提案さ
れている。

第３図は従来の光起電力装置の断面構造図であり、先ず
ガラス等の絶縁性透光基板１１上に相互の間に所要の間
隙１２ｃを隔てた状態で各光起電力素子Ａ、Ｂを構成す
る透明電極１２ａ、１２ｂを分離形成し、間隙１２ｃを
隔てて相隣する透明電極１２ａ、１２ｂの相対向する一
側縁近傍に沿って導電膜たる金属ペースト膜１５及び絶
縁膜たる絶縁ペースト股１６をその一側縁を相接した状
態で並列形成する。

次いで透明電極１２ａ、１２ｂの表面、前記金属ペース
ト模１５、絶縁ペーストｌＩ＊１６の表面、並びに透明
電極１２ａ、　１２ｂ間の間隙１２ｃ内に露出する絶縁
性透光基板１１表面にわたって一連に半導体活性層１３
ａ。

１３ｂ１更に裏面電極１４ａ、　１４ｂをこの順序に積
層形成した後、前記金属ペースト膜１５、絶縁ペースト
膜１６表面と対向する位置で夫々裏面電極側から金属ペ
ースト膜１５．　！＠縁ペースト膜１６表面に達するよ
うレーザビームを用いて加工を施し、導電部１７、分離
溝１８を形成する。

即ち、金属ペースト［１１５表面に対しては裏面電極側
から裏面電極及び半導体活性層を溶融して導電部１７を
、また絶縁ペースト膜１６表面に対しては裏面電極１４
ａ、１４ｂ　、半導体活性層１５ａ、　１５ｂを分断す
る分！溝１８を形成する。

これによって光起電力素子Ａの裏面電極１４ａが導電部
１７、導電膜１５を介して光起電力素子Ｂの透明電極１
２ｂと接続され、相互に直列接続した光起電力素子Ａ、
Ｂが形成されることとなる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで上述した如き従来装置にあうでは金泥ペースト
膜１５と絶縁ペースト膜１６とを並列形成する結果、こ
れらによって直接光起電力に寄与しない面積が増大し、
この部分はやむを得ない無効面積部分である両透明電極
１２ａ、１２ｂ間の間隙１２ｃの面積よりも広くなるこ
と、また近年光電変換効率の向上を図るために透明基板
表面には凹凸を設けるが、このような凹凸面上では金属
ペースト膜１５の接触が不十分となり、抵抗が増し、曲
線因子が低下するという大きな問題があった。

本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは光起電力に寄与する有効面積を大幅
に拡大し得、また、表面に凹凸を設けた透明電極を用い
ても電気的接続機能１何らその影響を受けないようにし
た光起電力装置を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明にあっては絶縁性透光基板上に先に導電膜及びそ
の一部に重畳させて絶縁膜を形成し、この上に透明電極
、半導体活性層、裏面電極を積層形成する。

〔作用〕

本発明にあってはこれによって導電膜と絶縁膜との重畳
形成によって全体の幅を縮小出来、それだけ無効面積が
低減される外、透明電極表面に凹凸を形成しても透明電
極と導電膜との接合性が損なわれない。

〔実施例〕

以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
の絶縁性透光基板、Ａ、　　Ｂは各光起電力素子を示し
ている。光起電力素子Ａ。

Ｂは絶縁性透光基板ｌ上に相互に直列接続された状態で
配設されている。各光起電力素子Ａ、Ｂは絶縁性透光基
板１上に透明電極２ａ、２ｂ　、半導体活性Ｊｉｆ３ａ
、３ｂ　、裏面電極４ａ、４ｂをこの順序に積層して構
成されており、相隣する光起電力素子Ａ、　Ｈにおける
透明電極２ａ、２ｂ同士はその間に形成した間隙２ｃ内
を充足する半導体活性層３ａの一部によって分断され、
また半導体活性層９Ｍ面電極は絶縁膜たる絶縁ペースト
膜６及び分離溝８によって夫々半導体活性層３ａ、３ｂ
　、裏面電極４ａ、４ｂに分断されると共に、導電膜た
る金属ペースト膜５及び導電部７によって光起電力素子
への裏面電極４ａは光起電力素子Ｂの透明電極２ｂと電
気的に接続され、相隣する両光起電力素子Ａ、Ｂは相互
に直列接続される。

金１ペースト膜５、絶縁ペースト膜６はいずれも相隣す
る光起電力素子Ａ、Ｂの透明電極２ａ、２ｂの相対向す
る一側縁に沿うよう光起電力素子Ｂの透明電極２ｂと絶
縁性透光基板１との間にこの順序で積層形成されており
、金属ペースト膜５は透明電極２ｂの一側縁に合わせて
幅２００〜５００μｍ程度、厚さ１０〜２０μｍ程度の
条状に形成され、また絶縁ペースト膜６は金属ペースト
膜５よりも狭幅であって金属ペースト膜５の中央部に沿
って同様に幅２００〜５００μｍ、厚さ１０〜２０μｍ
の範囲で形成され、絶縁ペースト膜６の幅方向両側には
夫々所要幅だけ金属ペースト膜５が残存するようにしで
ある。導電部７は裏面電極４ａ、４ｂ　、半導体活性層
３ａ。

３ｂ及び金属ペースト膜５の一部を溶融混合状態とする
ことによって形成されている。

次に上述した如き本発明装置の製造過程についてその−
例を第２図（イ）〜（ニ）に基づき具体的に説明する。

先ず第２図くイ）に示す如く後で形成すべき相隣する透
明電極２ａ、２ｂの相対向する一側縁に沿うよう絶縁性
透光基板１上にＡｇペースト等の金属ペースト膜５をス
クリーン印刷法等にて所要の幅、厚さにパターン印刷し
、これを５５０℃程度で焼成し、次いでＳｉＯペースト
等の絶縁ペースト膜６を同じくスクリーン印刷法等にて
金属ペースト膜５の幅方向中央部に沿って所要の幅及び
厚さにパターン印刷し、これを５５０℃程度で焼成する
。

次いで第２図（ロ）に示す如く絶縁性透光基板１の表面
全面にわたって表面に凹凸を備える透明電極２を形成し
、第２図（ハ）に示す如くレーザビームを用いて金属ペ
ースト膜５の幅方向−側縁に沿う位置で適正な幅の間隙
２ｃを形成して各光起電力素子Ａ、Ｂ・・・毎の各透明
電極２ａ、２ｂ・・・に分割する。その後第２図（ニ）
に示す如く透明電極２　ａ　＋２ｂの表面、金属ペース
トｉｔｓ、絶縁ペースト膜６の表面及び透明電極２ａ、
２ｂ間の間隙２ｃに露出する絶縁性透光基板１の表面に
わたって非晶質シリコン等の半導体活性Ｎ３、Ａｌ製の
裏面電極４をこの順序に積層形成した後、金属ペースト
膜５表面及び絶縁ペーストＩ！ｉ！６表面と対向する位
置で夫々裏面電極４側からレーザビームを投射し、第１
図に示す如き導電部７、分ｉｉｉ！４８を加工形成する
。

導電部７は裏面電極４、半導体活性層３及び金属ペース
ト膜５の一部を熔融し混合状態とすることによって、ま
た分離ｔＩ８はレーザビーム出力を更に高く設定して溶
融した材料を蒸散せしめることによって形成する。

これによって光起電力素子Ａの裏面電極４ａは導電部７
、金属ペーストｌｉｔ　５を介して光起電力素子Ｂの透
明電極２ｂと接続され、また分離溝８を介して両光起電
力素子Ａ、Ｂ毎に裏面電極４ａ、４ｂ　、半導体活性層
３ａ、３ｂを分割することとなる。

〔効果〕

以上の如く本発明装置にあっては相隣する光起電力素子
の側縁に沿うよう絶縁性透光基板上に導電膜を形成し、
この導電膜の一部に重畳させて絶縁膜を形成し、この上
に各光起電力素子毎に分離した透明電極、半導体活性層
、裏面電極を形成することとしたから、導電膜、絶縁膜
を形成することによる無効面積を大幅に低減出来て、光
起電力効率が向上し、また透明電極の表面に凹凸を形成
しても透明電極と導電膜との電気的接合に何らの支障を
生じず光起電力特性を何ら犠牲にすることがないなど本
発明は優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の断面構造図、第２図（イ）〜（ニ
）は本発明装置の製造過程の一例を示す説明図、第３図
は従来装置の断面構造図である。 １・・・絶縁性透光基板　２ａ、２ｂ・・・透明電極３
ａ、３ｂ・・・半導体活性層　４ａ、４ｂ・・・裏面電
極５・・・金属ペースト膜　６・・・絶縁ペースト膜７
・・・導電部　８・・・分Ｎ１溝 特　許　出願人　　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　　河　野　　登　夫 纂　　１　　図 、　／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、絶縁性透光基板上に透明電極、半導体活性層及び裏
   面電極をこの順序に積層してなる複数の光起電力素子を
   直列接続して配設した光起電力装置において、相隣する
   光起電力素子の相対向する一側縁に沿うよう前記絶縁性
   透光基板上に条状の導電膜を、また該導電膜上にその一
   部を重畳させて条状の絶縁膜を積層形成してあり、絶縁
   性透光基板及び導電膜、絶縁膜上にわたって相隣する光
   起電力素子間にて相互に分離した状態で透明電極を形成
   してあり、これら透明電極上にわたして半導体活性層及
   び裏面電極を積層形成してあり、前記裏面電極から前記
   導電膜にわたって導電部を、また絶縁膜表面にわたって
   裏面電極、半導体活性層を分断する分離溝を形成してあ
   ることを特徴とする光起電力装置。