JP3889470B2 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

太陽電池およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3889470B2
JP3889470B2 JP05945197A JP5945197A JP3889470B2 JP 3889470 B2 JP3889470 B2 JP 3889470B2 JP 05945197 A JP05945197 A JP 05945197A JP 5945197 A JP5945197 A JP 5945197A JP 3889470 B2 JP3889470 B2 JP 3889470B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal foil
substrate
solar cell
output terminal
lead wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP05945197A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10256578A (ja
Inventor
孝裕 羽賀
信夫 塙平
博幸 森
正典 加地
雅義 小野
昌人 西国
良信 高畠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP05945197A priority Critical patent/JP3889470B2/ja
Priority to US09/038,134 priority patent/US6133521A/en
Publication of JPH10256578A publication Critical patent/JPH10256578A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3889470B2 publication Critical patent/JP3889470B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/049Protective back sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、太陽電池素子からの出力を取り出すための太陽電池出力領域の構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の太陽電池出力領域には、図9に示す構造が採用されており、以下の方法で製造される。図において、301は樹脂材料からなる絶縁基板であり、この基板301上に導電性ペ−スト302、金属電極層303、アモルファスシリコン半導体層304、透明導電膜層305、導電性ペースト306及び銅ペースト307(厚さ約10〜50μm)が積層形成され、この部分が太陽電池の出力端子300として機能する。その後、この太陽電池の出力端子300を通って、基板301を貫通する開穴308を設ける。そして、銅ペースト307上において、開穴308を被う金属箔309(厚さ約50〜3000μm)を半田層310(約100〜1000μm)を介して半田付けする。
【0003】
次に、出力端子300を含む基板301上に熱可塑性樹脂からなる接着層(図示せず)が片面に被着されたフィルム体からなる保護樹脂膜311を、熱圧着して形成する。その後、太陽電池全体を裏返して、開穴308内において、半田312を介して、リード線313を金属箔309に半田付けする。以上の工程で、従来の太陽電池出力端子領域が完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の太陽電池出力領域には、以下の問題点がある。
▲1▼太陽電池全体を裏返して、リード線313を金属箔309に半田付けするとき、半田の熱が金属箔309に伝達し、金属箔309に被着した保護樹脂膜311が熱で溶融する。
▲2▼半田層310及び金属箔309からなる積層体の厚さ、半田層310、金属箔309及び銅ペースト307からなる積層体の厚さが大きいので、この部分(図9においてXと示す)の段差が大きく、保護樹脂膜311が剥離し易い。この剥離は、太陽電池の受光面側に位置するので、外観上望ましくない。
▲3▼太陽電池の発電面積を拡大するために、非発電部分である開穴308は小さいほど望ましいものの、小さい開穴308内でのリード線313の半田付けは作業性が悪い。
【0005】
本発明はこのような問題点を解決するために成されたものであり、太陽電池素子からの出力を基板の裏面側に導くものであって、リード線を半田付けしても保護樹脂膜の溶融がなく、保護樹脂膜の剥離がなく、半田付けの作業性が良好な太陽電池出力領域、その製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板の表面上に形成された太陽電池素子に電気的に接続された出力端子と、前記出力端子及びこの下に位置する前記基板を貫通する開穴と、前記基板の裏面上において、前記開穴を被う金属箔と、前記出力端子と前記金属箔とを電気的に接続する前記開穴内に配置される導電材料と、前記基板の裏面側において、前記金属箔上に半田を介して接続されたリード線とを備え、前記リード線は前記金属箔上において、前記導電材料下でない位置に接続されることを特徴とする。
【0007】
【実施例】
以下に、本発明の第1実施例である太陽電池について、図1〜5を用いて詳細に説明する。図1は、本実施例の製造途中を示す図であり、特開平7−231015号公報に開示の内容と、同様の内容である。図において、10は可撓性を有するポリイミド等の耐熱性樹脂からなるフィルムの基板で、厚さ約10〜2000μmである。
【0008】
50a〜50cは基板10上に形成された複数の発電領域、60a〜60cは基板10上の発電領域50a〜50c毎に分割配置された第1電極層である。これら第1電極層50a〜50cは、厚さ約0.1〜1.0μmで、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の単層構造、又は、基板10側よりアルミニウム/チタンの積層構造、基板10側よりタングステン/アルミニウム/チタンの積層構造等の金属膜からなり、基板10上に金属膜を全面形成した後レーザビームを照射して、発電領域50a〜50c間及び発電領域50cの右端に分割溝71(幅約20〜100μm)を、更に、基板10の外周部内側近傍の全周に外周溝72(幅約20〜100μm)を形成することにより分割配置されたものである。
【0009】
81は分割溝71にこの両側の金属膜にまたがって配置された絶縁ペースト、82は外周溝72にこの両側の金属膜にまたがって配置された絶縁ペースト、83は第1電極層60a〜60c各々の左端でこれら各々の上に形成された絶縁ペーストである。これら絶縁ペースト81、82、83は、ポリイミド、又は、フェノ−ル系のバインダーに二酸化シリコン等の無機材料の粉末(粒径約1.5〜7.0μm)を含むもので、スクリーン印刷法によりパタ−ニングされた後、250〜300℃で焼成され、高さ約10〜50μm、幅約0.4〜0.6mmに形成される。
【0010】
90a〜90cは第1電極層60a〜60c上に分割配置されたアモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をpnまたはpinに積層した半導体光活性層(厚さ約0.3〜1.0μm)、100a〜100cは半導体光活性層90a〜90c上に分割配置された酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2)等の透明 導電膜からなる第2電極層(厚さ約0.3〜1.0μm)で、全面形成された半導体光活性層上に透明導電膜を全面形成して、絶縁ペースト82、83上にレーザビームを照射して、分割溝102、103を形成することより、半導体光活性層90a〜90c、第2電極層100a〜100cを各々分割配置する。
【0011】
また、各発電領域50a〜50cは、隣り合う発電領域と電気的接続を行うために、第1電極層60b、60cの左端で、第1電極層60b、60cと基板10との間に銀ペースト等からなる導電ペースト110b、110cを配置している。これら導電ペースト110b、110c上に配置した半導体光活性層90a、90b、及び第2電極層100a、100b上からレーザビームを照射することにより、導電ペースト110b、110cと、第2電極層100a、100bが各々溶着され電気的に接続され、各発電領域50a〜50cに対応した各太陽電池素子が直列に接続される。ここで、導電ペースト110b、110cは、ポリイミド又はフェノール系のバインダーに銀、ニッケル又はアルミニウム等の粉末(粒径約3〜7μm)を含むもので、スクリーン印刷によりパターニングされた後、250〜300℃で焼成され、高さ約10〜50μm、幅約0.4〜0.6mmに形成される。
【0012】
120は、発電領域50a〜50cの配列方向に平行な複数の枝部分121とこれら枝部分121の右端で連続している幹部分122からなる集電極で、この幹部分122は導電ペースト110b、110cの上方に位置して、帯状である。また、右端に位置する集電極120の幹部分は、後述する出力端子130cが兼用している。
【0013】
次に、配列方向の左端に位置する太陽電池出力領域において、60atは第1電極層60aより延出する第1電極延出部、110atは第1電極延出部60atと基板10との間に配置され、左辺と平行に延在する帯状の導電ペーストである。90atは導電ペースト110atの上方に形成された半導体光活性層と同一工程、同一材料で形成された半導体膜、100atは半導体膜90at上に形成されたこれとほぼ同一形状であり、第2電極層と同一工程、同一材料で形成された透明導電膜からなる第2電極パッドである。ここで、導電ペースト110atと第2電極パッド100atは、電気的接続を取るために、第2電極パッド100at上よりレーザービームを照射して溶着されている。130aは、第2電極パッド100at上に形成された左辺と平行に延在する導電ペーストからなる出力端子であり、上記の導電ペースト110b、110cと同一材料、同一の形成方法である。
【0014】
一方、配列方向の右端に位置する太陽電池出力領域において、60ctは発電領域50cの第1電極膜3cの右側に位置する島状の第1電極パッド、110ctは第1電極パッド60ctと基板10との間に配置され、右辺と平行に延在する帯状の導電ペーストである。90ctは半導体光活性層90cから延在し、導電ペースト60ctの上方に形成された半導体膜、100ctは第2電極層100cから延在し、半導体膜90ct上に形成された第2電極延出部である。ここで、電気抵抗を下げ集電効率を向上させるために、導電ペースト110ctと第2電極延出部100ctとは、第2電極延出部100ct上よりレーザービームを照射して溶着され、電気接続している。130cは、第2電極延出部100ct上に形成された左辺と平行に延在する帯状の導電ペーストからなる出力端子であり、上記の導電ペースト110b、110cと同一材料、同一の形成方法である。
次に、本発明の特徴である太陽電池出力領域の製造方法について、以下に説明する。図2〜5は、太陽電池の左下に位置する太陽電池出力領域の製造工程を説明する図であり、右下の太陽電池出力領域の製造工程もこれと同一であるので、省略する。
【0015】
図2に示す工程においては、太陽電池の出力端子130aを通って、基板10を貫通する略円形(直径約1mm)の開穴210を設ける。
【0016】
次に、図3に示す工程においては、基板10の裏面側において、開穴210を被う矩形状の金属箔220を設置し、これを被うように矩形状の粘着テープ230を配置して、金属箔220を固定する。この粘着テープ230は、膜厚約30μmのポリエチレンテレフタレ−トフィルム(=PET)の片面に粘着層を有するもので、透明である。ここで、金属箔220は、表面が半田めっきされた銅からなり、半田めっきの厚さは約2μm、金属箔220のトータル膜厚は約80μmである。また、金属箔は厚さが約50〜3000μmのものが採用可能である。
【0017】
そして、基板10表面側より、開穴210内に導電ペーストからなる導電材料240を配置することによって、出力端子130aと金属箔220とを電気的に接続する。ここで導電材料240は、上記の導電ペースト110b、110cと同一材料であり、ディスペンサ−にて配置される。
【0018】
次に、図4に示す工程において、太陽電池上の全面、基板10の裏面全面に、フィルム状の透明な表面保護樹脂膜251、裏面保護樹脂膜252を形成する。この保護樹脂膜251、252は、ポリエチレンテレフタレ−ト(PET)、フッ素樹脂材料等からなる厚さ約25〜1000μmのフィルム体であり、熱可塑性樹脂からなる接着層(図示せず)が片面に被着されており、熱ローラ間を通過させることによって、表面樹脂保護膜251、裏面樹脂保護膜252を同時にラミネ−トして形成する。また、このラミネート法に代わって、加熱しながら真空中で圧着する真空熱圧着法を用いて形成してもよい。そして、接着層としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体(=EVA)、ポリビニルブチラ−ル(=PVB)等を利用することができる。
【0019】
また、基板10の外周部からの水分進入を低減するため、表面保護樹脂膜251、裏面保護樹脂膜252を基板10よりも大面積として、基板10の外側で両保護樹脂膜同士が密着する構造としてもよい。
【0020】
次に、図5に示す工程においては、基板10の裏面側において、金属箔220上で、導電材料240下でない位置の裏面保護樹脂膜252に、半田ごてを当てながら半田を溶かすことにより、この部分の裏面保護膜252、粘着テープ230の材料を溶融させ、蒸発又は除去して、リード線用開穴253を設けると同時に、半田部材260を形成する。その後あるいは半田部材260を形成すると同時に、この半田部材260に、リード線270を半田付けすることにより、本実施例は完成する。
【0021】
以上の本実施例においては、導電材料240下でない位置の金属箔220上に、リード線270が半田付けされているので、半田付け作業時の振動、衝撃が直接、金属箔220と導電材料240との結合界面に伝わることがないので、ここで結合が破壊されることなく、従って、導通不良となることもない。また、仮に、導電材料下の位置の金属箔にリード線を半田付けするなら、金属材料を含む導電材料、金属箔は熱伝導が良好なので、熱が表面側の表面保護樹脂膜に伝わって、表面保護樹脂膜が溶融することが危惧されるが、本実施例では、導電材料240下でない位置の金属箔220上にリード線270が半田付けされているので、半田の熱が表面保護樹脂膜251まで伝わることが少ない。
【0022】
また、本実施例においては、基板10裏面側に金属箔220が粘着テープ230により固定されているので、従来の技術のように金属箔を半田層(約100〜1000μm)を介して半田付けする場合より、本実施例の金属箔220による段差部(図においてYと示す)は小さく、この段差部Yにより、裏面保護樹脂膜252が剥離することは少ない。更に、本実施例においては、段差部Yに粘着テープ230が配置されて、この段差部Yを埋めることになるので、この部分での裏面保護樹脂膜252の剥離が少ない。
【0023】
また、本発明の第2実施例を、図6を用いて説明する。なお、第1実施例と同一のものについては説明を省略し、相違するものについてのみ説明する。本実施例は、第1実施例とは違う金属箔220の固着方法を開示するもので、図において、金属箔220は、導電材料240と接触する部分を除いて、接着層280を介して、基板10に固着されている。なお、本実施例においては、金属箔220及び接着層280からなる積層体による段差部(図においてZと示す)ができるが、裏面保護樹脂膜252の接着層と、基板10が同じ樹脂同士なので密着力が良好で、この段差部Zによる裏面保護樹脂膜252の剥離は発生しにくい。
【0024】
更には、本発明の第3実施例を、図7〜8を用いて説明する。なお、第1実施例と同一のものについては説明を省略し、相違するものについてのみ説明する。また、左端の太陽電池出力領域と、右端の太陽電池出力領域とは構造が同一であるので、図8にて左端の太陽電池出力領域の断面構造のみを説明する。図7に示すように、基板10の側辺と平行に延在するする出力端子130a、130c各々において、3ケ所に基板10を貫通する開穴211を設けてある。基板10の裏面側において、開穴211を被い、出力端子130a、130cと略同一の長さの帯状の金属箔221を設置し、これを被うように帯状の粘着テープ231を配置して、金属箔221を固定している。以上の構造により、電気抵抗が小さい金属箔221が複数の導電材料241を通じて出力端子130a、130cと電気接続することになるので、抵抗損失を低減することができ、効率良く出力を取り出すことができる。また、たとえ一部の導電材料241と金属箔221との電気接続が不良となっても、残りの導電材料241と金属箔221との電気接続が良好であれば、出力を取り出すことができる。
【0025】
【発明の効果】
本発明は、以上の構成であり、基板表面上の出力端子からの出力を、裏面側より取り出すことができる。
【0026】
そして、金属箔が基板の裏面側に設置されていることより、リード線を金属箔上に半田付けするとき、表面側の保護樹脂膜が熱で溶融することはない。
【0027】
また、出力端子の表面上には金属箔がなく、従って、本明細書の従来の技術で記載した金属箔の段差により表面保護樹脂の剥離が発生せず、外観が良好である。
【0028】
更に、リード線を金属箔上のいずれかの場所に半田付けするだけなので、本明細書の従来の技術で記載したように半田付け場所が限られることなく、半田付けの作業性が良い。そして、半田付けの作業を更に容易にするために、金属箔を大面積のものにしても、金属箔が裏面側に配置されているので、表面側の太陽電池の発電面積が小さくなることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の第1製造工程を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけるA−A断面図、(c)は(a)におけるB−B断面図である。
【図2】本発明の第1実施例の第2製造工程を示す図であり、(a)は要部平面図、(b)は要部背面図、(c)は(a)におけるA−A断面図である。
【図3】本発明の第1実施例の第3製造工程を示す図であり、(a)は要部平面図、(b)は要部背面図、(c)は(a)におけるA−A断面図である。
【図4】本発明の第1実施例の第4製造工程を示す要部断面図である。
【図5】本発明の第1実施例の第5製造工程を示す要部断面図である。
【図6】本発明の第2実施例示す要部断面図である。
【図7】本発明の第3実施例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は背面図である。
【図8】図7のA−A拡大断面図である。
【図9】従来の太陽電池出力領域を示す断面図である。
【符号の説明】
10 基板
130a、130c 出力端子
210、211 開穴
220、221 金属箔
240、241 導電材料
251 表面保護樹脂膜
270 リード線

Claims (4)

  1. 基板の表面上に形成された太陽電池素子に電気的に接続された出力端子と、
    前記出力端子及びこの下に位置する前記基板を貫通する開穴と、
    前記基板の裏面上において、前記開穴を被う金属箔と、
    前記出力端子と前記金属箔とを電気的に接続する前記開穴内に配置される導電材料と、
    前記基板の裏面側において、前記金属箔上に半田を介して接続されたリード線とを備え、
    前記リード線は前記金属箔上において、前記導電材料下でない位置に接続されることを特徴とする太陽電池。
  2. 前記金属箔を含めて前記基板の裏面を被覆する保護樹脂膜を具備し、
    前記リード線が設けられる箇所の前記保護樹脂膜は除去されることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  3. 基板の表面に形成された太陽電池素子と電気的に接続された出力端子および前記基板を貫通する開穴を設ける工程と、
    前記基板の裏面上において、前記開穴を被う金属箔を設置する工程と、
    前記開穴内に導電材料を配置して前記出力端子と前記金属箔とを電気的に接続する工程と、
    前記基板の裏面側において、前記導電材料下でない位置の前記金属箔上に、リード線半田を介して接続する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
  4. 前記金属箔を含めて前記基板の裏面は保護樹脂膜により被覆され、
    前記リード線を接続する工程では、
    前記金属箔を被覆する前記保護樹脂膜を溶融させながら、前記リード線を前記金属箔に接続することを特徴とする請求項3記載の太陽電池の製造方法。
JP05945197A 1997-03-13 1997-03-13 太陽電池およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3889470B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05945197A JP3889470B2 (ja) 1997-03-13 1997-03-13 太陽電池およびその製造方法
US09/038,134 US6133521A (en) 1997-03-13 1998-03-11 Solar battery output section and its method of manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05945197A JP3889470B2 (ja) 1997-03-13 1997-03-13 太陽電池およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10256578A JPH10256578A (ja) 1998-09-25
JP3889470B2 true JP3889470B2 (ja) 2007-03-07

Family

ID=13113685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05945197A Expired - Fee Related JP3889470B2 (ja) 1997-03-13 1997-03-13 太陽電池およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6133521A (ja)
JP (1) JP3889470B2 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3443029B2 (ja) 1999-03-30 2003-09-02 鐘淵化学工業株式会社 太陽電池モジュール及び発電装置並びに太陽電池モジュールの製造方法
JP2000286436A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池出力領域の製造方法
JP4009891B2 (ja) * 1999-11-17 2007-11-21 富士電機ホールディングス株式会社 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
JP4090188B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 三洋電機株式会社 光起電力装置及びその製造方法
DE10225140A1 (de) * 2002-05-29 2003-12-11 Wuerth Solar Gmbh & Co Kg Solarmodul
EP1411556A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-21 VHF Technologies SA Photovoltaic product and process of fabrication thereof
US7829781B2 (en) * 2004-06-01 2010-11-09 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module architecture
US20060263686A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Medtronic, Inc. Lithium battery manufacturing method
EP1732140A1 (de) * 2005-06-06 2006-12-13 Alcan Technology & Management Ltd. Flexibles Substrat mit Photovoltaik-Zellen und daraus hergestelltes Modul
US20080023065A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Borden Peter G Thin film photovoltaic module wiring for improved efficiency
US20090139567A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Philip Chihchau Liu Conformal protective coating for solar panel
WO2009112503A1 (en) * 2008-03-11 2009-09-17 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Solar module
JP5191406B2 (ja) * 2009-01-16 2013-05-08 シャープ株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
CN102460729B (zh) * 2009-06-25 2014-05-07 三洋电机株式会社 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法
CN102630347B (zh) * 2009-11-05 2016-03-02 三菱电机株式会社 薄膜太阳能电池模块及其制造方法
US20120118369A1 (en) * 2010-10-15 2012-05-17 Justin Hedtke Solar cell architecture having a plurality of vias with shaped foil via interior
KR101189368B1 (ko) * 2011-01-24 2012-10-09 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 태양전지 제조방법
PL2618381T3 (pl) * 2012-01-18 2014-10-31 Eppstein Tech Gmbh Układ zespolony do zastosowania fotowoltaicznego ze stroną tylną z folii metalowej
DE102012206841B4 (de) * 2012-04-25 2014-04-10 Dimitra von der Weth Gefäß zur Zubereitung von Speisen
CN102709336A (zh) * 2012-04-27 2012-10-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种背接触太阳能电池片的背面电极结构
FR2993087B1 (fr) * 2012-07-06 2014-06-27 Wysips Dispositif pour ameliorer la qualite d'une image recouverte d'un film photovoltaique semi-transparent
KR20150031884A (ko) * 2013-09-17 2015-03-25 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈
CN106206822A (zh) * 2016-09-09 2016-12-07 山东拜科通新材料科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3770565A (en) * 1972-01-05 1973-11-06 Us Navy Plastic mounting of epitaxially grown iv-vi compound semiconducting films
JPS60123073A (ja) * 1983-12-08 1985-07-01 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池
US4754544A (en) * 1985-01-30 1988-07-05 Energy Conversion Devices, Inc. Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays
JPH02181475A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セル及びその製造方法
US5296043A (en) * 1990-02-16 1994-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Multi-cells integrated solar cell module and process for producing the same
JP2755281B2 (ja) * 1992-12-28 1998-05-20 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
JPH07231015A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3618802B2 (ja) * 1994-11-04 2005-02-09 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JP3239657B2 (ja) * 1994-12-28 2001-12-17 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6133521A (en) 2000-10-17
JPH10256578A (ja) 1998-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3889470B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
US10056504B2 (en) Photovoltaic module
EP0482511B1 (en) Integrated photovoltaic device
TWI390747B (zh) 使用單石模組組合技術製造的光伏打模組
US5133810A (en) Flexible photovoltaic device and manufacturing method thereof
US20120204938A1 (en) Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
JPH07231015A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20080236655A1 (en) Solar module manufacturing processes
US20090032087A1 (en) Manufacturing processes for light concentrating solar module
JP3613851B2 (ja) 集積化薄膜太陽電池
US6471816B1 (en) Method of solar battery output section fabrication
JPH0799334A (ja) 光起電力素子及びモジュール
JP3819507B2 (ja) 光起電力装置及びその製造方法
WO2010150675A1 (ja) 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
JP3006711B2 (ja) 太陽電池モジュール
JPH07263733A (ja) 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP3111813B2 (ja) 可撓性太陽電池モジュールの製造方法
JP2013211286A (ja) 配線基板、太陽電池モジュール、及び配線基板の製造方法
JP2002141535A (ja) 太陽電池モジュールの電力リード引き出し方法
US20230178669A1 (en) Photovoltaic string and associated methods
JPH07297432A (ja) 薄膜太陽電池モジュール
JPH09237911A (ja) 太陽電池モジュール
JP2578424Y2 (ja) 光起電力装置
JP2004319615A (ja) 太陽電池モジュール
JP2001237444A (ja) 薄膜光電変換装置の配線接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050721

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061027

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061130

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131208

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees