FR2641646A1 - Cellule solaire et son procede de fabrication - Google Patents
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Abstract
Une cellule solaire comprend une première couche semiconductrice 1 d'un premier type de conductivité, une seconde couche semiconductrice 2 d'un second type de conductivité produit sur une première surface principale de la première couche semiconductrice, une première électrode 4 produite sur la seconde couche semiconductrice, une seconde électrode 5 produite sur l'autre surface principale de la première couche semiconductrice, une électrode de connexion 11 produite sur la première surface principale de la première couche semiconductrice 1 et isolée de la seconde couche semiconductrice 2, et une couche de conductivité connectant électriquement la seconde électrode et l'électrode de connexion s'étendant dans la direction de l'épaisseur de la première couche semiconductrice 1, ce grâce à quoi la connexion entre la première électrode et l'électrode de connexion d'une paire de cellules solaires adjacentes peut être réalisée sur une seule surface principale des cellules.
Description
- 1 -
Cellule solaire et son procédé de fabrication.
DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention concerne une cellule solaire et son procédé de fabrication, et plus particulierement elle concerne des cellules capables
de permettre d'etablir facilement une connexion serie de grande precision.
ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION
La figure 14 montre une cellule solaire de l'art antérieur qui est décrite dans "Solar Photovoltaic Power Generation; (Kiyoshi Takahashi, Yoshihiro Hamakawa, et Akio Ushirokawa, Morikita Shuppan, 1980, pages 147 et 123)". Comme montré sur la figure, une couche n 2 est produite sur la surface principale d'une couche de silicium de type p 1, et une électrode collectrice 4 est produite sur cette couche n 2. L'électrode collectrice 4 est constituée par une électrode externe 4a formant un bus de connexion et par des électrodes en barre 4b du type peigne, et cette électrode 4 fonctionne en tant qu'électrode du côté négatif. En outre, dans une région o l'électrode collectrice placée sur la couche n 2 n'existe pas, on dispose un film anti-réfléchissant 3. Par ailleurs, une électrode plane 5 qui fonctionne en tant qu'électrode sur le côté positif est produite sur l'autre surface principale de la
couche de silicium de type p 1.
La figure 15 montre un module de cellules solaires dans lequel les cellules solaires 10 présentant la construction décrite ci-dessus sont reliées en série et en parallèle pour constituer un dispositif qui engendre une puissance relativement élevée. Comme montré sur la figure, l'électrode collectrice 4 (l'électrode 4a formant le bus) de l'une de deux cellules solaires adjacentes 10 est reliée à l'électrode plane 5 de l'autre des cellules 10 par une feuille métallique 6 d'une épaisseur
de plusieurs dizaines de microns.
On utilise habituellement une feuille d'argent pour réaliser la feuille métallique 6, et on la plie en deux positions comme montré sur la figure. Le procédé de connexion utilisant cette feuille métallique 6 va maintenant être décrit. Tout d'abord, on soude ou on brase une -2- extrémité de la feuille métallique 6 sur l'électrode formant le bus 4a
de l'électrode collectrice 4 des cellules solaires respectives 10.
Ensuite, on retourne les cellules solaires 10 auxquelles la feuille métallique 6 est connectée aux électrodes formant les bus 4a. Ensuite, les autres extrémités de la feuille métallique respective 6 sont successivement brasées ou soudées sur les électrodes planes 5 des
cellules solaires adjacentes.
Les cellules solaires 10 ainsi reliées en série par les fines plaques métalliques 6 sont positionnées par de la résine étanche à l'eau et transparente 7 appliquée sur les deux surfaces des cellules, et la résine étanche à l'eau et transparente 7 est placée entre des plaques de verre de forte épaisseur 8. Finalement, dans un environnement o la pénétration de l'air est interdite, le dispositif est chauffé au-dessus du point d'amollissement de la résine, et les cellules solaires 10, la région imperméable à l'eau et transparente 7 et les plaques de verre 8 de grande épaisseur sont collées les unes aux autres. Ensuite, les deux extrémités du dispositif sont placées à l'intérieur du cadre métallique 9, terminant ainsi un module de
cellules solaires.
Dans la cellule solaire de l'art antérieur de cette construction, et quand on produit un module de cellules solaires, l'électrode collectrice 4 qui est sur la surface de l'une de deux cellules solaires adjacentes et l'électrode unie 5 se trouvant sur la surface arrière de l'autre doivent être reliées par un film métallique 6. Ce travail de connexion utilisant la feuille métallique 6 est difficile du fait qu'il doit être effectué à la fois sur les surfaces avant et arrière des cellules solaires. En outre, comme l'électrode collectrice 4 se trouvant sur la surface avant est en saillie, quand la plaque métallique 6 est reliée à l'électrode plane 5 (les cellules solaires respectives étant retournées), les cellules solaires respectives 20 se trouvent dans des positions instables o elles ne sont supportées que par l'électrode collectrice 4, ce qui ne permet pas d'obtenir une résistance suffisante pour relier le film métallique 6 aux électrodes
planes 5.
RESUME DE L'INVENTION
264164à
-3- Un but de la présente invention est de fournir une cellule solaire et son procédé de fabrication permettant d'obtenir facilement et selon
une précision élevée une connexion en série de cellules solaires.
D'autres buts et avantages de la présente invention apparaîtront
clairement à la lecture de la description détaillée donnée ci-dessous;
on comprendra cependant que la description détaillée et le mode de
réalisation spécifique ne sont donnés qu'à titre d'exemple, du fait que diverses modifications et variantes limitées seulement par l'esprit et le champ d'application de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art à
la lecture de cette description détaillée.
Selon un aspect de la présente invention, une cellule solaire comprend une première couche semiconductrice d'un premier type de conductivité, une seconde couche semiconductrice d'un second type de conductivité produite sur une première surface principale de la première couche semiconductrice, une première électrode produite sur la seconde couche semiconductrice, une seconde électrode produite sur l'autre surface principale de la première couche semiconductrice, une électrode de connexion produite sur la première surface principale de la première couche semiconductrice isolée de la seconde couche semiconductrice, et une couche de conductivité pour connecter électriquement la seconde électrode et l'électrode de connexion et formée dans la direction de l'épaisseur de la première couche semiconductrice. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'une cellule solaire comprend les étapes consistant à préparer une première couche semiconductrice d'un premier type de conductivité, produire une seconde couche semiconductrice d'un second type de conductivité sur une première surface principale de la première couche semiconductrice, produire une première électrode sur la seconde couche semiconductrice, produire une couche de conductivité dans la direction de l'épaisseur de la première couche semiconductrice, produire une électrode de connexion reliée électriquement à la couche de conductivité et isolée de la seconde couche semiconductrice sur la première surface principale de la première couche semiconductrice dans une position o la seconde couche semiconductrice n'est pas produite, -4- et produire une seconde électrode reliée électriquement à la couche de conductivité sur l'autre surface principale de la première couche semiconductrice. Dans la présente invention, comme la première électrode et l'électrode de connexion de la cellule solaire sont toutes les deux produites sur une première surface principale de la première couche semiconductrice, la connexion entre la première électrode et l'électrode de connexion des différentes cellules solaires peut être
réalisée sur une surface principale des cellules.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 est une vue en perspective montrant une cellule solaire selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 est une vue en perspective selon la ligne I-I d'une cellule solaire selon la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe montrant le procédé de fabrication d'une cellule solaire du premier mode de réalisation; la figure 4 est un schéma montrant un type de connexion de la cellule solaire du premier mode de réalisation; la figure 5 est une vue en perspective montrant une cellule solaire selon un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe selon la ligne II-II de la cellule solaire montrée à la figure 5; la figure 7 est une vue en coupe montrant un procédé de fabrication d'une cellule solaire selon un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est un schéma montrant un type de connexion des cellules solaires du second mode de réalisation; la figure 9 est une vue en perspective montrant une cellule solaire selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 10 est une vue en coupe selon la ligne III-III de la cellule solaire montrée à la figure 9; la figure 11 est une vue en coupe montrant un procédé de fabrication d'une cellule solaire selon le troisième mode de réalisation; la figure 12 est un schéma montrant la façon de connecter les cellules solaires du troisième mode de réalisation; la figure 13 est une vue de dessus montrant un procédé de fabrication d'une cellule solaire selon le second mode de réalisation; la figure 14 est une vue en perspective montrant une cellule solaire de l'art antérieur; et la figure 15 est une vue en coupe montrant un module de cellules
solaires de l'art antérieur.
DESCRIPTION DETAILLE DES MODES DE REALISATION PREFERES
Un mode de réalisation de la présente invention va maintenant être
décrit en détail en se référant aux dessins.
La figure 1 montre une cellule solaire selon un premier mode de réalisation de la présente invention et la figure 2 montre une vue en
coupe selon la ligne I-I de la figure 1.
Comme montré aux figures 1 et 2, une électrode de connexion 11 est produite dans une position sur la surface de la couche de silicium de type p 1 o la couche n 2 n'est pas produite, séparée de la couche n 2. Cette électrode de connexion Il est connectée électriquement à l'électrode plane 5 produite sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1 par l'intermédiaire d'un alésage 12 faisant fonction de couche de conductivité. L'alésage 12 est métallisé sur son pourtour externe ou sur la totalité de sa surface. Les mêmes éléments
que ceux du dispositif de l'art antérieur n'ont pas été décrits ici.
La figure 3 montre un procédé de fabrication de la cellule solaire 21 du premier mode de réalisation, qui se caractérise par sa
simplicité. Ce procédé de fabrication va maintenant être décrit.
Tout d'abord et comme montré à la figure 3(a), une couche n 2 et un film anti-réfléchissant 3 sont laminés sur la couche de silicium de type p 1. Ensuite et comme montré à la figure 3(b), des portions de la couche n 2 et le film anti-réfléchissant 3 sont éliminés par décapage, et une portion la de la surface de la couche de silicium de type p 1
est exposée.
Ensuite, une ouverture de faibles dimensions 13 dont la profondeur correspond à l'épaisseur désirée pour le substrat, c'est-à-dire - 6 l'épaisseur du substrat qui doit finalement subsister à partir de la portion exposée la de la couche de silicium de type p 1, est réalisée comme montré à la figure 3(c). Ensuite, une région prédéterminée du film anti-réfléchissant 3 est éliminée par exemple par décapage. Cette région éliminée devient une région de production d'électrode et une électrode collectrice 4 est produite sur la région de production d'électrode de la couche n 2. En outre, une couche de mise à la terre en or 14 est produite par un procédé de métallisation sous vide ou par un procédé de dépSt de vapeur sur la surface inférieure et la surface latérale du fin alésage 13 de la portion exposée la, comme montré à la
figure 3(d).
Ensuite, la totalité de la fine ouverture 13 est métallisée par dorure de façon à obtenir le trou de liaison 12 comme montré à la figure 3(e) et une électrode de connexion 11 comportant une couche de métal est produite sur la couche de mise à la terre 14 sur la portion exposée la qui communique avec l'alésage 12. Il est possible d'utiliser un procédé de métallisation sous vide ou de dépôt de vapeur pour la
réalisation de l'électrode de connexion 11.
Ensuite, la couche de silicium de type p est décapée sur sa surface arrière et polie et,comme montré à la figure 3(f),la couche de mise à la terre 14 est exposée sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1. Finalement, une électrode plane 5 est produite électriquement et reliée à la couche de mise à la terre 14 sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1, terminant ainsi
la cellule solaire 21.
La figure 4 montre la façon de réaliser une connexion en série de cellules solaires selon le premier mode de réalisation. A la figure 4, la référence numérique 15 désigne un élément de connexion mutuel
constitué par exemple par un ruban de métal ou par une soudure.
Comme montré à la figure 4, un élément de connexion mutuel 15 est placé sur l'électrode 4a formant le bus de l'une de deux cellules solaires adjacentes disposées en série et l'électrode de connexion 11 de l'autre de ces cellules solaires, et les éléments de connexion 15 sont brasés ou soudés à ces électrodes. L'électrode de connexion 11 produite sur une surface principale de la cellule est connectée
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-7 - électriquement aux électrodes planes 5 par l'alésage 12, et la connexion en série de cellules solaires adjacentes par les élément de connexion mutuel 15 peut être réalisée seulement sur la surface de la couche de silicium de type p 1. Donc, les cellules solaires 21 de la connexion en série peuvent être installées de façon stable en plaçant
l'électrode plane 5 sur le côté inférieur.
Il en résulte un travail de connexion qui est extrêmement simplifié. En outre, comme on évite un travail de connexion dans un état instable lorsque les cellules solaires 21 sont retournées et seulement supportées par les électrodes de connexion dans le dispositif de l'art antérieur, il ne se posent pas de problèmes de génération de pelage ou de craquelures dans les positions de connexion, ce qui augmente la fiabilité. Comme les portions d'extrémité des électrodes planes 5 sur le côté opposé à l'électrode de connexion 11 sont éliminées, les électrodes planes 5 de cellules solaires adjacentes ne
sont pas court-circuitées pendant le travail de connexion en série.
La figure 5 montre une cellule solaire 22 d'un second mode de réalisation de la présente invention. La figure 6 montre une vue en coupe selon la ligne II-II. Comme montré aux figures 5 et 6, une électrode de connexion 16 est produite sur la surface latérale d'un
côté de la couche de silicium de type p 1 et la portion exposée la.
Cette électrode de connexion 16 est connectée électriquement à
l'électrode plane 5 et est produite indépendamment de la couche n 2.
Une portion de l'électrode de connexion 16 sur la surface latérale de la couche de silicium de type p 1 fonctionne également en tant que couche de conductivité pour connecter électriquement une portion de l'électrode de connexion 16 sur la portion exposée la de la couche de silicium de type p 1 avec l'électrode plane 5, de facon similaire à
l'alésage traversant'12 du premier mode de réalisation.
Les figures 7(a) à (g) sont des vues en coupe pour expliquer le procédé de fabrication du second mode de réalisation, dans lequel plusieurs cellules solaires sont produites en même temps. La figure 13 est une vue de dessus de la façon dont se déroule le procédé, et pour la simplicité de l'explication, seule l'électrode collectrice 4 (4a, 4b) et la ligne de coupe 1 sont montrées. Le procédé de production de -8
ce second mode de réalisation va maintenant être expliqué.
Tout d'abord, comme montré à la figure 7(a), une couche n 2 et un film anti-réfléchissant 3 sont laminée sur une couche de silicium de type p 1. Ensuite, on élimine des portions de la couche n 2 et du film antiréfléchissant 3 par décapage, de façon à exposer une portion la de la surface de la couche de silicium de type p 1 comme montré à la figure 7(b) . Ensuite, on élimine par décapage une région déterminée du film antiréfléchissant 3, produisant ainsi une région de production d'électrode. Une électrode collectrice 4 est produite sur la région de
production d'électrode de la couche n 2 comme montré à la figure 7(c).
Ici, la figure 7(c) correspond à la vue en coupe selon la ligne IV-IV
de la figure 13.
Ensuite, une gorge 13! dont la profondeur correspond à l'épaisseur désirée pour le substrat est produite en réalisant un décapage à partir de la région exposée la de la couche de silicium de type p 1 comme montré à la figure 7d. En outre, une couche de mise à la terre en or est produite par un procédé de métallisation sous vide ou un procédé de dépSt de vapeur et recouvre la surface inférieure ou la surface latérale de la gorge 13! jusqu'à une portion restante de la portion exposée la, et une couche de conductivité 18 est ensuite produite par un procédé de dorure comme montré à la figure 7(e). La couche de conductivité 18 elle-même peut être produite par un procédé de dépSt de
vapeur ou par un procédé de métallisation sous vide.
Ensuite, la couche de silicium de type p 1 est décapée sur la surface arrière et polie, de façon à exposée la couche de conductivité 18 sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1, et comme montré à la figure 7(f), une électrode plane 5 est produire sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1 et reliée électriquement à la couche de conductivité 18. Comme l'électrode collectrice 4 est plaquée sur un film, la couche de silicium de type p 1 n'est pas infléchie lors du polissage. Finalement et comme montré à la figure 7(g), la pastille est rompue en des endroits correspondant à 17a à 17b (voir les lignes de coupe à la figure 13), et on obtient des cellules solaires 22 comprenant une électrode de connexion 16 produite
à partir de la couche de conductivité 18.
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-9- La figure 8 est un schéma montrant la façon de connecter les cellules solaires 22 du second mode de réalisation. Comme montré à la figure 8, et du fait que l'électrode de connexion 16 qui est connectée électriquement à l'électrode plane 5 est produite de façon à s'étendre jusqu'à la surface avant, la connexion en série entre les différentes cellules solaires utilisant les éléments de connexion mutuels 15 peut être réalisée seulement au niveau des surfaces de la couche de silicium de type p 1, et les cellules solaires peuvent être installées de façon
stable en plaçant les électrodes planes 5 sur le côté inférieur.
Il en résulte queyde la même manière que pour la cellule solaire du premier mode de réalisation, le travail de connexion est simplifié, et la fiabilité de cette connexion est améliorée. De manière similaire au premier mode de réalisation et comme les extrémités de l'électrode plane 5 sur le cSté qui est opposé à l'électrode de connexion 11 sont éliminées, les électrodes planes 5 de deux cellules solaires adjacentes
ne sont pas court-circuitées.
La figure 9 est une vue en perspective d'une cellule solaire 23 d'un troisième mode de réalisation de la présente invention et la
figure 10 est une vue en coupe selon la ligne III-III.
Comme montré aux figures 9 et 10 et en plus de la construction de la cellule solaire 22 du second mode de réalisation, une électrode de connexion par soudage 19 est produite sur le dessus à partir d'une portion de la surface latérale de la couche de silicium de type p 1 sur le cSté opposé à l'électrode de connexion 16, en étant soudée à une portion de l'électrode 4a formant un bus. Cette électrode de connexion par soudage 19 est connectée électriquement à l'électrode formant bus 4a, et elle est isolée de la couche de silicium de type p 1, de la
couche n 2 et du film anti-réfléchissant 3 par un film isolant 20.
Les figures 11(a) i (h) montrent des vues en coupe pour expliquer un procédé de production d'un dispositif à celiules solaires selon le troisième mode de réalisation de la présente invention, dans lequel plusieurs cellules solaires 22 sont reliées les unes aux autres d'une manière similaire à celle du second mode de réalisation. Le procédé de
fabrication va maintenant être décrit.
Tout d'abord, comme montré à la figure 11(a), un couche n 2 et un
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- 10 -
film anti-réfléchissant 3 sont laminés sur une couche de silicium de type p 1. Ensuite, des portions de la couche n 2 et du film anti-réfléchissant 3 sont éliminées par décapage de façon à exposer une portion la d'une portion de surface de la couche de silicium de type p 1, comme montré à la figure 11(b). Ensuite, une région prédéterminée du film antiréfléchissant 3 est éliminée par exemple par décapage, produisant ainsi une région de production d'électrode sauf la portion 2a. Une électrode collectrice 4 est formée dans cette région de production d'électrodes de la couche n 2 comme montré à la figure
11(c).
Ensuite, on produit une gorge 13b découpée dans la portion exposée 2a, et comme montré à la figure 11(d) un film isolant 20 est produit sur la surface inférieure, la surface latérale de la gorge découpée 13b et une portion de l'électrode collectrice 4. Ensuite, une gorge découpée 13a est produite dans la portion exposée la comme montré à la
figure 11(e).
Ensuite, comme montré à la figure 11(f), une couche de mise à la terre en or est produite par un procédé de pulvérisation sous vide ou un procédé de dépôt de vapeur depuis la surface inférieure et la surface latérale de la gorge 13a jusqu'à une portion de la portion exposée la, et ensuite une couche de conductivité 18 est produite par dorure. De manière similaire, une couche de conductivité 24 est également produite sur une portion du film isolant 20 et de l'électrode collectrice 4. Dans ce cas, les couches de conductivité 18 et 24 elles-mêmes peuvent être produites par un procédé de dépôt de vapeur ou
un procédé de pulvérisation sous vide.
Ensuite, la surface arrière de la couche de silicium de type p 1 est décapée et polie de façon à exposer la couche de conductivité 18 sur la surface arrière, et comme montré à la figure 11(g), une électrode plane est produite sur la surface arrière de la couche de silicium de type p 1, reliée électriquement à la couche de conductivité 18. Finalement, comme montré à la figure 11(h), la pastille est rompue dans des portions correspondant à 25a et 25b, produisant ainsi des dispositifs à cellules solaires 23 comprenant des électrodes de connexion 16 produites à partir de la couche de conductivité 18 et les
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électrode de connexion par soudage 18 produites à partir de la couche
de conductivité 24.
La figure 12 montre la façon dont s'effectue la connexion des cellules solaires 23 de ce troisième mode de réalisation. Comme montré à la figure 12, des cellules solaires adjacentes sont disposées les unes contre les autres et sans distance entre elles, et le dispositif est chauffé à une température supérieure au point de fusion de la soudure, soit à environ 140 à 150 C, puis une électrode de connexion par soudage 19 et l'électrode de connexion 16 sont reliées par soudage sans avoir besoin d'avoir recours aux éléments de connexion mutuels 15 comme c'est le cas des cellules solaires 21 et 22 des premier et second
modes de réalisation.
Du fait que les connexions des électrodes sont réalisées sans utiliser les éléments de connexion mutuels 15 quand on opère ainsi, le procédé de production du module à cellules solaires est beaucoup plus simple qu'avec les cellules solaires 21 et 22 des premier et second modes de réalisation. En outre, comme la connexion entre électrodes n'est réalisée que par chauffage, les contraintes mécaniques appliquées aux cellules solaires 23 au niveau de la connexion entre les électrodes sont pratiquement inexistantes, et on peut obtenir des cellules solaires de fiabilité beaucoup plus élevée. Dans ce cas, ces résultats peuvent ître également obtenus en produisant les éléments de connexion mutuels 15 par soudage, en disposant les éléments de connexion mutuels sur l'électrode formant bus 4a et l'électrode de connexion 11, 16 et en réalisation les connexions entre électrodes par chauffage du dispositif jusqu'au-dessus du point de fusion de la soudure comme pour les
cellules solaires 21 et 22 des premier et second modes de réalisation.
Dans les cellules solaires 23 du troisième mode de réalisation, il est possible de maintenir la distance d'isolation entre les électrodes planes 5 de cellules solaires adjacentes par l'épaisseur de l'électrode de connexion par soudage 19, et il n'est donc pas nécessaire d'éliminer une portion de l'électrode plane 5 comme c'est le cas des cellules
solaires des premier et second modes de réalisation.
Dans le mode de réalisation illustré ci-dessus, on a décrit une cellule solaire rectangulaire, mais la configuration de cette cellule
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solaire n'est pas limitée à une telle forme rectangulaire.
Dans les second et troisième modes de réalisation, on a décrit des procédés de production capables de produire plusieurs cellules solaires en même temps, mais comme pour le premier mode de réalisation, la cellule solaire peut être produite individuellement.
Comme il ressort clairement de la description qui précède et selon
la présente invention, comme la première électrode et l'électrode de connexion sont toutes les deux produites sur une première surface principale d'une première couche semiconductrice, la connexion entre la première électrode et l'électrode de connexion de cellules solaires adjacentes peut être réalisée sur une première surface principale d'une cellule. Il en résulte que l'on peut réaliser facilement des cellule
solaire reliées en série et obtenir facilement une précision élevée.
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Claims (11)
1. Cellule solaire caractérisée en ce qu'elle comprend une première couche semiconductrice (1) d'un premier type de conductivité. une seconde couche semiconductrice (2) d'un second type de conductivité produite sur une première surface principale de ladite première couche semiconductrice, une première électrode (4) produite sur ladite seconde couche semiconductrice, une seconde électrode (5) produite sur l'autre surface principale de ladite première couche semiconductrice (1), une électrode de connexion (11) produite sur la première surface principale de ladite première couche semiconductrice (1) et isolée de ladite seconde couche semiconductrice (2), et une couche de conductivité pour connecter électriquement ladite seconde électrode (2) et ladite électrode de connexion (11) et formée dans la direction de l'épaisseur de ladite première couche
semiconductrice (1).
2. Cellule solaire melon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite première électrode (4) est une électrode collectrice comprenant une portion d'électrode en barre (4a) et des portions d'électrode du type
peigne (4b) s'étendant i partir de la première.
3. Cellule solaire selon la revendication 1. caractérisée en ce que ladite seconde électrode est produite sur l'autre surface principale de ladite première couche semiconductrice en laissant subsister un espace à son
extrémité sur le c6té opposé à celui de ladite électrode de connexion.
4. Cellule solaire selon la revendication 3, caractérisée en ce que ladite couche de conductivité est obtenue par pénétration dans ladite première
couche semiconductrice.
5. Dispositif à cellules solaires comprenant plusieurs cellules solaires telles que définies dans la revendication 4. caractérisée en ce que ces cellules (21) sont reliées en série les unes aux autres par un élément de connexion mutuel (15) qui est placé sur ladite première électrode (4a) d'une cellule et ladite électrode de connexion (11) de l'autre cellule dans un état o les cellule solaire sont placées de façon que
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l'autre surface principale de ladite première couche semiconductrice
soit sur le côté inférieur.
6. Cellule solaire selon la revendication 1. caracterisée en ce que ladite couche de conductivité est prévue sur la surface latérale externe de ladite première couche semiconductrice. 7. Cellule solaire selon la revendication 6. caractérisée en ce qu'elle est munie en outre d'une électrode de connexion par soudage (19) sur le côté opposé à celui de ladite couche de conductivité sur la surface latérale
externe de ladite première couche semiconductrice.
8. Dispositif à cellules solaires comprenant plusieurs cellules solaires telles que definies dans la revendication 7, caractérisé en ce que ces cellules (23) sont reliées en série les unes aux autres par ladite électrode de connexion par soudage (19) d'une cellule qui est directement soudée sur ladite électrode de connexion de l'autre cellule dans un état o les cellule solaire sont placées de façon que l'autre surface principale de ladite première couche semiconductrice soit sur
le c8té inférieur.
9. Procédé de production d'une cellule solaire, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: préparer une première couche semiconductrice d'un premier type de conductivité, produire une seconde couche semiconductrice d'un second type de conductivité sur une première surface principale de ladite première couche semiconductrice, produire une première électrode sur ladite seconde couche semiconductrice, produire une couche de conductivité dans la direction de l'épaisseur de ladite première couche semiconductrice, produire une électrode de connexion reliée électriquement à ladite couche de conductivité et isolée de ladite seconde couche semiconductrice sur ladite première surface principale de ladite première couche semiconductrice dans une position o ladite seconde couche semiconductrice n'est pas produite, et produire une seconde électrode reliée électriquement à ladite couche de conductivité sur l'autre surface principale de ladite
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première couche semiconductrice, qui est électriquement connectée à
ladite couche de conductivité.
10. Procédé de production d'une cellule solaire selon la revendication 9, caractérisé aen ce que ladite couche de conductivité qui est reliée à ladite électrode de connexion et à ladite seconde électrode est produite par décapage de façon à produire une gorge sur la surface exposée de ladite première couche semiconductrice après avoir produit ladite seconde couche semiconductrice sur ladite première couche semiconductrice, à incorporer un matériau de conductivité dans ladite gorge décapée et à polir la surface arrière de ladite première couche semiconductrice jusqu'à ce que ledit matériau de conductivité soit exposé. Il. Procédé de production d'une cellule solaire selon la revendication 10. caractérisé en ce que la pastille est brisée en plusieurs cellules en des positions différentes de ladite gorge décapée, produisant ainsi ladite couche de conductivité qui pénètre dans ladite
première couche semiconductrice.
12. Procédé de production d'une cellule solaire selon la revendication 10. caractérisé en ce que la pastille est brisée en plusieurs cellules aux positions desdites gorges décapées, produisant ainsi une couche de conductivité constituée sur la surface latérale externe de
ladite première couche semiconductrice.
13. Procédé de production d'une cellule solaire selon la revendication 12. caractérisé en ce qu'un électrode de connexion par soudage reliant ladite électrode de connexion d'une cellule et ladite première électrode de l'autre cellule de façon à connecter en série deux cellules solaires adjacentes est produite par production d'une gorge décapée dans une portion de ladite première couche semiconductrice éloignée du matériau de conductivité dans ladite gorge décapée, et en brisant la pastille en plusieurs cellules dans les positions de ladite
gorge décapée.
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