JP2755707B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2755707B2 JP2755707B2 JP1206440A JP20644089A JP2755707B2 JP 2755707 B2 JP2755707 B2 JP 2755707B2 JP 1206440 A JP1206440 A JP 1206440A JP 20644089 A JP20644089 A JP 20644089A JP 2755707 B2 JP2755707 B2 JP 2755707B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、非晶質シリコン等を用いた太陽電池等の光
起電力装置に関する。
起電力装置に関する。
（ロ）従来の技術 非晶質シリコン光起電力素子を用いた太陽電池あるい
は光センサなどの光起電力装置が多く用いられている。
は光センサなどの光起電力装置が多く用いられている。
ところで、非晶質シリコン光起電力素子は単素子当り
の出力電圧が0.6〜0.8Vと低いため、民生機器などに用
いるためには、複数個の素子を直列接続する必要があ
る。そのため、絶縁材であるガラス基板上に複数のパタ
ーニングされた透明電極を設け、その基板上に、非晶質
シリコン層を堆積させ、その上面に裏面電極としてパタ
ーニングされた金属電極を配設して、同一基板上に複数
の素子が直列接続された光起電力装置が用いられてい
る。
の出力電圧が0.6〜0.8Vと低いため、民生機器などに用
いるためには、複数個の素子を直列接続する必要があ
る。そのため、絶縁材であるガラス基板上に複数のパタ
ーニングされた透明電極を設け、その基板上に、非晶質
シリコン層を堆積させ、その上面に裏面電極としてパタ
ーニングされた金属電極を配設して、同一基板上に複数
の素子が直列接続された光起電力装置が用いられてい
る。
しかし、ガラス基板式のものは、衝撃に弱くて破損し
やすく、可撓性に乏しいことから、可搬型、薄型の機器
に用いるには不十分であった。そこで、ステンレス銅板
の裏面にポリイミド、酸化アルミニウムなどの絶縁膜を
施した可撓性基板を、用いた光起電力装置が提案されて
いる。例えば、特開昭62−89369号公報等に詳しい。
やすく、可撓性に乏しいことから、可搬型、薄型の機器
に用いるには不十分であった。そこで、ステンレス銅板
の裏面にポリイミド、酸化アルミニウムなどの絶縁膜を
施した可撓性基板を、用いた光起電力装置が提案されて
いる。例えば、特開昭62−89369号公報等に詳しい。
従来の可撓性基板を用いた光電変換装置の製造方法の
一例を第３図に従い説明する。
一例を第３図に従い説明する。
まず、第３図（イ）に示すように、ステンレス等から
なる可撓性導電性基板（１）上の全面に、ポリイミドAl
2O3・SiOx等の絶縁膜（２）を形成し、更に、その上にA
l,Ag,Ti,Cr等の裏面電極（３）を全面に形成する。そし
て、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるよう
に、エッチングにより裏面電極（３）のパターニングを
行う。
なる可撓性導電性基板（１）上の全面に、ポリイミドAl
2O3・SiOx等の絶縁膜（２）を形成し、更に、その上にA
l,Ag,Ti,Cr等の裏面電極（３）を全面に形成する。そし
て、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるよう
に、エッチングにより裏面電極（３）のパターニングを
行う。
次に、第３図（ロ）に示すように、光電変換領域とし
ての非晶質シリコン（４）をnipまたはpinの順に積層形
成した後、ホトレジ法を用いてケミカルエッチングまた
はドライエッチングにより非晶質シリコン（４）を所定
のパターンに形成する。
ての非晶質シリコン（４）をnipまたはpinの順に積層形
成した後、ホトレジ法を用いてケミカルエッチングまた
はドライエッチングにより非晶質シリコン（４）を所定
のパターンに形成する。
続いて、第３図（ハ）に示すように、ITO等からなる
透明電極（５）を非晶質シリコン（４）上に形成した
後、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるように
透明電極（５）のケミカルエッチングを行って、光起電
力装置が形成される。
透明電極（５）を非晶質シリコン（４）上に形成した
後、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるように
透明電極（５）のケミカルエッチングを行って、光起電
力装置が形成される。
（ハ）発明が解決しようとする課題 ITO等からなる透明電極（５）は、膜厚が厚くなる
と、ケミカルエッチングができないため、従来は透明電
極（５）の膜厚を薄くせざるを得ない。例えば、ITOの
場合、膜厚は1000Å以下である。
と、ケミカルエッチングができないため、従来は透明電
極（５）の膜厚を薄くせざるを得ない。例えば、ITOの
場合、膜厚は1000Å以下である。
しかし、ITOのシート抵抗は膜厚が薄い程大きくな
り、ITOによる抵抗損失が大きくなり、光起電力装置の
出力特性の向上を図る上での問題となっていた。
り、ITOによる抵抗損失が大きくなり、光起電力装置の
出力特性の向上を図る上での問題となっていた。
本発明は、上述した難点に鑑みなされたものにして、
透明電極の膜厚を厚くして、シート抵抗を小さくするこ
とが、可能な光起電力装置の製造方法を提供することを
その課題とする。
透明電極の膜厚を厚くして、シート抵抗を小さくするこ
とが、可能な光起電力装置の製造方法を提供することを
その課題とする。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は、可撓性導電性基板上に、絶縁膜、裏面電
極、光電変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複
数の光電変換素子を形成すると共に、複数の光電変換素
子を接続してなる光起電力装置の製造方法であって、前
記裏面電極の各光電変換素子を分離する領域に突出部を
形成し、該突出部上において前記光電変換領域上に形成
された前記透明電極を除去し、各光電変換素子を分離す
ることを特徴とする。
極、光電変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複
数の光電変換素子を形成すると共に、複数の光電変換素
子を接続してなる光起電力装置の製造方法であって、前
記裏面電極の各光電変換素子を分離する領域に突出部を
形成し、該突出部上において前記光電変換領域上に形成
された前記透明電極を除去し、各光電変換素子を分離す
ることを特徴とする。
（ホ）作用 裏面電極の突出部上の透明電極の膜厚は、この部分以
外の透明電極の膜厚に比べ、非常に薄くなる。そのた
め、透明電極の膜厚を大幅に厚くしても、透明電極のエ
ッチングにより、各光電変換素子の分離が可能となる。
従って、透明電極のエッチングにより、各光電変換素子
の分離が可能となる。従って、透明電極のシート抵抗を
大幅に低減でき、光起電力装置の出力特性が向上する。
外の透明電極の膜厚に比べ、非常に薄くなる。そのた
め、透明電極の膜厚を大幅に厚くしても、透明電極のエ
ッチングにより、各光電変換素子の分離が可能となる。
従って、透明電極のエッチングにより、各光電変換素子
の分離が可能となる。従って、透明電極のシート抵抗を
大幅に低減でき、光起電力装置の出力特性が向上する。
（ヘ）実施例 以下、本発明の一実施例を第１図および第２図に従い
説明する。
説明する。
第１図は、本発明により製造した光起電力装置の断面
図である。尚、従来例と同一部分には同一符号を付し、
説明を略す。
図である。尚、従来例と同一部分には同一符号を付し、
説明を略す。
第１図に示すように、ステンレス等からなる可撓性導
電性基板（１）上にポリイミド、Al2O3等の絶縁膜
（２）が形成される。この絶縁膜（２）上に、所定に形
状にパターニングされたAl,Ag,Ti,cr等の裏面電極
（３）が配設される。
電性基板（１）上にポリイミド、Al2O3等の絶縁膜
（２）が形成される。この絶縁膜（２）上に、所定に形
状にパターニングされたAl,Ag,Ti,cr等の裏面電極
（３）が配設される。
そして、この裏面電極（３）の各光電変換素子を分離
する分離領域（６）に突出部（７）が形成されている。
この突出部（７）は裏面電極（３）がエッチング除去さ
れた部分より若干離れた位置にレーザ光を照射し、裏面
電極（３）を溶融させて形成する。
する分離領域（６）に突出部（７）が形成されている。
この突出部（７）は裏面電極（３）がエッチング除去さ
れた部分より若干離れた位置にレーザ光を照射し、裏面
電極（３）を溶融させて形成する。
この裏面電極（３）上に、光電変換領域として、nip
またはpinに順次積層された非晶質シリコン（４）が設
けられる。この非晶質シリコン（４）上に、膜厚2500Å
程度のITOからなる透明電極（５）が形成される。
またはpinに順次積層された非晶質シリコン（４）が設
けられる。この非晶質シリコン（４）上に、膜厚2500Å
程度のITOからなる透明電極（５）が形成される。
而して、前記裏面電極（３）の突出部（７）に位置す
る箇所の透明電極（５）は、他の位置の透明電極（５）
に比して大幅に薄くなる。例えば、前述のように、ITO
を2500Å形成した場合、突出部（７）上の透明電極
（５）の膜厚は1000Å以下であった。
る箇所の透明電極（５）は、他の位置の透明電極（５）
に比して大幅に薄くなる。例えば、前述のように、ITO
を2500Å形成した場合、突出部（７）上の透明電極
（５）の膜厚は1000Å以下であった。
従って、光起電力装置の出力特性の向上のために、透
明電極（５）を従来より大幅に厚くしても、各光電変換
素子を分離するために、エッチングを施す部分の膜厚は
薄く、各光電変換素子は容易に分離できる。
明電極（５）を従来より大幅に厚くしても、各光電変換
素子を分離するために、エッチングを施す部分の膜厚は
薄く、各光電変換素子は容易に分離できる。
第１表は、上述した本発明により製造した膜厚2500Å
のITOからなる透明電極を用いた光起電力装置と、膜厚1
000ÅのITOからなる透明導電膜を用いた従来の光起電力
装置装置の出力特性を本発明の特性を１として示したも
のである。
のITOからなる透明電極を用いた光起電力装置と、膜厚1
000ÅのITOからなる透明導電膜を用いた従来の光起電力
装置装置の出力特性を本発明の特性を１として示したも
のである。
尚、透明電極（５）シート抵抗は、膜厚2500Åの場合
20Ω／□以下、膜厚1000Åでは50Ω／□程度である。
20Ω／□以下、膜厚1000Åでは50Ω／□程度である。
第１表から明らかなように、本発明によれば、出力特
性が向上していることが判かる。
性が向上していることが判かる。
次に、本発明の光起電力装置の製造方法の一例につ
き、第２図に従い簡単に説明する。
き、第２図に従い簡単に説明する。
まず、第２図（イ）に示すように、可撓性導電性基板
（１）の全面に絶縁膜（２）を形成し、更に、その上に
裏面電極（３）を全面に形成する。そして、ホトレジ法
を用いて、所定のパターンになるように、エッチングに
より裏面電極（３）のパターニングを行なう。
（１）の全面に絶縁膜（２）を形成し、更に、その上に
裏面電極（３）を全面に形成する。そして、ホトレジ法
を用いて、所定のパターンになるように、エッチングに
より裏面電極（３）のパターニングを行なう。
続いて、第２図（ロ）に示すように、各光電変換素子
を分離する分離領域（６）、すなわち、後工程で透明電
極を除去する領域に伝導する箇所をレーザ光（８）で照
射し、裏面電極（３）を溶融させて、突出部（７）を形
成する。ここで、レーザ光の条件としては、裏面電極
（３）を除去せずに、溶融する条件に設定する。
を分離する分離領域（６）、すなわち、後工程で透明電
極を除去する領域に伝導する箇所をレーザ光（８）で照
射し、裏面電極（３）を溶融させて、突出部（７）を形
成する。ここで、レーザ光の条件としては、裏面電極
（３）を除去せずに、溶融する条件に設定する。
次に第２図（ハ）に示すように、光電変換領域として
の非晶質シリコン（４）をnipまたはpinの順に積層形成
し、ホトレジ法を用いてケミカルエッチングまたはドラ
イエッチングにより非晶質シリコン（４）を所定のパタ
ーンに形成する。
の非晶質シリコン（４）をnipまたはpinの順に積層形成
し、ホトレジ法を用いてケミカルエッチングまたはドラ
イエッチングにより非晶質シリコン（４）を所定のパタ
ーンに形成する。
その後、第２図（ニ）に示すように、透明電極（５）
として、膜厚、2500ÅのITOを非晶質シリコン（４）上
に形成すると、突出部（７）上の膜厚は他の領域の膜厚
に比して大幅に薄くなる。突出部（７）上の透明導電膜
（５）の膜厚は1000Å以下である。
として、膜厚、2500ÅのITOを非晶質シリコン（４）上
に形成すると、突出部（７）上の膜厚は他の領域の膜厚
に比して大幅に薄くなる。突出部（７）上の透明導電膜
（５）の膜厚は1000Å以下である。
然る後、第２図（ホ）に示すように、各光電変換素子
を分離すべく透明電極（５）をケミカルエッチングす
る。すなわち、突出部（７）上において、非晶質シリコ
ン（４）上に形成された薄い透明電極（５）をケミカル
エッチングにより除去する。従って、光起電力装置の出
力特性の向上のため、透明電極（５）の膜厚を大幅に厚
くしても、エッチング除去する領域は突出部（７）上の
薄い透明電極（５）だけであるので、容易にエッチング
除去でき、光電変換素子が分離できる。
を分離すべく透明電極（５）をケミカルエッチングす
る。すなわち、突出部（７）上において、非晶質シリコ
ン（４）上に形成された薄い透明電極（５）をケミカル
エッチングにより除去する。従って、光起電力装置の出
力特性の向上のため、透明電極（５）の膜厚を大幅に厚
くしても、エッチング除去する領域は突出部（７）上の
薄い透明電極（５）だけであるので、容易にエッチング
除去でき、光電変換素子が分離できる。
（ト）発明の効果 以上説明したように、裏面電極の突出部上の透明電極
の膜厚は、この部分以外の透明電極の膜厚に比べ非常に
薄くなる。従って、透明電極のシート抵抗を小さくし、
抵抗損失を少なくするべく透明電極の膜厚を厚く設定し
ても、容易に各光電変換素子が分離でき、光起電力装置
の出力特性の向上が図れる。
の膜厚は、この部分以外の透明電極の膜厚に比べ非常に
薄くなる。従って、透明電極のシート抵抗を小さくし、
抵抗損失を少なくするべく透明電極の膜厚を厚く設定し
ても、容易に各光電変換素子が分離でき、光起電力装置
の出力特性の向上が図れる。
第１図は本発明により製造した光起電力装置の断面図、
第２図は本発明の光起電力装置の製造方法の各工程にお
ける断面図、第３図は従来装置の製造方法の各工程にお
ける断面図である。
第２図は本発明の光起電力装置の製造方法の各工程にお
ける断面図、第３図は従来装置の製造方法の各工程にお
ける断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−237483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−102274（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−280465（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−50474（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−18972（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−108369（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項１】可撓性導電性基板上に、絶縁膜、裏面電
極、光電変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複
数の光電変換素子を形成すると共に、前記複数の光電変
換素子を接続する、光起電力装置の製造方法であって、
前記裏面電極の各光電変換素子を分離する領域に突出部
を形成し、該突出部上において前記光電変換領域上に形
成された前記透明電極を除去し、各光電変換素子を分離
することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206440A JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206440A JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0370184A JPH0370184A (ja) | 1991-03-26 |
| JP2755707B2 true JP2755707B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16523414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206440A Expired - Fee Related JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755707B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342452A (en) * | 1991-09-25 | 1994-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
| KR100739839B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2007-07-13 | (주)아이디암 | 프라이버시 보호가 강화된 원격 감시장치 및 원격 감시방법 |
| KR101672909B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2016-11-04 | 보성흑진주 영어조합법인 | 키조개가 함유된 기능성 소시지 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206440A patent/JP2755707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370184A (ja) | 1991-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |