JP2994810B2 - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
光起電力装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2994810B2 JP2994810B2 JP3234898A JP23489891A JP2994810B2 JP 2994810 B2 JP2994810 B2 JP 2994810B2 JP 3234898 A JP3234898 A JP 3234898A JP 23489891 A JP23489891 A JP 23489891A JP 2994810 B2 JP2994810 B2 JP 2994810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- electrode
- photoelectric conversion
- photovoltaic device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の光起電力素子を
電気的に直列接続した集積型の光起電力装置及びその製
造方法に関する。
電気的に直列接続した集積型の光起電力装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積型光起電力装置は、所定の光起電力
を得るべく複数の光起電力素子を電気的に直列接続した
ものである。このような光起電力装置にあっては、各光
起電力素子の電気結合部（即ち、各光起電力素子の隣接
間隔部）が光電変換の無効領域となるため、できるだけ
この領域の専有面積を小さくすることが望ましい。この
点に鑑み、エネルギービームを用いて光起電力素子の分
割並びに接続を行う方法が、特開昭６２−３３４７７号
公報に開示されている。
を得るべく複数の光起電力素子を電気的に直列接続した
ものである。このような光起電力装置にあっては、各光
起電力素子の電気結合部（即ち、各光起電力素子の隣接
間隔部）が光電変換の無効領域となるため、できるだけ
この領域の専有面積を小さくすることが望ましい。この
点に鑑み、エネルギービームを用いて光起電力素子の分
割並びに接続を行う方法が、特開昭６２−３３４７７号
公報に開示されている。
【０００３】この光起電力装置の製造方法にあっては、
まず、透明基板の絶縁表面上に複数の第１電極膜を所定
の隣接間隔部を隔てて分割配置し、各第１電極膜の側縁
近傍に沿って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に近い側
から帯状の導電部材及び絶縁部材が形成される。そし
て、第１電極膜、導電部材及び絶縁部材を含んで基板の
略全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる半
導体光活性層及び金属からなる第２電極膜が分割される
ことなく積層形成される。その後、導電部材及び絶縁部
材と対向する各位置で、第２電極膜上から導電部材及び
絶縁部材に達するようにレーザビーム、電子ビーム等の
エネルギービームが照射され、第２電極膜を分離する分
離溝、及び隣り合う第１電極膜と第２電極膜とを電気的
に結合する結合部が形成される。
まず、透明基板の絶縁表面上に複数の第１電極膜を所定
の隣接間隔部を隔てて分割配置し、各第１電極膜の側縁
近傍に沿って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に近い側
から帯状の導電部材及び絶縁部材が形成される。そし
て、第１電極膜、導電部材及び絶縁部材を含んで基板の
略全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる半
導体光活性層及び金属からなる第２電極膜が分割される
ことなく積層形成される。その後、導電部材及び絶縁部
材と対向する各位置で、第２電極膜上から導電部材及び
絶縁部材に達するようにレーザビーム、電子ビーム等の
エネルギービームが照射され、第２電極膜を分離する分
離溝、及び隣り合う第１電極膜と第２電極膜とを電気的
に結合する結合部が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板が不透
明の場合、半導体光活性層上に形成される第２電極膜
は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）や酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）等の透明電極となるが、これら透明な第２電
極膜は、半導体光活性層に悪影響を与えないように、低
温で形成しなければならない。しかしながら、低温状態
での透明な第２電極膜の形成においては、高透過率で低
抵抗なものを形成するのが難しい。
明の場合、半導体光活性層上に形成される第２電極膜
は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）や酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）等の透明電極となるが、これら透明な第２電
極膜は、半導体光活性層に悪影響を与えないように、低
温で形成しなければならない。しかしながら、低温状態
での透明な第２電極膜の形成においては、高透過率で低
抵抗なものを形成するのが難しい。
【０００５】更に、このような構造の光起電力装置に上
述の方法を適用すると、隣り合う第１電極膜と第２電極
膜とを電気的に接続するためのエネルギービームの照射
は、透明な第２電極膜上から成されるが、透明な第２電
極膜にエネルギービームを照射しても、隣り合う第１電
極膜と第２電極膜とを十分に電気的に接続するだけの溶
融物が発生しない。従って、直列的な結合が不十分とな
る。
述の方法を適用すると、隣り合う第１電極膜と第２電極
膜とを電気的に接続するためのエネルギービームの照射
は、透明な第２電極膜上から成されるが、透明な第２電
極膜にエネルギービームを照射しても、隣り合う第１電
極膜と第２電極膜とを十分に電気的に接続するだけの溶
融物が発生しない。従って、直列的な結合が不十分とな
る。
【０００６】そこで、本発明の目的は、第２電極膜によ
る電力損失及び隣り合う第１電極膜と第２電極膜との結
合不良を確実且つ簡単に防止することにある。
る電力損失及び隣り合う第１電極膜と第２電極膜との結
合不良を確実且つ簡単に防止することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の絶縁表
面の複数の光電変換領域毎に、第１電極膜、半導体光活
性層及び透明な第２電極膜をこの順に積層してなる複数
の光起電力素子を電気的に直列に結合した光起電力装置
において、第２電極膜とこれに隣接する光電変換領域の
第１電極膜との隣接間隔部における、該第１電極膜と前
記第２電極膜とを電気的に結合する前記半導体光活性層
及び第２電極膜の溶融物を有する電気的な結合領域、及
びこの結合領域から前記第２電極膜上に延在する櫛型の
集電極、を形成したことを特徴とする。
面の複数の光電変換領域毎に、第１電極膜、半導体光活
性層及び透明な第２電極膜をこの順に積層してなる複数
の光起電力素子を電気的に直列に結合した光起電力装置
において、第２電極膜とこれに隣接する光電変換領域の
第１電極膜との隣接間隔部における、該第１電極膜と前
記第２電極膜とを電気的に結合する前記半導体光活性層
及び第２電極膜の溶融物を有する電気的な結合領域、及
びこの結合領域から前記第２電極膜上に延在する櫛型の
集電極、を形成したことを特徴とする。
【０００８】更に、本発明の光起電力装置の製造方法
は、基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎に分割配置
された第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面に半導体
光活性層を配置する工程と、この半導体光活性層を複数
の光電変換領域毎に分割配置することなく、半導体光活
性層上に透明な第２電極膜を形成する工程と、上記第１
電極膜の隣接間隔部に沿ってその近傍の上記第２電極膜
にエネルギービームを照射して照射部分の第２電極膜部
分を除去し、第２電極膜を電気的に分離する工程と、こ
の分離位置より隣接間隔部に近い側に沿って第２電極膜
にエネルギービームを照射して、前記半導体光活性層及
び第２電極膜の積層体を溶融し、前記第２電極膜とこれ
に隣接する光電変換領域の第１電極膜とを電気的に結合
する結合領域を形成する工程と、上記結合領域及びこの
結合領域から光電変換領域の受光領域に延在するよう
に、各第２電極膜上に櫛型の集電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
は、基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎に分割配置
された第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面に半導体
光活性層を配置する工程と、この半導体光活性層を複数
の光電変換領域毎に分割配置することなく、半導体光活
性層上に透明な第２電極膜を形成する工程と、上記第１
電極膜の隣接間隔部に沿ってその近傍の上記第２電極膜
にエネルギービームを照射して照射部分の第２電極膜部
分を除去し、第２電極膜を電気的に分離する工程と、こ
の分離位置より隣接間隔部に近い側に沿って第２電極膜
にエネルギービームを照射して、前記半導体光活性層及
び第２電極膜の積層体を溶融し、前記第２電極膜とこれ
に隣接する光電変換領域の第１電極膜とを電気的に結合
する結合領域を形成する工程と、上記結合領域及びこの
結合領域から光電変換領域の受光領域に延在するよう
に、各第２電極膜上に櫛型の集電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明において、透明な第２電極膜上に形成さ
れた櫛型の集電極は、集電を行うと共に、第２電極膜と
これに隣接する光電変換領域の第１電極膜との結合領域
における電気的結合を確実なものとするための結合電極
の役目を果たす。
れた櫛型の集電極は、集電を行うと共に、第２電極膜と
これに隣接する光電変換領域の第１電極膜との結合領域
における電気的結合を確実なものとするための結合電極
の役目を果たす。
【００１０】
【実施例】図１乃至図８は、本発明の光起電力装置の製
造方法を工程順に示す断面図である。
造方法を工程順に示す断面図である。
【００１１】図１に示す工程では、ガラス、セラミック
ス、ステンレス等からなる支持基板１の一方の主面に、
第１樹脂層からなる基板２が５〜５０μｍ、好ましくは
１０〜１５μｍの膜厚で形成される。具体的には、ポリ
イミドのワニスをスピンコータあるいはロールコータ等
で均一に塗布し、１００〜３００℃の間で段階的に昇温
しながら硬化処理を施すことにより形成される。
ス、ステンレス等からなる支持基板１の一方の主面に、
第１樹脂層からなる基板２が５〜５０μｍ、好ましくは
１０〜１５μｍの膜厚で形成される。具体的には、ポリ
イミドのワニスをスピンコータあるいはロールコータ等
で均一に塗布し、１００〜３００℃の間で段階的に昇温
しながら硬化処理を施すことにより形成される。
【００１２】図２に示す工程では、基板２の表面に、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ａｇ等の低抵抗金属の単層構造、またはこれ
ら金属の積層構造を有する第１電極膜３が、分割される
ことなく真空蒸着法により形成される。
ｌ、Ｔｉ、Ａｇ等の低抵抗金属の単層構造、またはこれ
ら金属の積層構造を有する第１電極膜３が、分割される
ことなく真空蒸着法により形成される。
【００１３】なお、基板２表面への第１電極膜３の形成
に先立って、基板２と第１電極膜３との密着性を高める
ために、基板２の表面を窒素プラズマ中にてプラズマ処
理を行うのが好ましい。
に先立って、基板２と第１電極膜３との密着性を高める
ために、基板２の表面を窒素プラズマ中にてプラズマ処
理を行うのが好ましい。
【００１４】図３に示す工程では、第１電極膜３上に、
所定の間隔を隔てて互いに平行に、帯状の導電部材４
ａ、４ｂが形成される。この導電部材４ａ、４ｂは、ポ
リイミドに銀（Ａｇ）微粉末を練り込んだＡｇペースト
をスクリーン印刷手法により高さ約５〜３０μｍ、幅約
１００〜５００μｍにパターニング形成した後、２５０
〜３００℃で焼成硬化することにより形成される。続い
て、導電部材４ａ、４ｂに沿ってその一方の側（本実施
例では右側）の第１電極膜３上にレーザビームがライン
状に照射され、その結果、複数に分割された第１電極膜
３ａ、３ｂ、３ｃが形成される。
所定の間隔を隔てて互いに平行に、帯状の導電部材４
ａ、４ｂが形成される。この導電部材４ａ、４ｂは、ポ
リイミドに銀（Ａｇ）微粉末を練り込んだＡｇペースト
をスクリーン印刷手法により高さ約５〜３０μｍ、幅約
１００〜５００μｍにパターニング形成した後、２５０
〜３００℃で焼成硬化することにより形成される。続い
て、導電部材４ａ、４ｂに沿ってその一方の側（本実施
例では右側）の第１電極膜３上にレーザビームがライン
状に照射され、その結果、複数に分割された第１電極膜
３ａ、３ｂ、３ｃが形成される。
【００１５】図４に示す工程では、導電部材４ａ、４ｂ
を挾んで帯状の第１、第２絶縁部材５ａ、５ｂ、６ａ、
６ｂが形成される。即ち、第１絶縁部材５ａ、５ｂは、
導電部材４ａ、４ｂの左側に沿って第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃ上に形成され、第２絶縁部材６ａ、６ｂは、第
１電極膜３ａ、３ｂ、３ｃの隣接間隔部を覆って第１電
極膜３ａ、３ｂ、３ｃの端部に跨るように形成される。
これら第１、第２絶縁部材５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、
ポリイミドに二酸化シリコン（ＳｉＯ2）微粉末を練り
込んだＳｉＯ2ペーストをスクリーン印刷手法により高
さ約５〜３０μｍ、幅約１００〜５００μｍにパターニ
ング形成した後、２５０〜３００℃で焼成硬化すること
により形成される。
を挾んで帯状の第１、第２絶縁部材５ａ、５ｂ、６ａ、
６ｂが形成される。即ち、第１絶縁部材５ａ、５ｂは、
導電部材４ａ、４ｂの左側に沿って第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃ上に形成され、第２絶縁部材６ａ、６ｂは、第
１電極膜３ａ、３ｂ、３ｃの隣接間隔部を覆って第１電
極膜３ａ、３ｂ、３ｃの端部に跨るように形成される。
これら第１、第２絶縁部材５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、
ポリイミドに二酸化シリコン（ＳｉＯ2）微粉末を練り
込んだＳｉＯ2ペーストをスクリーン印刷手法により高
さ約５〜３０μｍ、幅約１００〜５００μｍにパターニ
ング形成した後、２５０〜３００℃で焼成硬化すること
により形成される。
【００１６】図５に示す工程では、第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃ、導電部材４ａ、４ｂ、第１絶縁部材５ａ、５
ｂ及び第２絶縁部材６ａ、６ｂを含んでそれらの略全面
に、膜面に平行なｎｉｐ接合を有する膜厚３０００〜８
０００Åのアモルファスシリコン、アモルファスシリコ
ンカーバイド等のアモルファスシリコン系の半導体光活
性層７が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成さ
れる。
ｂ、３ｃ、導電部材４ａ、４ｂ、第１絶縁部材５ａ、５
ｂ及び第２絶縁部材６ａ、６ｂを含んでそれらの略全面
に、膜面に平行なｎｉｐ接合を有する膜厚３０００〜８
０００Åのアモルファスシリコン、アモルファスシリコ
ンカーバイド等のアモルファスシリコン系の半導体光活
性層７が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成さ
れる。
【００１７】続いて、半導体光活性層７の表面に、膜厚
２００〜１０００Åの酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明な第２電極膜８が形
成される。なお、この第２電極膜８は、その下部の半導
体光活性層７に悪影響を及ぼさないように低温で形成さ
れる。
２００〜１０００Åの酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明な第２電極膜８が形
成される。なお、この第２電極膜８は、その下部の半導
体光活性層７に悪影響を及ぼさないように低温で形成さ
れる。
【００１８】図６に示す工程では、第１絶縁部材５ａ、
５ｂ及び導電部材４ａ、４ｂの夫々と対向する位置の第
２電極膜８及び半導体光活性層７の積層体部分に、この
積層体の表面側からレーザビーム、電子ビーム等のエネ
ルギービームが照射される。
５ｂ及び導電部材４ａ、４ｂの夫々と対向する位置の第
２電極膜８及び半導体光活性層７の積層体部分に、この
積層体の表面側からレーザビーム、電子ビーム等のエネ
ルギービームが照射される。
【００１９】第１絶縁部材５ａ、５ｂ上の積層体部分に
照射されるエネルギービームは、その積層体部分を除去
