JPH02181475A - 太陽電池セル及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池セル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02181475A JPH02181475A JP1001510A JP151089A JPH02181475A JP H02181475 A JPH02181475 A JP H02181475A JP 1001510 A JP1001510 A JP 1001510A JP 151089 A JP151089 A JP 151089A JP H02181475 A JPH02181475 A JP H02181475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor layer
- layer
- electrodes
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 30
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000009747 swallowing Effects 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は太陽電池セル及びその製造方法に関するもの
である。
である。
第１４図は「太陽光発電」（高槓潰、浜用圭弘。
後用昭雄編著、森北出版、 １９８０年）の１４７頁及
び３２３頁に開示された、従来の太陽電池セルを示す斜
視図である。同図に示すように、ｐ型シリコン１！１の
一方主面上にｎ＋電層が形成されており、このｎ 層
２上に集を極４が形成されている。集電極４は外部接続
用のバス電Ｎ！ ４ ａとクシ状のバー電極４ｂとから
構成され、（−）電極として機能する。また、ｎ＋電層
２上集電極４が形成されていない領域には反射防止ｗＡ
３が形成されている。
び３２３頁に開示された、従来の太陽電池セルを示す斜
視図である。同図に示すように、ｐ型シリコン１！１の
一方主面上にｎ＋電層が形成されており、このｎ 層
２上に集を極４が形成されている。集電極４は外部接続
用のバス電Ｎ！ ４ ａとクシ状のバー電極４ｂとから
構成され、（−）電極として機能する。また、ｎ＋電層
２上集電極４が形成されていない領域には反射防止ｗＡ
３が形成されている。
一方、ｐ型シリコン層１の他方主面上に（＋）電極とし
てｍ能する平面電極５が形成されている。
てｍ能する平面電極５が形成されている。
このような構成の太陽電池セル１０を複数個直列に接続
し、比較的大きな起電力が生じるように作製されたのが
第１５図で示すような太陽電池モジュールである。同図
に示すように、互いに隣接する一方の太陽ｆＨｍｌ−ル
１０の集電極４（バス電極４ａ）と他方の太陽電池セル
１０の平面電極５とを厚さ数十ミクロンの金Ｉｉ１箔６
により接続している。
し、比較的大きな起電力が生じるように作製されたのが
第１５図で示すような太陽電池モジュールである。同図
に示すように、互いに隣接する一方の太陽ｆＨｍｌ−ル
１０の集電極４（バス電極４ａ）と他方の太陽電池セル
１０の平面電極５とを厚さ数十ミクロンの金Ｉｉ１箔６
により接続している。
金属箔６は通常、銀箔が用いられ、同図に示すように、
２箇所折曲げられている。この金属箔６による接続方法
を以下に述べる。まず、金属箔６の一端を各太陽電池セ
ル１０の集電極４のバス電極４ａに溶接あるいは半日］
（＝Ｉ Ｇ）する。次にバス電極４ａに金属箔６が接
続された太陽電池セル１０を裏返して配列する。そして
、各金属ｅ６の他端をＶＭ接された太陽電池セル１０の
平面電極５に順次溶接または￥ｆｆｌ （＝１けする。
２箇所折曲げられている。この金属箔６による接続方法
を以下に述べる。まず、金属箔６の一端を各太陽電池セ
ル１０の集電極４のバス電極４ａに溶接あるいは半日］
（＝Ｉ Ｇ）する。次にバス電極４ａに金属箔６が接
続された太陽電池セル１０を裏返して配列する。そして
、各金属ｅ６の他端をＶＭ接された太陽電池セル１０の
平面電極５に順次溶接または￥ｆｆｌ （＝１けする。
このように金Ｖ４９Ｔｈ ｅにより直列に接続された太
陽電池セル１０群の両面を透明耐水性樹脂７で挟み、さ
らに透明耐水性樹脂７を、強化ガラス板８により挟む。
陽電池セル１０群の両面を透明耐水性樹脂７で挟み、さ
らに透明耐水性樹脂７を、強化ガラス板８により挟む。
最後に、空気の侵入を防ぎつつ樹脂軟化点以上に品温し
、太陽電池セル１０群、透明耐水性樹脂７及び強化ガラ
ス板８を密石させ、両端を金属枠９で挾み太陽電池モジ
ュールを作製する。
、太陽電池セル１０群、透明耐水性樹脂７及び強化ガラ
ス板８を密石させ、両端を金属枠９で挾み太陽電池モジ
ュールを作製する。
従来の太陽電池セルは以上のように構成されており、太
陽電池モジュールの作製に際し、金属箔６により互いに
隣り合う太陽電池セルの表面の集電極４と衷面の平面電
極５を接続する必要があった。
陽電池モジュールの作製に際し、金属箔６により互いに
隣り合う太陽電池セルの表面の集電極４と衷面の平面電
極５を接続する必要があった。
この金属箔６による接続作業は表面側と裏面側とで行わ
なければならないので煩雑であるという問題点があり、
ざらに表面の集電極４は突出して形成されているため、
金属箔６の平面電極５へのボンディング時（各太陽電池
セル２０は裏返しにされる）においては、各太陽電池セ
ル２０は集電４Ｎ！４のみによって支えられた不安定な
状態となり、金属箔６の平面電極５への十分なボンディ
ング強度を青にくいという問題点があった。
なければならないので煩雑であるという問題点があり、
ざらに表面の集電極４は突出して形成されているため、
金属箔６の平面電極５へのボンディング時（各太陽電池
セル２０は裏返しにされる）においては、各太陽電池セ
ル２０は集電４Ｎ！４のみによって支えられた不安定な
状態となり、金属箔６の平面電極５への十分なボンディ
ング強度を青にくいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、直列接続が容易かつ確実に行える太陽電池セ
ルを得ることを目的とする。
たもので、直列接続が容易かつ確実に行える太陽電池セ
ルを得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる太陽電池セルは、第１の１９電型の第
１の半導体層と、前記第１の半導体層の一方主面上に形
成された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第２の
半導体層上に形成された第１の電極と、前記第１の半導
体層の他方主面１に形成された第２の電極と、前記第１
の半導体層の一方主面上に前記第２の半導体層と絶縁し
て形成された接続用電極と、前記第１の半導体層の厚み
方向にかけて延設され、前記第２の電極と＋’＋ｆｆ記
ｔｉ続用電極とを電気的に接続するＳ電層とを備えて構
成されている。
１の半導体層と、前記第１の半導体層の一方主面上に形
成された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第２の
半導体層上に形成された第１の電極と、前記第１の半導
体層の他方主面１に形成された第２の電極と、前記第１
の半導体層の一方主面上に前記第２の半導体層と絶縁し
て形成された接続用電極と、前記第１の半導体層の厚み
方向にかけて延設され、前記第２の電極と＋’＋ｆｆ記
ｔｉ続用電極とを電気的に接続するＳ電層とを備えて構
成されている。
一方、この発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、第
１の導電型の第１のＹ導体層を準備づる■稈と、前記第
１の半導体層の−・力士面上に第２の導電型の第２の半
導体層を形成する■稈と、前記第２の半導体層上に第１
の電極を形成する工程と、前記第１の半導体層のＶみ方
向にか１ノで導電層を形成する工程と、前記第２の半導
体層が形成されていない前記第１の半導体層の一方主面
上に、前記導電層に電気的に接続され、前記第２の半導
体層から絶縁された接続用電極を形成する工程と、前記
第１の半導体層の他方主面上に前記′４電層と電気的に
接続された第２の電極を形成する工程とからなる。
１の導電型の第１のＹ導体層を準備づる■稈と、前記第
１の半導体層の−・力士面上に第２の導電型の第２の半
導体層を形成する■稈と、前記第２の半導体層上に第１
の電極を形成する工程と、前記第１の半導体層のＶみ方
向にか１ノで導電層を形成する工程と、前記第２の半導
体層が形成されていない前記第１の半導体層の一方主面
上に、前記導電層に電気的に接続され、前記第２の半導
体層から絶縁された接続用電極を形成する工程と、前記
第１の半導体層の他方主面上に前記′４電層と電気的に
接続された第２の電極を形成する工程とからなる。
この発明における太陽電池セルの第１の電極と接続用電
極は、共に第１の半導体層の一方主面上に形成されてい
るため、異なる太陽電池セルの第１の電極と接続用電極
との接続はセルの一方主面」二で行える。
極は、共に第１の半導体層の一方主面上に形成されてい
るため、異なる太陽電池セルの第１の電極と接続用電極
との接続はセルの一方主面」二で行える。
（実施例）
第１図はこの発明の第１の実施例である太陽電池セルを
示り′斜視図、第２図ｔよそのＩ−ＩＩｇｉ面図である
。
示り′斜視図、第２図ｔよそのＩ−ＩＩｇｉ面図である
。
第１図、第２図に示すように、新たに接続用電極１１が
、ｎ 層２が形成されていないｐ型シリコン層１の表面
上に、ｎ１層２と独立して形成されている。この接続用
電極１１は、導電層であるＱ通柱１２を介して、ｐ型シ
リコン層１の裏面上に形成された平面電極５に電気的に
接続されている。貫通柱１２は、その外周部あるいは全
体がメタライズされている。なお、従来と同じ箇所の説
明番９１省略する。
、ｎ 層２が形成されていないｐ型シリコン層１の表面
上に、ｎ１層２と独立して形成されている。この接続用
電極１１は、導電層であるＱ通柱１２を介して、ｐ型シ
リコン層１の裏面上に形成された平面電極５に電気的に
接続されている。貫通柱１２は、その外周部あるいは全
体がメタライズされている。なお、従来と同じ箇所の説
明番９１省略する。
第３図（ａ）〜（ａ）は各々第１の実施例の中休の太陽
電池セル２１の製造方法を示す断面図である。
電池セル２１の製造方法を示す断面図である。
以下、同図を参照しつつその製造方法について説明する
。
。
まず、第３図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン層１上
にｎ＋ＦＪ２及び反０・１防止膜３を積層１゛る。
にｎ＋ＦＪ２及び反０・１防止膜３を積層１゛る。
次にｎ” ＦＪ２及び反射防止膜３の一部をエツチング
により除去し、第３図（ｂ）に示すようにｐ型シリコン
層１の表面の一部１ａを露出ざＵる。
により除去し、第３図（ｂ）に示すようにｐ型シリコン
層１の表面の一部１ａを露出ざＵる。
そして、ｐ型シリコン層１の露出部１ａから所望の基板
厚（最終的に残されるべぎ基板厚）に相当する深さの小
孔１３を第３図（Ｃ）に示すように設ける。その後、反
射防止膜３の所定の領域をエツチング笠により除去する
。この除去された領域が電極形成領域となり、【げ層２
の電極形成領域上に集電極４を形成する。さらに小孔１
３の底面及び側面から露出部１ａの一部にかけて、スパ
ッタ法あるいは蒸着法によりメツキ下地層１４を第３図
（ｄ）に示すように形成する。
厚（最終的に残されるべぎ基板厚）に相当する深さの小
孔１３を第３図（Ｃ）に示すように設ける。その後、反
射防止膜３の所定の領域をエツチング笠により除去する
。この除去された領域が電極形成領域となり、【げ層２
の電極形成領域上に集電極４を形成する。さらに小孔１
３の底面及び側面から露出部１ａの一部にかけて、スパ
ッタ法あるいは蒸着法によりメツキ下地層１４を第３図
（ｄ）に示すように形成する。
そして、メツキ法により第３図（０）に示すように、小
孔１３全体を金属で埋め、量通柱１２を形成するととも
に、この貫通柱１２に連続して露出部１ａ上の下地層１
４上にも金属層からなる接続用電極１１を形成する。な
お、接続用電極１１の形成にスパッタ法、蒸着法を用い
てもよい。
孔１３全体を金属で埋め、量通柱１２を形成するととも
に、この貫通柱１２に連続して露出部１ａ上の下地層１
４上にも金属層からなる接続用電極１１を形成する。な
お、接続用電極１１の形成にスパッタ法、蒸着法を用い
てもよい。
その復、例えばエツチングによりｐ型シリコン層１を表
面から研磨し、第３図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコ
ン層１の裏面より下地層１４を露出させる。最後にｐ型
シリコン層１の裏面に、下地層１４と電気的接続して平
面電極５を形成し太陽電池セル２１が完成する。
面から研磨し、第３図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコ
ン層１の裏面より下地層１４を露出させる。最後にｐ型
シリコン層１の裏面に、下地層１４と電気的接続して平
面電極５を形成し太陽電池セル２１が完成する。
第４図は、第１の実施例の太陽電池セル２１の直列接続
状況を示す説明図である。同図において１５は金属リボ
ン、半田等の相互接続片である。
状況を示す説明図である。同図において１５は金属リボ
ン、半田等の相互接続片である。
同図に示すように、直列に配列した太陽電池セル２１の
バス電極４ａ上から接続用電極１１−Ｌにかけて、相互
接続片１５を配置し、相互接続片１５をバス電極４ａ及
び接続用電極１１に溶接あるいＧ、Ｉｔ ’ｌ’田伺け
している。表面に形成された接続用電極１１は貫通柱１
２を介して平面電極５に電気的に接続されているため、
相互接続片１５による隣接する太ｌｌｌ雷池セルの直列
接続はｐ型シリコン層１の表面上のみで行うことができ
る。このため、直列接続時の太陽電池セル２１は平面電
極５を下面として安定に据え付けられる。
バス電極４ａ上から接続用電極１１−Ｌにかけて、相互
接続片１５を配置し、相互接続片１５をバス電極４ａ及
び接続用電極１１に溶接あるいＧ、Ｉｔ ’ｌ’田伺け
している。表面に形成された接続用電極１１は貫通柱１
２を介して平面電極５に電気的に接続されているため、
相互接続片１５による隣接する太ｌｌｌ雷池セルの直列
接続はｐ型シリコン層１の表面上のみで行うことができ
る。このため、直列接続時の太陽電池セル２１は平面電
極５を下面として安定に据え付けられる。
その結果、接続作業は非常に簡便となる。また、従来の
ように太陽電池セル２１を尖返し、集電極４のみにより
支えられた不安定な状態での接続作業は行われないため
、接続箇所の剥離、クラックの発り１等の問題もなく信
頼性が向上する。な、１３、接続用電Ｎｉ１１と反対側
にお【ノる平面電極５の端部は削られているため、直列
接続時に隣接する太陽電池セルの平１７ｉｌ電極５が短
絡することはない。
ように太陽電池セル２１を尖返し、集電極４のみにより
支えられた不安定な状態での接続作業は行われないため
、接続箇所の剥離、クラックの発り１等の問題もなく信
頼性が向上する。な、１３、接続用電Ｎｉ１１と反対側
にお【ノる平面電極５の端部は削られているため、直列
接続時に隣接する太陽電池セルの平１７ｉｌ電極５が短
絡することはない。
第５図はこの発明の第２の実施例である太陽電池セル２
２を示す斜視図、第６図はそのト］断面図である。第５
図、第６図に示すように、接続用電極１６がｐ型シリコ
ンＦ１１の一方の側面全体から露出部１ａにかけて形成
されている。この接続用？１！極１６は平面電極５に電
気的に接続され、ｎ＋層２とは独立して形成されている
。ｐ型シリコン層１の側面Ｆの接続用電極１６の部分は
、前記第１の実施例の貫通柱１２と同様、ｐ型シリコン
層１の露出部１ａ上の接続用電極１６の部分と平面電極
５とを電気的に接続するための尋？ｆｉ層として働く。
２を示す斜視図、第６図はそのト］断面図である。第５
図、第６図に示すように、接続用電極１６がｐ型シリコ
ンＦ１１の一方の側面全体から露出部１ａにかけて形成
されている。この接続用？１！極１６は平面電極５に電
気的に接続され、ｎ＋層２とは独立して形成されている
。ｐ型シリコン層１の側面Ｆの接続用電極１６の部分は
、前記第１の実施例の貫通柱１２と同様、ｐ型シリコン
層１の露出部１ａ上の接続用電極１６の部分と平面電極
５とを電気的に接続するための尋？ｆｉ層として働く。
第７図（ａ）〜（０）は第２の実施例の太陽電池セル２
２を複数個同時に形成する場合の製造方法を示す断面図
である。また、第１３図は、その途中工程における平面
図であり、説明の都合上集電極４ （４ａ、４ｂ）と切
断Ｉ１１のみ図示している。
２を複数個同時に形成する場合の製造方法を示す断面図
である。また、第１３図は、その途中工程における平面
図であり、説明の都合上集電極４ （４ａ、４ｂ）と切
断Ｉ１１のみ図示している。
以下、同図を参照しつつその製造方法について説明する
。
。
まず、第７図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン層１上
にｎ４層２及び反射防止膜３を積層する。
にｎ４層２及び反射防止膜３を積層する。
次にｎ’ ｌ１１２及び反射防止ｇ１３の一部をエツチ
ングにより除去し、第７図（ｂ）に示すようにｐ型シリ
コン層１の表面の一部１ａを露出させる。その後、反射
防止ＩＦＪ３の所定領域をエツチング等により除去する
。この除去された領域が電極形成領域となり、ｎ＋ｍ２
の電極形成領域上に第７図（Ｃ）に示すように、集電極
４を形成する。なお、第７図（Ｃ）は、第１３図のＩＶ
−ｍＶ断面に相当する。
ングにより除去し、第７図（ｂ）に示すようにｐ型シリ
コン層１の表面の一部１ａを露出させる。その後、反射
防止ＩＦＪ３の所定領域をエツチング等により除去する
。この除去された領域が電極形成領域となり、ｎ＋ｍ２
の電極形成領域上に第７図（Ｃ）に示すように、集電極
４を形成する。なお、第７図（Ｃ）は、第１３図のＩＶ
−ｍＶ断面に相当する。
そして、ｐ型シリコンｗＡ１の露出部１ａから所望の基
板厚に相当する深さの溝１３８を第７図（ｄ）に示すよ
うに設ける。さらに溝１３８の底面及び側面から露出部
１ａの一部にかけて、スパッタ法あるいは蒸着法により
メツキ下地層形成後、メツキ法により導電層１８を第７
図（ｅ）に示？ｉにうに形成りる。なお、メツキ下地層
形成後に蒸着法あるいはスパッタ法によりＳ電層１８を
形成してＩ３Ｊこい。
板厚に相当する深さの溝１３８を第７図（ｄ）に示すよ
うに設ける。さらに溝１３８の底面及び側面から露出部
１ａの一部にかけて、スパッタ法あるいは蒸着法により
メツキ下地層形成後、メツキ法により導電層１８を第７
図（ｅ）に示？ｉにうに形成りる。なお、メツキ下地層
形成後に蒸着法あるいはスパッタ法によりＳ電層１８を
形成してＩ３Ｊこい。
その後、例えばエツチングによりｐ型シリコン層１を裏
面から研磨し、ｐ型シリコン層１の裏面より導電層１８
を露出さけ、第３図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコン
Ｆ１１の裏面に、導電層１８と電気的接続した平面電極
５を形成Ｊる。なお、研磨時においては、！ｌ？電極４
はフィルムに貼り付けられているため、研磨時にｐ型シ
リ］ン層１が折れてしまうことはない。最優に、第７図
（０）に示すように、１７ａ、１７ｂに相当する部分く
第１３図の切断線ｌ）を切断すると、導電層１８を接続
用電極１６とした太陽電池セル２２が製造される。
面から研磨し、ｐ型シリコン層１の裏面より導電層１８
を露出さけ、第３図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコン
Ｆ１１の裏面に、導電層１８と電気的接続した平面電極
５を形成Ｊる。なお、研磨時においては、！ｌ？電極４
はフィルムに貼り付けられているため、研磨時にｐ型シ
リ］ン層１が折れてしまうことはない。最優に、第７図
（０）に示すように、１７ａ、１７ｂに相当する部分く
第１３図の切断線ｌ）を切断すると、導電層１８を接続
用電極１６とした太陽電池セル２２が製造される。
第８図は第２の実施例の太陽電池セル２２の接続状況を
示す説明図である。同図に示すＪ、うに、平面電極５に
電気的に接続された接続用電極１６が表面まで延びて形
成されているため、相互接続片１５による異なる太陽電
池セル間の直列接続は、ｐ型シリコンＷＪ１の表面上の
みで行うことができは平面電極５を下面として安定に据
え付けられる。
示す説明図である。同図に示すＪ、うに、平面電極５に
電気的に接続された接続用電極１６が表面まで延びて形
成されているため、相互接続片１５による異なる太陽電
池セル間の直列接続は、ｐ型シリコンＷＪ１の表面上の
みで行うことができは平面電極５を下面として安定に据
え付けられる。
その結果、第１の実施例の太ＦＱｆｆｆ池セル同様、接
続作業が筒便化し、接続における信頼性が向上する。な
お、第１の太ｌｌＸ！電池セル同様、接続用電極１１と
反対側の平面電極５の端部は削られているため、隣接す
る太陽電池セルの平面電極５が短絡することはない、 第９図はこの発明の第３の実施例である太陽電池セル２
３を示す斜視図、第１０図はその１１断面スである。第
９図、第１０図に示すように、第２の実施例の太陽電池
セル２２の構成に加え、接続用電極１６と反対側のｐ型
シリコンｌｉ！ｆｆ１の側面の一部からバス電極４ａの
一部にかけて接続用半田電極１９が形成されている。こ
の接続用半田電極１９はバス電極４ａに電気的接続され
るとともに、絶縁１ａ２０によりｐ型シリコンｆｆ１１
．ｎ＋電層及び反射防止膜３とは絶縁されている。
続作業が筒便化し、接続における信頼性が向上する。な
お、第１の太ｌｌＸ！電池セル同様、接続用電極１１と
反対側の平面電極５の端部は削られているため、隣接す
る太陽電池セルの平面電極５が短絡することはない、 第９図はこの発明の第３の実施例である太陽電池セル２
３を示す斜視図、第１０図はその１１断面スである。第
９図、第１０図に示すように、第２の実施例の太陽電池
セル２２の構成に加え、接続用電極１６と反対側のｐ型
シリコンｌｉ！ｆｆ１の側面の一部からバス電極４ａの
一部にかけて接続用半田電極１９が形成されている。こ
の接続用半田電極１９はバス電極４ａに電気的接続され
るとともに、絶縁１ａ２０によりｐ型シリコンｆｆ１１
．ｎ＋電層及び反射防止膜３とは絶縁されている。
第１１図（ａ）〜（ｈ）は、第３の実施例の太陽電池セ
ル２２を、第２の実施例同様、複数個連続して製造する
場合の製造方法を示す断面図である。
ル２２を、第２の実施例同様、複数個連続して製造する
場合の製造方法を示す断面図である。
以下、同図を参照しつつその製造方法について説明する
。
。
まず、第１１図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン層１
．１Ｌにｎ” Ｐｊ２及び反射防止膜３を積層する。
．１Ｌにｎ” Ｐｊ２及び反射防止膜３を積層する。
次にｎ” ｌｃ２及び反射防止膜３の一部をエツチング
により除去し、第１１図（ｂ）に示寸ようにｐ型シリコ
ン層１の表面の一部１ａを露出させる。その俊反射防止
ＦＪ ３の所定領域をエツチング等により除去する。こ
の除去された領域が、一部２ａを除き、電極形成領域と
なり、ｎ＋電層の電極形成領域上に第１１図（Ｃ）に示
すように、集電極４を形成する。
により除去し、第１１図（ｂ）に示寸ようにｐ型シリコ
ン層１の表面の一部１ａを露出させる。その俊反射防止
ＦＪ ３の所定領域をエツチング等により除去する。こ
の除去された領域が、一部２ａを除き、電極形成領域と
なり、ｎ＋電層の電極形成領域上に第１１図（Ｃ）に示
すように、集電極４を形成する。
次に露出部１ｂに切溝１３ｂを形成し、第１１図（ｄ）
に示すにうに、切溝１３ｂの底面、側面及び集電極４の
一部にかけて絶縁膜２０を形成する。
に示すにうに、切溝１３ｂの底面、側面及び集電極４の
一部にかけて絶縁膜２０を形成する。
そして、露出部１ａに満１３０を第１１図（ｅ）に示す
ように形成する。
ように形成する。
そして、第１１図（ｆ）に示すにうに、溝１３８の底面
及び側面から露出部１ａの一部にかけて、スパッタ法あ
るいは、４着法によりメツキ下地層形成後、メツキ法に
より導電層１８を形成する。同様にして、絶縁膜２０及
び集電極４の一部上にも導電層２４を形成する。なお、
メツキ下地層形成後に燕る法あるいはスパッタ法により
導電層１８゜斗 ２ｉを形成してもよい。
及び側面から露出部１ａの一部にかけて、スパッタ法あ
るいは、４着法によりメツキ下地層形成後、メツキ法に
より導電層１８を形成する。同様にして、絶縁膜２０及
び集電極４の一部上にも導電層２４を形成する。なお、
メツキ下地層形成後に燕る法あるいはスパッタ法により
導電層１８゜斗 ２ｉを形成してもよい。
王の後、エツチング等によりｐ型シリコン層１の裏面を
研磨し、導電層１８を裏面に露出させ、ざらに第１１図
（（１）に示すように、ｐ型シリコン層１の裏面に、導
電層１８と電気的接続して平面電（転５を形成する。最
後に、第１１図（ｈ）に示すように、２５ａ、２５ｂに
相当する部分を切断すると、導電層１８を接続用電極１
６とし、導電層２４を接続用半田電極１９とした太陽電
池セル２３が形成される。
研磨し、導電層１８を裏面に露出させ、ざらに第１１図
（（１）に示すように、ｐ型シリコン層１の裏面に、導
電層１８と電気的接続して平面電（転５を形成する。最
後に、第１１図（ｈ）に示すように、２５ａ、２５ｂに
相当する部分を切断すると、導電層１８を接続用電極１
６とし、導電層２４を接続用半田電極１９とした太陽電
池セル２３が形成される。
第１２図は第３の実施例の太陽電池セル２３の接続状況
を示１説明図である。同図に示すように、第１．第２の
実施例による太陽電池セル２１，２２のように相互接続
片１５を必要とせず、隣接する太ｆｌｕ￥ｉ池セルの接
続用半田電極１９と接続用電極１６とを密着ざＵ、１４
０〜１５０度程度の半田のＦ！Ａ魚以上の温度に昇温す
ることによって、半田付けにより接続用土Ｅｌｌ電８Ａ
１９と接続用電極１６とを接続できる。
を示１説明図である。同図に示すように、第１．第２の
実施例による太陽電池セル２１，２２のように相互接続
片１５を必要とせず、隣接する太ｆｌｕ￥ｉ池セルの接
続用半田電極１９と接続用電極１６とを密着ざＵ、１４
０〜１５０度程度の半田のＦ！Ａ魚以上の温度に昇温す
ることによって、半田付けにより接続用土Ｅｌｌ電８Ａ
１９と接続用電極１６とを接続できる。
このように、相互接続片１５を用いずに電極＃ａ続を行
うため、その分太陽電池モジュールの製作工程が第１．
第２の実施例の太陽電池セル２１゜２２よりも簡素化り
る３、さらに、昇熱のみにより、電極接続を行うため、
′？４ｉ極）＆続時に太陽電池ヒル２３に与える機械的
ストレスがほとんどなくなり、より信頼性の高い太陽電
池セルを１！？ることができる。なお、この効果は、相
互接続片１５を牛［（１で形成し、相互接続片をバス電
極４ａ上及び接続用電極１１（１６）上に配置し、半田
の融点以上に背熱し電極接続を行うことで、第１．第２
の実施例の太陽電池セル２１．２２においても１！７る
ことができる。また、第３の実施例における太陽電池は
ル２３においては、接続用半田電極１９の厚みにより、
隣接する太陽電池ヒルの平面電極５間の絶縁距離が保て
るｌこめ、第１．第２の実施例にお【ノる太陽電池ヒル
のように平面電極５の一部を削る必要はない。
うため、その分太陽電池モジュールの製作工程が第１．
第２の実施例の太陽電池セル２１゜２２よりも簡素化り
る３、さらに、昇熱のみにより、電極接続を行うため、
′？４ｉ極）＆続時に太陽電池ヒル２３に与える機械的
ストレスがほとんどなくなり、より信頼性の高い太陽電
池セルを１！？ることができる。なお、この効果は、相
互接続片１５を牛［（１で形成し、相互接続片をバス電
極４ａ上及び接続用電極１１（１６）上に配置し、半田
の融点以上に背熱し電極接続を行うことで、第１．第２
の実施例の太陽電池セル２１．２２においても１！７る
ことができる。また、第３の実施例における太陽電池は
ル２３においては、接続用半田電極１９の厚みにより、
隣接する太陽電池ヒルの平面電極５間の絶縁距離が保て
るｌこめ、第１．第２の実施例にお【ノる太陽電池ヒル
のように平面電極５の一部を削る必要はない。
なお、」−２各実施例では、矩形状の太１ｌＥ１電池レ
ルについて説明したが、太陽電池セルの形状は矩形状に
限定されるものではない。
ルについて説明したが、太陽電池セルの形状は矩形状に
限定されるものではない。
また、第２．第３の実施例においては、複数個同時に製
造される太陽電池セルの製造方法について述べたが、第
１の実施例同様、単体製造を行うこともできるのは、勿
論である。
造される太陽電池セルの製造方法について述べたが、第
１の実施例同様、単体製造を行うこともできるのは、勿
論である。
以上説明したように、この発明によれば、第１の電極と
接続用電極は、共に第１の半導体層の一方主面−しに形
成されているため、異なる太陽電池ヒルの第１の電極と
接続用電極との接続はセルの一方主面上で行える。
接続用電極は、共に第１の半導体層の一方主面−しに形
成されているため、異なる太陽電池ヒルの第１の電極と
接続用電極との接続はセルの一方主面上で行える。
その結果、直列接続を容易かつ正確に行える太陽電池ヒ
ルを得ることができるという効果がある。
ルを得ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例である太陽電池セルを
示づ斜視図、第２図は第１図で示した太陽電池セルのＩ
−Ｔ断面図、第３図は第１の実施例の太陽電池セルの製
造方法を示ｉＪ断面図、第４図は第１の実施例の太陽電
池セルの接続状況を示す説明図、第５図はこの発明の第
２の実施例である太陽電池セルを示す斜視図、第６図は
第５図で示した太陽電池セルの■−■断面図、第７図は
第２の実施例の太陽電池セルの製造方法を示寸断面図、
第８図は第２の実施例の太陽電池セルの接続状況を示す
説明図、第９図はこの発明の第３の実施例である太陽電
池セルを示１斜祝図、第１０図は第９図で示した太陽？
ｆｉ地セルの■−■断面図、第１１図は第３の実施例の
太陽電池セルの製造方法を示す断面図、第１２図は第３
の実施例の太陽電池セルの接続状況を示１説明図、第１
３図は第２の太陽電池セルの製造方法を示す平面図、第
１４図は従来の太陽電池セルを示１斜視図、第１５図は
従来の太ｌｉＸ！電池モジュールを示ず断面図である。 図において、１はｐ型シリコン層、２はｎ＋層、４は集
電極、５は平面電極、１１．１６．１８は接続用電極、
１２はｄ通柱、１９は接続用半田電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 雄 第 図 第 図 第 図 １−−−Ｐ型シリコン層 １トー撞１ｔＪ ｆ、持 ム 第 図 ｂ 第 図 １６−−−−接繞用を種 第 図 第 図 第１０ 図 １９−−−−ｉａ月千１【陽 第 図 第１３ 図 第１４図 第１５ 図
示づ斜視図、第２図は第１図で示した太陽電池セルのＩ
−Ｔ断面図、第３図は第１の実施例の太陽電池セルの製
造方法を示ｉＪ断面図、第４図は第１の実施例の太陽電
池セルの接続状況を示す説明図、第５図はこの発明の第
２の実施例である太陽電池セルを示す斜視図、第６図は
第５図で示した太陽電池セルの■−■断面図、第７図は
第２の実施例の太陽電池セルの製造方法を示寸断面図、
第８図は第２の実施例の太陽電池セルの接続状況を示す
説明図、第９図はこの発明の第３の実施例である太陽電
池セルを示１斜祝図、第１０図は第９図で示した太陽？
ｆｉ地セルの■−■断面図、第１１図は第３の実施例の
太陽電池セルの製造方法を示す断面図、第１２図は第３
の実施例の太陽電池セルの接続状況を示１説明図、第１
３図は第２の太陽電池セルの製造方法を示す平面図、第
１４図は従来の太陽電池セルを示１斜視図、第１５図は
従来の太ｌｉＸ！電池モジュールを示ず断面図である。 図において、１はｐ型シリコン層、２はｎ＋層、４は集
電極、５は平面電極、１１．１６．１８は接続用電極、
１２はｄ通柱、１９は接続用半田電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 雄 第 図 第 図 第 図 １−−−Ｐ型シリコン層 １トー撞１ｔＪ ｆ、持 ム 第 図 ｂ 第 図 １６−−−−接繞用を種 第 図 第 図 第１０ 図 １９−−−−ｉａ月千１【陽 第 図 第１３ 図 第１４図 第１５ 図
Claims (2)
- （１）第１の導電型の第１の半導体層と、 前記第１の半導体層の一方主面上に形成された第２の導
電型の第２の半導体層と、 前記第２の半導体層上に形成された第１の電極と、 前記第１の半導体層の他方主面上に形成された第２の電
極と、 前記第１の半導体層の一方主面上に前記第２の半導体層
と絶縁して形成された接続用電極と、前記第１の半導体
層の厚み方向にかけて延設され、前記第２の電極と前記
接続用電極とを電気的に接続する導電層とを備えた太陽
電池セル。 - （２）第１の導電型の第１の半導体層を準備する工程と
、 前記第１の半導体層の一方主面上に第２の導電型の第２
の半導体層を形成する工程と、 前記第２の半導体層上に第１の電極を形成する工程と、 前記第１の半導体層の厚み方向にかけて導電層を形成す
る工程と、 前記第２の半導体層が形成されていない前記第１の半導
体層の一方主面上に、前記導電層に電気的に接続され、
前記第２の半導体層から絶縁された接続用電極を形成す
る工程と、 前記第１の半導体層の他方主面上に前記導電層と電気的
に接続された第２の電極を形成する工程とを備えた太陽
電池セルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001510A JPH02181475A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
| US07/434,984 US5017243A (en) | 1989-01-06 | 1989-11-13 | Solar cell and a production method therefor |
| DE4000089A DE4000089A1 (de) | 1989-01-06 | 1990-01-03 | Solarzelle und verfahren zu deren herstellung |
| FR9000091A FR2641646A1 (fr) | 1989-01-06 | 1990-01-05 | Cellule solaire et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001510A JPH02181475A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181475A true JPH02181475A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=11503480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001510A Pending JPH02181475A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017243A (ja) |
| JP (1) | JPH02181475A (ja) |
| DE (1) | DE4000089A1 (ja) |
| FR (1) | FR2641646A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011071226A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
| JP2012507165A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2548820B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
| US5273911A (en) * | 1991-03-07 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a thin-film solar cell |
| DE4132903C2 (de) * | 1991-10-04 | 1996-03-14 | Daimler Benz Aerospace Ag | Dünne Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5852397A (en) * | 1992-07-09 | 1998-12-22 | Raychem Corporation | Electrical devices |
| DE69435205D1 (de) * | 1993-12-14 | 2009-05-28 | Spectrolab Inc | Dünne Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren |
| CN1054941C (zh) | 1994-05-16 | 2000-07-26 | 雷伊化学公司 | 有聚合物正温度系数电阻元件的电路保护器件 |
| JP3889470B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2007-03-07 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
| US6248948B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of producing the same |
| US6854176B2 (en) * | 1999-09-14 | 2005-02-15 | Tyco Electronics Corporation | Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device |
| US6640420B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-11-04 | Tyco Electronics Corporation | Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device |
| JP3793125B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2006-07-05 | 富士通株式会社 | デバイスチップの製造方法 |
| ES2365904T3 (es) * | 2004-01-13 | 2011-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositivo fotovoltaico. |
| KR100730072B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-06-20 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
| KR101212198B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2012-12-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
| JP5252472B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-07-31 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール |
| US8742531B2 (en) * | 2008-12-08 | 2014-06-03 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Electrical devices including dendritic metal electrodes |
| TWI434427B (zh) * | 2011-04-08 | 2014-04-11 | Gintech Energy Corp | 光伏面板及形成光伏面板之導電通道的方法 |
| KR101363103B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-02-18 | 주식회사 신성솔라에너지 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| US8636198B1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-01-28 | Sunpower Corporation | Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells |
| CN107564985A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 比亚迪股份有限公司 | 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件 |
| US11088294B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-08-10 | Byd Company Limited | Photovoltaic cell assembly, photovoltaic cell array, and solar cell assembly |
| CN107611183B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-06-19 | 比亚迪股份有限公司 | 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法 |
| CN118507598B (zh) * | 2024-07-17 | 2024-10-18 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3278811A (en) * | 1960-10-04 | 1966-10-11 | Hayakawa Denki Kogyo Kabushiki | Radiation energy transducing device |
| US3450568A (en) * | 1966-04-28 | 1969-06-17 | Textron Electronics Inc | Solar cell with wrap-around electrodes |
| DE1564956B2 (de) * | 1966-12-24 | 1977-02-03 | Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm | Solarzelle |
| US3527619A (en) * | 1968-04-15 | 1970-09-08 | Itek Corp | Solar cell array |
| GB1351454A (en) * | 1970-02-06 | 1974-05-01 | Int Research & Dev Co Ltd | Light sensitive devices using semiconductor materials |
| DE2624926A1 (de) * | 1976-06-03 | 1977-12-15 | Emil Biggel | Solarzellen-anordnung |
| JPS5353284A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-15 | Seiko Epson Corp | Solar cell |
| JPS5839071A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Japan Solar Energ Kk | 太陽電池素子 |
| GB2108755B (en) * | 1981-09-26 | 1985-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film devices having diffused interconnections |
| CA1190786A (en) * | 1982-03-26 | 1985-07-23 | George M. Glasser | Moisture resistant coating for food products |
| US4610077A (en) * | 1984-04-30 | 1986-09-09 | Hughes Aircraft Company | Process for fabricating a wraparound contact solar cell |
| JPS62113483A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US4854975A (en) * | 1986-07-03 | 1989-08-08 | Hughes Aircraft Company | Solar cell with integrated interconnect device and process for fabrication thereof |
| US4838952A (en) * | 1988-04-29 | 1989-06-13 | Spectrolab, Inc. | Controlled reflectance solar cell |
-
1989
- 1989-01-06 JP JP1001510A patent/JPH02181475A/ja active Pending
- 1989-11-13 US US07/434,984 patent/US5017243A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-03 DE DE4000089A patent/DE4000089A1/de active Granted
- 1990-01-05 FR FR9000091A patent/FR2641646A1/fr active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012507165A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
| WO2011071226A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5017243A (en) | 1991-05-21 |
| DE4000089A1 (de) | 1990-07-12 |
| FR2641646A1 (fr) | 1990-07-13 |
| DE4000089C2 (ja) | 1993-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02181475A (ja) | 太陽電池セル及びその製造方法 | |
| US5248345A (en) | Integrated photovoltaic device | |
| US4542258A (en) | Bus bar interconnect for a solar cell | |
| JP5153097B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| US20070199588A1 (en) | High voltage solar cell and solar cell module | |
| JP2009130116A (ja) | 素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール | |
| CN110047962A (zh) | Mwt太阳能电池片、电池串、电池组件及制备方法 | |
| US4789641A (en) | Method of manufacturing amorphous photovoltaic-cell module | |
| US7638353B2 (en) | Method for fabrication of semiconductor devices on lightweight substrates | |
| JP2933003B2 (ja) | 太陽電池素子の実装構造 | |
| CN109904268A (zh) | 背接触太阳电池组件及其制造方法 | |
| JPH1065198A (ja) | 直角三角形型太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2002319691A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| KR102581911B1 (ko) | 후면 전극형 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈 | |
| JPH06275858A (ja) | 光起電力モジュールとその製造方法 | |
| JP2567294Y2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN113097326A (zh) | 双面互连膜及光伏组件 | |
| JP2000223728A (ja) | 薄膜太陽電池モジュール | |
| JPS6230507B2 (ja) | ||
| JP2021166264A (ja) | 太陽電池ストリング及び太陽電池ストリングの製造方法 | |
| JP3133269B2 (ja) | 太陽電池パネル | |
| CN213716919U (zh) | 电池串及光伏组件 | |
| JPS62145783A (ja) | 薄膜型熱電モジユ−ル | |
| JP5779223B2 (ja) | 光電変換素子接続体および光電変換モジュール | |
| JPWO2018235315A1 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |