JPS63102278A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS63102278A JPS63102278A JP61248065A JP24806586A JPS63102278A JP S63102278 A JPS63102278 A JP S63102278A JP 61248065 A JP61248065 A JP 61248065A JP 24806586 A JP24806586 A JP 24806586A JP S63102278 A JPS63102278 A JP S63102278A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池等として用いる光起電力装置に関する
ものである。
ものである。
一般にこの種の光起電力装置は所定の光起電力を得るた
め、複数の光起電力素子を直列接続した態様で絶縁性透
光基板上等に形成されるが、光起電力素子を相互に直列
接続する手段として従来第３図に示す如きものが提案さ
れている。
め、複数の光起電力素子を直列接続した態様で絶縁性透
光基板上等に形成されるが、光起電力素子を相互に直列
接続する手段として従来第３図に示す如きものが提案さ
れている。
第３図は従来の光起電力装置の断面構造図であり、先ず
ガラス等の絶縁性透光基板１１上に相互の間に所要の間
隙１２ｃを隔てた状態で各光起電力素子Ａ、 Ｂを構成
する透明電極１２ａ、１２ｂを分離形成し、間隙１２ｃ
を隔てて相隣する透明電極１２ａ、 １２ｂの相対向す
る一側縁近傍に沿って導電膜たる金属ペースト膜１５及
び絶縁膜たる絶縁ペースト膜１６をその側縁を相接した
状態で並列に形成する。
ガラス等の絶縁性透光基板１１上に相互の間に所要の間
隙１２ｃを隔てた状態で各光起電力素子Ａ、 Ｂを構成
する透明電極１２ａ、１２ｂを分離形成し、間隙１２ｃ
を隔てて相隣する透明電極１２ａ、 １２ｂの相対向す
る一側縁近傍に沿って導電膜たる金属ペースト膜１５及
び絶縁膜たる絶縁ペースト膜１６をその側縁を相接した
状態で並列に形成する。
次いで透明電極１２ａ、１２ｔ＋の表面、前記金属ペー
スト膜１５、絶縁ペースト膜１６の表面、並びに透明電
極１２ａ、 １２ｂ間の間隙１２ｃ内に露出する絶縁性
透光基板１１表面にわたって一連に半導体活性層１３ａ
。
スト膜１５、絶縁ペースト膜１６の表面、並びに透明電
極１２ａ、 １２ｂ間の間隙１２ｃ内に露出する絶縁性
透光基板１１表面にわたって一連に半導体活性層１３ａ
。
１３ｂ、更に裏面電極１４ａ、１４ｂをこの順序に積層
形成した後、前記金属ペースト膜１５、絶縁ペースト膜
１６表面と対向する位置で夫々裏面電極側から金属ペー
スト膜１５．絶縁ペースト膜１６表面に達するようレー
ザビームを用いて加工を施す。
形成した後、前記金属ペースト膜１５、絶縁ペースト膜
１６表面と対向する位置で夫々裏面電極側から金属ペー
スト膜１５．絶縁ペースト膜１６表面に達するようレー
ザビームを用いて加工を施す。
即ち、金属ペースト膜１５表面に対しては裏面電極側か
ら裏面電極及び半導体活性層を熔融して導電部１７を、
また絶縁ペースト膜１６表面に対しては裏面電極１４ａ
、１４ｂ 、半導体活性層１５ａ、 １５ｂを分断する
分Ｎ ？Ｒ１８を形成しである。
ら裏面電極及び半導体活性層を熔融して導電部１７を、
また絶縁ペースト膜１６表面に対しては裏面電極１４ａ
、１４ｂ 、半導体活性層１５ａ、 １５ｂを分断する
分Ｎ ？Ｒ１８を形成しである。
これによって光起電力素子Ａの裏面電極１４ ａが導電
部１７、導電膜１５を介して光起電力素子Ｂの透明電極
１２ｂと接続され、相互に直列接続した光起電力素子Ａ
、Ｂが形成されることとなる。
部１７、導電膜１５を介して光起電力素子Ｂの透明電極
１２ｂと接続され、相互に直列接続した光起電力素子Ａ
、Ｂが形成されることとなる。
〔発明が解決しようとする問題点）
ところで上述した如き従来装置にあっては金属ペースト
膜１５と絶縁ペースト膜１６とを並列形成する結果、こ
れらによって直接光起電力に寄与しない面積が増大し、
この部分はやむを得ない無効面積部分である両透明電極
１２ａ、 １２ｂ間の間隙１２ｃの面積よりも広くなり
有効面積の拡大を図るうえで大きな問題があった。
膜１５と絶縁ペースト膜１６とを並列形成する結果、こ
れらによって直接光起電力に寄与しない面積が増大し、
この部分はやむを得ない無効面積部分である両透明電極
１２ａ、 １２ｂ間の間隙１２ｃの面積よりも広くなり
有効面積の拡大を図るうえで大きな問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは光起電力に寄与する有効面積を大幅
に拡大し得た光起電力装置を提供するにある。
目的とするところは光起電力に寄与する有効面積を大幅
に拡大し得た光起電力装置を提供するにある。
本発明にあうでは透明電極上にその一側縁に沿って形成
した導電膜の表面及び前記透明電極の夫々に一部を重畳
させて絶縁膜を形成し、導電股上には裏面電極と電気的
に接続する導電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導
体活性層を分断する分離溝を形成する。
した導電膜の表面及び前記透明電極の夫々に一部を重畳
させて絶縁膜を形成し、導電股上には裏面電極と電気的
に接続する導電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導
体活性層を分断する分離溝を形成する。
本発明にあってはこれによって導電膜と絶縁膜との重畳
形成によって全体の幅を縮小出来、それだけ無効面積が
低減される。
形成によって全体の幅を縮小出来、それだけ無効面積が
低減される。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
の絶縁性透光基板、Ａ、 Ｂは各光起電力素子を示し
ている。光起電力素子Ａ。
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
の絶縁性透光基板、Ａ、 Ｂは各光起電力素子を示し
ている。光起電力素子Ａ。
Ｂは絶縁性透光基板１上に相互に直列接続された状態で
配設されている。各光起電力素子Ａ、Ｂは絶縁性透光基
板ｌ上に透明電極２ａ、２ｂ 、半導体活性層３ａ、３
ｂ 、裏面電極４ａ、４ｂをこの順序に積層して構成さ
れており、相隣する光起電力素子Ａ、 Ｂはその透明電
極２ａ、２ｂ同士がその間に形成した間隙２ｃ内を充足
する半導体活性層３ａの一部によって分断され、また半
導体活性層、裏面電極は絶縁膜たる絶縁ペースト膜６及
び分離溝８によって夫々第１図に示す如く半導体活性層
３ａ、３ｂ 、裏面電極４ａ、４ｂに分断されると共に
、導電膜たる金属ペースト膜５及び導電部７によって光
起電力素子Ａの裏面電極４ａは光起電力素子Ｂの透明電
極２ｂと電気的に接続されて相隣する両光起電力素子Ａ
、Ｂは相互に直列接続されている。
配設されている。各光起電力素子Ａ、Ｂは絶縁性透光基
板ｌ上に透明電極２ａ、２ｂ 、半導体活性層３ａ、３
ｂ 、裏面電極４ａ、４ｂをこの順序に積層して構成さ
れており、相隣する光起電力素子Ａ、 Ｂはその透明電
極２ａ、２ｂ同士がその間に形成した間隙２ｃ内を充足
する半導体活性層３ａの一部によって分断され、また半
導体活性層、裏面電極は絶縁膜たる絶縁ペースト膜６及
び分離溝８によって夫々第１図に示す如く半導体活性層
３ａ、３ｂ 、裏面電極４ａ、４ｂに分断されると共に
、導電膜たる金属ペースト膜５及び導電部７によって光
起電力素子Ａの裏面電極４ａは光起電力素子Ｂの透明電
極２ｂと電気的に接続されて相隣する両光起電力素子Ａ
、Ｂは相互に直列接続されている。
金属ペースト膜５、絶縁ペースト膜６はいずれも相隣す
る光起電力素子Ａ、Ｈの透明電極２ａ、２ｂの相対向す
る一側縁に沿うよう光起電力素子Ｂの透明電極２ｂ上に
幅方向の一側を一致させた状態で形成されており、金属
ペースト膜５は幅方向の一側縁を透明電極２ｂの一側縁
に合わせて＠２００〜５００μ−程度、厚さ１０〜２０
．１１−程度の条状に形成され、また絶縁ペースト膜６
は金属ペースト膜５の表面のうち透明電極２ｂの中央部
側の幅方向の半分及び中央部側の側面を覆う態様で金属
ペースト膜５゜透明電極２ｂ上にわたって同様に幅２０
０〜５００μｍ、厚さ１０〜２０μ−の範囲で形成され
、これによって金属ペースト膜５と光起電力素子Ａ、Ｂ
の半導体活性層３ａ、３ｂとの接触、並びに金属ペース
８費５と光起電力素子Ｂの半導体活性Ｎ３ｂとの直接接
触を阻止するようにしである。導電部７は裏面電極４ａ
、４ｂ ％半導体活性層３ａ、３ｂ及び金属ペースト膜
５の一部を熔融混合状態とすることによって形成されて
いる。
る光起電力素子Ａ、Ｈの透明電極２ａ、２ｂの相対向す
る一側縁に沿うよう光起電力素子Ｂの透明電極２ｂ上に
幅方向の一側を一致させた状態で形成されており、金属
ペースト膜５は幅方向の一側縁を透明電極２ｂの一側縁
に合わせて＠２００〜５００μ−程度、厚さ１０〜２０
．１１−程度の条状に形成され、また絶縁ペースト膜６
は金属ペースト膜５の表面のうち透明電極２ｂの中央部
側の幅方向の半分及び中央部側の側面を覆う態様で金属
ペースト膜５゜透明電極２ｂ上にわたって同様に幅２０
０〜５００μｍ、厚さ１０〜２０μ−の範囲で形成され
、これによって金属ペースト膜５と光起電力素子Ａ、Ｂ
の半導体活性層３ａ、３ｂとの接触、並びに金属ペース
８費５と光起電力素子Ｂの半導体活性Ｎ３ｂとの直接接
触を阻止するようにしである。導電部７は裏面電極４ａ
、４ｂ ％半導体活性層３ａ、３ｂ及び金属ペースト膜
５の一部を熔融混合状態とすることによって形成されて
いる。
次に上述した如き本発明装置の製造過程についてその一
例を第２図（イ）〜（ハ）に基づき具体的に説明する。
例を第２図（イ）〜（ハ）に基づき具体的に説明する。
先ず第２図（イ）に示す如く絶縁性透光基板１上に各光
起電力素子Ａ、Ｂ・・・を構成する透明電極２ａ、２ｂ
・・・を相互の間に所要の間隙２ｃを隔てた状態でパタ
ーン形成する。勿論この透明電極２ａ、２ｂは絶縁性透
光基板１の表面に全面にわたって平面的に一連に形成し
た後、レーザビームを用いて適正な幅の間隙２ｃを形成
して各透明電極２ａ、２ｂ・・・に分割してもよい。
起電力素子Ａ、Ｂ・・・を構成する透明電極２ａ、２ｂ
・・・を相互の間に所要の間隙２ｃを隔てた状態でパタ
ーン形成する。勿論この透明電極２ａ、２ｂは絶縁性透
光基板１の表面に全面にわたって平面的に一連に形成し
た後、レーザビームを用いて適正な幅の間隙２ｃを形成
して各透明電極２ａ、２ｂ・・・に分割してもよい。
次いで第２図（ロ）に示す如く相隣する透明電極２ａ、
２ｂの相対向する一側縁に沿って透明電極２ｂ上にＡｇ
ペースト等の金属ペースト膜５をスクリーン印刷法等に
て所要幅、厚さにパターン印刷し、これを５５０℃程度
で焼成し、次いでＳｉＯペースト等の絶縁ペースト膜６
を同じくスクリーン印刷法等にて金属ペースト膜５及び
透明電極２ｂ上に各一部をオーバラップさせた状態で所
要幅で、且つ厚さにパターン印刷し、同じくこれを５５
０℃程度で焼成する。その後第２図（ハ）に示す如（透
明電極２ａ、２ｂの表面、金属ペースト膜５、絶縁ペー
スト膜６の表面及び透明電極２ａ、２ｂ間の間隙２Ｃに
露出する絶縁性透光基板１の表面にわたって非晶質シリ
コン等の半導体活性層３、Ａｆ製の裏面電極４をこの順
序に積層形成した後、金属ペースト膜 ・５表面
及び絶縁ペースト膜６表面と対向する位置で夫々裏面電
極４側からレーザビームを投射し、第１図に示す如き導
電部７、分離溝８を加工形成する。導電部７は裏面電極
４、半導体活性層３及び金属ペーストｌ１５Ｉ！５の一
部を熔融し混合状態とすることによって、また分離溝８
はレーザビーム出力を更に高く設定することにより溶融
した材料を蒸散せしめることによって形成する。
２ｂの相対向する一側縁に沿って透明電極２ｂ上にＡｇ
ペースト等の金属ペースト膜５をスクリーン印刷法等に
て所要幅、厚さにパターン印刷し、これを５５０℃程度
で焼成し、次いでＳｉＯペースト等の絶縁ペースト膜６
を同じくスクリーン印刷法等にて金属ペースト膜５及び
透明電極２ｂ上に各一部をオーバラップさせた状態で所
要幅で、且つ厚さにパターン印刷し、同じくこれを５５
０℃程度で焼成する。その後第２図（ハ）に示す如（透
明電極２ａ、２ｂの表面、金属ペースト膜５、絶縁ペー
スト膜６の表面及び透明電極２ａ、２ｂ間の間隙２Ｃに
露出する絶縁性透光基板１の表面にわたって非晶質シリ
コン等の半導体活性層３、Ａｆ製の裏面電極４をこの順
序に積層形成した後、金属ペースト膜 ・５表面
及び絶縁ペースト膜６表面と対向する位置で夫々裏面電
極４側からレーザビームを投射し、第１図に示す如き導
電部７、分離溝８を加工形成する。導電部７は裏面電極
４、半導体活性層３及び金属ペーストｌ１５Ｉ！５の一
部を熔融し混合状態とすることによって、また分離溝８
はレーザビーム出力を更に高く設定することにより溶融
した材料を蒸散せしめることによって形成する。
これによって光起電力素子Ａの裏面電極４ａは導電部７
、金属ペースト膜５を介して光起電力素子Ｂの透明電極
２ｂと接続され、また分離溝８を介して両光起電力素子
Ａ、Ｂ毎に裏面電極４ａ、４ｂ 、半導体活性層３ａ、
３ｂに分割することとなる。
、金属ペースト膜５を介して光起電力素子Ｂの透明電極
２ｂと接続され、また分離溝８を介して両光起電力素子
Ａ、Ｂ毎に裏面電極４ａ、４ｂ 、半導体活性層３ａ、
３ｂに分割することとなる。
このようにして形成された本発明装置にあっては例えば
金属ペーストＩｊＩ！５の幅寸法＝２００μｍ、絶縁ペ
ースト！＊６の幅寸法：２００μ信、両ペースト膜５．
６のオーバラップ部分の幅寸法：１５０μ閣とすると両
ペースト膜５．６による全体の幅寸法は２５０μ−とな
り、従来のペースト膜の幅寸法が４００μｍであったの
に対し５／８に幅寸法を縮小することが可能となった。
金属ペーストＩｊＩ！５の幅寸法＝２００μｍ、絶縁ペ
ースト！＊６の幅寸法：２００μ信、両ペースト膜５．
６のオーバラップ部分の幅寸法：１５０μ閣とすると両
ペースト膜５．６による全体の幅寸法は２５０μ−とな
り、従来のペースト膜の幅寸法が４００μｍであったの
に対し５／８に幅寸法を縮小することが可能となった。
この結果、例えば１４個の１０ｃｍ角の光起電力素子を
直列接続した場合の有効面積は９５％となり、従来装置
の９１％以下と比較して４％以上有効面積を拡大し得る
こととなる。
直列接続した場合の有効面積は９５％となり、従来装置
の９１％以下と比較して４％以上有効面積を拡大し得る
こととなる。
以上の如く本発明装置にあっては相隣する透明電極の相
対向する側縁に沿って一方の透明電極上に導電膜を形成
し、この導電膜と一方の透明電極に夫々一部を重畳させ
て絶縁膜を形成し、透明電極上には裏面電極と連なる導
電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導体活性層を分
離する溝を形成したから、導電膜、絶縁膜を形成するこ
とによる光起電力を得るうえでの無効面積を大幅に低減
出来て、光起電力効率の向上が得られ、また各透明電極
上の導電膜と半導体活性層との間の電気的遮断が確実と
なって、リークの防止により光起電力効率の向上が図れ
るなど本発明は優れた効果を奏するものである。
対向する側縁に沿って一方の透明電極上に導電膜を形成
し、この導電膜と一方の透明電極に夫々一部を重畳させ
て絶縁膜を形成し、透明電極上には裏面電極と連なる導
電部を、また絶縁膜上には裏面電極、半導体活性層を分
離する溝を形成したから、導電膜、絶縁膜を形成するこ
とによる光起電力を得るうえでの無効面積を大幅に低減
出来て、光起電力効率の向上が得られ、また各透明電極
上の導電膜と半導体活性層との間の電気的遮断が確実と
なって、リークの防止により光起電力効率の向上が図れ
るなど本発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明装置の断面構造図、第２図（イ）〜（ハ
）は本発明装置の製造過程の一例を示す説明図、第３図
は従来装置の断面構造図である。 １・・・絶縁性透光基板 ２ａ、２ｂ・・・透明電極３
ａ、３ｂ・・・半導体活性層 ４ａ、４ｂ・・・裏面電
極５・・・金属ペースト膜 ６・・・絶縁ペースト膜７
・・・導電部 ８・・・分離溝 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 図 ＣＩタ ｌ （イ）
）は本発明装置の製造過程の一例を示す説明図、第３図
は従来装置の断面構造図である。 １・・・絶縁性透光基板 ２ａ、２ｂ・・・透明電極３
ａ、３ｂ・・・半導体活性層 ４ａ、４ｂ・・・裏面電
極５・・・金属ペースト膜 ６・・・絶縁ペースト膜７
・・・導電部 ８・・・分離溝 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 図 ＣＩタ ｌ （イ）
Claims (1)
- １、絶縁性透光基板上に透明電極、半導体活性層及び裏
面電極をこの順序に積層してなる複数の光起電力素子を
直列接続して配設した光起電力装置において、前記絶縁
性透光基板上に各光起電力素子夫々の透明電極を相互に
分離形成し、相隣する透明電極の対向縁部に沿って一方
の透明電極上に条状に導電膜を形成すると共に、前記一
方の透明電極と前記導電膜との双方に夫々一部を重畳さ
せて絶縁膜を積層形成し、前記透明電極、導電膜及び絶
縁膜にわたって半導体活性層、裏面電極をこの順序に積
層形成し、前記裏面電極側から導電膜表面にわたって裏
面電極を導電膜と接続する導電部を、また絶縁膜表面に
わたって裏面電極、半導体活性層を分断する分離溝を形
成したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248065A JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248065A JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102278A true JPS63102278A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH06101574B2 JPH06101574B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17172684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61248065A Expired - Lifetime JPH06101574B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101574B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127867A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61248065A patent/JPH06101574B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127867A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101574B2 (ja) | 1994-12-12 |
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