するに足りる十分なエネルギー密度を備えたものであ
り、その結果、複数に分割された半導体光活性層７ａ、
７ｂ、７ｃ及び第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃが形成され
る。
照射されるエネルギービームは、その積層体部分を除去
するに足りる十分なエネルギー密度を備えたものであ
り、その結果、複数に分割された半導体光活性層７ａ、
７ｂ、７ｃ及び第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃが形成され
る。
【００２０】一方、導電部材４ａ、４ｂ上の積層体部分
に照射されるエネルギービームは、その積層体部分を溶
融するに足りるエネルギー密度を備えており、従って、
上記積層体部分の溶融物が導電部材４ａ、４ｂにまで至
る。従って、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８ｂ、
８ｃとは、導電部材４ａ、４ｂ及び上記溶融物を介して
電気的に直列関係に結合する状態となる。但し、第２電
極膜８ａ、８ｂ、８ｃは、第１電極膜３ａ、３ｂと第２
電極膜８ｂ、８ｃとを十分に電気結合するだけの溶融物
を発生できず、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８
ｂ、８ｃとの電気的な結合状態は、不十分となる。更に
は、第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃは、上述のように低温
で形成されているため、高抵抗となっており、大きな抵
抗損失をもたらす。
に照射されるエネルギービームは、その積層体部分を溶
融するに足りるエネルギー密度を備えており、従って、
上記積層体部分の溶融物が導電部材４ａ、４ｂにまで至
る。従って、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８ｂ、
８ｃとは、導電部材４ａ、４ｂ及び上記溶融物を介して
電気的に直列関係に結合する状態となる。但し、第２電
極膜８ａ、８ｂ、８ｃは、第１電極膜３ａ、３ｂと第２
電極膜８ｂ、８ｃとを十分に電気結合するだけの溶融物
を発生できず、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８
ｂ、８ｃとの電気的な結合状態は、不十分となる。更に
は、第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃは、上述のように低温
で形成されているため、高抵抗となっており、大きな抵
抗損失をもたらす。
【００２１】そこで、図７に示す工程では、第２電極膜
８ａ、８ｂ、８ｃ上に、導電部材４ａ、４ｂ上の部分の
エネルギービーム照射部分に位置する幹部及びその部分
から第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃの受光領域に延在する
複数の互いに平行な枝部を有する櫛型の集電極９ａ、９
ｂ、９ｃが形成される。これら集電極９ａ、９ｂ、９ｃ
は、エポキシ系樹脂に銀（Ａｇ）微粉末を練り込んだＡ
ｇペーストをスクリーン印刷手法により高さ約５〜３０
μｍ、幅約１００〜５００μｍにパターニング形成した
後、２５０〜３００℃で焼成硬化することにより形成さ
れる。
８ａ、８ｂ、８ｃ上に、導電部材４ａ、４ｂ上の部分の
エネルギービーム照射部分に位置する幹部及びその部分
から第２電極膜８ａ、８ｂ、８ｃの受光領域に延在する
複数の互いに平行な枝部を有する櫛型の集電極９ａ、９
ｂ、９ｃが形成される。これら集電極９ａ、９ｂ、９ｃ
は、エポキシ系樹脂に銀（Ａｇ）微粉末を練り込んだＡ
ｇペーストをスクリーン印刷手法により高さ約５〜３０
μｍ、幅約１００〜５００μｍにパターニング形成した
後、２５０〜３００℃で焼成硬化することにより形成さ
れる。
【００２２】集電極９ａ、９ｂ、９ｃの枝部により、半
導体光活性層７ａ、７ｂ、７ｃにて発生したキャリア
は、有効に集電され、一方、各集電極９ａ、９ｂ、９ｃ
の幹部により、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８
ｂ、８ｃとの電気的な結合状態が確実なものとなる。
導体光活性層７ａ、７ｂ、７ｃにて発生したキャリア
は、有効に集電され、一方、各集電極９ａ、９ｂ、９ｃ
の幹部により、第１電極膜３ａ、３ｂと第２電極膜８
ｂ、８ｃとの電気的な結合状態が確実なものとなる。
【００２３】次に、図８に示す工程では、第２電極膜８
ａ、８ｂ、８ｃ及び集電極９ａ、９ｂ、９ｃ上に、接着
層を介して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等の透明な樹脂層
１０が接着される。そして、最後に、図８に示す製造物
全体を水に浸漬することにより、支持基板１から基板２
を剥離することにより、基板１及び樹脂層１０の間に、
複数の光起電力素子が挾まれた形態の、可撓性に富んだ
光起電力装置が製造される。
ａ、８ｂ、８ｃ及び集電極９ａ、９ｂ、９ｃ上に、接着
層を介して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等の透明な樹脂層
１０が接着される。そして、最後に、図８に示す製造物
全体を水に浸漬することにより、支持基板１から基板２
を剥離することにより、基板１及び樹脂層１０の間に、
複数の光起電力素子が挾まれた形態の、可撓性に富んだ
光起電力装置が製造される。
【００２４】こうして、製造された光起電力装置により
発生した光起電力は、一方の側に位置する光起電力素子
の集電極と、他方の側に位置する光起電力素子の導電部
材とを、夫々出力取出電極として取り出される。その場
合、各取出電極にリード線が確実に半田付けされるよう
に、取出電極となる集電極及び導電部材の部分に、銅ペ
ーストを塗布するのが好ましい。
発生した光起電力は、一方の側に位置する光起電力素子
の集電極と、他方の側に位置する光起電力素子の導電部
材とを、夫々出力取出電極として取り出される。その場
合、各取出電極にリード線が確実に半田付けされるよう
に、取出電極となる集電極及び導電部材の部分に、銅ペ
ーストを塗布するのが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、基板の絶縁表面の複数
の光電変換領域毎に、第１電極膜、半導体光活性層及び
透明な第２電極膜をこの順に積層してなる複数の光起電
力素子を電気的に直列に結合した光起電力装置におい
て、第２電極膜とこれに隣接する光電変換領域の第１電
極膜との隣接間隔部における、該第１電極膜と前記第２
電極膜とを電気的に結合する前記半導体光活性層及び第
２電極膜の溶融物を有する電気的な結合領域、及びこの
結合領域から前記第２電極膜上に延在する櫛型の集電
極、を形成したので、第２電極膜による電力損失及び隣
り合う第１電極膜と第２電極膜との結合不良を確実且つ
簡単に防止することができ、高出力の光起電力装置を提
供することができる。
の光電変換領域毎に、第１電極膜、半導体光活性層及び
透明な第２電極膜をこの順に積層してなる複数の光起電
力素子を電気的に直列に結合した光起電力装置におい
て、第２電極膜とこれに隣接する光電変換領域の第１電
極膜との隣接間隔部における、該第１電極膜と前記第２
電極膜とを電気的に結合する前記半導体光活性層及び第
２電極膜の溶融物を有する電気的な結合領域、及びこの
結合領域から前記第２電極膜上に延在する櫛型の集電
極、を形成したので、第２電極膜による電力損失及び隣
り合う第１電極膜と第２電極膜との結合不良を確実且つ
簡単に防止することができ、高出力の光起電力装置を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法の第１工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の製造方法の第２工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の製造方法の第３工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の製造方法の第４工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の製造方法の第５工程を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の製造方法の第６工程を示す断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の製造方法の第７工程を示す断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の製造方法の第８工程を示す断面図であ
る。
る。
フロントページの続き (72)発明者 坂田 仁 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 邑田 健治 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高岡 圭二 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 山本 武志 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−214483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−88868（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−157977（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎
に、第１電極膜、半導体光活性層及び透明な第２電極膜
をこの順に積層してなる複数の光起電力素子を電気的に
直列に結合した光起電力装置において、第２電極膜とこ
れに隣接する光電変換領域の第１電極膜との隣接間隔部
における、該第１電極膜と前記第２電極膜とを電気的に
結合する前記半導体光活性層及び第２電極膜の溶融物を
有する電気的な結合領域、及びこの結合領域から前記第
２電極膜上に延在する櫛型の集電極、を形成したことを
特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 各第１電極膜上の上記結合領域に、帯状
の導電部材が形成されたことを特徴とする請求項１記載
の光起電力装置。 - 【請求項３】 基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎
に分割配置された第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表
面に半導体光活性層を配置する工程と、この半導体光活
性層を複数の光電変換領域毎に分割配置することなく、
半導体光活性層上に透明な第２電極膜を形成する工程
と、上記第１電極膜の隣接間隔部に沿ってその近傍の上
記第２電極膜にエネルギービームを照射して照射部分の
第２電極膜部分を除去し、第２電極膜を電気的に分離す
る工程と、この分離位置より隣接間隔部に近い側に沿っ
て第２電極膜にエネルギービームを照射して、前記半導
体光活性層及び第２電極膜の積層体を溶融し、前記第２
電極膜とこれに隣接する光電変換領域の第１電極膜とを
電気的に結合する結合領域を形成する工程と、上記結合
領域及びこの結合領域から光電変換領域の受光領域に延
在するように、各第２電極膜上に櫛型の集電極を形成す
る工程と、を備えたことを特徴とする光起電力装置の製
造方法。 - 【請求項４】 各第１電極膜上に、隣接間隔部に沿って
隣接間隔部側から順に帯状の導電部材及び絶縁部材が形
成される工程を備えることを特徴とする請求項３記載の
光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234898A JP2994810B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234898A JP2994810B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575155A JPH0575155A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2994810B2 true JP2994810B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=16978033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234898A Expired - Lifetime JP2994810B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994810B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102449778B (zh) * | 2009-03-31 | 2016-03-09 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| KR101091405B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2011-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234898A patent/JP2994810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575155A (ja) | 1993-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3889470B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2005123445A (ja) | 光起電力素子および光起電力素子の製造方法 | |
| JP5589221B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池モジュールを接触させる方法 | |
| WO2008038553A1 (en) | Solar cell module | |
| TW201005968A (en) | Thin film photovoltaic battery module and method for manufacturing the same | |
| JPH07231015A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3819507B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH04116986A (ja) | 集積化太陽電池 | |
| CN112136218A (zh) | 用于太阳能电池电路形成的激光辅助金属化工艺 | |
| JP2002373995A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2680582B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2994810B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2983674B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH07263733A (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPH1051018A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2021125603A (ja) | 太陽電池ストリングおよび太陽電池ストリング製造方法 | |
| JP2598967B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3573869B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3155459B2 (ja) | 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池 | |
| JP3133269B2 (ja) | 太陽電池パネル | |
| JP2001111079A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH07297432A (ja) | 薄膜太陽電池モジュール | |
| JPH09237911A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2648037B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2983671B2 (ja) | 光起電力装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |