JPH06101574B2 - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPH06101574B2 JPH06101574B2 JP61248065A JP24806586A JPH06101574B2 JP H06101574 B2 JPH06101574 B2 JP H06101574B2 JP 61248065 A JP61248065 A JP 61248065A JP 24806586 A JP24806586 A JP 24806586A JP H06101574 B2 JPH06101574 B2 JP H06101574B2
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- JP
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- electrode
- transparent
- film
- semiconductor active
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は太陽電池等として用いる光起電力装置に関する
ものである。
ものである。
一般にこの種の光起電力装置は所定の光起電力を得るた
め、複数の光起電力素子を直列接続した態様で絶縁性透
光基板上等に形成されるが、光起電力素子を相互に直列
接続する手段として従来第３図に示す如きものが提案さ
れている。
め、複数の光起電力素子を直列接続した態様で絶縁性透
光基板上等に形成されるが、光起電力素子を相互に直列
接続する手段として従来第３図に示す如きものが提案さ
れている。
第３図は従来の光起電力装置の断面構造図であり、先ず
ガラス等の絶縁性透光基板11上に相互の間に所要の間隙
12cを隔てた状態で各光起電力素子A,Bを構成する透明電
極12a,12bを分離形成し、間隙12cを隔てて相隣する透明
電極12a,12bの相対向する一側縁近傍に沿って導電膜た
る金属ペースト膜15及び絶縁膜たる絶縁ペースト膜16を
その側縁を相接した状態で並列に形成する。
ガラス等の絶縁性透光基板11上に相互の間に所要の間隙
12cを隔てた状態で各光起電力素子A,Bを構成する透明電
極12a,12bを分離形成し、間隙12cを隔てて相隣する透明
電極12a,12bの相対向する一側縁近傍に沿って導電膜た
る金属ペースト膜15及び絶縁膜たる絶縁ペースト膜16を
その側縁を相接した状態で並列に形成する。
次いで透明電極12a,12bの表面、前記金属ペースト膜1
5、絶縁ペースト膜16の表面、並びに透明電極12a,12b間
の間隙12c内に露出する絶縁性透光基板11表面にわたっ
て一連に半導体活性層13a,13b、更に裏面電極14a,14bを
この順序に積層形成した後、前記金属ペースト膜15、絶
縁ペースト膜16表面と対向する位置で夫々裏面電極側か
ら金属ペースト膜15,絶縁ペースト膜16表面に達するよ
うレーザビームを用いて加工を施す。
5、絶縁ペースト膜16の表面、並びに透明電極12a,12b間
の間隙12c内に露出する絶縁性透光基板11表面にわたっ
て一連に半導体活性層13a,13b、更に裏面電極14a,14bを
この順序に積層形成した後、前記金属ペースト膜15、絶
縁ペースト膜16表面と対向する位置で夫々裏面電極側か
ら金属ペースト膜15,絶縁ペースト膜16表面に達するよ
うレーザビームを用いて加工を施す。
即ち、金属ペースト膜15表面に対しては裏面電極側から
裏面電極及び半導体活性層を溶融して導電部17を、また
絶縁ペースト膜16表面に対しては裏面電極14a,14b、半
導体活性層15a,15bを分断する分離溝18を形成してあ
る。
裏面電極及び半導体活性層を溶融して導電部17を、また
絶縁ペースト膜16表面に対しては裏面電極14a,14b、半
導体活性層15a,15bを分断する分離溝18を形成してあ
る。
これによって光起電力素子Ａの裏面電極14aが導電部1
7、導電膜15を介して光起電力素子Ｂの透明電極12bと接
続され、相互に直列接続した光起電力素子A,Bが形成さ
れることとなる。
7、導電膜15を介して光起電力素子Ｂの透明電極12bと接
続され、相互に直列接続した光起電力素子A,Bが形成さ
れることとなる。
ところで上述した如き従来装置にあっては金属ペースト
膜15と絶縁ペースト膜16とを並列形成する結果、これら
によって直接光起電力に寄与しない面積が増大し、この
部分はやむを得ない無効面積部分である両透明電極12a,
12b間の間隙12cの面積よりも広くなり有効面積の拡大を
図るうえで大きな問題があった。
膜15と絶縁ペースト膜16とを並列形成する結果、これら
によって直接光起電力に寄与しない面積が増大し、この
部分はやむを得ない無効面積部分である両透明電極12a,
12b間の間隙12cの面積よりも広くなり有効面積の拡大を
図るうえで大きな問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは光起電力に寄与する有効面積を大幅
に拡大し得た光起電力装置を提供するにある。
目的とするところは光起電力に寄与する有効面積を大幅
に拡大し得た光起電力装置を提供するにある。
本発明にあっては透明電極上にその一側縁に沿って形成
した導電膜の表面及び前記透明電極の夫々に一部を重畳
させて絶縁膜を形成し、導電膜上には裏面電極と電気的
に接続する導電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導
体活性層を分断する分離溝を形成する。
した導電膜の表面及び前記透明電極の夫々に一部を重畳
させて絶縁膜を形成し、導電膜上には裏面電極と電気的
に接続する導電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導
体活性層を分断する分離溝を形成する。
本発明にあってはこれによって導電膜と絶縁膜との重畳
形成によって全体の幅を縮小出来、それだけ無効面積が
低減される。
形成によって全体の幅を縮小出来、それだけ無効面積が
低減される。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
の絶縁性透光基板、A,Bは各光起電力素子を示してい
る。光起電力素子A,Bは絶縁性透光基板１上に相互に直
列接続された状態で配設されている。各光起電力素子A,
Bは絶縁性透光基板１上に透明電極2a,2b、半導体活性層
3a,3b、裏面電極4a,4bをこの順序に積層して構成されて
おり、相隣する光起電力素子A,Bはその透明電極2a,2b同
士がその間に形成した間隙2c内を充足する半導体活性層
3aの一部によって分断され、また半導体活性層，裏面電
極は絶縁膜たる絶縁ペースト膜６及び分離溝８によって
夫々第１図に示す如く半導体活性層3a,3b、裏面電極4a,
4bに分断されると共に、導電膜たる金属ペースト膜５及
び導電部７によって光起電力素子Ａの裏面電極4aは光起
電力素子Ｂの透明電極2bと電気的に接続されて相隣する
両光起電力素子A,Bは相互に直列接続されている。
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
の絶縁性透光基板、A,Bは各光起電力素子を示してい
る。光起電力素子A,Bは絶縁性透光基板１上に相互に直
列接続された状態で配設されている。各光起電力素子A,
Bは絶縁性透光基板１上に透明電極2a,2b、半導体活性層
3a,3b、裏面電極4a,4bをこの順序に積層して構成されて
おり、相隣する光起電力素子A,Bはその透明電極2a,2b同
士がその間に形成した間隙2c内を充足する半導体活性層
3aの一部によって分断され、また半導体活性層，裏面電
極は絶縁膜たる絶縁ペースト膜６及び分離溝８によって
夫々第１図に示す如く半導体活性層3a,3b、裏面電極4a,
4bに分断されると共に、導電膜たる金属ペースト膜５及
び導電部７によって光起電力素子Ａの裏面電極4aは光起
電力素子Ｂの透明電極2bと電気的に接続されて相隣する
両光起電力素子A,Bは相互に直列接続されている。
金属ペースト膜５、絶縁ペースト膜６はいずれも相隣す
る光起電力素子A,Bの透明電極2a,2bの相対向する一側縁
に沿うよう光起電力素子Ｂの透明電極2b上に幅方向の一
側を一致させた状態で形成されており、金属ペースト膜
５は幅方向の一側縁を透明電極2bの一側縁に合わせて幅
200〜500μｍ程度、厚さ10〜20μｍ程度の条状に形成さ
れ、また絶縁ペースト膜６は金属ペースト膜５の表面の
うち透明電極2bの中央部側の幅方向の半分及び中央部側
の側面を覆う態様で金属ペースト膜5,透明電極2b上にわ
たって同様に幅200〜500μｍ、厚さ10〜20μｍの範囲で
形成され、これによって金属ペースト膜５と光起電力素
子A,Bの半導体活性層3a,3bとの接触、並びに金属ペース
ト膜５と光起電力素子Ｂの半導体活性層3bとの直接接触
を阻止するようにしてある。導電部７は裏面電極4a,4
b、半導体活性層3a,3b及び金属ペースト膜５の一部を溶
融混合状態とすることによって形成されている。
る光起電力素子A,Bの透明電極2a,2bの相対向する一側縁
に沿うよう光起電力素子Ｂの透明電極2b上に幅方向の一
側を一致させた状態で形成されており、金属ペースト膜
５は幅方向の一側縁を透明電極2bの一側縁に合わせて幅
200〜500μｍ程度、厚さ10〜20μｍ程度の条状に形成さ
れ、また絶縁ペースト膜６は金属ペースト膜５の表面の
うち透明電極2bの中央部側の幅方向の半分及び中央部側
の側面を覆う態様で金属ペースト膜5,透明電極2b上にわ
たって同様に幅200〜500μｍ、厚さ10〜20μｍの範囲で
形成され、これによって金属ペースト膜５と光起電力素
子A,Bの半導体活性層3a,3bとの接触、並びに金属ペース
ト膜５と光起電力素子Ｂの半導体活性層3bとの直接接触
を阻止するようにしてある。導電部７は裏面電極4a,4
b、半導体活性層3a,3b及び金属ペースト膜５の一部を溶
融混合状態とすることによって形成されている。
次に上述した如き本発明装置の製造過程についてその一
例を第２図（イ）〜（ハ）に基づき具体的に説明する。
例を第２図（イ）〜（ハ）に基づき具体的に説明する。
先ず第２図（イ）に示す如く絶縁性透光基板１上に各光
起電力素子A,B…を構成する透明電極2a,2b…を相互の間
に所要の間隙2cを隔てた状態でパターン形成する。勿論
この透明電極2a,2bは絶縁性透光基板１の表面に全面に
わたって平面的に一連に形成した後、レーザビームを用
いて適正な幅の間隙2cを形成して各透明電極2a,2b…に
分割してもよい。
起電力素子A,B…を構成する透明電極2a,2b…を相互の間
に所要の間隙2cを隔てた状態でパターン形成する。勿論
この透明電極2a,2bは絶縁性透光基板１の表面に全面に
わたって平面的に一連に形成した後、レーザビームを用
いて適正な幅の間隙2cを形成して各透明電極2a,2b…に
分割してもよい。
次いで第２図（ロ）に示す如く相隣する透明電極2a,2b
の相対向する一側縁に沿って透明電極2b上にAgペースト
等の金属ペースト膜５をスクリーン印刷法等にて所要
幅、厚さにパターン印刷し、これを550℃程度で焼成
し、次いでSiOペースト等の絶縁ペースト膜６を同じく
スクリーン印刷法等にて金属ペースト膜５及び透明電極
2b上に各一部をオーバラップさせた状態で所要幅で、且
つ厚さにパターン印刷し、同じくこれを550℃程度で焼
成する。その後第２図（ハ）に示す如く透明電極2a,2b
の表面、金属ペースト膜５、絶縁ペースト膜６の表面及
び透明電極2a,2b間の間隙2cに露出する絶縁性透光基板
１の表面にわたって非晶質シリコン等の半導体活性層
３、Al製の裏面電極４をこの順序に積層形成した後、金
属ペースト膜５表面及び絶縁ペースト膜６表面と対向す
る位置で夫々裏面電極４側からレーザビームを投射し、
第１図に示す如き導電部７、分離溝８を加工形成する。
導電部７は裏面電極４、半導体活性層３及び金属ペース
ト膜５の一部を溶融し混合状態とすることによって、ま
た分離溝８はレーザビーム出力を更に高く設定すること
により溶融した材料を蒸散せしめることによって形成す
る。
の相対向する一側縁に沿って透明電極2b上にAgペースト
等の金属ペースト膜５をスクリーン印刷法等にて所要
幅、厚さにパターン印刷し、これを550℃程度で焼成
し、次いでSiOペースト等の絶縁ペースト膜６を同じく
スクリーン印刷法等にて金属ペースト膜５及び透明電極
2b上に各一部をオーバラップさせた状態で所要幅で、且
つ厚さにパターン印刷し、同じくこれを550℃程度で焼
成する。その後第２図（ハ）に示す如く透明電極2a,2b
の表面、金属ペースト膜５、絶縁ペースト膜６の表面及
び透明電極2a,2b間の間隙2cに露出する絶縁性透光基板
１の表面にわたって非晶質シリコン等の半導体活性層
３、Al製の裏面電極４をこの順序に積層形成した後、金
属ペースト膜５表面及び絶縁ペースト膜６表面と対向す
る位置で夫々裏面電極４側からレーザビームを投射し、
第１図に示す如き導電部７、分離溝８を加工形成する。
導電部７は裏面電極４、半導体活性層３及び金属ペース
ト膜５の一部を溶融し混合状態とすることによって、ま
た分離溝８はレーザビーム出力を更に高く設定すること
により溶融した材料を蒸散せしめることによって形成す
る。
これによって光起電力素子Ａの裏面電極4aは導電部７、
金属ペースト膜５を介して光起電力素子Ｂの透明電極2b
と接続され、また分離溝８を介して両光起電力素子A,B
毎に裏面電極4a,4b、半導体活性層3a,3bに分割すること
となる。
金属ペースト膜５を介して光起電力素子Ｂの透明電極2b
と接続され、また分離溝８を介して両光起電力素子A,B
毎に裏面電極4a,4b、半導体活性層3a,3bに分割すること
となる。
このようにして形成された本発明装置にあっては例えば
金属ペースト膜５の幅寸法:200μｍ、絶縁ペースト膜６
の幅寸法:200μｍ、両ペースト膜5,6のオーバラップ部
分の幅寸法:150μｍとすると両ペースト膜5,6による全
体の幅寸法は250μｍとなり、従来のペースト膜の幅寸
法が400μｍであったのに対し5/8に幅寸法を縮小するこ
とが可能となった。この結果、例えば14個の10cm角の光
起電力素子を直列接続した場合の有効面積は95％とな
り、従来装置の91％以下と比較して４％以上有効面積を
拡大し得ることとなる。
金属ペースト膜５の幅寸法:200μｍ、絶縁ペースト膜６
の幅寸法:200μｍ、両ペースト膜5,6のオーバラップ部
分の幅寸法:150μｍとすると両ペースト膜5,6による全
体の幅寸法は250μｍとなり、従来のペースト膜の幅寸
法が400μｍであったのに対し5/8に幅寸法を縮小するこ
とが可能となった。この結果、例えば14個の10cm角の光
起電力素子を直列接続した場合の有効面積は95％とな
り、従来装置の91％以下と比較して４％以上有効面積を
拡大し得ることとなる。
以上の如く本発明装置にあっては相隣する透明電極の相
対向する側縁に沿って一方の透明電極上に導電膜を形成
し、この導電膜と一方の透明電極に夫々一部を重畳させ
て絶縁膜を形成し、透明電極上には裏面電極と連なる導
電部を、また絶縁膜上には裏面電極，半導体活性層を分
離する溝を形成したから、導電膜、絶縁膜を形成するこ
とにより光起電力を得るうえでの無効面積を大幅に低減
出来て、光起電力効率の向上が得られ、また各透明電極
上の導電膜と半導体活性層との間の電気的遮断が確実と
なって、リークの防止により光起電力効率の向上が図れ
るなど本発明は優れた効果を奏するものである。
対向する側縁に沿って一方の透明電極上に導電膜を形成
し、この導電膜と一方の透明電極に夫々一部を重畳させ
て絶縁膜を形成し、透明電極上には裏面電極と連なる導
電部を、また絶縁膜上には裏面電極，半導体活性層を分
離する溝を形成したから、導電膜、絶縁膜を形成するこ
とにより光起電力を得るうえでの無効面積を大幅に低減
出来て、光起電力効率の向上が得られ、また各透明電極
上の導電膜と半導体活性層との間の電気的遮断が確実と
なって、リークの防止により光起電力効率の向上が図れ
るなど本発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明装置の断面構造図、第２図（イ）〜
（ハ）は本発明装置の製造過程の一例を示す説明図、第
３図は従来装置の断面構造図である。 １……絶縁性透光基板、2a,2b……透明電極 3a,3b……半導体活性層、4a,4b……裏面電極 ５……金属ペースト膜、６……絶縁ペースト膜 ７……導電部、８……分離溝
（ハ）は本発明装置の製造過程の一例を示す説明図、第
３図は従来装置の断面構造図である。 １……絶縁性透光基板、2a,2b……透明電極 3a,3b……半導体活性層、4a,4b……裏面電極 ５……金属ペースト膜、６……絶縁ペースト膜 ７……導電部、８……分離溝
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性透光基板上に透明電極、半導体活性
層及び裏面電極をこの順序に積層してなる複数の光起電
力素子を直列接続して配設した光起電力装置において、
前記絶縁性透光基板上に各光起電力素子夫々の透明電極
を相互に分離形成し、相隣する透明電極の対向縁部に沿
って一方の透明電極上に条状に導電膜を形成すると共
に、前記一方の透明電極と前記導電膜との双方に夫々一
部を重畳させて絶縁膜を積層形成し、前記透明電極、導
電膜及び絶縁膜にわたって半導体活性層，裏面電極をこ
の順序に積層形成し、前記裏面電極側から導電膜表面に
わたって裏面電極を導電膜と接続する導電部を、また絶
縁膜表面にわたって裏面電極，半導体活性層を分断する
分離溝を形成したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248065A JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248065A JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102278A JPS63102278A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH06101574B2 true JPH06101574B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17172684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61248065A Expired - Lifetime JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101574B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2883371B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1999-04-19 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61248065A patent/JPH06101574B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63102278A (ja) | 1988-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |