JPH02100375A

JPH02100375A - 光電変換装置の製造方法

Info

Publication number: JPH02100375A
Application number: JP63254147A
Authority: JP
Inventors: Norihiko Inuzuka; 犬塚　敬彦
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1988-10-07
Filing date: 1988-10-07
Publication date: 1990-04-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、基板上に複数個の光発電素子を直列接続し
て得られる薄膜太陽電池等の光電変換装置の製造方法に
関するものである。

［従来の技術］第３図は例えば特開昭６２−３３４７７号公報に示され
た従来の光電変換装置の製造方法によって製造された直
列接続型アモルファス太ｇｋ電池を示す断面図であり、
図において、１１は基板、１２は基板１１上に形成され
た透明電極膜で、この透明電動膜１２は、レーザビーム
の照射により複数の部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、・・
・に分離・分割されている。１３　ｂ、１３　ｃ、・・
・はそれぞれ透明電極膜１２ｂ、１２ｃ、・・・上に形
成された導電部材、１４ｂ、１４ｃ、・・・はそれぞれ
透明電極膜１２ｂ。

１２ｃ、・・・上に形成された耐熱性の無機絶縁部材で
ある。

また、１５は非晶質半導体膜、１６は裏面電極膜で、こ
の裏面電極膜１６は複数の部分１６ａ。

１６　ｂ、１６　ｃ、・・・に分離・分割されている。

なお。

ＬＢ□、、ＬＢ１□はレーザビームの照射箇所である。

このような太陽電池を製造する際には、まず、例えば、
厚さ１〜５　ｒｍ　、面積１０ａａＸ１０ａｎ８度の透
明なガラス等の絶縁材料からなる基板１１上の全面に厚
さ約２０００〜５０００人の透明電極膜１２が被着され
た後、隣接間隔部ａ　ｂ、ｂ　ｃ、・・・がレーザビー
ムの照射により透明電極膜１２の一部を除去して形成さ
れ、個別の各透明電極膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、・・
・が分離形成される。このとき、使用されるレーザは１
例えば、波長１．０６μｍのＱスイッチ付きＮｄ：　Ｙ
　Ａ　Ｇレーザであり、隣接間隔部ａ　ｂ、ｂ　ｃ、・
・・の間隔は、約５０〜１００μｍに設定される。

次に、先の工程で分割・配置された透明電極膜１２　ａ
、１２　ｂ、１２　ｃ、−の一方の隣接間隔部ａｂ、ｂ
ｃ、・・・の近傍に偏って、該隣接間隔部ａｂ。

ｂｅ、・・・に近い側から導電部材１３　ｂ、１３　ｃ
、・・・および絶縁部材１４ｂ、１４ｃ、・・・が各々
１本ずつ平行に且つ帯状に形成される。例えば、導電部
材１３　ｂ、１３　ｃ、・・・は、銀ペーストをスクリ
ーン印刷手法により高さ約１０〜２０μｍ２幅約１００
〜１５０μ履にパターニングされた後、約５５０℃の温
度にて焼成される。また、絶縁部材１４ｂ、１４ｃ、・
・・は、二酸化シリコンペーストが銀ペーストと同様に
スクリーン印刷手法により所定の箇所に高さ約１０〜２
０μｍ１幅約１００〜１５０μｍにバターニングされた
後、約５５０℃の温度にて焼成される。

そして、各透明電極膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃ。

・・・；導電部材１３　ｂ、１３　ｃ、・・・；および
絶縁部材１４ｂ、１４ｃ、・・・の表面を含んで基板１
１上のほぼ全面に光電変換に有効に寄与する厚さ４００
０〜７０００人の非晶質半導体膜１５が形成される。

ついで、半導体膜１５および透明電極膜１２ａ。

１２ｂ、１２ｃ、・・・の各露出部分を含んで基板１１
上の全面に４０００人〜２μｍ程度の厚さの裏面金属膜
が裏面電極膜１６として被着される。この裏面電極膜１
６は１例えば、アルミニウム、チタン銀合金などである
。

次に、導電部材１３　ｂ、１３　ｃ、・・・および絶縁
部材１４ｂ、１４ｃ、・・・の表面上に位置する非晶質
半導体膜１５および裏面電極膜１６の積層体部分に。

この積層体部分の表面側からレーザビームが位置ＬＢ、
、、ＬＢ１．に照射される。導電部材１３ｂ。

１３ｃ、・・・上の積層体部分の位ｆｉＬＢ、、に照射
されるレーザビームは、同位置における積層体を溶融し
、その溶融により生じた溶融物は１周囲の非晶質半導体
膜１５を貫通した形でその直下に位置する導電部材１３
ｂ、１３ｃ、・・・に当接する。一方、絶縁部材１４ｂ
、１４ｃ、・・・上の積層体部分の位置ＬＢ□２に照射
されるレーザビームは、非晶質半導体膜１５と裏面電極
膜１６との不要な部分を除去し、それらを分離する分離
溝１８ａｂ、１８ｂｃ。

・・・が形成されて、個別の各裏面電極膜１６　ａ、１
６　ｂ、ｌ　６　ｃ、・・・が分割・配置される。その
結果。

相互に隣合う光電変換領域１７　ａ、１７　ｂ、１７　
Ｃ。

・・・の裏面電極膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、・・・と
透明電極膜１２ｂ、１２ｃ、・・・とは、それぞれ、上
記分離溝１８　ａ　ｂ、１８　ｂ　ｃ、・・・よりも裏
面電極膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、−の隣接間隔部ａｂ
、ｂｃ、−に近い側において結合され、各光電変換領域
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、”’は、導電部材１３ｂ、１
．３ｃ。

・・・を介して電気的に直列接続される。

［発明が解決しようとする課題］第３図に示す直列接続型の太陽電池は、レーザビーム加
工を用い以上のような製造工程によって製造されるので
、透明電極膜１２上に高さ約１０〜２０μｍの高い導電
部材１３ｂ、１３ｃ、・・・および１４ｂ、１４ｃ、・
・・が形成され、その上に、さらに厚さ４０００〜７０
００人の非晶質半導体膜１５および４０００人〜２μｍ
程度の厚さの裏面電極膜１６が形成されることになる。

すなわち、急峻な段差上に薄膜の非晶質半導体膜１５お
よび裏面電極膜１６を形成することになるので、ステッ
プカバリッジ（ｓｔｅｐ　ｃｏｖｅｒａｇｅ）がうまく
いかず、段差部では水平面に比べて垂直面の膜厚が極め
て薄くなる。直列接続型の太陽電池では、薄膜の裏面電
極膜１６が個々の太陽電池を接続するリード線の役目も
兼ねているので、前記段差部では垂直面の裏面電極膜１
６が薄くなると、直列抵抗が大きくなり太陽電池の特性
が悪くなるという問題があった。

と記の段着部垂直面に形成されろ裏面電極膜１６の膜厚
を厚くして直列抵抗を減少させるには、裏面電極膜１６
の厚さを十分に大きくしなければならないが、裏面電極
として使用されるアルミニウムや銀合金などの金属は沸
点が高く蒸気密度も大きいため、レーザビームを照射し
た部分の金属は、レーザビームのエネルギ強度を十分大
きくしても完全に蒸発揮散させることは難しく、一部の
金属は溶融して、下層の半導体層に溶は込んだり、ある
いは周囲に飛散しリーク（漏れ電流）の原因となり太陽
電池の特性を著しく損なうといった問題があった。

また、導電部材１３ｂ、１３ｃ、・・・上の積層体部分
に照射されるレーザビームによって積層体を溶融し、そ
の溶融により生じた溶融物が周囲の非晶質半導体膜１５
を貫通した形でその直下に位置する導電部材１３ｂ、１
３ｃ、・・・と当接するが、レーザビームの照射によっ
て溶融した非晶質物質が。

導電部材１３　ｂ、１３　ｃ、・・・と裏面電極膜１６
との間に介在したり、裏面電極膜１６と非晶質半導体膜
１５との溶融混合物は体積比で１対１がそれに近い割合
であるために、前記溶融混合物は比較的高抵抗になり易
く、導電部材１３ｂ、１３ｃ、・・・との接合部の接続
抵抗が高くなり、太陽電池の特性を低下させるなどの課
題があった。

この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、薄膜金属電極の溶融による悪影響や金属部材と
光電変換素子との溶融混合物による悪影響の発生を防止
して、高特性の光電変換装置を製造できるようにした光
電変換装置の製造方法を得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］この発明に係る光電変換装置の製造方法は、■絶縁基板
上に薄膜金属電極を層状形成し、■前記薄膜金属電極に
溝を形成して前記薄膜金属電極を所定の区分に分離・分
割し。

■前記薄膜金属電極上および同薄膜金屈電極の溝−Ｌに
薄膜光電変換素子を層状形成し。

（４，）前記薄膜光電変換素子に前記！ｆｉｌ！に近接
し且つ平行な溝を形成して前記薄膜光電変換素子を所定
の区分に分離・分割し、ＣＤ前記薄膜光電変換素子上および同薄膜光電変換素子
の溝−ｈに透明電極膜を層状形成し、（の前記透明電極
膜」−において前記薄膜光電変換素子の溝により生じた
段差部分を埋めるように４電部材を配置・形成し、 ■前記透明電極膜上において前記導電部材に近接し且つ
平行に絶縁部材を配置・形成し、■前記絶縁部材」―に
エネルギビー１１を照射して同エネルギビーム照射部の
絶縁部材の一部とその下層に在る前記透明電極膜とを気
散せしめ絶縁分離溝を形成する、以ｊユ■〜■までの工程を含むものである。

［作　　　用］この発明における光電変換装置の製造方法では、絶縁基
板上に形成する材料の成膜順序が、薄膜金属電極、光電
変換素子、透明電極膜の順であるので、レーザなどによ
るビーム加工に際し下層に対して悪影響を与える薄膜金
属電極が最初に基板上に成膜されるので、ビーム加工に
て分離・分割することによって生じていた従来の不具合
を解消できる。また、光電変換素子や透明電極膜に比べ
て膜厚が数十倍〜数百倍も厚い導電部材および絶縁部材
が最上層の透明電極膜上に形成されるので、ステップカ
バリッジの問題もなくなる。

また、光電変換素子を成膜した後、溝を形成し透明電極
膜を成膜してからさらにそのＥ部の前記溝に対応する部
分に導電部材を配置・形成するようにしているので、透
明電極膜を薄くしても直列抵抗が増加せず、光電変換素
子材料による接続抵抗増加の心配もない。

さらに、エネルギビーム照射部周辺の絶縁部材が溶融し
、わずかに残留する透明電極膜が存在してもそれを取り
込んで溶融混合物をつくる。この溶融混合物の大部分は
絶縁部材であるので、絶縁性が大きく除去すべき透明電
極膜の残留によるリークの問題も解消される。

［発明の実施例］以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（ｇ）は、この発明による光電変換装！！（
例えば直列接続型アモルファス太陽電池）の製造方法に
おける工程を順次示して説明するための断面図である。

これらの第１図（ａ）〜（ｇ）において、１は絶縁基板
、２はこの絶縁基板１上に層状形成された薄膜金属電極
で、後述するレーザビームの照射により複数の部分２　
ａ、２　ｂ、２　ｃ、・・・に分離・分割されている。

２ａｂ、２ｂｃ、・・・はレーザビームにより薄膜金属
電極２に形成されこの薄膜金属電極２を各部分２ａ、２
ｂ、２ｃ、・・・に分離・分割する溝。

３は薄膜金属電極２およびその溝２ａｂ、２ｂｃ。

・・・上に層状形成されたＰＩＮ接合を有する少なくと
も１層の薄膜光電変換素子で、この薄膜光電変換素子３
も、レーザビームにより各溝２ａｂ、２ｂｅ、・・・に
近接し且つ平行に形成された溝３ａｂ。

３ｂｃ、−によって、複数の部分３　ａ、３　ｂ、３　
ａ。

・・・に分離・分割されている。

また、４は光電変換素子３およびその溝３ａｂ。

３ｂｃ、・・・上に層状形成された透明電極膜、４ａ。

４　ｂ、４　ｃ、・・・はそれぞれ光電変換素子３　ａ
、３　ｂ。

３ｃ、・・・上に沿う透明電極膜、５ａ、５ｂ＋・・・
は透明電極膜４上において溝溝３ａｂ、３ｂｃ、・・・
により生じた段差部分を埋めるように配置・形成された
導電部材、　６　ａ、６　ｂ、・・・はそれぞれ透明電
極膜４上において導電部材５　ａ、５　ｂ、・・・に近
接し且つ平行に配置・形成された絶縁部材、７　ａ　Ｈ
７ｂ＋・・・はそれぞれ後述するレーザビーム（エネル
ギビーム）の照射により絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・
・に形成された絶縁分離溝、Ｌ　Ｂ１．　Ｌ　Ｂ、、　
Ｌ　Ｂ、は後述するレーザビーム照射箇所、１０　ａ、
１０　ｂ、１０　ｃ。

・・・は光電変換領域である。

さて、次に、本実施例の方法による工程を第１図（ａ）
〜（ｇ）により順次説明する。

まず１例えば厚さ０８５〜２ｍｍ、面積１０国×１Ｏａ
１１〜５０ａｌ×５０ａ１１の透明なガラス等の絶縁基
板１上に、第１図（ａ）に示すように、厚さ１０００〜
３０００人の薄膜金属電極２を層状に形成する（第１工
程）。この薄膜金属電極２は、ＳＵＳ膜またはＮｉ膜を
スパッタ法またはＩＣＢ法によって形成される。

この後、薄膜金属電極２が下面を向くように絶縁基板１
を保持して、この絶縁基板１の上方から位＠Ｌ　Ｂ、に
レーザビームを照射し、５０〜２００　μｍ幅にレーザ
ビーム照射部の金ｇｃ電極２を除去して溝２ａｂ、２ｂ
ｃ、・・・を形成する。これにより、薄膜金属電極２は
、第１図（ｂ）に示すように、複数の部分２ａ、２ｂ、
２ｃ、・・・に分離・分割される（第２工程）、なお、
レーザビームの照射は、薄膜金属電極２を上面にしてこ
の金属電極２の上方あるいは絶縁基板１の下方から行な
ってもよいが、金属蒸気は重く蒸散し難く溶融した金属
が周辺に飛散しやすく、この場合、きれいな溝２　ａ　
ｂ、２　ｂＣ９・・・を形成するのが難しくなるので、
前述のとおり、薄膜金属電極２を下向きとして絶縁基板
１の上方からレーザビーム照射を行なうのが望ましい、
また、分離・分割した各薄膜金属電極２ａ。

２ｂ、２ｃ、−の幅は５０　ａｓ　Ｘ　５０　ａｍ基板
の場合で７〜２５０１Ｉ１１程度となる。さらに、レー
ザビームとしては１例えば波長１．０６μＩのＹＡＧレ
ーザを使用する。

次に、薄膜金属電極２ａ、２ｂ、２ｃ、・・・および溝
２ａｂ、２ｂｃ、・・・上に、第１図（ｃ）に示すよう
に、薄膜光電変換素子３を層状に形成する（第３工程）
、光電変換素子３は、ｐｉｎ接合を有するアモルファス
シリコン半導体膜を０層、ｉ層、ｐ層の順にＰ−ＣＶＤ
法により約３０００〜６０００人厚に成膜して形成する
。

そして、波長１．０６μｍもしくは０．５３μｍのレー
ザビームを用いて、第１図（ｄ）に示すように、光電変
換素子３の位置ＬＢ２に、各溝２ａｂ、２ｂｃ。

・・・に近接し且つ平行な１４３ａｂ、３ｂｃ、・・・
を形成し、光電変換素子３を、複数の部分３　ａ、３　
ｂ、３Ｃ９・・・に分離・分割する（第４工程）。溝３
ａｂ、３ｂｃ、−の幅は１００〜２００　ｐ　ｍ、溝２
ａｂ、２ｂｃ、・・・と溝３ａｂ、３ｂｃ、・・・との
間隔は５０〜２００μＩ程度とする。

ついで、光電変換素子３　ａ、３　ｂ、３　ｃ、・・・
およびその溝３　ａ　ｂ、３　ｂ　Ｑ、・・・上に、第
１図（ｅ）に示すように、酸化インジュウム・錫からな
る透明電極膜４をスパッタ法またはＩＣＢ法により約７
００人の厚さで層状に形成する（第５工程）。

この後、第１図（ｆ）に示すように、透明電極膜４上の
所定位置に導電部材５　ａ、５　ｂ、・・・および絶縁
部材６　ａ、６　ｂ、・・・を配置・形成する（第６工
程および第７工程）。このとき、導電部材５　ａ、５　
ｂ。

・・・は、溝３ａｂ、３ｂｃ、・・・により透明゛電極
膜４に生じた段差部分を埋め尽くすように形成される。

また、導電部材５　ａ、５　ｂ、・・・は、例えばＡｇ
ペース１−をスクリーン印刷法により幅約１００〜１０
００μｍ。

厚さ約１０〜２０μｍに形成される。一方、絶縁部材６
　ａ、６　ｂ、・・・は、透明電極膜４上においてそれ
ぞれ導電部材５　ａ、５　ｂ、・・・に近接し且つ平行
に配置・形成される。また、絶縁部材６ａ、６ｂ、・・
・は、例えばポリイミド樹脂を含む透光性の有機絶縁部
材をスクリーン印刷法により幅約１００〜２００μｍ、
厚さ約１０〜２０μｍに形成される。

そして、幅約１００〜２００μｍの絶縁部材６ａ、６ｂ
。

・・・の上方から各絶縁部材Ｇａ、Ｇｂ、・・・の中央
部（位置ＬＢ、）に、幅約５０μｍのｃｏｔレーザを照
射し、レーザビーム照射部の絶縁部材６ａ、６ｂ、・・
・の一部とその直下に在る透明電極膜４を分解または蒸
散させて除去して絶縁分離溝７　ａ、７　ｂ、・・・を
形成する（第８工程）。このとき、透明電極膜４のさら
に下層に在る光電変換素子３　ｂ　、　：３　ｃ　、・
・・の全部もしくは一部を絶縁部材６ａ、６ｂ、・・・
および透明電極膜４ｂ、４ｃ、・・・とともに除去して
もよい。

即ち、１枚の絶縁基板１上に積層形成された光電変換装
置を、複数個の光電変換領域１０　ａ　、　１０ｂ　、
　ｌ　ＯＱ　ｌ・・・に分割するために、位［ＬＩ’３
．に照射するレーザビームによって、透明電極膜４の所
定部分を除去し、絶縁分離溝７　ａ、７　ｂ、・・・に
より透明電極膜４を複数の部分４　ａ、４　ｂ、４　ｃ
、・・・に電気的に絶縁分離する。

レーザビーム照射による絶縁部材６ａ、６ｂ、・・・お
よび透明電極１１Ｊ　４　ｂ　、　４　ｃ　、・・・の
除去工程においては、レーザビームが照射された部分の
絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・・および透明電極膜４　
ｂ、４　ｃ、・・・が除去されるとともに、レーザビー
ム照射部周辺の絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・・が溶融
し、絶縁分離溝７ａ。

７ｂ、・・・の一部を埋めることになる。

以上のようにして、絶縁基板１上に形成された相互に隣
合う光電変換領域１０ａ、ＬＯｂ、１０ｃ。

・・・の薄膜金属型ｗＡ２　ｂ　、　２　ｅ　、・・・
と透明電極膜４ａ。

４ｂ、・・・とは、導電部材５ａ、５ｂ、・・・によっ
て電気的接合が強化される一方、透明電極膜４は、絶縁
分離溝７　ａ、７　ｂ、・・・によって分離・分割され
。

相互に隣合う透明電極膜４　ａ、４　ｂ、４　ｃ、・・
・間は電気的に絶縁されているので、１枚の絶縁基板１
上に複数個の光電変換領域」−０ａ　、　１０　ｂ　、
　１．　Ｏｃ、　。

・・・が電気的に直列接続された光電変換装置が１！）
られる。

このように、本実施例の製造方法によれば、絶縁基板１
上に形成する材料の成膜順序が、従来、透明電極膜、光
電変換素子、薄膜金属電極の順であったのを、薄膜金属
電極２．光電変換素子３゜透明電極膜４の順に成膜して
いる。つまり、レーザビーム加工に際し下層に対して悪
影響を与える薄膜金属電極２が最初に絶縁基板１上に成
膜されるので、レーザビーム加工にて分離・分割するこ
とにより生じていた従来の不具合を解消できるとともに
、光電変換素子３や透明電極膜４に比べて膜厚が数十倍
〜数百倍も厚いＮ導電部材５　（ｒ　ＨＪ　ｂ　Ｈ・・
・および絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・・が最上層の透
明電極膜４上に形成されるので、従来のように導電部材
および絶縁部材を中間層部分に形成する場合に比べてス
テップカバリッジの問題もなくなる。

また、光電変換素子３を成膜した後、レーザビームによ
り溝３ａｂ、３ｂｃ、・・・を形成し、透明電極膜４を
成膜してさらにその」二部の溝３　ａ　ｂ、３ｂｅ、・
・・に対応する部分に導電部材５　ａ、５　ｂ、・・を
配置・形成するようにしているので、透明電極膜４を薄
くしても直列抵抗が増加することはなく、光電変換素子
３の材料、例えばアモルファスシリコンの残留皮膜によ
り接続抵抗が増加するおそれもない。

さらに、エネルギビーム照射部周辺の絶縁部材６　ａ、
６　ｂ、・・・が溶融し、わずかに残留する透明電極［
４が存在してもそれを取り込んで溶融混合物をつくる。

この溶融混合物の大部分は絶縁部材であるので、絶縁性
が大きく除去すべき透明な極膜４の残留によるリークの
問題も解消されることになる。

従って、薄膜金属電極２の溶融による悪影響や金属部材
と光電変換素子３との溶融混合物による悪影響の発生が
防止されるほか、ステップカバリッジの問題も解消され
るので、本実施例の方法により、極めて高い特性の直列
接続型アモルファス太陽電池（光電変換装置）が製造さ
れるのである。

また、本実施例では、絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・・
としてポリイミド樹脂を含む透光性の有機絶縁部材を使
用しているので、レーザビーム照射部の絶縁部材６　ａ
、６　ｂ、・・・が分解揮散する際に、その直下の透明
電極膜４も同時に蒸発揮散あるいは分解揮散しやすくな
っているほか、透光性を有する絶縁材料を用いることに
より、絶縁部材６　ａ、６　ｂ、・・・を形成した部分
の下層の光電変換領域にも光が入射し、光電変換が行な
われるようになるので、光電変換装置の有効面積が向上
する利点もある。

なお、本発明の方法に従い、第２図（ａ）、（ｂ）に示
すような直列接続型アモルファス太陽電池（光電変換装
置）を製造してもよい。なお、第２図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ製造された太陽電池の断面図および平面図であ
る。

図において、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、−は櫛形導電部
材の櫛部分である。第２図（ａ）、（ｂ）に示した薄膜
太陽電池においては、分離・分割された薄膜金属電極２
の幅は約２０〜５０ＩＩｇ、櫛形導電部材の櫛部分５０
ａ、５０ｂ、５０ｃ、・・・の幅は約５０〜１００μ鳳
、＊と櫛との間隔は約５〜１０１１１ｆｉ、櫛形電極の
櫛の背の部分の幅は約５００〜１０００μ鴎とする。こ
のような太陽電池も第１図（ａ）〜（ｇ）にて説明した
製造順序と同様にして製造される。

［発明の効果コ以上のように、この発明によれば、絶縁基板上に薄膜金
属電極を形成した後、まず、最初にそれを分前・分割し
、その上に薄膜光電変換素子と透明電極膜とを順に形成
するようにしたので、薄膜金属電極が最上層に形成され
ている場合にビーム加工を行なった場合の問題、即ち、
ビームの照射によって溶融した金属が他の薄膜に悪影響
を及ぼす問題が解消されるとともに、光電変換素子をビ
ームで分離・分割した後に透明電極膜を形成しさらにそ
の上に導電部材を形成するようにしたので、王族抵抗お
よび直列抵抗の極めて小さい優れた特性を有する光電変
換装置を製造できるという効果がある。また、絶縁部材
を透明電極膜上に形成し透明電極膜を絶縁部材とともに
除去するようにしたので、透明電極膜の分離・分割が容
易かつ確実に行なえるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明による光電変換装置の
製造方法における工程を順次示して説明するための断面
図、第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ上記実施例と同様
の製造方法にて製造された他の光電変換装置の例を示す
断面図および平面図、第３図は従来の光電変換装置の製
造方法によって製造されたアモルファス太陽電池を示す
断面図である。図において、１−・−絶縁基板、２，２ａ、２ｂ。２ａ、−一薄膜金属電極、３，３ａ、３ｂ、３ｃ。・・・・−薄膜光電変換素子、４，４ａ、４ｂ、４ｃ。・・・−透明電極膜、５ａ、５ｂ、・・・・・・導電部
材、６ａ、６ｂ・・・・・−絶縁部材、７　ａ　１７　
ｂ　＊・・・・・・絶縁分離溝。なお９図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。

Claims

【特許請求の範囲】

絶縁基板上に薄膜金属電極を層状形成する第１工程と、
前記薄膜金属電極に溝を形成して前記薄膜金属電極を所
定の区分に分離・分割する第２工程と、前記薄膜金属電
極上および同薄膜金属電極の溝上に薄膜光電変換素子を
層状形成する第３工程と、前記薄膜光電変換素子に前記
溝に近接し且つ平行な溝を形成して前記薄膜光電変換素
子を所定の区分に分離・分割する第４工程と、前記薄膜
光電変換素子上および同薄膜光電変換素子の溝上に透明
電極膜を層状形成する第５工程と、前記透明電極膜上に
おいて前記薄膜光電変換素子の溝により生じた段差部分
を埋めるように導電部材を配置・形成する第６工程と、
前記透明電極膜上において前記導電部材に近接し且つ平
行に絶縁部材を配置・形成する第７工程と、前記絶縁部
材上にエネルギビームを照射して同エネルギビーム照射
部の絶縁部材の一部とその下層に在る前記透明電極膜と
を気散せしめ絶縁分離溝を形成する第８工程とを含むこ
とを特徴とする光電変換装置の製造方法。