JPS63280465A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS63280465A JPS63280465A JP62116654A JP11665487A JPS63280465A JP S63280465 A JPS63280465 A JP S63280465A JP 62116654 A JP62116654 A JP 62116654A JP 11665487 A JP11665487 A JP 11665487A JP S63280465 A JPS63280465 A JP S63280465A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池等として用いる光起電力装置に関する
ものである。
ものである。
−ｆ１６にこの種の光起電力装置は所定の光起電力を得
るため、複数の光起電力素子を直列接続した状態で絶縁
性透光基板上等に形成されるが、この光゛起電力素子相
互の直列接続部の構造ば従来は第３図に示す如く形成さ
れている。
るため、複数の光起電力素子を直列接続した状態で絶縁
性透光基板上等に形成されるが、この光゛起電力素子相
互の直列接続部の構造ば従来は第３図に示す如く形成さ
れている。
第３図（イ）〜（ホ）は従来の光起電力素子の直列接続
部の形成過程を示す断面構造図であり、先ず第３図（イ
）に示す如くガラス等の絶縁性透光基板２１上に５ｉ０
２膜２２、透明導電膜２３をこの順序に積層形成した後
、透明導電膜２３を第３図に（ホ）に示す各光起電力素
子Ａ、Ｂを構成する領域毎に分断すべくレーザビームＬ
、にて分離溝２３ｃを形成し、次いで第３図（ロ）に示
す如く相隣する透明導電膜２３ａ、２３ｂの相対向する
一側縁近傍に沿ってＡｇペースト等を用いた導電性条状
部２６及びその内側に沿って５ｉ０２ペースト等を用い
た絶縁性条状部２７を相接した状態で並列して形成する
。
部の形成過程を示す断面構造図であり、先ず第３図（イ
）に示す如くガラス等の絶縁性透光基板２１上に５ｉ０
２膜２２、透明導電膜２３をこの順序に積層形成した後
、透明導電膜２３を第３図に（ホ）に示す各光起電力素
子Ａ、Ｂを構成する領域毎に分断すべくレーザビームＬ
、にて分離溝２３ｃを形成し、次いで第３図（ロ）に示
す如く相隣する透明導電膜２３ａ、２３ｂの相対向する
一側縁近傍に沿ってＡｇペースト等を用いた導電性条状
部２６及びその内側に沿って５ｉ０２ペースト等を用い
た絶縁性条状部２７を相接した状態で並列して形成する
。
次いで、第３図（ニ）に示す如く前記導電性条状部２６
．絶縁性条状部２７を形成した部分を含む透明導電膜２
３ａ、２３ｂの表面、並びに透明導電膜２３ａ。
．絶縁性条状部２７を形成した部分を含む透明導電膜２
３ａ、２３ｂの表面、並びに透明導電膜２３ａ。
２３ｂ間の分離溝２３ｃ内に露出するＳｉｎｇ膜２２の
表面にわたって一連にアモルファス光活性層２４、裏面
電極２５をこの順序に積層形成した後、前記導電性条状
部２６．絶縁性条状部２７表面と対向する位置で夫々裏
面電極側から導電性条状部２６．絶縁性条状部２７表面
に達するようレーザビームＬ、、Ｌ、を用いて加工を施
す。
表面にわたって一連にアモルファス光活性層２４、裏面
電極２５をこの順序に積層形成した後、前記導電性条状
部２６．絶縁性条状部２７表面と対向する位置で夫々裏
面電極側から導電性条状部２６．絶縁性条状部２７表面
に達するようレーザビームＬ、、Ｌ、を用いて加工を施
す。
即ち、第３図（ホ）に示す如く導電性条状部２６表面と
対向する位置では裏面電極側から裏面電極２５、アモル
ファス光活性層２４を一旦溶融した後凝固せしめて導電
部３０を、また絶縁性条状部２７表面と対向する位置で
は裏面電極２５、アモルファス光活性層２４を分断する
分離溝３１を形成する。
対向する位置では裏面電極側から裏面電極２５、アモル
ファス光活性層２４を一旦溶融した後凝固せしめて導電
部３０を、また絶縁性条状部２７表面と対向する位置で
は裏面電極２５、アモルファス光活性層２４を分断する
分離溝３１を形成する。
これによって相隣する一方の光起電力素子Ａの裏面電極
２５ａが導電部３０、導電性条状部２６を介して光起電
力素子Ｂの透明導電膜２３ｂと接続され、相互に直列接
続された状態の光起電力素子Ａ、 Ｂが形成されること
となる。
２５ａが導電部３０、導電性条状部２６を介して光起電
力素子Ｂの透明導電膜２３ｂと接続され、相互に直列接
続された状態の光起電力素子Ａ、 Ｂが形成されること
となる。
ところで上述した如き従来装置にあっては第３図（イ）
に示す如く透明導電膜２３をレーザビームＬ１を用いて
分断する際、分離溝２３ｃ内には透明導電膜材料が飛散
物２３ｄとして多数残留するが、この飛散物２３ｄは導
電性条状部２６．絶縁性条状部２７を焼成する際、第２
図（ハ）に示す如く軟化して粒子が相互に接触状態とな
り、分離した透明導電膜２３ａ、 ２３１）を再び接続
させることがままあり、特性低下の要因の一つとなって
いる。
に示す如く透明導電膜２３をレーザビームＬ１を用いて
分断する際、分離溝２３ｃ内には透明導電膜材料が飛散
物２３ｄとして多数残留するが、この飛散物２３ｄは導
電性条状部２６．絶縁性条状部２７を焼成する際、第２
図（ハ）に示す如く軟化して粒子が相互に接触状態とな
り、分離した透明導電膜２３ａ、 ２３１）を再び接続
させることがままあり、特性低下の要因の一つとなって
いる。
また、従来装置では透明導電膜２３ａ、２３ｂの表面、
即ちアモルファス光活性層２４との接合面は平坦に形成
されているが限られた面積の基板から高出力を取り出す
うえでは相互の接合面積が広くなる凹凸状とするのが望
ましい。しかし凹凸状とした透明導電膜上に導電性条状
部２６を形成すると逆に接続部分での直列抵抗が増大し
て特性の低下を招くことになるという問題もあった。
即ちアモルファス光活性層２４との接合面は平坦に形成
されているが限られた面積の基板から高出力を取り出す
うえでは相互の接合面積が広くなる凹凸状とするのが望
ましい。しかし凹凸状とした透明導電膜上に導電性条状
部２６を形成すると逆に接続部分での直列抵抗が増大し
て特性の低下を招くことになるという問題もあった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはレーザビーム加工に依って飛散物２
３ｄが生じても相隣する透明導電膜相互の短絡が生じず
、また透明導電膜表面を凹凸に形成しても何らの特性低
下をもたらすことのない光起電力装置を提供するにある
。
目的とするところはレーザビーム加工に依って飛散物２
３ｄが生じても相隣する透明導電膜相互の短絡が生じず
、また透明導電膜表面を凹凸に形成しても何らの特性低
下をもたらすことのない光起電力装置を提供するにある
。
本発明にあっては、透光性絶縁基板上に並列形成された
導電性条状部、一の絶縁性条状部及び前記導電性条状部
上に前記一の絶縁性条状部との間に間隔を隔てて並列形
成された他の絶縁性条状部と、これらの表面を含む前記
透光性絶縁基板上に形成され、前記一の絶縁性条状部と
対応する位置で分離溝により分断された透明導電膜と、
該透明導電膜上に積層形成された光活性層及び裏面電極
と、前記他の絶縁性条状部と対応する位置で光活性層及
び裏面電極に形成された分離溝と、前記一の絶縁性条状
部と他の絶縁性条状部との間の導電性条状部と対応する
位置に、相隣する前記裏面電極と透明導電膜とを接続す
べく形成された導電部とを具備する。
導電性条状部、一の絶縁性条状部及び前記導電性条状部
上に前記一の絶縁性条状部との間に間隔を隔てて並列形
成された他の絶縁性条状部と、これらの表面を含む前記
透光性絶縁基板上に形成され、前記一の絶縁性条状部と
対応する位置で分離溝により分断された透明導電膜と、
該透明導電膜上に積層形成された光活性層及び裏面電極
と、前記他の絶縁性条状部と対応する位置で光活性層及
び裏面電極に形成された分離溝と、前記一の絶縁性条状
部と他の絶縁性条状部との間の導電性条状部と対応する
位置に、相隣する前記裏面電極と透明導電膜とを接続す
べく形成された導電部とを具備する。
本発明にあってはこれにより導電性条状部、絶縁性条状
部の形成を透明導電膜の形成に先立って行い得て、その
熱処理による何ら悪影響も透明導電膜に及ぼすことがな
い。
部の形成を透明導電膜の形成に先立って行い得て、その
熱処理による何ら悪影響も透明導電膜に及ぼすことがな
い。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発明装置と
いう）の直列接続部の構成を示す断面構造図、第２図（
イ）〜（ニ）は本発明装置の製造過程の主要部を示す説
明図であり、図中１は青板ガラス等の透光性絶縁基板、
２はＳｉ０ｇ膜、３は透明導電膜、４はアモルファス光
活性層、５は裏面電極、Ａ、Ｂは相隣して位置する各光
起電力素子を示している。相隣する光起電力素子Ａ、
Ｂはガラス基板１上に直列接続された状態で形成されて
いる。
いう）の直列接続部の構成を示す断面構造図、第２図（
イ）〜（ニ）は本発明装置の製造過程の主要部を示す説
明図であり、図中１は青板ガラス等の透光性絶縁基板、
２はＳｉ０ｇ膜、３は透明導電膜、４はアモルファス光
活性層、５は裏面電極、Ａ、Ｂは相隣して位置する各光
起電力素子を示している。相隣する光起電力素子Ａ、
Ｂはガラス基板１上に直列接続された状態で形成されて
いる。
各光起電力素子Ａ、 Ｂは構造的にはいずれも同じであ
り、第１図に示す如く透光性絶縁基板１上のＳｉＯ２膜
２上に夫々透明導電膜３ａ、３ｂ 、アモルファス光活
性層４ａ＋４ｂ 、裏面電極５ａ、５ｂをこの順序で積
層して構成され、光起電力素子Ａの裏面゛電極５ａは後
述する導電部１０、導電性条状部６を介して光起電力素
子Ｂの透明導電膜３ｂに接続されて相互に直列接続され
た状態となっている。
り、第１図に示す如く透光性絶縁基板１上のＳｉＯ２膜
２上に夫々透明導電膜３ａ、３ｂ 、アモルファス光活
性層４ａ＋４ｂ 、裏面電極５ａ、５ｂをこの順序で積
層して構成され、光起電力素子Ａの裏面゛電極５ａは後
述する導電部１０、導電性条状部６を介して光起電力素
子Ｂの透明導電膜３ｂに接続されて相互に直列接続され
た状態となっている。
次にこのような本発明装置をその製造手順に従って第２
図（イ）〜（ニ）に基づき具体的に説明する。
図（イ）〜（ニ）に基づき具体的に説明する。
先ず第２図（イ）に示す−如く青板ガラス等の透光性絶
縁基板１上にＳｉＯ□膜２を５００〜１０００人の厚さ
にコーティングした後、形成すべき光起電力素子Ａ、Ｂ
の直列接続部に相当する位置にＡｇ等の金属ペーストを
用いて導電性条状部６を、例えばスクリーン印刷法にて
形成した後、約５５０℃程度で焼成して形成し、次いで
ＳｉＯ□等の絶縁性ペーストを用いて同じくスクリーン
印刷法にて形成した後、前記と略同程度の温度で焼成し
て絶縁性条状部７゜８を形成する。
縁基板１上にＳｉＯ□膜２を５００〜１０００人の厚さ
にコーティングした後、形成すべき光起電力素子Ａ、Ｂ
の直列接続部に相当する位置にＡｇ等の金属ペーストを
用いて導電性条状部６を、例えばスクリーン印刷法にて
形成した後、約５５０℃程度で焼成して形成し、次いで
ＳｉＯ□等の絶縁性ペーストを用いて同じくスクリーン
印刷法にて形成した後、前記と略同程度の温度で焼成し
て絶縁性条状部７゜８を形成する。
絶縁性条状部７は導電性条状部６に沿ってその片側に、
また絶縁性条状部８は導電性条状部６上の幅方向の中間
部にこれよりも狭幅に形成しである。
また絶縁性条状部８は導電性条状部６上の幅方向の中間
部にこれよりも狭幅に形成しである。
次に第２図（ロ）に示す如く、絶縁性条状部７゜８、導
電性条状部６の表面を含むＳｉＯ□膜２の略全面にわた
ってＩＴＯ，ＳｎＯ□等を材料にして表面に凹凸のある
透明導電膜３を形成した後、絶縁性条状部７に対応する
位置で透明導電膜３の表面側からレーザビームし、を投
射し、第２図（ハ）に示す如く、絶縁性条状部７に達す
る分離溝９を形成して、透明導電膜３を各光起電力素子
Ａ、Ｂを構成する透明導電膜３ａ、３ｂに分割する。
電性条状部６の表面を含むＳｉＯ□膜２の略全面にわた
ってＩＴＯ，ＳｎＯ□等を材料にして表面に凹凸のある
透明導電膜３を形成した後、絶縁性条状部７に対応する
位置で透明導電膜３の表面側からレーザビームし、を投
射し、第２図（ハ）に示す如く、絶縁性条状部７に達す
る分離溝９を形成して、透明導電膜３を各光起電力素子
Ａ、Ｂを構成する透明導電膜３ａ、３ｂに分割する。
次に第２図（ニ）に示す如く分離溝９内を含む透明導電
膜３の全面にわたってアモルファス光活性Ｍ４、裏面電
極５をこの順序に積層形成した後、絶縁性条状部７．８
間に位置する導電性条状部６と対応する位置及び絶縁性
条状部８と対応する位置に、裏面電極５の表面側からレ
ーザビームＬ２゜Ｌ、を投射し、前記導電性条状部６と
対応する位置には裏面電極５、アモルファス光活性層４
及び透明導電膜３を一旦溶融した後凝固させた導電部１
０を、また絶縁性条状部８と対応する位置には分離溝１
１を夫々形成する。
膜３の全面にわたってアモルファス光活性Ｍ４、裏面電
極５をこの順序に積層形成した後、絶縁性条状部７．８
間に位置する導電性条状部６と対応する位置及び絶縁性
条状部８と対応する位置に、裏面電極５の表面側からレ
ーザビームＬ２゜Ｌ、を投射し、前記導電性条状部６と
対応する位置には裏面電極５、アモルファス光活性層４
及び透明導電膜３を一旦溶融した後凝固させた導電部１
０を、また絶縁性条状部８と対応する位置には分離溝１
１を夫々形成する。
分離溝１１の形成によって裏面電極５、アモルファス光
活性層４は夫々光起電力素子Ａ、Ｂを構成する裏面電極
５ａ、５ｂ 、、アモルファス光活性層４ ａ ＋ ４
ｂに分割される。また導電部１０の形成によって光起
電力素子Ａの裏面電極５ａは導電性条状部６を介して光
起電力素子Ｂの透明導電膜３ｂと接続されることとなり
、相隣する光起電力素子Ａ、Ｂは直列接続された状態と
なる。
活性層４は夫々光起電力素子Ａ、Ｂを構成する裏面電極
５ａ、５ｂ 、、アモルファス光活性層４ ａ ＋ ４
ｂに分割される。また導電部１０の形成によって光起
電力素子Ａの裏面電極５ａは導電性条状部６を介して光
起電力素子Ｂの透明導電膜３ｂと接続されることとなり
、相隣する光起電力素子Ａ、Ｂは直列接続された状態と
なる。
また透明導電膜３ａ、３ｂは導電性条状部６上にあって
、その表面に凹凸を形成しであるため、凹凸の形成が導
電性条状部６との直列抵抗を増大させる等の不都合を生
じないことは勿論、アモルファス光活性層４ａ、４ｂと
の接合面積が広くなり、集電効果が高められ光起電力特
性が向上する。
、その表面に凹凸を形成しであるため、凹凸の形成が導
電性条状部６との直列抵抗を増大させる等の不都合を生
じないことは勿論、アモルファス光活性層４ａ、４ｂと
の接合面積が広くなり、集電効果が高められ光起電力特
性が向上する。
以上の如く本発明装置にあっては導電性条状部、絶縁性
条状部等に対する焼成は透明導電膜の形成に先立って行
われることとなり、透明導電膜の分割に際して絶縁性条
状部上に粒状の飛散物が形成されたとしてもその軟化接
合による短絡を生じず、″品質の向上が図れるなど本発
明は優れた効果を奏するものである。
条状部等に対する焼成は透明導電膜の形成に先立って行
われることとなり、透明導電膜の分割に際して絶縁性条
状部上に粒状の飛散物が形成されたとしてもその軟化接
合による短絡を生じず、″品質の向上が図れるなど本発
明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明装置における光起電力素子相互の直列接
続部の断面構造図、第２図（イ）〜（ニ）は本発明装置
の製造過程を示す説明図、第３図（イ）〜（ホ）は従来
装置の製造過程を示す説明図である。
続部の断面構造図、第２図（イ）〜（ニ）は本発明装置
の製造過程を示す説明図、第３図（イ）〜（ホ）は従来
装置の製造過程を示す説明図である。
Claims (1)
- １、透光性絶縁基板上に並列形成された導電性条状部、
一の絶縁性条状部及び前記導電性条状部上に前記一の絶
縁性条状部との間に間隔を隔てて並列形成された他の絶
縁性条状部と、これらの表面を含む前記透光性絶縁基板
上に形成され、前記一の絶縁性条状部と対応する位置で
分離溝により分断された透明導電膜と、該透明導電膜上
に積層形成された光活性層及び裏面電極と、前記他の絶
縁性条状部と対応する位置で光活性層及び裏面電極に形
成された分離溝と、前記一の絶縁性条状部と他の絶縁性
条状部との間の導電性条状部と対応する位置に、相隣す
る前記裏面電極と透明導電膜とを接続すべく形成された
導電部とを具備することを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116654A JPS63280465A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116654A JPS63280465A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63280465A true JPS63280465A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14692583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116654A Pending JPS63280465A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63280465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212476A (ja) * | 1990-04-05 | 1992-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP62116654A patent/JPS63280465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212476A (ja) * | 1990-04-05 | 1992-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
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