JPH07263733A

JPH07263733A - 薄膜光電変換装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07263733A
Application number: JP6051477A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yoshida; 吉田　　隆; Koki Sato; 広喜佐藤
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1994-03-23
Filing date: 1994-03-23
Publication date: 1995-10-13
Anticipated expiration: 2016-05-21
Also published as: JP3168811B2

Abstract

(57)【要約】【目的】薄膜光電変換素子をモジュール化する際、電極
への接続工程で受光面に不良が発生しやすい問題を解決
する。【構成】可とう性基板上に形成された発電領域の電極
が、基板を貫通する導体により基板裏面の電極と接続さ
れている素子を用い、受光面をパッシベーション膜、シ
リコーン樹脂あるいは透明フィルムで被覆してから基板
裏面で接続をする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、可とう性の絶縁基板上
に薄膜からなる光電変換層を電極層と共に形成した薄膜
光電変換素子からなる薄膜光電変換装置およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光を半導体接合を利用して電気エネルギ
ーに変換する薄膜光電変換素子としては、例えば特公平
５−７２１１３号公報で公知のように、基板上に裏面電
極層、光電変換層、透明電極層を、次の層を形成する前
にパターニングして各層を分離しながら順次形成し、直
列接続構造を作成し、光を反基板側から入射させるもの
がある。このような光電変換素子の複数個を、Ａｇ、Ｃ
ｕなどの箔のはんだ付け、あるいは導電性テープの接着
などにより相互間で接続してモジュール化することが行
われている。また、単位素子間の接続後、例えば特公平
５−５９５９１号公報で公知のように、表面と裏面両面
を保護フィルム等で覆ってモジュール化することによ
り、外気の水分やガスの影響を除去しようとしている。
一方、基板に剛性のガラス板でなく、耐熱性を有する高
分子フィルムのような可とう性基板を用いた光電変換素
子は、曲面上に設置可能なこと、軽量で取扱いの容易で
あることなどの利点をもつものとして注目されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、可とう性基板
を用いた従来の薄膜光電変換素子からなる薄膜光電変換
装置には次のような問題がある。 (1)素子間の接続が光の入射側の面で行われるため、素
子間の接続が終了するまで表面を保護することができ
ず、製造工程中での表面の性質の変化による不良発生
や、素子特性測定中の素子破壊の発生等が多い。

【０００４】(2)素子間の接続をはんだ付けや導電性テ
ープの接着で行う場合、はんだ付け不良や導電性テープ
の接着力低下による不良発生が生じやすく、はんだ付け
工程が複雑化する傾向にある。 (3)高分子フィルム基板が極めて薄い場合は、いわゆる
腰が弱く、サブモジュール寸法に切り離したあとの取り
扱いが厄介である。

【０００５】(1)の問題を解決するために、本出願人の
出願にかかる特願平５−２２０８７０号明細書に、可と
う性基板上に形成された複数の光電変換素子間の接続
を、基板の貫通孔を通じて表面側の電極層と接続された
基板裏面の電極層を用いて行う薄膜光電変換装置が記載
されている。本発明の目的は、このような素子間の接続
を基板の裏側で行う構造を用い、上述の問題をすべて解
決することのできる薄膜光電変換装置およびその製造方
法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、可とう性の絶縁性基板の一面上に光電
変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、
反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に
第三電極層が設けられ、第三電極層が第二電極層と基
板、第一電極層および半導体層を貫通する接続孔を通
じ、第一電極層と実質的に絶縁された導体により接続さ
れ、第三電極層の第二電極層と接続される領域とは分離
された領域が、第一電極層と、少なくとも基板を貫通す
る接続孔を通じ、その第一電極層と半導体層をはさんで
対向する第二電極層の領域と実質的に絶縁された導体に
より接続された薄膜光電変換素子よりなる薄膜光電変換
装置において、第二電極層の反基板側に保護被覆を備え
たものとする。保護被覆が薄膜光電変換素子の側面を基
板面に達するまで被覆することが良い。保護被覆が透明
絶縁性で水分の透過を防ぐ膜であること、その透明絶縁
性で水分の透過を防ぐ膜がＳｉＮ_x、ＳｉＯ_x、ＳｉＯ
_xＮ_y、ＳｉＣ_xＯ_y、非晶質ＳｉＮ_x：Ｈ、非晶質Ｓ
ｉＯ_x：Ｈ、非晶質ＳｉＯ_xＮ_y、非晶質ＳｉＣ_xＯ_y
および非晶質ＳｉＣ_x：Ｈのいずれかよりなることが良
い。保護被覆がシリコーン樹脂あるいは高温で軟化する
接着性樹脂よりなることが良い。保護被覆が透明絶縁性
フィルムおよびそのフィルムと光電変換素子の間を充填
する樹脂層よりなること、その透明性の絶縁性フィルム
と薄膜光電変換素子の間を充填する樹脂層が高温で軟化
する接着性樹脂よりなることが良い。以上で用いられる
接着性樹脂の軟化温度が１５０℃以下であることが有効
である。薄膜光電変換素子の第三電極層と金属配線がろ
う付けによって接続されたこと、あるいは導電線樹脂よ
りなる配線と接続されたことが良い。その場合、導電性
樹脂の硬化温度が１５０℃以下であることが有効であ
る。

【０００７】本発明の薄膜光電変換装置の製造方法は、
可とう性の絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導
体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第
二電極層が設けられ、基板の他面上に第三電極層が設け
られ、第三電極層が第二電極層と基板、第一電極層およ
び半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一電極層と実質
的に絶縁された導体により接続され、第三電極層の第二
電極層と接続される領域とは分離された領域が、第一電
極層と、少なくとも基板を貫通する接続孔を通じ、その
第一電極層と半導体層をはさんで対向する第二電極層の
領域と実質的に絶縁された導体により接続された薄膜光
電変換素子の複数個の第三電極層側の表面にフィルムを
共通に接触させ、第二電極層側の表面を被覆する透明絶
縁性フィルムと前記フィルムの間に接着性樹脂を充填し
た後、第三電極層側のフィルムを剥離する工程と、その
工程後露出した第三電極層に配線を接続する工程とを含
むものとする。あるいは、可とう性の絶縁性基板の一面
上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一
電極層、反対側に第二電極層を有する素子領域の複数個
を形成する工程と、基板、第一電極層および半導体層を
貫通し第二電極層に達する第一の接続孔を開ける工程
と、基板を通じ第一電極層に達する第二の接続孔を開け
る工程と、第一の接続孔を通じ第一電極層と実質的に絶
縁物に絶縁された導体の一端を第二電極層に接触させ他
端を基板の他面側に露出させる工程と、第二の接続孔を
通じ対向する第二電極層と実質的に絶縁された導体の一
端を第一電極層に接触させ、他端が基板の他面側に露出
させる工程と、複数の基板の他面にフィルムを共通に接
触させ、第二電極層側の表面を被覆する透明絶縁性フィ
ルムと前記フィルムの間に接着性樹脂を充填した後、基
板他面側のフィルムを剥離する工程と、接続孔を通ずる
導体の露出部に導電性樹脂よりなる配線を接触させて接
続する工程とを含むものとする。これらの場合、配線を
形成後、配線を覆う接着性樹脂層を介して耐候性フィル
ムを透明絶縁性フィルムと反対側の面に備えることが有
効である。さらに別の本発明の薄膜光電変換装置の製造
方法は、可とう性絶縁性基板の一面上に光電変換層であ
る半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に第
二電極層を設け、その表面を保護被覆で覆ったのち、保
護被覆と共に第二電極層、半導体層および第一電極層を
分割して複数の薄膜光電変換素子領域を形成するものと
する。

【０００８】

【作用】可とう性の絶縁性基板上の一面上に形成される
光電変換領域の電極層との接続を、その電極層と基板の
貫通孔を通じて接続される裏面側の第三電極層により行
うことにより、薄膜光電変換素子間の接続を行う前に、
受光面に保護被覆を備えることが可能になった。水分の
透過を防ぐパッシベーション膜、シリコーン樹脂あるい
は接着性樹脂からなる保護被覆は、薄膜光電変換素子の
側面を覆うことにより、発電領域への水分などの侵入を
防ぐだけでなく、基板自体への水分やガスの侵入を防
ぐ。さらに、保護被覆として用いられるフィルムやコー
ト膜は、基板の強度を補強し、薄いフィルムを基板に用
いた場合も素子の腰が強くなるので、基板切断後のモジ
ュール等への組み込みが容易になる。また、複数の素子
の一面にフィルムを接着性樹脂で共通に接着する場合、
素子の他面に剥離しやすいフィルムを接着させておけ
ば、素子の位置決めが容易になり、モジュール化工程が
簡単になる。

【０００９】

【実施例】以下、各図に共通な部分に同一の符号を付し
た図を引用して本発明の実施例について述べる。図１に
示す実施例では、可とう性樹脂基板 (以後単に基板と記
す) １上に金属膜の裏面電極層２、少なくとも一つのｐ
−ｉ−ｎ接合を含むアモルファスシリコン等の非晶質薄
膜からなる光電変換層３、ＩＴＯ膜等の透明電極層４が
積層分離形成され、基板の反対面に成膜分離形成された
接続用の電極７と基板を貫通する貫通孔５１、５２を充
填する導体６１、６２により、それぞれ透明電極４およ
び裏面電極２を接続し、光電変換面をパッシベーション
膜８で覆う構造とする。パッシベーション膜としてはＳ
ｉＮ_x、ＳｉＯ_x、ＳｉＯ_xＮ_y、ＳｉＣ_xＯ_y、非晶
質ＳｉＮ_x：Ｈ、非晶質ＳｉＯ_x：Ｈ、非晶質ＳｉＯ_x
Ｎ_y、非晶質ＳｉＣ _xＯ_yまたは非晶質ＳｉＣ_x：Ｈ
等、透明でかつ水の透過を防ぐものであればなんでも良
い。例えば、非晶質ａ−ＳｉＯ_x：Ｈを１００ｎｍの厚
さにパッシベーション膜８として形成することにより水
分の透過量を約１／１００に制限することが可能とな
る。また、この実施例のパッシベーション膜８は、図よ
り明らかに分かるように基板１の露出面および光電変換
素子の端部も覆うことが可能となり、このようなすき間
部分からの水分の侵入や基板を介しての水分の侵入を防
ぐ。このように、接続電極７が基板１の反対面にある構
造としたため、パッシベーション膜８を形成した後に裏
面の接続電極８を接続してモジュール化等を行うことが
可能であり、表面を保護してあるためにモジュール化を
行うまでの間に特性が変化することがない。基板１とし
ては、ポリエチレンテレフタレート (ＰＥＴ)、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリエチレンナフタレート、ポリイ
ミドあるいはアラミド等の高温に耐える絶縁材料のフィ
ルムなら何でも用いることができる。そして、そのよう
な基板を用いてロールツーロール方式あるいはステップ
ロール方式で作成した光電変換素子上にパッシベーショ
ン膜８の形成を行うことが可能であり、特にロールツー
ロール方式に適用して高い量産性を得ることができる。

【００１０】図２に示す実施例の図１に示す実施例との
相違点は、パッシベーション膜を形成せずに、代わりに
エチレンビニールアセテート (ＥＶＡ) やポリオレフィ
ン系の樹脂等のように熱を加えることにより接着性を有
する樹脂９を介して透明絶縁フィルム１０を接着する点
である。透明絶縁性フィルム１０としてはふっ素系の耐
候性フィルムを用いても良いが、ＰＥＴ等の比較的安価
なフィルムを用い、その表面にパッシベーション膜と同
様の材料をコートしたものを使用することも可能であ
る。この実施例では、透明絶縁フィルム１０と接着性を
有する樹脂９によって接着することにより、基板１に１
００μｍ以下の薄いフィルムを用いても、光電変換素子
に腰を持たせることが可能となる。このため、ロールツ
ーロールプロセスで光電変換素子を形成した後にこれを
切り離しても、フィルムが大きくカールすることが無
く、モジュール化などの次工程を問題無く構成すること
が可能となる。

【００１１】図３は、この実施例の光電変換素子の製造
装置を示す。この装置では、巻き出しロール２１から張
力制御用のロール２２、２３の間を通って引き出され、
透明電極までの積層構造を形成し終えた基板に、巻き出
しロール２４から引き出された保護フィルム１０と接着
フィルム１９とを熱圧着フィルム２５とロール２６の間
で重ね合わせて熱接着し、張力制御用のロール２７、２
８でフィルムの張力を調整し、切断機２９を用いて固定
台３０上で所定の大きさにこの素子を切断する。切断し
た素子は、移動用治具３１でストック位置３２へと移動
する。しかし、切断機で切断しないでそのまま巻き取り
ロールに巻き取り、モジュール作成時に切断する方法も
ある。接着フィルム１９にはＥＶＡ等の熱により接着可
能な樹脂９のフィルムを用いる。

【００１２】図４に示す実施例の図２に示す実施例と異
なる点は絶縁性フィルム１０を接着性樹脂９を介して用
いる代わりに、シリコーン樹脂１１を塗布した点であ
る。塗布にはロールコータを用いる方法、印刷法を用い
る方法等を用いることが可能である。この方法を用いる
ことにより比較的安価なシリコーン樹脂１１を用いて光
電変換面を保護することが可能であり、しかもシリコー
ン樹脂１１が遮断するため表面の保護機能を十分に発揮
することが可能となる。この方法においてもシリコーン
樹脂１１の厚さを制御することにより光電変換素子の腰
を強くすることが可能である。また、次の工程として表
面にふっ素樹脂コートを行ったり、保護フィルムを接着
することも可能である。モジュールへこの素子を組み込
む場合は、図１の実施例と同様に裏面側ではんだ付け等
の接続工程を終了した後に素子全体を再びラミネートし
保護することが可能となる。

【００１３】図５はこのような光電変換素子の製造装置
で、図３に示した装置との相違点は、表面の保護フィル
ム１０の代わりに、シリコーン溜め３３から供給される
シリコーン樹脂を用い、ロールコータ３４により光電変
換構造を形成した基板１の表面上に塗布する点である。
シリコーン樹脂１１を塗布したのち、基板１は対向する
ヒータ３５間を通されて加熱乾燥される。もちろん、ヒ
ータ３５の代わりに遠赤外線乾燥装置を用いてもよい。

【００１４】図４の実施例では表面保護にシリコーン樹
脂１１を用いたが、これをＥＶＡ等の接着性の樹脂を用
いて行うことも可能である。これは、図３の装置で保護
フィルム１０を用いないで、接着フィルム１９のみを重
ね合わせればよい。この際、加熱ロール２５への樹脂の
付着を防ぐためにロールの周辺をふっ素樹脂でコーティ
ングすると効果が見られる。この場合には、１００〜１
５０℃の比較的低温で一旦ＥＶＡを素子面に接着し、こ
の後に接続モジュール化工程等を行うことが可能とな
る。最終モジュール化工程において再びこのＥＶＡを熱
で溶かして接着用途に用いることもできる。

【００１５】図６ (ａ) 、 (ｂ) は本発明による光電変
換装置製造方法の別の実施例を示し、他の実施例と同様
に基板１上に透明電極４までの積層体を形成したのち、
真空を破ることなくスパッタリング法等を用いてパッシ
ベーション膜８を形成し〔同図 (ａ) 〕、そののちレー
ザ加工等の方法で下層と共にパターニングライン１２を
入れる〔同図 (ｂ) 〕。これにより、生産性を高めるこ
とが可能になる。

【００１６】次に本発明によるモジュールの製造の実施
例について述べる。図７は、モジュールに用いた光電変
換素子で、基板１の貫通孔５１、５２は各層の成膜前に
明けられ、貫通孔内の接続導体は成膜時にその貫通孔５
１あるいは５２に入り込む裏面電極層２あるいは接続電
極層７によって形成され、それらの間の短絡を防ぐため
の分離部１３、１４が設けられている。

【００１７】図８ (ａ) 〜 (ｄ) はこの素子を用いての
モジュール組立工程を示し、まず図８ (ａ) では、透明
フィルム１０上にＥＶＡやポリオレフィン系の樹脂など
の熱を加えることにより接着性を有する樹脂９を置き、
その上に複数個の光電変換素子４０を任意の位置に配置
した後、その表面をフィルム１５で覆い、１５０℃以下
程度の温度で加熱し、透明フィルム１０を素子４０上に
圧着する。フィルム１５はこの工程が終わったのち、素
子４０および樹脂９から容易に剥離可能な材料からな
り、この実施例ではふっ素樹脂系フィルムを用いた。接
着のための加熱温度は光電変換素子４０の耐熱性などの
観点から１５０℃以下が好ましい。すなわち、あまり高
い温度で実施すると光電変換素子２０のｐ−ｉ−ｎ接合
面、半導体／電極界面の拡散などにより光電変換素子４
０自体の出力特性が低下してしまうからである。次い
で、図８ (ｂ) に示すようにフィルム１５を剥離する。
フィルム６は上述のようにふっ素樹脂系フィルムが用い
られているため、容易にＥＶＡ樹脂などから剥離可能で
ある。こうすることにより光電変換素子４０の接続電極
層７が表面に現れ、容易に光電変換素子４０間の直並列
の接続を行うことが可能となる。このように光電変換素
子４０の接続電極層７を露出させた後、図８ (ｃ) に示
すように導電性を有する樹脂１６を用いてスクリーン印
刷法により光電変換素子４０間の接続を行う。導電性を
有する樹脂１６は、硬化温度が１５０℃程度以下で硬化
し、かつ外部へのリード線取り出しのためにはんだ付け
可能なペーストであれば良い。硬化温度は先に述べた理
由で１５０℃以下程度が望ましい。また、光電変換素子
２０の直並列接続を変更する場合はスクリーンのパター
ンを任意に作製しておき、スクリーンを変更すれば可能
であることはいうまでもない。このようにして光電変換
素子２０間の直並列接続を行った後、図８ (ｄ) に示す
ようにＥＶＡやポリオレフィン系の樹脂などの熱を加え
ることにより接着性を有する樹脂９を置き、その上にＡ
ｌ箔入りの複合高分子フィルムなど耐候性に優れたフィ
ルム１７を重ね、１５０℃以下程度で加熱、圧着を行
い、モジュールの背面側の保護を行う。

【００１８】本方法により光電変換素子４０間を接続す
る前に、複数の光電変換素子を任意の位置に配置した形
で受光面を保護してしまうことが可能となり、素子間の
接続時に素子をいためることがなくなり良品率の低下を
防ぐことが可能となった。また素子間の接続を導電性を
有した樹脂で行うことができるので、容易に素子相互の
直並列接続を行うことが可能となる。

【００１９】図９ (ａ) 〜 (ｃ) に示す別の実施例で
は、基板１の背面に設けられる接続電極層にも、貫通孔
を通る接続導体にもスクリーン印刷による導電性樹脂を
用いている点である。すなわち、基板１の背面に接続電
極層を形成しない光電変換素子４１、４２を接着性樹脂
９の下に配置し、基板１の貫通孔５７を導電性樹脂１８
で埋める〔図９ (ａ) 〕。次に基板１の背面上に導電性
樹脂１６を印刷し、裏面電極層２および透明電極層４と
接続される接続電極層および素子４１、４２間の接続導
体を形成する〔図９ (ｂ) 〕。そして、図８ (ｄ) と同
様に耐候性フィルム１７により基板背面側の保護を行う
〔図９ (ｃ) 〕。なお、図９の実施例では貫通孔５２を
通る接続導体に導電性樹脂１８を用いているが、図７と
同様に貫通孔内を電極層の延長部を入り込ませた光電変
換素子を用いることもできる。この実施例の方法では、
接続電極層をスパッタリング法などを用いて形成する必
要がなく、工程の大幅な簡略化が可能となった。

【００２０】

【発明の効果】本発明によれば、可とう性の絶縁性基板
上に形成された薄膜光電変換素子に、電極層への接続を
基板に開けられた貫通孔を介して基板裏面側の電極層で
行う素子を用いることにより光電変換素子間で接続をす
る前に、受光面を保護してしまうことが可能となり、ボ
ンディング工程前の運搬時やモジュールへの組み込み
時、そしてボンディング時に発生する不良を大幅に減少
させることが可能となった。

【００２１】そのほか、素子間への接続にスクリーン印
刷できる導電性樹脂を用いることが容易になり、保護被
覆により基板の補強ができるなど、得られる効果が大き
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の薄膜光電変換装置の断面図

【図２】本発明の別の実施例の薄膜光電変換装置の断面
図

【図３】図２の薄膜光電変換装置の製造装置の側面図

【図４】本発明の別の実施例の薄膜光電変換装置の断面
図

【図５】図４の薄膜光電変換装置の製造装置の側面図

【図６】本発明の一実施例の薄膜光電変換装置の製造工
程を (ａ) 、 (ｂ) の順に示す断面図

【図７】本発明の別の実施例に用いる薄膜光電変換素子
の断面図

【図８】本発明の別の実施例の薄膜光電変換装置の製造
工程を (ａ) 、 (ｂ) 、 (ｃ)、 (ｄ) の順に示す断面
図

【図９】本発明の別の実施例の薄膜光電変換装置の製造
工程を (ａ) 、 (ｂ) 、 (ｃ)の順に示す断面図

【符号の説明】

１可とう性絶縁基板２裏面電極層３非晶質光電変換層４透明電極層５１、５２貫通孔６１、６２接続導体７接続電極８パッシベーション膜９接着性樹脂１０透明絶縁フィルム１１シリコーン樹脂１６導電性樹脂１７耐候性フィルム１８導電性樹脂４０、４１、４２光電変換素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可とう性の絶縁性基板の一面上に光電変換
層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対
側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に第三
電極層が設けられ、第三電極層が第二電極層と基板、第
一電極層および半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一
電極層と実質的に絶縁された導体により接続され、第三
電極層の第二電極層と接続される領域とは分離された領
域が、第一電極層と、少なくとも基板を貫通する接続孔
を通じ、その第一電極層と半導体層をはさんで対向する
第二電極層の領域と実質的に絶縁された導体により接続
された薄膜光電変換素子よりなるものにおいて、第二電
極層の反基板側に保護被覆を備えたことを特徴とする薄
膜光電変換装置。
【請求項２】保護被覆が薄膜光電変換素子の側面を基板
面に達するまで被覆する請求項１記載の薄膜光電変換装
置。
【請求項３】保護被覆が透明絶縁性で水分の透過を防ぐ
膜である請求項１あるいは２記載の薄膜光電変換装置。
【請求項４】透明絶縁性で水分の透過を防ぐ膜がＳｉＮ
_x、ＳｉＯ_x、ＳｉＯ_xＮ_y、ＳｉＣ_xＯ_y、非晶質Ｓ
ｉＮ_x：Ｈ、非晶質ＳｉＯ_x：Ｈ、非晶質ＳｉＯ
_xＮ_y、非晶質ＳｉＣ_xＯ_yおよび非晶質ＳｉＣ_x：Ｈ
のいずれかよりなる請求項３記載の薄膜光電変換装置。
【請求項５】保護被覆がシリコーン樹脂よりなる請求項
１あるいは２記載の薄膜光電変換装置。
【請求項６】保護被覆が高温で軟化する接着性樹脂より
なる請求項１あるいは２記載の薄膜光電変換装置。
【請求項７】保護被覆が透明絶縁性フィルムおよびその
フィルムと光電変換素子の間を充填する樹脂層よりなる
請求項１あるいは２記載の薄膜光電変換装置。
【請求項８】透明性の絶縁性フィルムと薄膜光電変換素
子の間を充填する樹脂層が高温で軟化する接着性樹脂よ
りなる請求項７記載の薄膜光電変換装置。
【請求項９】接着性樹脂の軟化温度が１５０℃以下であ
る請求項６あるいは８記載の薄膜光電変換装置。
【請求項10】薄膜光電変換素子の第三電極層と金属配線
がろう付けによって接続された請求項１ないし９のいず
れかに記載の薄膜光電変換装置。
【請求項11】薄膜光電変換素子の第三電極層と導電線樹
脂よりなる配線が接続された請求項１ないし９のいずれ
かに記載の薄膜光電変換装置。
【請求項12】導電性樹脂の硬化温度が１５０℃以下であ
る請求項11記載の薄膜光電変換装置。
【請求項13】可とう性の絶縁性基板の一面上に光電変換
層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対
側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に第三
電極層が設けられ、第三電極層が第二電極層と基板、第
一電極層および半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一
電極層と実質的に絶縁された導体により接続され、第三
電極層の第二電極層と接続される領域とは分離された領
域が、第一電極層と、少なくとも基板を貫通する接続孔
を通じ、その第一電極層と半導体層をはさんで対向する
第二電極層の領域と実質的に絶縁された導体により接続
された薄膜光電変換素子の複数個の第三電極層側の表面
にフィルムを共通に接触させ、第二電極層側の表面を被
覆する透明絶縁性フィルムと前記フィルムの間に接着性
樹脂を充填した後、第三電極層側のフィルムを剥離する
工程と、その工程後露出した第三電極層に配線を接続す
る工程とを含むことを特徴とする薄膜光電変換装置の製
造方法。
【請求項14】可とう性の絶縁性基板の一面上に光電変換
層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対
側に第二電極層を有する素子領域の複数個を形成する工
程と、基板、第一電極層および半導体層を貫通し第二電
極層に達する第一の接続孔を開ける工程と、基板を通じ
第一電極層に達する第二の接続孔を開ける工程と、第一
の接続孔を通じ第一電極層と実質的に絶縁物に絶縁され
た導体の一端を第二電極層に接触させ他端を基板の他面
側に露出させる工程と、第二の接続孔を通じ対向する第
二電極層と実質的に絶縁された導体の一端を第一電極層
に接触させ、他端が基板の他面側に露出させる工程と、
複数の基板の他面にフィルムを共通に接触させ、第二電
極層側の表面を被覆する透明絶縁性フィルムと前記フィ
ルムの間に接着性樹脂を充填した後、基板他面側のフィ
ルムを剥離する工程と、接続孔を通ずる導体の露出部に
導電性樹脂よりなる配線を接触させて接続する工程とを
含むことを特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。
【請求項15】配線を形成後、配線を覆う接着性樹脂層を
介して耐候性フィルムを透明絶縁性フィルムと反対側の
面に備える請求項13あるいは14記載の薄膜変換装置の製
造方法。
【請求項16】可とう性絶縁性基板の一面上に光電変換層
である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側
に第二電極層を設け、その表面を保護被覆で覆ったの
ち、保護被覆と共に第二電極層、半導体層および第一電
極層を分割して複数の薄膜光電変換素子領域を形成する
ことを特徴とする薄膜変換装置の製造方法。